JPS6037804A - 局部発振回路 - Google Patents
局部発振回路Info
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- JPS6037804A JPS6037804A JP58145083A JP14508383A JPS6037804A JP S6037804 A JPS6037804 A JP S6037804A JP 58145083 A JP58145083 A JP 58145083A JP 14508383 A JP14508383 A JP 14508383A JP S6037804 A JPS6037804 A JP S6037804A
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- diode
- changeover switch
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- varactor diode
- resistor
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ヘテロゲイン方式を使用したシステムにおけ
る広帯域の局部発振回路に関するものであシ、例えばテ
レビジョンチューナ回路、 ＳＨＦ ＪＴ−１ダウンコ
ンバ一タ回路に用いるものである。
る広帯域の局部発振回路に関するものであシ、例えばテ
レビジョンチューナ回路、 ＳＨＦ ＪＴ−１ダウンコ
ンバ一タ回路に用いるものである。
（従来例の構成とその問題点）
分布定数回路における線路インピーダンスＺｉｎは、特
性インピーダンスをＺ。、線路の終端インピーダンスを
Ｚ、線路長をｔとすれば ２π となる。但し、β＝下（）、 ：波長） ・・・・−・
（２）（１）式において２１え一〇としたときＺｌｎ−
ｊＺｏ−βｔ ・・・・・・・・・・（３）とな９、こ
れを２゜で規格した特性は、第１図のよλ λ λ うになり、０から−の間で誘導性、１から百の間で容量
性、・・・、のような変化をする。この線路のλ ０から−の間を利用し、これに容量を与えて共振回路を
構成することができる。
性インピーダンスをＺ。、線路の終端インピーダンスを
Ｚ、線路長をｔとすれば ２π となる。但し、β＝下（）、 ：波長） ・・・・−・
（２）（１）式において２１え一〇としたときＺｌｎ−
ｊＺｏ−βｔ ・・・・・・・・・・（３）とな９、こ
れを２゜で規格した特性は、第１図のよλ λ λ うになり、０から−の間で誘導性、１から百の間で容量
性、・・・、のような変化をする。この線路のλ ０から−の間を利用し、これに容量を与えて共振回路を
構成することができる。
第２図はこのような共振回路を利用した局部発振回路の
従来例を示す。すなわち、この局部発振回路は上述の共
振回路を増幅器に接続して反射型の発振器を構成したも
ので、図においてＡは共振体部ブロック、Ｂは増幅器ブ
ロックを示し、図示のように共振体部ブロックＡは増幅
器ブロックＢに結合容量Ｃ１を介して接続される。Ｄ、
は第１の外部直流電位（以下同調電位という）Ｂ、によ
多容量を可変できる同調ダイオード（以下バラクタダイ
オードという）、Ｄ２は第２の外部直流電位（以下バイ
アス電位という）Ｂ８によシ導通、非導通を切り換える
ことのできるスイッチダイオード、Ｌｌは共振線路で一
端がバラクタダイオードＤ１のアノードに接続され他端
は結合容量Ｃ２を介してスイッチダイオードＤ２に接続
されると共に、高抵抗Ｒ２を通して接地される。結合容
量Ｃ２とスイッチダイオードＤ の接続点は高抵抗Ｒ５
を通してバイアス電圧Ｂ８が与えられる。共振は共振線
路Ｌ１とバラクタダイオードＤ１の容量ＣＤ１と回路の
浮遊容量Ｃ７及びスイッチングダイオードＤ２の容量Ｃ
