JPS6038788B2 - イオン注入バブルデバイス - Google Patents
イオン注入バブルデバイスInfo
- Publication number
- JPS6038788B2 JPS6038788B2 JP57025995A JP2599582A JPS6038788B2 JP S6038788 B2 JPS6038788 B2 JP S6038788B2 JP 57025995 A JP57025995 A JP 57025995A JP 2599582 A JP2599582 A JP 2599582A JP S6038788 B2 JPS6038788 B2 JP S6038788B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cusp
- bubble
- ion
- ion implantation
- transfer path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/22—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of impact or pressure on a printing material or impression-transfer material
- B41J2/23—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of impact or pressure on a printing material or impression-transfer material using print wires
- B41J2/235—Print head assemblies
- B41J2/25—Print wires
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
｛１｝発明の技術分野
本発明はイオン注入法で作成される磁気バブルメモリデ
バイスに関するものである。
バイスに関するものである。
【２ー 技術の背景
最近磁気バブルメモリデバイスにおいて、そのバブル転
送路をイオン注入法により形成し、記憶密度を高度化す
る方法が開発されている。
送路をイオン注入法により形成し、記憶密度を高度化す
る方法が開発されている。
このイオン注入バブルデバイスは第１図の平面図及び第
２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガー
ネット（ＯＧＧ）基板１の上に液相ェピタキシャル成長
させた磁性ガーネットの薄膜２に対し、パターン３以外
の領域４に水素，ネオン，ヘリウム等のイオンを注入し
たものである。このようにパターン３を形成した素子は
イオンが注入された領域４の磁化容易軸方向が矢印ａの
如く面内方向と一致し、パターン３の磁化容易軸方向は
矢印ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。。従
ってバブル５は回転磁界によってパターン３の周緑に沿
って矢印ｃの如く転送される。そしてこのパターン３は
円形や四角形を一部が重なるようにして列状に配列した
形状であるため、従来のギャップを必要としたパーマロ
イパターンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパタ
ーンが小さくでき高密度化が実現される。このようなイ
オン注入バブルデバイスにおいて、バブル転送路をメジ
ャーマイナー構成とした場合、マイナーループをそれぞ
れ１本のパターンとすることは従来行なわれているが、
転送路を折り返しＵ字形にすることは実現されていない
。
２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガー
ネット（ＯＧＧ）基板１の上に液相ェピタキシャル成長
させた磁性ガーネットの薄膜２に対し、パターン３以外
の領域４に水素，ネオン，ヘリウム等のイオンを注入し
たものである。このようにパターン３を形成した素子は
イオンが注入された領域４の磁化容易軸方向が矢印ａの
如く面内方向と一致し、パターン３の磁化容易軸方向は
矢印ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。。従
ってバブル５は回転磁界によってパターン３の周緑に沿
って矢印ｃの如く転送される。そしてこのパターン３は
円形や四角形を一部が重なるようにして列状に配列した
形状であるため、従来のギャップを必要としたパーマロ
イパターンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパタ
ーンが小さくでき高密度化が実現される。このようなイ
オン注入バブルデバイスにおいて、バブル転送路をメジ
ャーマイナー構成とした場合、マイナーループをそれぞ
