JPS6041014B2 - サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6041014B2 JPS6041014B2 JP55014551A JP1455180A JPS6041014B2 JP S6041014 B2 JPS6041014 B2 JP S6041014B2 JP 55014551 A JP55014551 A JP 55014551A JP 1455180 A JP1455180 A JP 1455180A JP S6041014 B2 JPS6041014 B2 JP S6041014B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- copper
- oxide semiconductor
- manufacturing
- manganese
- Prior art date
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- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マンガンーニツケルスピネルに銅を容易にド
ーピングし、特性範囲の広いサーミスタを供給する事を
特徴とした負の抵抗温度係数を有するサーミスタ用酸化
物半導体の製造方法に関するものである。
ーピングし、特性範囲の広いサーミスタを供給する事を
特徴とした負の抵抗温度係数を有するサーミスタ用酸化
物半導体の製造方法に関するものである。
従来、負の抵抗温度係数を有する市販の汎用サーミスタ
の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様、目
的組成の酸化物を配合し、これを湿式混合・仮競・湿式
粉砕・造粒・成形・焼成という工程を経るのが一般的で
ある。
の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様、目
的組成の酸化物を配合し、これを湿式混合・仮競・湿式
粉砕・造粒・成形・焼成という工程を経るのが一般的で
ある。
また、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化鋼の３成分か
らなるサーミスタ用酸化物組成は、既に広く知られてい
る（日立製作所■、中央研究所創立二十周年記念論文集
、ｐ３０〜４０昭和３７年）。
らなるサーミスタ用酸化物組成は、既に広く知られてい
る（日立製作所■、中央研究所創立二十周年記念論文集
、ｐ３０〜４０昭和３７年）。
本発明は、上記マンガン、ニッケルおよび銅の３成分系
サーミスタの製造方法で、マンガンーニッケルスピネル
素子に銅−有機酸錯塩溶液を含浸させることによりドー
ピングさせて得る事を特徴とする。以下、本発明を実施
例を挙げて説明する。
サーミスタの製造方法で、マンガンーニッケルスピネル
素子に銅−有機酸錯塩溶液を含浸させることによりドー
ピングさせて得る事を特徴とする。以下、本発明を実施
例を挙げて説明する。
市販の原料ＭｎＣ０３およびＮｉ○をＭｎ：Ｎｉ＝８２
．５：１７．５原子％になるよう配合し、これをボール
ミルで混合し、このスラリーを乾燥後８００ｑｏで仮競
し、さらにボールミルで粉砕・乾燥を行い、造粒・成形
工程を経て、成形体を得る。
．５：１７．５原子％になるよう配合し、これをボール
ミルで混合し、このスラリーを乾燥後８００ｑｏで仮競
し、さらにボールミルで粉砕・乾燥を行い、造粒・成形
工程を経て、成形体を得る。
この成形体を８００〜９５０００の低温で焼成し、非常
に多孔質な素子を得る。この素子を銅−ＥＤＴＮ溶液に
含浸させた後、２００℃で乾燥後、１１００００で２時
間空気中で焼成した。これで、銅−ＥＤＴＡ（エチレン
ジアミン４酢酸）溶液の濃度あるし、は浸渡時間を変え
ることにより、ドーピング鋼含有量を変化させることが
できる。ＩＭ銅−ＥＤＴＡ溶液を用いて１０秒浸潰した
ものの最終組成比は、Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｕ＝８１．９：１
７．４：０．７原子％、８Ｍ銅−ＥＤＴＡ溶液を用いて
１０秒浸潰したものはＭｎ：Ｎｉ：Ｃｕ＝８０．３：１
７．０：２．７原子％であった。ここで、従来のように
配合時に組成が決定されている場合には、多様な特性範
囲をカバーするのは機械的ではない。
に多孔質な素子を得る。この素子を銅−ＥＤＴＮ溶液に
含浸させた後、２００℃で乾燥後、１１００００で２時
間空気中で焼成した。これで、銅−ＥＤＴＡ（エチレン
ジアミン４酢酸）溶液の濃度あるし、は浸渡時間を変え
ることにより、ドーピング鋼含有量を変化させることが
できる。ＩＭ銅−ＥＤＴＡ溶液を用いて１０秒浸潰した
ものの最終組成比は、Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｕ＝８１．９：１
７．４：０．７原子％、８Ｍ銅−ＥＤＴＡ溶液を用いて
１０秒浸潰したものはＭｎ：Ｎｉ：Ｃｕ＝８０．３：１
７．０：２．７原子％であった。ここで、従来のように
配合時に組成が決定されている場合には、多様な特性範
囲をカバーするのは機械的ではない。
即ち、一特性、一組成比と限定される。ところが、本発
明の製造方法を用いれば、基本的なマンガンーニツケル
スピネルを製造しておけば、素子特性の要望に対して容
易に広範囲に対処することができる点で産業上の効果は
大きい。特に、マンガンとニッケルは、全組成比でスピ
ネルを構成し安定であり、これに銅をドーピングする事