Ｄ２、スイッチングダイオードＤ２に並列に接続された
容量ＣｆＤの合成容量とで構成される。この合成容量を
Ｃとすれば共振点において ｊ「＝ Ｚｏｔａｎｌ？ｌ −・・・・・−・・（４）
の関係があυ、第２図の回路はこのω。で発振する。
従来例を示す。すなわち、この局部発振回路は上述の共
振回路を増幅器に接続して反射型の発振器を構成したも
ので、図においてＡは共振体部ブロック、Ｂは増幅器ブ
ロックを示し、図示のように共振体部ブロックＡは増幅
器ブロックＢに結合容量Ｃ１を介して接続される。Ｄ、
は第１の外部直流電位（以下同調電位という）Ｂ、によ
多容量を可変できる同調ダイオード（以下バラクタダイ
オードという）、Ｄ２は第２の外部直流電位（以下バイ
アス電位という）Ｂ８によシ導通、非導通を切り換える
ことのできるスイッチダイオード、Ｌｌは共振線路で一
端がバラクタダイオードＤ１のアノードに接続され他端
は結合容量Ｃ２を介してスイッチダイオードＤ２に接続
されると共に、高抵抗Ｒ２を通して接地される。結合容
量Ｃ２とスイッチダイオードＤ の接続点は高抵抗Ｒ５
を通してバイアス電圧Ｂ８が与えられる。共振は共振線
路Ｌ１とバラクタダイオードＤ１の容量ＣＤ１と回路の
浮遊容量Ｃ７及びスイッチングダイオードＤ２の容量Ｃ
Ｄ２、スイッチングダイオードＤ２に並列に接続された
容量ＣｆＤの合成容量とで構成される。この合成容量を
Ｃとすれば共振点において ｊ「＝ Ｚｏｔａｎｌ？ｌ −・・・・・−・・（４）
の関係があυ、第２図の回路はこのω。で発振する。
共振体部ブロックＡにおいて、スイッチダイオードＤ２
が導通しだときには、共振体は結合容量Ｃ２を通して直
接接地された形となり、容量ＣｆＤの影響はほとんどな
い。故に、共振容量はバラクタダイオードＤ１の同調容
量ＣＤ１と結合容量Ｃ１１Ｃ２と増幅器プロ、りＢを含
めた浮遊容量Ｃｆとの和になるが、結合容量Ｃ１，Ｃ２
は同調容量ＣＤ、に対して大きな値を用いるため実質上
の合成容量Ｃ６はｃｏ＝ ｃＤ１＋ ｃ（＝−・・（５
）となる。
が導通しだときには、共振体は結合容量Ｃ２を通して直
接接地された形となり、容量ＣｆＤの影響はほとんどな
い。故に、共振容量はバラクタダイオードＤ１の同調容
量ＣＤ１と結合容量Ｃ１１Ｃ２と増幅器プロ、りＢを含
めた浮遊容量Ｃｆとの和になるが、結合容量Ｃ１，Ｃ２
は同調容量ＣＤ、に対して大きな値を用いるため実質上
の合成容量Ｃ６はｃｏ＝ ｃＤ１＋ ｃ（＝−・・（５
）となる。
一方、スイッチダイオードＤ２が非導通になると、スイ
ッチダイオードＤ２は容量ＣｆＤを通して接地され、容
量ＣｆＤは結合容量Ｃ１，Ｃ２に対して極めて小さいた
め無視できず合成容量Ｃ８は となる。
ッチダイオードＤ２は容量ＣｆＤを通して接地され、容
量ＣｆＤは結合容量Ｃ１，Ｃ２に対して極めて小さいた
め無視できず合成容量Ｃ８は となる。
ここでＣｆＤ二１ ｐＦ 、 Ｃｆ＝０．５ｐＦＣＤ１
＝ ０．７ ｐＦ〜６ ｐＦにすれば、（５）式のＣ８
の可変範囲は、１．２ ｐＦ〜６．５ｐＦとなり、共振
線路をインピーダンス５ｏΩ、線路長１４２ｍｍとする
と周波数可変範囲は９００ ＭＨｚ 〜１７５０ ＭＨ
ｚとなる。
＝ ０．７ ｐＦ〜６ ｐＦにすれば、（５）式のＣ８
の可変範囲は、１．２ ｐＦ〜６．５ｐＦとなり、共振
線路をインピーダンス５ｏΩ、線路長１４２ｍｍとする
と周波数可変範囲は９００ ＭＨｚ 〜１７５０ ＭＨ
ｚとなる。
（６）式の場合はＣ８の変化は０．９ ］、 ｐＦ〜１
．３５ｐＦになシ、１７００ ＭＨｚ 〜１９００ Ｍ
Ｈｚの周波数可変範囲を得る。よって第２図のＢ８端子
によりスイッチダイオードＤ２を導通、非導通すること
によって、９００ＭＨｚ〜１９００ ＭＵｚまでの周波
数可変範囲を得ようとするものであるが、上記回路の場
