JPS609122A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS609122A JPS609122A JP58117311A JP11731183A JPS609122A JP S609122 A JPS609122 A JP S609122A JP 58117311 A JP58117311 A JP 58117311A JP 11731183 A JP11731183 A JP 11731183A JP S609122 A JPS609122 A JP S609122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- amount
- patterns
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 技術分野
本発明は、電子ビーム露光方法に関し、特に所謂近接効
果を補正して、高精度の電子ビーム露光パターンを形成
する方法に関するものである。
果を補正して、高精度の電子ビーム露光パターンを形成
する方法に関するものである。
（ｂ） 技術の背景
電子ビーム露光によるパターン形成技術においては、パ
ターン精度の向上のためには、所謂、近接効果の補正が
不可欠である。
ターン精度の向上のためには、所謂、近接効果の補正が
不可欠である。
良く知られているように近接効果は被露光物に塗布形成
されたレジス）ｌｉｆｔ中での電子ビームの散乱（前方
散乱）及び被露光物である基板からの電子ビームの散乱
（後方散乱）によって描画後のレジストパターンが、電
子ビーム照射パターンより大きく拡がるという現象であ
り、特にパターン間の間隔が２μｍ以下になると結果的
にパターン形状の著しい歪をもたらし、精度を低下させ
る悪影響が顕著になる。この散乱によるレジスト中での
電子ビーム露光強度分布は、外部から照射するビで表わ
され、第１項目は前方散乱、第２項目は後方散乱によっ
て与えられるものであることが知られて−いる。なお、
（１）式中、Ａ、Ｂ、Ｃばそれぞれレジストの厚みや、
基板材料等の条件によって定まる定数である。
されたレジス）ｌｉｆｔ中での電子ビームの散乱（前方
散乱）及び被露光物である基板からの電子ビームの散乱
（後方散乱）によって描画後のレジストパターンが、電
子ビーム照射パターンより大きく拡がるという現象であ
り、特にパターン間の間隔が２μｍ以下になると結果的
にパターン形状の著しい歪をもたらし、精度を低下させ
る悪影響が顕著になる。この散乱によるレジスト中での
電子ビーム露光強度分布は、外部から照射するビで表わ
され、第１項目は前方散乱、第２項目は後方散乱によっ
て与えられるものであることが知られて−いる。なお、
（１）式中、Ａ、Ｂ、Ｃばそれぞれレジストの厚みや、
基板材料等の条件によって定まる定数である。
（Ｃ） 従来技術と問題点
従来、近接効果を補正するための最も一般的な方法は、
各パターン毎に上記（１）式で表わされる電子ビーム＋
ｔｔ乱強度分布とパターン形状及び隣接パターンからの
距離を考處して最適な照射量をあらかじめ各パターン毎
に設定したり、あるいば描画パターンのパターン寸法を
補正（縮少）する方法であり、いずれもあらかじめパタ
ーンデータ作成の時点で、補正量を決定するものである
。そこで、第１図のようなパターンに対し、寸法補正を
施すと接触していた第１図のパターンＡとＣ及びＡ′と
Ｃ′が離れる。従来は、第１図（Ａ）の様なパターンの
場合、０パターンの延長を行ない、第１図（Ｂ）の様な
場合は、Ｃ′パターンとＡ′パターンの間に斜線を施し
たパターンを追加していた。
各パターン毎に上記（１）式で表わされる電子ビーム＋
ｔｔ乱強度分布とパターン形状及び隣接パターンからの
距離を考處して最適な照射量をあらかじめ各パターン毎
に設定したり、あるいば描画パターンのパターン寸法を
補正（縮少）する方法であり、いずれもあらかじめパタ
ーンデータ作成の時点で、補正量を決定するものである
。そこで、第１図のようなパターンに対し、寸法補正を
施すと接触していた第１図のパターンＡとＣ及びＡ′と
Ｃ′が離れる。従来は、第１図（Ａ）の様なパターンの
場合、０パターンの延長を行ない、第１図（Ｂ）の様な
場合は、Ｃ′パターンとＡ′パターンの間に斜線を施し
たパターンを追加していた。
その様な場合、第１図（Ａ）の様なパターン延長の場合
は問題は生じないが、第１図（Ｂ）の様なパターン追加
の場合は、以下のような問題が生じる。
は問題は生じないが、第１図（Ｂ）の様なパターン追加
