JPS62177785A - 磁気バブル素子 - Google Patents
磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS62177785A JPS62177785A JP61017931A JP1793186A JPS62177785A JP S62177785 A JPS62177785 A JP S62177785A JP 61017931 A JP61017931 A JP 61017931A JP 1793186 A JP1793186 A JP 1793186A JP S62177785 A JPS62177785 A JP S62177785A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- bubble
- corner
- angle
- curved
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオン打込み方式磁気バブル転送路正こ係り
、特に動作バイアス磁界マージンの広い折り畳みマイナ
ループを有する磁気バブル素子ｔこ関する。
、特に動作バイアス磁界マージンの広い折り畳みマイナ
ループを有する磁気バブル素子ｔこ関する。
磁気バブル素子の情報を蓄積するマイナループ用の磁気
バブル転送路として現在広く用いられているのは、パー
マロイパターンで形成された転送路である。しかしより
高密度な素子に適した方式として米国特許３８２８３２
９によって開示された無間隙イオン打込み転送路の開発
が各所で行なわれている。この転送路の周期を小さくし
素子を高密度に構成する場合、第２図に示すような転送
路を数回折り畳む方式が用いられる。図のように基本転
送路１を折り畳むことによって、情報の書き込み、読み
出し等の機能に関連するゲート部分２．３の領域を広く
確保することができる。これはゲート部分では一般にコ
ンダクタパタンに電流を流し局所的な磁界勾配を発生し
上記機能を実現するための所望の広さの領域が必要だか
らである。
バブル転送路として現在広く用いられているのは、パー
マロイパターンで形成された転送路である。しかしより
高密度な素子に適した方式として米国特許３８２８３２
９によって開示された無間隙イオン打込み転送路の開発
が各所で行なわれている。この転送路の周期を小さくし
素子を高密度に構成する場合、第２図に示すような転送
路を数回折り畳む方式が用いられる。図のように基本転
送路１を折り畳むことによって、情報の書き込み、読み
出し等の機能に関連するゲート部分２．３の領域を広く
確保することができる。これはゲート部分では一般にコ
ンダクタパタンに電流を流し局所的な磁界勾配を発生し
上記機能を実現するための所望の広さの領域が必要だか
らである。
折り畳みマイナループとゲート部分との間には両者をつ
なぐ部分（拡大周期部）４，５がある。
なぐ部分（拡大周期部）４，５がある。
この部分の面積をできるだけ少なくし良好な特性で動作
させることが、高密度な素子を実現する上で重要である
。
させることが、高密度な素子を実現する上で重要である
。
素子を高密度にするに従って基本転送路１の折り畳みの
回数を増やし第３図に示すようにゲート部分２，３の空
間的余裕を十分に確保しなければならない。ところが第
３図に示すような折り畳み構成の転送路では、折り畳み
の回数を増加させるに従って拡大周期部４，５の占める
割合が増大する。したがって素子の面積をこ対するゲー
ト部および拡大周期部の占める割合が増大し、有効に高
密度化できない問題があった。またこの部分の動作特性
も悪化するという問題も生じた。
回数を増やし第３図に示すようにゲート部分２，３の空
間的余裕を十分に確保しなければならない。ところが第
３図に示すような折り畳み構成の転送路では、折り畳み
の回数を増加させるに従って拡大周期部４，５の占める
割合が増大する。したがって素子の面積をこ対するゲー
ト部および拡大周期部の占める割合が増大し、有効に高
密度化できない問題があった。またこの部分の動作特性
も悪化するという問題も生じた。
本発明の目的は高密度の磁気バブル素子においてマイナ
ループの折り畳み転送路からゲート部に至る拡大周期部
の面積を減らし、かつ曳好な特性で動作させることにあ
る。
ループの折り畳み転送路からゲート部に至る拡大周期部
の面積を減らし、かつ曳好な特性で動作させることにあ
る。
拡大周期部４．旧こおける動作特性は、基本的には、バ
ブルガーネット膜の結晶方位に対する転送路の向きで決
まる。一般に第４図に見るようにガーネットの〔１１２
）と（１１２）の結晶方位を結ぶ軸に対して３０ 間隔