合、導通、非導通時の周波数の重なシが少ないだめ、素
子のバラツキ等によシ周波数に不連続部分が生じるとい
う欠点があった。
．３５ｐＦになシ、１７００ ＭＨｚ 〜１９００ Ｍ
Ｈｚの周波数可変範囲を得る。よって第２図のＢ８端子
によりスイッチダイオードＤ２を導通、非導通すること
によって、９００ＭＨｚ〜１９００ ＭＵｚまでの周波
数可変範囲を得ようとするものであるが、上記回路の場
合、導通、非導通時の周波数の重なシが少ないだめ、素
子のバラツキ等によシ周波数に不連続部分が生じるとい
う欠点があった。
（発明の目的）
本発明は、かかる欠点を改善するもので、スイッチダイ
オードの代シにバラクタダイオードを使用し、周波数可
変範囲を拡大すると共に、バラクタダイオードを順方向
に用いて切り換えるようにして、切り換え時の周波数の
重なりを増大させ、素子のバラツキ等による不連続部分
が生じない局部発振回路を提供することを目的とする。
オードの代シにバラクタダイオードを使用し、周波数可
変範囲を拡大すると共に、バラクタダイオードを順方向
に用いて切り換えるようにして、切り換え時の周波数の
重なりを増大させ、素子のバラツキ等による不連続部分
が生じない局部発振回路を提供することを目的とする。
（発明の構成）
上記目的を達成するために本発明は、局部発振回路にお
いて第１の外部直流電位（同調電位）により容量を可変
できる第１のバラクタダイオード（同調ダイオード）と
、共振線路と、第２の外部直流電位により導通・非導通
が制御されると共に前１尼第１のバラクタダイオードに
加えている外部直流電位によって容量を可変できる第２
のバラクタダイオードとを直列に接続して共振体部を構
成し、この共振体部の一端を増幅器を構成するトランジ
スタのベースあるいはコレクタに接続すると共に他端を
交流的に接地し、さらに前記第２のバラクタダイオード
のアノード側に第１の切り換えスイッチの入力端子を、
カソード側に第２の切り換えスイッチの入力端子をそれ
ぞれ接続し、第１の切シ換えスイッチの一方の接点には
抵抗又はチョークコイルを通して前記第２の外部直流電
位を与え、他方の接点は抵抗又はチョークコイルを通し
て接地し、また、第２の切り換えスイッチの一方の接点
には前記第１の外部直流電位を抵抗又はチョークコイル
を通してそのま−１あるいは分割して与え、他方の接点
は接地し、これら第１および第２の切り換えスイッチを
操作して前記第２のバラクタダイオードの導通・非導通
を制御するととによシ周波数範囲を切シ換えるようにし
たことを特徴とするもので、これによシ切り換え時の周
波数の重なりを増大させることができ、素子のバラノキ
等による不連続部分をなくすことができる。
いて第１の外部直流電位（同調電位）により容量を可変
できる第１のバラクタダイオード（同調ダイオード）と
、共振線路と、第２の外部直流電位により導通・非導通
が制御されると共に前１尼第１のバラクタダイオードに
加えている外部直流電位によって容量を可変できる第２
のバラクタダイオードとを直列に接続して共振体部を構
成し、この共振体部の一端を増幅器を構成するトランジ
スタのベースあるいはコレクタに接続すると共に他端を
交流的に接地し、さらに前記第２のバラクタダイオード
のアノード側に第１の切り換えスイッチの入力端子を、
カソード側に第２の切り換えスイッチの入力端子をそれ
ぞれ接続し、第１の切シ換えスイッチの一方の接点には
抵抗又はチョークコイルを通して前記第２の外部直流電
位を与え、他方の接点は抵抗又はチョークコイルを通し
て接地し、また、第２の切り換えスイッチの一方の接点
には前記第１の外部直流電位を抵抗又はチョークコイル
を通してそのま−１あるいは分割して与え、他方の接点
は接地し、これら第１および第２の切り換えスイッチを
操作して前記第２のバラクタダイオードの導通・非導通