の場合は、以下のような問題が生じる。
即ぢ、追加パターンは、パターン幅が０．１μｍ〜０．
２μｍと非常に細いため、電子ビーム露光装置のビーム
のだれ等、影響を受けやすく特に短形ビームの場合、電
流密度分布は理想的な段階状でなくビームエツジにだれ
幅を有している。そのため描画図形の面積が大きく変化
すると、それらの図形が接続する部分で電荷分、布が不
均一となり、パターンの切断が生じやすく、形成したパ
ターンの品質が低下していた。
２μｍと非常に細いため、電子ビーム露光装置のビーム
のだれ等、影響を受けやすく特に短形ビームの場合、電
流密度分布は理想的な段階状でなくビームエツジにだれ
幅を有している。そのため描画図形の面積が大きく変化
すると、それらの図形が接続する部分で電荷分、布が不
均一となり、パターンの切断が生じやすく、形成したパ
ターンの品質が低下していた。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑み、パターンの追加を
行なうことなく、接触している部分のパターンの分割、
併合を行ない、該パターンに対して補正パターン寸法と
照射量に基づいて電子ビーム描画を行なう電子ビーム露
光方法を提供することにある。
行なうことなく、接触している部分のパターンの分割、
併合を行ない、該パターンに対して補正パターン寸法と
照射量に基づいて電子ビーム描画を行なう電子ビーム露
光方法を提供することにある。
（Ｑｌ 発明の構成
本発明は、少なくとも一部が接する複数の矩形パターン
に分けられる露光パターンの電子ビーム照射量およびパ
ターン寸法補正量をめる際に、該露光パターンを該接す
る部分を含み、該接する部分の幅をもち、かつ該複数の
矩形パターンの少なくとも２つの短形パターンにまたが
る部分と、それ以外の部分に対してそれぞれ電子ビーム
照射量およびパターン寸法補正量をめ、これらの量に基
づいて電子ビームの照射を行うことを特徴とする。
に分けられる露光パターンの電子ビーム照射量およびパ
ターン寸法補正量をめる際に、該露光パターンを該接す
る部分を含み、該接する部分の幅をもち、かつ該複数の
矩形パターンの少なくとも２つの短形パターンにまたが
る部分と、それ以外の部分に対してそれぞれ電子ビーム
照射量およびパターン寸法補正量をめ、これらの量に基
づいて電子ビームの照射を行うことを特徴とする。
ｆｆｌ 発明の実施例
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第２図は、本発明の一実施例を説明するためのパターン
を示している。第２図において、各パターン１，２．３
に対して、各辺の中点（図の黒丸）にサンプル点を設定
する。第２図のパターン１のザンプル点へに゛ついては
、以下の式が成り立つ。
を示している。第２図において、各パターン１，２．３
に対して、各辺の中点（図の黒丸）にサンプル点を設定
する。第２図のパターン１のザンプル点へに゛ついては
、以下の式が成り立つ。
Ｑ／Ｆ ＜ｒｌ）＋Ｑｚ Ｆ （ｒ：ｌ）＋Ｑ ３Ｆ
（ｒ３） −Ｅ −−−−（２）各サンプル点について
も同様の関係が成り立つ。
（ｒ３） −Ｅ −−−−（２）各サンプル点について
も同様の関係が成り立つ。
ここでＱ ｔ ” ＱＪは、各パターンの照射量であり
Ｆ （ｒｚ）〜Ｆ （ｒ３）は、各パターンのパターン
１のΔ点に及ばず影響強度である。Ｆ（ｒｉ）（ｉ＝１
〜３）は、（１）式で表わされる散乱強度分布を描画パ
ターンについて積分することにより得られる。
Ｆ （ｒｚ）〜Ｆ （ｒ３）は、各パターンのパターン
１のΔ点に及ばず影響強度である。Ｆ（ｒｉ）（ｉ＝１
〜３）は、（１）式で表わされる散乱強度分布を描画パ
ターンについて積分することにより得られる。
各サンプル点でのエネルギー強度が現像エネルギー強度
已に等しくなるように補正量（照射量と寸法補正量）を
める。
已に等しくなるように補正量（照射量と寸法補正量）を
める。
第２図のパターンに対し第３図に破線で示すように寸法
補正を施すと、接触していたパターンｌとパターン２が
離れる。
補正を施すと、接触していたパターンｌとパターン２が
離れる。
そこでパターン１とパターン２を図の様に１−ａ、１−
＝ｂおよび２ａ、２ｂに分割し、次にパターン１−ｂと
パターン２−ａを第４図の様に併合し一つのパターンと
する。引き続き第４図のパターンに対し再度照射量をめ
る。実際的には、−上記照射量と寸法補正量はパターン
データ作成時に決定してしまい、そのデータは、第５図
の如き装置なら電子計算ｔＪＭ５１に格納され、電子計
