JPS6040108B2 - 磁気バブル記憶素子 - Google Patents
磁気バブル記憶素子Info
- Publication number
- JPS6040108B2 JPS6040108B2 JP56000583A JP58381A JPS6040108B2 JP S6040108 B2 JPS6040108 B2 JP S6040108B2 JP 56000583 A JP56000583 A JP 56000583A JP 58381 A JP58381 A JP 58381A JP S6040108 B2 JPS6040108 B2 JP S6040108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- expander
- scheffron
- magnetic bubble
- magnetic
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶素子に係り、特に磁気バブル拡
大器に関する。
大器に関する。
磁気バブルを用いて記憶素子を構成するには、発生器、
検出器、各種ゲートといった機能部を必要とするが、そ
のうちの重要な１つに拡大器がある。
検出器、各種ゲートといった機能部を必要とするが、そ
のうちの重要な１つに拡大器がある。
磁気バブル拡大器のパタン構造はいままで種々のものが
提案されてきているが現在では本質的に山形パーマロイ
パタンからなる所謂シェフロン拡大器がもっと広く採用
されている。シェフロン拡大器は一般に単独では用いら
れず他の機能部、例えば検出器分割器とともに用いられ
る。従ってシェフロン拡大器も又広いバイアス磁場範囲
に百つて確実に磁気バブルを拡大できるようにパタン構
成されていなければならない。第１図ａは従来用いられ
ているシェブロン拡大器を磁気バブル検出器と組合わせ
た例を示す図である。磁気バブル転送路１１はシェフロ
ン拡大器２１のほぼ中央の位置に接続されている。すな
わち転送路１１からシェブロン拡大器２１への進入口を
基準にしてシェフロンの頂上部方向（図示■の方向で、
これをシェフロン上方向と称す）の積み重ね段数と反対
方向（図示■の方向で、これをシェフロン下方向と称す
）の積み重ね段数はほ）、等しくなっている。転送路１
１を通って方向■へ転送されてきた磁気バブルはシェフ
ロン拡大器２１に進入すると方向■及び方向■に拡大さ
れ検出器３１に転送され検出される。検出の終った磁気
バブルはシェフロン拡大器２１を経てガードレールで図
示されていない）外へ棄却されるか又は縮小されて再度
記憶部へ格納される。シェフロン拡大器２１で磁気バブ
ルを確実に拡大させるためにこれまでシェフロンパター
ン形状や、繰り返し周期等の最適化がはかられているが
未だ完全でなくバイアス磁界が大きくなるとあるし、は
回転磁界が小さくなると拡大されにくくなって充分な検
出出力の得られる動作範囲が狭いという欠点があった。
提案されてきているが現在では本質的に山形パーマロイ
パタンからなる所謂シェフロン拡大器がもっと広く採用
されている。シェフロン拡大器は一般に単独では用いら
れず他の機能部、例えば検出器分割器とともに用いられ
る。従ってシェフロン拡大器も又広いバイアス磁場範囲
に百つて確実に磁気バブルを拡大できるようにパタン構
成されていなければならない。第１図ａは従来用いられ
ているシェブロン拡大器を磁気バブル検出器と組合わせ
た例を示す図である。磁気バブル転送路１１はシェフロ
ン拡大器２１のほぼ中央の位置に接続されている。すな
わち転送路１１からシェブロン拡大器２１への進入口を
基準にしてシェフロンの頂上部方向（図示■の方向で、
これをシェフロン上方向と称す）の積み重ね段数と反対
方向（図示■の方向で、これをシェフロン下方向と称す
）の積み重ね段数はほ）、等しくなっている。転送路１
１を通って方向■へ転送されてきた磁気バブルはシェフ
ロン拡大器２１に進入すると方向■及び方向■に拡大さ
れ検出器３１に転送され検出される。検出の終った磁気
バブルはシェフロン拡大器２１を経てガードレールで図
示されていない）外へ棄却されるか又は縮小されて再度
記憶部へ格納される。シェフロン拡大器２１で磁気バブ
ルを確実に拡大させるためにこれまでシェフロンパター
ン形状や、繰り返し周期等の最適化がはかられているが
未だ完全でなくバイアス磁界が大きくなるとあるし、は
回転磁界が小さくなると拡大されにくくなって充分な検
出出力の得られる動作範囲が狭いという欠点があった。
特に磁気バブルが微小化され、又高速で動作させるとこ
の問題は顕著となる。検出出力は磁気バブルの拡大長に
比例するため不充分な拡大は誤検出につながり信頼性を
下げることになる。本発明の目的は広いバイアス磁界範
囲において充分安定に拡大し得る拡大器を備えた磁気バ
ブル記憶素子を提供することにある。
の問題は顕著となる。検出出力は磁気バブルの拡大長に
比例するため不充分な拡大は誤検出につながり信頼性を
下げることになる。本発明の目的は広いバイアス磁界範
囲において充分安定に拡大し得る拡大器を備えた磁気バ
ブル記憶素子を提供することにある。