を制御するととによシ周波数範囲を切シ換えるようにし
たことを特徴とするもので、これによシ切り換え時の周
波数の重なりを増大させることができ、素子のバラノキ
等による不連続部分をなくすことができる。
（実施例の説明）
以下、本発明の一実施例について図面を参照し、なから
説明する。第３図は本発明の一実施１＋１］における局
部発振回路の構成を示すもので、第３図においてブロッ
クＣは共振体部、ブロックＤけ」曽幅部である。共振体
部ブロックＣは増幅器プロ、りＤと結合容量Ｃ１で接続
され、結合容量Ｃ１とバラクタダイオードＤ１の接続点
には高抵抗Ｒ１を通して同調電圧ＢＴが加えられる。バ
ラクタダイオードＩ）１のアノードには、共振線路Ｌ１
の一端が接続され、共振線路Ｌ１の他端は、高抵抗Ｒ２
を通して接地されると共に、結合容量Ｃ２を通し−Ｃバ
ラクタダイオードＤ２のアノードに接続される。丑だ、
バラクタダイオードＤ′２には特定の容量Ｃ８Ｄが並列
に接続され、バラクタダイオードＤ′２のカソードは大
容量Ｃ８を通して接地される。
説明する。第３図は本発明の一実施１＋１］における局
部発振回路の構成を示すもので、第３図においてブロッ
クＣは共振体部、ブロックＤけ」曽幅部である。共振体
部ブロックＣは増幅器プロ、りＤと結合容量Ｃ１で接続
され、結合容量Ｃ１とバラクタダイオードＤ１の接続点
には高抵抗Ｒ１を通して同調電圧ＢＴが加えられる。バ
ラクタダイオードＩ）１のアノードには、共振線路Ｌ１
の一端が接続され、共振線路Ｌ１の他端は、高抵抗Ｒ２
を通して接地されると共に、結合容量Ｃ２を通し−Ｃバ
ラクタダイオードＤ２のアノードに接続される。丑だ、
バラクタダイオードＤ′２には特定の容量Ｃ８Ｄが並列
に接続され、バラクタダイオードＤ′２のカソードは大
容量Ｃ８を通して接地される。
結合容量Ｃ２とバラクタダイオードＤ′２の接続点には
切り換えスイッチＳ１が接続され、この切り換えスイッ
チＳ１によシ同接続点には高抵抗Ｒ９を通してバイアス
電位Ｂ８と、高抵抗Ｒ４゜を通して接地とが切シ換えて
与えられるようにしている。捷だ、バラクタダイオード
Ｄ′２と容量Ｃ８の接続点には切シ換えスイッチＳ２が
接続され、この切り換えスイッチＳ２によシ同接続点に
は接地と、高抵抗Ｒ７を通して同調電圧ＢＴ（あるいは
これを分割した電位）とが切り換えて与えられるように
している◇上述の切シ換えスイッチＳ１と８２は互いに
独立したものでも、あるいは連動させるようにしたもの
でもよい。
切り換えスイッチＳ１が接続され、この切り換えスイッ
チＳ１によシ同接続点には高抵抗Ｒ９を通してバイアス
電位Ｂ８と、高抵抗Ｒ４゜を通して接地とが切シ換えて
与えられるようにしている。捷だ、バラクタダイオード
Ｄ′２と容量Ｃ８の接続点には切シ換えスイッチＳ２が
接続され、この切り換えスイッチＳ２によシ同接続点に
は接地と、高抵抗Ｒ７を通して同調電圧ＢＴ（あるいは
これを分割した電位）とが切り換えて与えられるように
している◇上述の切シ換えスイッチＳ１と８２は互いに
独立したものでも、あるいは連動させるようにしたもの
でもよい。
上記構成において、今、切シ換えスイッチＳ。
をｄ側、切り換えスイッチＳ２をｄ側にすると、バラク
タダイオードＤ２は導通し、共振体は結合容量Ｃ２、大
写ｆＡＣＢ及び切シ換えスイッチｓ２を通して接地され
た形となる。故に、共振容量はバラクタダイオードＤ１
の同調容量ＣＤ、と結合容量Ｃ１，Ｃ２゜（Ｃ８）と、
増幅器プロ、りＤを含めた浮遊容量Ｃ８との合成になる
が、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ８はｃＤｌに対して大きな値を用い
るだめ実質上の結合容量Ｃ６はＣｏ嬌ＣＤ１＋Ｃｆ・・
・・−（７） となる。
タダイオードＤ２は導通し、共振体は結合容量Ｃ２、大