ｌこＧ〔グツド転送路〕、Ｂ（パッド転送路）、Ｓ（ス
ーパ転送路）の３種類の特性の異なる転送路が存在する
。動作特性はＳ、Ｇ、Ｂの順に悪くなることが知られて
いる。
ブルガーネット膜の結晶方位に対する転送路の向きで決
まる。一般に第４図に見るようにガーネットの〔１１２
）と（１１２）の結晶方位を結ぶ軸に対して３０ 間隔
ｌこＧ〔グツド転送路〕、Ｂ（パッド転送路）、Ｓ（ス
ーパ転送路）の３種類の特性の異なる転送路が存在する
。動作特性はＳ、Ｇ、Ｂの順に悪くなることが知られて
いる。
（１１２）と（１１２）とを結ぶ軸を中心に対称移動し
ても転送路はこの性質を有する。第３図と第４図を比較
して分かるように、拡大周期部４゜５はＢの転送路に極
めて近くなっている。このため、広い面積を占めるきと
もに動作特性も悪化したと考えられる。そこで、上記目
的を達成するためには、Ｇ又はＳの転送路を組み合わせ
て拡大周期部を構成すればよいといえる。
ても転送路はこの性質を有する。第３図と第４図を比較
して分かるように、拡大周期部４゜５はＢの転送路に極
めて近くなっている。このため、広い面積を占めるきと
もに動作特性も悪化したと考えられる。そこで、上記目
的を達成するためには、Ｇ又はＳの転送路を組み合わせ
て拡大周期部を構成すればよいといえる。
第５図（ａ） 、 （ｂ）は拡大周期部に用いる転送路
を前記のＧとＳだけで構成した例である。（ａ）ではバ
ブルは９０°コーナからＳ転送路へ入り２７００ コー
ナを通りＧ転送路へ入る。（ｂ）はこれと逆方向に転送
路を屈曲させた例である。バブルはまず２７０ コーナ
からＳ転送路へ入り９０ コーナを通りＧ転送路へ入る
。屈曲型転送路としては、これら２種類の形状が考えら
れる。
を前記のＧとＳだけで構成した例である。（ａ）ではバ
ブルは９０°コーナからＳ転送路へ入り２７００ コー
ナを通りＧ転送路へ入る。（ｂ）はこれと逆方向に転送
路を屈曲させた例である。バブルはまず２７０ コーナ
からＳ転送路へ入り９０ コーナを通りＧ転送路へ入る
。屈曲型転送路としては、これら２種類の形状が考えら
れる。
ここではコーナの角度を回転磁界ＨＲの回転方向に測っ
たバブルのコーナにおける転送方向の変化角と定義する
。
たバブルのコーナにおける転送方向の変化角と定義する
。
上記２種類の転送路の動作特性を比較した。第６図は、
これら屈曲型転送路の動作特性を測定した結果である。
これら屈曲型転送路の動作特性を測定した結果である。
用いたバブルの大きさは直径が０゜６μｍである。同一
パタンを２０ケ所測定し、その平均とばらつきを示した
。この図から明らかなように、動作範囲が広く特性のば
らつきが少ないのは（ｂ）のパタンである。（ｂ）の屈
曲型パタンを用いる方がより好ましいといえる。
パタンを２０ケ所測定し、その平均とばらつきを示した
。この図から明らかなように、動作範囲が広く特性のば
らつきが少ないのは（ｂ）のパタンである。（ｂ）の屈
曲型パタンを用いる方がより好ましいといえる。
屈曲型の（ａ）と（ｂ）とでなぜこのような特性の違い
が生じるか検討した。偏光顕微鏡によりバブルの挙動を
直接観察した結果（ａ）の２７０ コーナ部分において
特性が悪化しやすいことが分かった。これは、この部分
においてバブルを移動させるチャージドウオールと呼ば
れる磁極の移動が（ｂ）の方がよりなめらかに行なわれ
るためと考えられる。第７図はこのようすを示した図で
ある。（ａ）はＳ転送路からＧ転送路へ行く間ζこ２７
０°コーナがある場合、（ｂ）はこの逆の場合である。
が生じるか検討した。偏光顕微鏡によりバブルの挙動を
直接観察した結果（ａ）の２７０ コーナ部分において
特性が悪化しやすいことが分かった。これは、この部分
においてバブルを移動させるチャージドウオールと呼ば
れる磁極の移動が（ｂ）の方がよりなめらかに行なわれ
るためと考えられる。第７図はこのようすを示した図で
ある。（ａ）はＳ転送路からＧ転送路へ行く間ζこ２７
０°コーナがある場合、（ｂ）はこの逆の場合である。
２７０°コーナを移動するバブルエ１はチャージドウオ
ール１゜によって駆動される。チャージドウオールはガ
ーネット膜の結晶の対称性によって図に示す位置が安定
位置となる。図から明らかなようにバブルの移動方向に
対してこの安定位置が接近しているのは、（ｂ）の方で
ある。このことから（ｂ）の方がより安定した動作が実
現できると考えられる。
ール１゜によって駆動される。チャージドウオールはガ
ーネット膜の結晶の対称性によって図に示す位置が安定
位置となる。図から明らかなようにバブルの移動方向に
対してこの安定位置が接近しているのは、（ｂ）の方で