算機５１によってＸＹ偏向器５７を駆動し、ビームスポ
ットを歩進させ、所定のパターンを塗り潰すように照射
して描画を行なう。第５図は、典型的な電子ビーム露光
装置の基本構成の概念図である。電子ビーム露光装置本
体５５ば電子銃５４．収束電子レンズ系５６．ＸＹ偏向
器５７を有し細く絞られた電子ビームをレジストが塗布
された基板、試料５８に照射するものでその試料５８上
の電子ビームスボッ１〜の位置は、電子計算機５１から
のパターンデータで、ＤΔ変換器５２．増幅器５３を介
してＸＹ偏向器５７を駆動することによって制御される
。電子ビームは計算機５１からの信号に応じてブランキ
ング装置Ａこよって試料５８上へ照射されるものである
。
＝ｂおよび２ａ、２ｂに分割し、次にパターン１−ｂと
パターン２−ａを第４図の様に併合し一つのパターンと
する。引き続き第４図のパターンに対し再度照射量をめ
る。実際的には、−上記照射量と寸法補正量はパターン
データ作成時に決定してしまい、そのデータは、第５図
の如き装置なら電子計算ｔＪＭ５１に格納され、電子計
算機５１によってＸＹ偏向器５７を駆動し、ビームスポ
ットを歩進させ、所定のパターンを塗り潰すように照射
して描画を行なう。第５図は、典型的な電子ビーム露光
装置の基本構成の概念図である。電子ビーム露光装置本
体５５ば電子銃５４．収束電子レンズ系５６．ＸＹ偏向
器５７を有し細く絞られた電子ビームをレジストが塗布
された基板、試料５８に照射するものでその試料５８上
の電子ビームスボッ１〜の位置は、電子計算機５１から
のパターンデータで、ＤΔ変換器５２．増幅器５３を介
してＸＹ偏向器５７を駆動することによって制御される
。電子ビームは計算機５１からの信号に応じてブランキ
ング装置Ａこよって試料５８上へ照射されるものである
。
（ｇ） 発明の効果
以上の様に、本発明によれば、非常に細いパターンがで
きにくいため、描画図形の面積が平均化され、パターン
の切断が生しにくいので形成したパターンの品質が向上
する。
きにくいため、描画図形の面積が平均化され、パターン
の切断が生しにくいので形成したパターンの品質が向上
する。
第１図は、従来例を説明するための図、第２図乃至第４
図は、本発明の一実施例を説明するための図、第５図は
電子ビーム露光システムの基本的構成の例を示している
。 図において１，２．３および１−ａ、’１−ｂ。 ２−ａ、、２−ｂはそれぞれパターンを示す。 （ａ） 第２罰 名３Ｆ −ｂ （１１ 第５７
図は、本発明の一実施例を説明するための図、第５図は
電子ビーム露光システムの基本的構成の例を示している
。 図において１，２．３および１−ａ、’１−ｂ。 ２−ａ、、２−ｂはそれぞれパターンを示す。 （ａ） 第２罰 名３Ｆ −ｂ （１１ 第５７
Claims (1)
- 少なくとも一部が接する複数の短形パターンに分けられ
る露光パターンの電子ビーム照射量およびパターン寸法
補正量をめる際に、該露光パターンを該接続する部分を
含み、該接する部分の幅をもち、かつ該複数の短形パタ
ーンの少なくとも２つの短形パターンにまたがる部分と
、それ以外の部分に対してそれぞれ電子ビーム照射量お
よびパターン寸法補正量をめ、これらの量に基づいて電
子ビームの照射を行うことを特徴とする電子ビーム露光
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117311A JPS609122A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117311A JPS609122A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609122A true JPS609122A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14708606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58117311A Pending JPS609122A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609122A (ja) |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58117311A patent/JPS609122A/ja active Pending
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