写ｆＡＣＢ及び切シ換えスイッチｓ２を通して接地され
た形となる。故に、共振容量はバラクタダイオードＤ１
の同調容量ＣＤ、と結合容量Ｃ１，Ｃ２゜（Ｃ８）と、
増幅器プロ、りＤを含めた浮遊容量Ｃ８との合成になる
が、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ８はｃＤｌに対して大きな値を用い
るだめ実質上の結合容量Ｃ６はＣｏ嬌ＣＤ１＋Ｃｆ・・
・・−（７） となる。
才だ、切り換えスイッチＳ１．Ｓ２をそれぞれｂ側、Ｃ
側にすると、バラクタダイオード叫に逆バイアスがかか
り、バラクタダイオード＋Ｄ′２の容量をｃｌ、２とす
ると となる。
側にすると、バラクタダイオード叫に逆バイアスがかか
り、バラクタダイオード＋Ｄ′２の容量をｃｌ、２とす
ると となる。
ここでＣＨ）＝ １ ｐＦ 、 Ｃｆ＝ ０．５ ｐＦ
ＣＤ、 ＝ ０．７ ｐＦ〜６ ｐＦ 、 ＣＤ２＝０
．５ ｐＦ〜５ｐＦにすれば、（７）式のＣ８の可変範
囲は、１．２ ｐＦ〜６．５ｐＦとなり従来と同じであ
シ、共振線路をインピーダンス５０Ω、線路長１４．２
＋ｍ＋＋とすると周波数Ｔｉｆ変・ｊ・α囲は９００
ＭＨｚ 〜１７５０ ＭＨｚとなる。
ＣＤ、 ＝ ０．７ ｐＦ〜６ ｐＦ 、 ＣＤ２＝０
．５ ｐＦ〜５ｐＦにすれば、（７）式のＣ８の可変範
囲は、１．２ ｐＦ〜６．５ｐＦとなり従来と同じであ
シ、共振線路をインピーダンス５０Ω、線路長１４．２
＋ｍ＋＋とすると周波数Ｔｉｆ変・ｊ・α囲は９００
ＭＨｚ 〜１７５０ ＭＨｚとなる。
（８）式の場合はＣ８の変化は０．９８ｐＦ〜３．５ｐ
Ｆとなシ、ｃｏの変化比は３．６となり、従来の１．５
（１，３５Ａ）９１）に比べて２４倍増大し、周波数
可変ｊｌｉα囲も１１７５〜１８７５１旧２となり、切
り換え時の周波数の重なりが５０ ＭＩ（７，であった
のが５７５ ＭＨｚに増大された。
Ｆとなシ、ｃｏの変化比は３．６となり、従来の１．５
（１，３５Ａ）９１）に比べて２４倍増大し、周波数
可変ｊｌｉα囲も１１７５〜１８７５１旧２となり、切
り換え時の周波数の重なりが５０ ＭＩ（７，であった
のが５７５ ＭＨｚに増大された。
増幅器ブロックＤは第２図の場合の増幅器ブロック１３
と同じであり、ここで、この増幅器ブロックについて説
明する。第３図において、増幅器を構成するトランジス
タＱ１のベースには前述の結合容３ｔ Ｃ１を介して共
振体部ブロックＣが接続され、トランジスタＱ１のコレ
クタはＣ６の大容量で接地される。また、トランジスタ
Ｑ１のコレクタには抵抗Ｒ５全通してバイアスが与えら
れ、さらに、抵抗Ｒ４によりベース電位が与えられてい
る。この場合ベースバイアスについては自己帰還型でな
くてもよい。トランジスタＱ１のエミッターコレクタ間
の容量Ｃ５はエミッタとアース間の最短距離を交流的に
接Ｊルするもので、Ｃ５にょシ、広帯域の発振の安定性
を改善している。Ｒ２はハイパワーをとり出すプ（めの
チョークコイルである。Ｒ６はエミッタ抵抗であり、Ｃ
７を通して発振出力をとり出すもので、電流約３８ ｍ
Ａ時に約１０ ｄＢｍの・ぐワーをとり出すことができ
る。なお発振出力のとり出し方には、種々の方法があり
、Ｃ６の容量を１０ ｐＦ程度にしてコレクタからとり
出す方法や、共振線路にＬあるいは容量結合によってと
り出す方法も可能である。
と同じであり、ここで、この増幅器ブロックについて説
明する。第３図において、増幅器を構成するトランジス
タＱ１のベースには前述の結合容３ｔ Ｃ１を介して共
振体部ブロックＣが接続され、トランジスタＱ１のコレ
クタはＣ６の大容量で接地される。また、トランジスタ
Ｑ１のコレクタには抵抗Ｒ５全通してバイアスが与えら
れ、さらに、抵抗Ｒ４によりベース電位が与えられてい