拡大特性の改善のため第１図ａに示した従来のシェプロ
ン拡大器２１での磁気バブルの拡大の様子を詳細に検討
した結果、拡大特性はシェフロン拡大器２１の転送方向
の間隙部を渡った直後の拡大長に依存し且つそのバイア
ス磁界に対する関係は第１図ｂのようになっていること
が判明した。
ン拡大器２１での磁気バブルの拡大の様子を詳細に検討
した結果、拡大特性はシェフロン拡大器２１の転送方向
の間隙部を渡った直後の拡大長に依存し且つそのバイア
ス磁界に対する関係は第１図ｂのようになっていること
が判明した。
第１図ｂはバイアス磁場に対する拡大されたストライブ
磁区両端の位置を示すものでその位置は第１図ｂ左方に
示すシェフロン拡大器２１の位置に対応している。ライ
ンアウト磁場ＨＢ，よりバイアス磁場を大きくしていく
と、あるバイアス磁場ＨＢ２までは磁気バブルはシェブ
ロン拡大器２１の全長に相当する長さＬに拡大している
がＨＢ２を越えるとシェフロン拡大器２１の上方向■に
伸長しているストライブ磁区先端が縮小し始め、さらに
バイアス磁場ＨＢ３を越えるとシェフロン拡大器２１の
下方向■に伸長しているストライブ磁区先端も縮小し始
めてＨＢ４で完全に縮小して円形状磁気バブルとして転
送される。即ちシェフロン拡大器ではその上方向より、
下方向の方が縮小し‘こく〈例えば具体的な値としてそ
の差（ＨＢ３一ＨＢ２）は５びｌｅの回転磁場で約６ｏ
ｅ存在することが判明した。本発明はこの現象を積極的
に利用したものである。
磁区両端の位置を示すものでその位置は第１図ｂ左方に
示すシェフロン拡大器２１の位置に対応している。ライ
ンアウト磁場ＨＢ，よりバイアス磁場を大きくしていく
と、あるバイアス磁場ＨＢ２までは磁気バブルはシェブ
ロン拡大器２１の全長に相当する長さＬに拡大している
がＨＢ２を越えるとシェフロン拡大器２１の上方向■に
伸長しているストライブ磁区先端が縮小し始め、さらに
バイアス磁場ＨＢ３を越えるとシェフロン拡大器２１の
下方向■に伸長しているストライブ磁区先端も縮小し始
めてＨＢ４で完全に縮小して円形状磁気バブルとして転
送される。即ちシェフロン拡大器ではその上方向より、
下方向の方が縮小し‘こく〈例えば具体的な値としてそ
の差（ＨＢ３一ＨＢ２）は５びｌｅの回転磁場で約６ｏ
ｅ存在することが判明した。本発明はこの現象を積極的
に利用したものである。
本発明はシェフ。
ン拡大器とこの拡大器に磁気バブルを導入せしめるため
の転送路との接続位置を基準にしてシェフロン上方向よ
りもシェフロン下方向に多くの積み重ね段数を有するよ
うにシェフロン拡大器を構成するとにより達成される。
次に第２図ａ、第２図ｂを用いて本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。第２図ａは本実施例による磁気バ
ブル記憶素子のシェフロン拡大器及ぼ検出器を示す図で
、シェフロン拡大器２２での磁気バブル拡大長は従来と
同じＬとなっている。
の転送路との接続位置を基準にしてシェフロン上方向よ
りもシェフロン下方向に多くの積み重ね段数を有するよ
うにシェフロン拡大器を構成するとにより達成される。
次に第２図ａ、第２図ｂを用いて本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。第２図ａは本実施例による磁気バ
ブル記憶素子のシェフロン拡大器及ぼ検出器を示す図で
、シェフロン拡大器２２での磁気バブル拡大長は従来と
同じＬとなっている。
第１図ａの従来構成と異なる点は転送路１２からのシェ
フロン拡大器２２への進入位置を基準にしたシェフロン
上方何と下方向とでは積み重ね段数が異なっていてシェ
フロン下方向の段数を多くしたことである。転送路１２
を通って方向■へ転送されてきた磁気バブルはシェフロ
ン拡大器２２に進入すると上方向■には拡大できず下方
向■にのみ拡大され検出器３２に転送され出される。第
１図ｂと同様に本実施例のシェフロン拡大器２２でのバ
イアス磁場に対する拡大されたストライブ磁区先端の位
置の関係を表わすと２図ｂのようになる。ラインアウト
磁場ＨＢ，よりバイアス磁場を大きくしていくと、シェ
フロン拡大器２２の全長に相当する長たＬに磁気バブル
を拡大保持ているバイアス磁場ＨＢ２が第１図ａに示し
た従来のシェフロン拡大器２１のそれに比べ高バイアス
磁場側にシフトしており、シェフロン拡大器２２の下方
向■に伸長しているストライブ磁区先端の縮小し始める
バイアス磁場ＨＢ３に一致している。したがって従来に
比べ本実施例のシェフ。ン拡大器２２のバイアス磁場マ
ージンは５びｅの回転磁場で約６。ｅ増大したことにな
る。このように本実施例のシェフロン拡大器を用いると
広いバイアス磁場範囲に亘って安定な検出出力が得られ
記憶素子としての高信頼性が達成できる。なお、本発明
の実施例ではシェフロン拡大器を検出器との組合せの例
で説明したが、他の機能部との組合せであっても本発明
の拡大器が有効であることは明らかである。
フロン拡大器２２への進入位置を基準にしたシェフロン
上方何と下方向とでは積み重ね段数が異なっていてシェ
フロン下方向の段数を多くしたことである。転送路１２
を通って方向■へ転送されてきた磁気バブルはシェフロ