により、特性範囲の広いマンガンーニッケルー鋼系組成
の特徴を容易に得ることも大きな利点である。また、請
求の範囲の中で限定したサーミスタ組成の限定理由は、
既に市販されている汎用サーミスタの特性値（比抵抗１
００・仇〜ＩＭＯ・抑、Ｂ定数は１００ぴＫ〜６００び
Ｋの範囲）からくるものである。
明の製造方法を用いれば、基本的なマンガンーニツケル
スピネルを製造しておけば、素子特性の要望に対して容
易に広範囲に対処することができる点で産業上の効果は
大きい。特に、マンガンとニッケルは、全組成比でスピ
ネルを構成し安定であり、これに銅をドーピングする事
により、特性範囲の広いマンガンーニッケルー鋼系組成
の特徴を容易に得ることも大きな利点である。また、請
求の範囲の中で限定したサーミスタ組成の限定理由は、
既に市販されている汎用サーミスタの特性値（比抵抗１
００・仇〜ＩＭＯ・抑、Ｂ定数は１００ぴＫ〜６００び
Ｋの範囲）からくるものである。
さらに、含浸用溶液として銅−有機酸鉛塩に限定するの
は、金属と有機酸との鍔形成能力が大きく容易に置換方
法におこす事、溶液ｐＨが無機塩のように強酸性でなく
素子を溶解しない事、さらに焼成途中により有機酸はＮ
０２およびＣ０２として分解する利点を持つ事による。
以上のように本発明の製造方法は、マンガン−ニッケル
スピネルに銅を容易にドーピングし、特性範囲の広い負
の抵抗温度係数を有するサーミスタを容易に得る事がで
きる他、上述したような種々の利点を有するものであり
、その産業性は大なるものである。
は、金属と有機酸との鍔形成能力が大きく容易に置換方
法におこす事、溶液ｐＨが無機塩のように強酸性でなく
素子を溶解しない事、さらに焼成途中により有機酸はＮ
０２およびＣ０２として分解する利点を持つ事による。
以上のように本発明の製造方法は、マンガン−ニッケル
スピネルに銅を容易にドーピングし、特性範囲の広い負
の抵抗温度係数を有するサーミスタを容易に得る事がで
きる他、上述したような種々の利点を有するものであり
、その産業性は大なるものである。
Claims (1)
- １ 金属酸化物の焼結混合体において、その金属元素が
マンガン９４．９〜５５原子％、ニツケル５〜２５原子
％、銅０．１〜２０原子％の３種を合計１００原子％含
有するサーミスタ用酸化物半導体を得るために、マンガ
ンおよびニツケル２成分系素子に銅−有機酸錯塩溶液を
含浸させた後、乾燥、焼成させ、銅をドーピングする事
を特徴とするサーミスタ用酸化物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55014551A JPS6041014B2 (ja) | 1980-02-07 | 1980-02-07 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55014551A JPS6041014B2 (ja) | 1980-02-07 | 1980-02-07 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56114859A JPS56114859A (en) | 1981-09-09 |
| JPS6041014B2 true JPS6041014B2 (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=11864280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55014551A Expired JPS6041014B2 (ja) | 1980-02-07 | 1980-02-07 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041014B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019189668A1 (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | ダイキン工業株式会社 | 冷媒配管、熱交換器および冷媒配管の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930005249B1 (ko) * | 1990-08-16 | 1993-06-17 | 한국과학기술연구원 | 금속산화물계 써미스터 재료 |
| DE102010024863B4 (de) | 2010-06-24 | 2012-03-08 | Epcos Ag | Kobaltfreie NTC-Keramik, Verfahren zur Herstellung einer kobaltfreien NTC-Keramik und ihre Verwendung |
-
1980
- 1980-02-07 JP JP55014551A patent/JPS6041014B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019189668A1 (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | ダイキン工業株式会社 | 冷媒配管、熱交換器および冷媒配管の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56114859A (en) | 1981-09-09 |
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