れ１本のパターンとすることは従来行なわれているが、
転送路を折り返しＵ字形にすることは実現されていない
。
これはインサィドコーナ−として第３図に示す如くゆる
やかに１８００方向を変換するものしかなく、これでは
マイナーループの高密度化が実現不可能なためである。
【３｝発明の目的 本発明は上詫間題点に鑑み、最小のスペースで転送路を
折り返す例えば１８００折り返したマイナーループを有
するイオン注入バブルデバイスを提供することを目的と
するものである。
やかに１８００方向を変換するものしかなく、これでは
マイナーループの高密度化が実現不可能なためである。
【３｝発明の目的 本発明は上詫間題点に鑑み、最小のスペースで転送路を
折り返す例えば１８００折り返したマイナーループを有
するイオン注入バブルデバイスを提供することを目的と
するものである。
ｔ４）発明の構成
そしてこの目的は、本発明によれば、磁気バブル結晶に
イオン注入によってバブルの転送路を形成したイオン注
入バブルデバイスにおいて、バフルの転送路を折り返す
転送路は、折り返し点のパターン形状が少なくとも１個
以上のカスプ部をもち、かつそのカスプ部の三角形のカ
スプからバフルを引出す辺のカスプ頂点を回転中心とし
た傾きが結晶のストライプ容易方向から時計方向もしく
は反時計方向に３０ｏ偏った方向から同じ方向に測つて
６０〜１１０ｏの範囲の角度をもち、同じ方向に磁界を
回転する場合に適用され、かつ折り返し点のカスプ部は
隣接する入路側及び出路側のカスプ部に対して必ずイオ
ン非注入領域の山を持ち、折り返し点のカスプの頂点か
ら隣接するカスプの頂点へ直線的に見通せないようにし
たことを特徴とするイオン注入バブルデバイスを提供す
ることによって達成される。
イオン注入によってバブルの転送路を形成したイオン注
入バブルデバイスにおいて、バフルの転送路を折り返す
転送路は、折り返し点のパターン形状が少なくとも１個
以上のカスプ部をもち、かつそのカスプ部の三角形のカ
スプからバフルを引出す辺のカスプ頂点を回転中心とし
た傾きが結晶のストライプ容易方向から時計方向もしく
は反時計方向に３０ｏ偏った方向から同じ方向に測つて
６０〜１１０ｏの範囲の角度をもち、同じ方向に磁界を
回転する場合に適用され、かつ折り返し点のカスプ部は
隣接する入路側及び出路側のカスプ部に対して必ずイオ
ン非注入領域の山を持ち、折り返し点のカスプの頂点か
ら隣接するカスプの頂点へ直線的に見通せないようにし
たことを特徴とするイオン注入バブルデバイスを提供す
ることによって達成される。
｛５） 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
先ず隣接する２本のマイナーループをパッド側にカスプ
を持つような１８００ターンのインサイドコーナーで接
続することを考えた場合、最小スペースとなる形状とし
ては第４図に示されるようなものとなる。しかしこの形
状ではＡの方向から反Ｂ寺計回りの回転磁界で入ってき
たバブルがＤまで到達した後、回転磁界が６の方向に向
いた時再びバブルはカスプＢまで逆戻りしてしまい結局
Ｂ−○間で振動するだけとなる。本発明はこの点を改良
したものである。第５図は本発明によるイオン注入バブ
ルデバイスの転送路における１８００折り返し部分の形
状を示した図である。
を持つような１８００ターンのインサイドコーナーで接
続することを考えた場合、最小スペースとなる形状とし
ては第４図に示されるようなものとなる。しかしこの形
状ではＡの方向から反Ｂ寺計回りの回転磁界で入ってき
たバブルがＤまで到達した後、回転磁界が６の方向に向
いた時再びバブルはカスプＢまで逆戻りしてしまい結局
Ｂ−○間で振動するだけとなる。本発明はこの点を改良
したものである。第５図は本発明によるイオン注入バブ
ルデバイスの転送路における１８００折り返し部分の形
状を示した図である。
本発明は第５図に示す如く入路側（バブルがコーナーへ
入ってくる側）と出路側（出る側）との間に少なくとも
１個以上のカスプ６が設けられ、またそのカスプ６の最
も窪んだ頂点をカスプの中心線から進行方向に偏らせて
いる。
入ってくる側）と出路側（出る側）との間に少なくとも
１個以上のカスプ６が設けられ、またそのカスプ６の最
も窪んだ頂点をカスプの中心線から進行方向に偏らせて
いる。
この偏りはＣ・Ｃ・Ｓｈｉｒ（ＩＢＭ）がＪ・Ａ・ｐ・
５２く３）２３８８（１９８１＞で報告している『カス
プからバブルを引出す側の辺はバブルのストライプ容易
方向と垂直に近い程良いマージンが得られる』ことを利
用したものである。従って本発明ではこの偏りを得るた
めカスプ部６からバブルを引出す辺７のカスプ頂点を回
転中心とした懐きが結晶のストライプ容易方向Ｋ，から
時計方向又は反時計方向に３０ｏ偏よった方向（直線Ｘ
，Ｘ′）から同じ方向に測つた６０〜１１０ｏの範囲に
規定した。図は反時計方向に測つた場合を示しており、