ン拡大器２２に進入すると上方向■には拡大できず下方
向■にのみ拡大され検出器３２に転送され出される。第
１図ｂと同様に本実施例のシェフロン拡大器２２でのバ
イアス磁場に対する拡大されたストライブ磁区先端の位
置の関係を表わすと２図ｂのようになる。ラインアウト
磁場ＨＢ，よりバイアス磁場を大きくしていくと、シェ
フロン拡大器２２の全長に相当する長たＬに磁気バブル
を拡大保持ているバイアス磁場ＨＢ２が第１図ａに示し
た従来のシェフロン拡大器２１のそれに比べ高バイアス
磁場側にシフトしており、シェフロン拡大器２２の下方
向■に伸長しているストライブ磁区先端の縮小し始める
バイアス磁場ＨＢ３に一致している。したがって従来に
比べ本実施例のシェフ。ン拡大器２２のバイアス磁場マ
ージンは５びｅの回転磁場で約６。ｅ増大したことにな
る。このように本実施例のシェフロン拡大器を用いると
広いバイアス磁場範囲に亘って安定な検出出力が得られ
記憶素子としての高信頼性が達成できる。なお、本発明
の実施例ではシェフロン拡大器を検出器との組合せの例
で説明したが、他の機能部との組合せであっても本発明
の拡大器が有効であることは明らかである。
第１図ａは従来の磁気バブル記憶素子に用いられている
シェフロン拡大器の概略を示す平面図、第１図ｂは同拡
大器のバイアス磁場に対するストライブ磁区両端の位置
を示す図、第２図ａは本発明の実施例による磁気バブル
記憶素子に用いられているシェフロン拡大器の概略を示
す平面図、第２図ｂは同拡大器のバイアス磁場に対する
ストライブ磁区両端の位置を示す図である。 なお図において、１１，１２…・・・転送路、２１，２
２．．・・．・シェブロン拡大器、３１，３２・・・・
・・検出器、である。 弟 ’図（仇） 弟ー図（ｂ） 第２図（仏） 第２図（ｂ）
シェフロン拡大器の概略を示す平面図、第１図ｂは同拡
大器のバイアス磁場に対するストライブ磁区両端の位置
を示す図、第２図ａは本発明の実施例による磁気バブル
記憶素子に用いられているシェフロン拡大器の概略を示
す平面図、第２図ｂは同拡大器のバイアス磁場に対する
ストライブ磁区両端の位置を示す図である。 なお図において、１１，１２…・・・転送路、２１，２
２．．・・．・シェブロン拡大器、３１，３２・・・・
・・検出器、である。 弟 ’図（仇） 弟ー図（ｂ） 第２図（仏） 第２図（ｂ）
Claims (1)
- １ シエブロン拡大器と前記拡大器に磁気バルブを導入
せしめるための転送路との接続位置を基準にして、シエ
ブロン上方向よりもシエブロン下方向に多くの積み重ね
段数を有するシエブロン拡大器を具備したことを特徴と
する磁気バブル記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56000583A JPS6040108B2 (ja) | 1981-01-06 | 1981-01-06 | 磁気バブル記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56000583A JPS6040108B2 (ja) | 1981-01-06 | 1981-01-06 | 磁気バブル記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57113480A JPS57113480A (en) | 1982-07-14 |
| JPS6040108B2 true JPS6040108B2 (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=11477729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56000583A Expired JPS6040108B2 (ja) | 1981-01-06 | 1981-01-06 | 磁気バブル記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040108B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129982A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Nec Corp | 磁気バブルメモリ素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4058799A (en) * | 1975-05-19 | 1977-11-15 | Rockwell International Corporation | Block oriented random access bubble memory |
-
1981
- 1981-01-06 JP JP56000583A patent/JPS6040108B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57113480A (en) | 1982-07-14 |
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