ある。このことから（ｂ）の方がより安定した動作が実
現できると考えられる。
以下、本発明の一実施例を第１図、第８図により説明す
る。
る。
第１図は前記したように、マイナループの高密度部分１
から、ゲート部分２，３に至る拡大周期部６，７に屈曲
型の転送路を設けた例である。
から、ゲート部分２，３に至る拡大周期部６，７に屈曲
型の転送路を設けた例である。
第８図は、同様に本発明の屈曲型転送路を、（１１２）
側にだけ設け、折り畳み部分の中間位置にゲート部２に
至る拡大周期部を設けた例である０ 以上の実施例によれば１２％以上の良好な拡大周期部の
動作特性を安定に実現することができる。
側にだけ設け、折り畳み部分の中間位置にゲート部２に
至る拡大周期部を設けた例である０ 以上の実施例によれば１２％以上の良好な拡大周期部の
動作特性を安定に実現することができる。
本発明によれば高密度なマイナループの転送路とゲート
部とを結ぶ拡大周期部を少ない面積で良好な特性で動作
させることができるので、バブルメモリ素子の高密度化
に大きな効果がある。
部とを結ぶ拡大周期部を少ない面積で良好な特性で動作
させることができるので、バブルメモリ素子の高密度化
に大きな効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の平面図、第２図は従来の
折り畳みマイナループを示す平面図、第３図は従来の構
成方法で高密度マイナループを構成した状態を示す平面
図、第４図はバブルガーネット膜の結晶方位と転送路の
特性を示す平面図。 第５図は２種類の屈曲型転送路を示す平面図、第６図は
各屈曲型転送路の動作特性を示すグラフ、第７図は２７
０ コーナにおけるチャージドウオールの挙動を示す平
面図、第８図は本発明の第２の実施例を示す平面図であ
る。 １・・・基本転送路、２，３・・・ゲート部、４，５・
・・拡大周期部、６，７・・・屈曲型の拡大周期部、８
・・・２７０°コーナ、９・・・９００コーナ、１０・
・・チャージドウオール。
折り畳みマイナループを示す平面図、第３図は従来の構
成方法で高密度マイナループを構成した状態を示す平面
図、第４図はバブルガーネット膜の結晶方位と転送路の
特性を示す平面図。 第５図は２種類の屈曲型転送路を示す平面図、第６図は
各屈曲型転送路の動作特性を示すグラフ、第７図は２７
０ コーナにおけるチャージドウオールの挙動を示す平
面図、第８図は本発明の第２の実施例を示す平面図であ
る。 １・・・基本転送路、２，３・・・ゲート部、４，５・
・・拡大周期部、６，７・・・屈曲型の拡大周期部、８
・・・２７０°コーナ、９・・・９００コーナ、１０・
・・チャージドウオール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イオン打込み転送路の折り畳みマイナループを用いた磁
気バブルメモリ素子で、マイナループの高密度部分から
ゲート等の機能部分に至る部分における、磁性ガーネッ
トの結晶方位である 〔１１＠２＠〕から〔＠１＠＠１＠２〕へ向う転送路に
おいて少なくても２つのコーナを有する屈曲型の転送路
を設け、回転磁界の回転方向と同じ方向にバブルが曲る
角度を測った場合に、前記第１のコーナ部分の角度の方
が第２のコーナの角度より大きい屈曲型の転送路が少な
くても１つあることを特徴とする磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017931A JPS62177785A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017931A JPS62177785A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177785A true JPS62177785A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=11957514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017931A Pending JPS62177785A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177785A (ja) |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61017931A patent/JPS62177785A/ja active Pending
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