回転磁界ＨＲが反時計万向に回転する場合に適用され、
回転磁界ＨＲが時計方向に回転する場合には８を６０〜
１１びの範囲とする。また折り返し点のカスプ６の頂点
から隣接するカスプ８及び９の頂点へ直線的に見通せな
いように（見通せる場合は第４図と同様になる）折り返
し点のカスプ６と隣接する入路側及び出路側のカスプ８
及び９との間にイオン非注入領域の山１０及び１１を形
成している。第６図は第５図におけるａを変化させたと
きのバイアス磁界ＨＢと駆動磁界ＨＲの関係を実験によ
り求めた図であり、曲線Ａは８＝１１００の場合、曲線
Ｂは８＝９００の場合、曲線Ｄは８＝６００の場合、曲
線Ｃはカプスの頂点をカプスの中心線上に位層せしめた
場合をそれぞれ示している。
５２く３）２３８８（１９８１＞で報告している『カス
プからバブルを引出す側の辺はバブルのストライプ容易
方向と垂直に近い程良いマージンが得られる』ことを利
用したものである。従って本発明ではこの偏りを得るた
めカスプ部６からバブルを引出す辺７のカスプ頂点を回
転中心とした懐きが結晶のストライプ容易方向Ｋ，から
時計方向又は反時計方向に３０ｏ偏よった方向（直線Ｘ
，Ｘ′）から同じ方向に測つた６０〜１１０ｏの範囲に
規定した。図は反時計方向に測つた場合を示しており、
回転磁界ＨＲが反時計万向に回転する場合に適用され、
回転磁界ＨＲが時計方向に回転する場合には８を６０〜
１１びの範囲とする。また折り返し点のカスプ６の頂点
から隣接するカスプ８及び９の頂点へ直線的に見通せな
いように（見通せる場合は第４図と同様になる）折り返
し点のカスプ６と隣接する入路側及び出路側のカスプ８
及び９との間にイオン非注入領域の山１０及び１１を形
成している。第６図は第５図におけるａを変化させたと
きのバイアス磁界ＨＢと駆動磁界ＨＲの関係を実験によ
り求めた図であり、曲線Ａは８＝１１００の場合、曲線
Ｂは８＝９００の場合、曲線Ｄは８＝６００の場合、曲
線Ｃはカプスの頂点をカプスの中心線上に位層せしめた
場合をそれぞれ示している。
図より本発明の８＝６０〜１１００においてはカスプの
頂点をカスプの中心線上に位置せしめた場合に比しマー
ジンが増大していることがわかる。第７図は駆動磁界Ｈ
Ｒ＝５０氏の時の８とバイアスマージン△ＨＢとの関係
を示した図であり、８が６００、即ちバブルを引き出す
辺がストライプ容易方向と垂直になるにつれてマージン
幅が大となっている。
頂点をカスプの中心線上に位置せしめた場合に比しマー
ジンが増大していることがわかる。第７図は駆動磁界Ｈ
Ｒ＝５０氏の時の８とバイアスマージン△ＨＢとの関係
を示した図であり、８が６００、即ちバブルを引き出す
辺がストライプ容易方向と垂直になるにつれてマージン
幅が大となっている。
なお８が６００以下は光りングラフィ技術上パターン形
成が困難となると同時にストライプ容易方向と垂直な方
向からまたずれてくるのでマージンが劣化してゆくこと
が推測される。従ってひの範囲は６０〜１１００が適当
となる。第８図は本発明の他の実施例を示したものであ
り、第５図の実施例と異なるところはパターンの角部を
曲線としたことであって、その作用効果は第５図の場合
と同様である。‘６｝ 発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明のイオン注入バブ
ルデバイスは、折り返したバブル転送路のィンサィドコ
ーナを簡単な形状で、且つ最小のスペースで実現したも
のであり、メジャーマイナ構成を小型化し得るといった
効果大なるものである。
成が困難となると同時にストライプ容易方向と垂直な方
向からまたずれてくるのでマージンが劣化してゆくこと
が推測される。従ってひの範囲は６０〜１１００が適当
となる。第８図は本発明の他の実施例を示したものであ
り、第５図の実施例と異なるところはパターンの角部を
曲線としたことであって、その作用効果は第５図の場合
と同様である。‘６｝ 発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明のイオン注入バブ
ルデバイスは、折り返したバブル転送路のィンサィドコ
ーナを簡単な形状で、且つ最小のスペースで実現したも
のであり、メジャーマイナ構成を小型化し得るといった
効果大なるものである。
第１図はイオン注入バブルデバイスを説明するための図
、第２図は第１図のローロ線における断面図、第３図は
従来の１８００折り返しバブル転送略を示した図、第４
図は１８０ｏ折り返しバブル転送路のィンサィドコーナ
が最小スペースとなる場合を示した図、第５図は本発明
によるイオン注入バブルデバイスのバブル転送路におけ
る１８００折り返し部分の形状を示した図、第６図はバ
ブル転送路の１８０ｏ折り返し点における８を変化させ
たときのバイアス磁界−駆動磁界特性を示した図、第７
図はそのバイアスマージンを示した図、第８図は他の実
施例を示した図である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