る。この場合ベースバイアスについては自己帰還型でな
くてもよい。トランジスタＱ１のエミッターコレクタ間
の容量Ｃ５はエミッタとアース間の最短距離を交流的に
接Ｊルするもので、Ｃ５にょシ、広帯域の発振の安定性
を改善している。Ｒ２はハイパワーをとり出すプ（めの
チョークコイルである。Ｒ６はエミッタ抵抗であり、Ｃ
７を通して発振出力をとり出すもので、電流約３８ ｍ
Ａ時に約１０ ｄＢｍの・ぐワーをとり出すことができ
る。なお発振出力のとり出し方には、種々の方法があり
、Ｃ６の容量を１０ ｐＦ程度にしてコレクタからとり
出す方法や、共振線路にＬあるいは容量結合によってと
り出す方法も可能である。
パワーを考えれば、エミッタからとり出すのが最適であ
る。
る。
本発明の場合、出力のとり出し方、あるいに共振線路の
設定個所については、多くの方法があるが、本発明は、
その共振体部のバラクタダイオードにバイアス電圧を与
え導通させ、まだ同調電圧又はその分割した電圧を与え
ることによって周波数の可変範囲を増大し、結果的に切
り換え時の周波数の重なりを大きくしているという点が
重要なポイントである。またバラクタダイオードＤ′２
はバラクタダイオードＤ１と同じ又は別の物を用いるこ
とができる。
設定個所については、多くの方法があるが、本発明は、
その共振体部のバラクタダイオードにバイアス電圧を与
え導通させ、まだ同調電圧又はその分割した電圧を与え
ることによって周波数の可変範囲を増大し、結果的に切
り換え時の周波数の重なりを大きくしているという点が
重要なポイントである。またバラクタダイオードＤ′２
はバラクタダイオードＤ１と同じ又は別の物を用いるこ
とができる。
なお、共振体部ブロックＣにおいて、バラクタダイオー
ドＤ１には同調電圧ＢＴの逆バイアス電圧、バラクタダ
イオードＤ′２にはバイアス電圧ＢＳと共に同調電圧Ｂ
Ｔ又はこれを分割した電圧が力えられている点が重要で
あシ、ダイオードＤ、、Ｄ’、の向きは特に問題でない
。才だ、上記実施例における共振体部ブＯツクＣ中のＲ
１＋ Ｒ７およびＲ７は抵抗にかえてチョークコイルを
使うようにしてもよい。
ドＤ１には同調電圧ＢＴの逆バイアス電圧、バラクタダ
イオードＤ′２にはバイアス電圧ＢＳと共に同調電圧Ｂ
Ｔ又はこれを分割した電圧が力えられている点が重要で
あシ、ダイオードＤ、、Ｄ’、の向きは特に問題でない
。才だ、上記実施例における共振体部ブＯツクＣ中のＲ
１＋ Ｒ７およびＲ７は抵抗にかえてチョークコイルを
使うようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の局部発振回路は、第１の外
部直流電位により容量を可変できる同調ダイオードと、
共振線路と、第２の外部直流電位により導通・非導通が
制御されると共に前記同調ダイオードに加えている外部
直流電位によって容量を可変できるバラクタダイオード
とを直列に接続して共振体部を構成し、この共振体部の
一端を増幅器を構成するトランジスタのベースあるいは
コレクタに接続すると共に他端を交流的に接地し、さら
に前記バラクタダイオードのアノード側に第１のｌＪＪ
り換えスイッチの入力端子を、カソード側に第２の切り
換えスイッチの入力端子をそれぞれ接続し、第１の切り
換えスイッチの一方の接点にｄ、抵抗又はチョークコイ
ルを通して第２の外部直流電位を与え、他方の接点は抵
抗又はチョークコイルを通して接地し、また、第２の切
り換えスイッチの一方の接点には前記第１の外部直流電
位を抵抗又はチョークコイルを通してその寸まあるいは
分割したものを与え、他方の接点は接地し、これら第１
および第２の切り換えスイッチを操作して前記・ぐラク
タダイオードの導通・非導通を制御することによシ周波
数範囲を切り換えるようにしたもので、この構成により
周波数可変範囲が拡大し、その結果、局部発振回路の周