、第２図は第１図のローロ線における断面図、第３図は
従来の１８００折り返しバブル転送略を示した図、第４
図は１８０ｏ折り返しバブル転送路のィンサィドコーナ
が最小スペースとなる場合を示した図、第５図は本発明
によるイオン注入バブルデバイスのバブル転送路におけ
る１８００折り返し部分の形状を示した図、第６図はバ
ブル転送路の１８０ｏ折り返し点における８を変化させ
たときのバイアス磁界−駆動磁界特性を示した図、第７
図はそのバイアスマージンを示した図、第８図は他の実
施例を示した図である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- １ 磁気バブル結晶にイオン注入によつてバブルの転送
路を形成したイオン注入バブルデバイスにおいて、バブ
ルの転送路を折り返すインサイドコーナーは、折り返し
点のパターン形状が少なくとも１個以上のカスプ部をも
ち、かつそのカスプ部の三角形のカスプからバブルを引
出す辺のカスプ頂点を回転中心とした傾きが結晶のスト
ライプ容易方向から時計方向もしくは反時計方向に３０
°偏よつた方向から同じ方向に測つて６０〜１１０°の
範囲の角度をもち、同じ方向に磁界を回転する場合に適
用され、かつ折り返し点のカスプ部は隣接する入路側及
び出路側のカスプ部に対して必ずイオン非注入領域の山
を持ち、折り返し点のカスプの頂点から隣接するカスプ
の頂点へ直線的に見通せないようにしたことを特徴とす
るイオン注入バブルデバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025995A JPS6038788B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | イオン注入バブルデバイス |
| DE8383300919T DE3365054D1 (en) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | Ion-implanted magnetic bubble memory device |
| EP83300919A EP0087910B1 (en) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | Ion-implanted magnetic bubble memory device |
| US06/468,707 US4462087A (en) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | Ion-implanted bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025995A JPS6038788B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | イオン注入バブルデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58143489A JPS58143489A (ja) | 1983-08-26 |
| JPS6038788B2 true JPS6038788B2 (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12181294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57025995A Expired JPS6038788B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | イオン注入バブルデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038788B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7535180B2 (en) | 2005-04-04 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting circuits including light emitting diodes and four layer semiconductor shunt devices |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP57025995A patent/JPS6038788B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58143489A (ja) | 1983-08-26 |
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