波数の９ノリ換え時の周波数の重なりを増大することが
できる。
部直流電位により容量を可変できる同調ダイオードと、
共振線路と、第２の外部直流電位により導通・非導通が
制御されると共に前記同調ダイオードに加えている外部
直流電位によって容量を可変できるバラクタダイオード
とを直列に接続して共振体部を構成し、この共振体部の
一端を増幅器を構成するトランジスタのベースあるいは
コレクタに接続すると共に他端を交流的に接地し、さら
に前記バラクタダイオードのアノード側に第１のｌＪＪ
り換えスイッチの入力端子を、カソード側に第２の切り
換えスイッチの入力端子をそれぞれ接続し、第１の切り
換えスイッチの一方の接点にｄ、抵抗又はチョークコイ
ルを通して第２の外部直流電位を与え、他方の接点は抵
抗又はチョークコイルを通して接地し、また、第２の切
り換えスイッチの一方の接点には前記第１の外部直流電
位を抵抗又はチョークコイルを通してその寸まあるいは
分割したものを与え、他方の接点は接地し、これら第１
および第２の切り換えスイッチを操作して前記・ぐラク
タダイオードの導通・非導通を制御することによシ周波
数範囲を切り換えるようにしたもので、この構成により
周波数可変範囲が拡大し、その結果、局部発振回路の周
波数の９ノリ換え時の周波数の重なりを増大することが
できる。
従って、本発明によれば素子のバラツキ等による周波数
の不連続部分をなくすことができ、信頼性の高い局部発
振回路を提供することができる。
の不連続部分をなくすことができ、信頼性の高い局部発
振回路を提供することができる。
λ
第１図は片側終端の７線路のインピーグノスｆｌ’ｒ性
図、第２図は局部発振回路の従来例の回路図、第３図は
本発明の一実施例における局部発振回路の回路図である
。 Ａ、Ｃ・・・共振体部プロ、り、、 ｌ’３ 、１）−
増幅器ブロック、Ｌ、・・・共振線路、Ｄ、、Ｄ′２
バラクタグイオ−ド’、 Ｑｌ”’ｈランジスタ、ｓｌ
、ｓ２ ・・切り換えスイッチ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 （−二−）ｌ 第１図 −」× Δ ２ソ 立入 入 ４ ２ ４ 第２図 Ｌ Ｊ 第３図 Ｌ−一一一一一、 Ｊ
図、第２図は局部発振回路の従来例の回路図、第３図は
本発明の一実施例における局部発振回路の回路図である
。 Ａ、Ｃ・・・共振体部プロ、り、、 ｌ’３ 、１）−
増幅器ブロック、Ｌ、・・・共振線路、Ｄ、、Ｄ′２
バラクタグイオ−ド’、 Ｑｌ”’ｈランジスタ、ｓｌ
、ｓ２ ・・切り換えスイッチ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 （−二−）ｌ 第１図 −」× Δ ２ソ 立入 入 ４ ２ ４ 第２図 Ｌ Ｊ 第３図 Ｌ−一一一一一、 Ｊ
Claims (1)
- 第１の外部直流電位によ多容量を可変できる同調ダイオ
ードと、共振線路と、第２の外部直流電位により導通・
非導通が制御されると共に前記同調ダイオードに加えて
いる外部直流電位によって容量を可変できるバラクタダ
イオードとを直列に接続して共振体部を構成し、この共
振体部の一端を増幅蒔を構成するトランジスタのベース
あるいはコレクタに接続すると共に他端を交流的に接地
し、さらに前記バラクタダイオードのアノード側に第１
の切り換えスイッチの入力端子を、カソード側に第２の
切シ換えスイッチの入力端子をそれぞれ接続し、第１の
切り換えスイッチの一方の接点には抵抗又はチョークコ
イルを通して前記第２の外部直流電位を与え、他方の接
点は抵抗又はチョークコイルを通して接地し、寸だ、第
２の切り換えスイッチの一方の接点には前記第１の外部
直流電位を抵抗又はチョークコイルを通してその寸まあ
るいは分割して与え、他方の接点は接地し、これら第１
および第２の切り換えスイッチを操作して前記バラクタ
ダイオードの導通・非導通を制御することにより周波数
範囲を切り換えるようにしたことを特徴とする局部発振
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145083A JPS6037804A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 局部発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145083A JPS6037804A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 局部発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037804A true JPS6037804A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15376984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145083A Pending JPS6037804A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 局部発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037804A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6140020U (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-13 | 富士通テン株式会社 | 電圧制御形発振回路 |
| JPS626504A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 電圧制御発振器 |
| JPS6238005A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変周波数発振装置 |
| JPH03172305A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-25 | Soc Atochem | オレフィン重合用触媒の坦体、該担体の製造方法及び該担体から得られる触媒 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP58145083A patent/JPS6037804A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6140020U (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-13 | 富士通テン株式会社 | 電圧制御形発振回路 |
| JPS626504A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 電圧制御発振器 |
| JPS6238005A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変周波数発振装置 |
| JPH03172305A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-25 | Soc Atochem | オレフィン重合用触媒の坦体、該担体の製造方法及び該担体から得られる触媒 |
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