JPS6043437B2 - アゼチジノン誘導体の製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なアゼチジノン誘導体の製造法に関する。

本発明で得られるアゼチジノン誘導体は文献未載の新規
化合物であり、下記一般式〔１〕で表わされる。
−〔式中Ｒ１はアリール低級アルキル基又はアリ
ールオキシ低級アルキル基を示す。

Ｒ２はフェニル環上にニトロ基を有することのあるアリ
ール低級アルキル基、フェニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリールオキシ低級アルキル基又はハロゲン
原子を置換基として有することのある低級アルキル基を
示す。Ｒ３は低級アルキル基を示す。〕，本発明におい
て、Ｒ１で示されるアリール低級アルキル基としては例
えばベンジル基、２−フェニルエチル基、ｐ−ヒドロキ
シベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｐ−クロルベン
ジル基等を挙げることができ、またアリールオキシ低級
アルキル基としては例えばフェノキシメチル基、２−フ
ェノキシエチル基、ｐ−ヒドロキシフェノキシメチル基
、ｐ−ニトロフェノキシメチル基等を挙げることができ
る。

Ｒ２で示されるフェニル環上にニトロ基を有することの
あるアリール低級アルキル基としては例えばベンジル基
、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチル基、２−フ
ェニルエチル基、２−（ｐ−ニトロフェニル）エチル基
、３−フェニルプロピル基、３−（ｐ−ニトロフェニル
）プロピル基等を挙げることができ、フェニル環上にニ
トロ基を有することのあるアリールオキシ低級アルキル
基としては例えばフェノキシメチル基、ｐ−ニトロフェ
ノキシメチル基、２−フエノキシエチル基、２−（ｐ−
ニトロフェノキシ）エチル基、３−フェノキシプロピル
基、３−（ｐ−ニトロフェノキシ）プロピル基等を挙げ
ることができ、またハロゲン原子を置換基として有する
ことのある低級アルキル基としては例えばメチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、Ｔｅｒｔ−ブチル基、２−クロロエチル基、２，２
，２−トリクロロエチル基等を挙げることができる。ま
たＲ３で示される低級アルキル基としては例えばメチル
基、エチル基、ｎ）−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、Ｔｅｒｔ−ブチル基等を挙げることができ
る。上記一般式〔１〕で表わされるアゼチジノン誘導体
はペニシリン系、セフアロスポリ７系抗生物質を合成す
るための中間体として有用な化合物で夕ある。例えば下
記反応式に従い本発明の化合物から抗菌剤として有用な
セフアロスポリン系化合物〔■ａ〕又は〔■ｂ〕に誘導
し得る。〔式中Ｒｌ，Ｒ汲びＲ３は前記に同じ。

〕本発明の方法によれば、上記一般式〔１〕で表わされ
るアゼチジノン誘導体は、一般式〔式中Ｒ４は２−ベン
ゾチアゾリル基を示す。

Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕で表わされるアゼチジノ
ン誘導体を低級アルコールの存在下に電解処理すること
により製造される。本発明において出発原料として用い
られる一般式〔■〕の化合物は公知の化合物であり、例
えばテトラヘドロンレター３００１（１９７３）に記載
されている方法に従い製造される。

一般式〔■〕て表わされるアゼチジノン誘導体の電解処
理は低級アルコールの存在下に必要な電気量を通電する
ことにより行なわれる。

低級アルコールとしては例えばメタノール、エタノール
、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、Ｔｅ
ｒｔ−ブチルアルコール等を挙げることができる。斯か
る低級アルコールは通常溶媒として用いられるが、本発
明では低級アルコールと他の溶媒との混合溶媒を使用す
ることもできる。低級アルコールと混合して用いられる
溶媒としては例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエー
テル、ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル、プ
ロビオニトリル等のニトリル類、塩化メチレン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素類又はこれらの混合溶媒等を挙げることができる
。本発明の方法においては反応系内に支持電解質を存在
させるのが好ましい。

支持電解質としては例えば硫酸、過塩素酸、リン酸等の
鉱酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の
スルホン酸類、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の有機酸等
を挙げることができる。θ 電解反応は、定電位電解及
び定電流電解のいずれでも行うことができる。

電流密度は通常１〜５００ｒｒ１Ａ／Ｃ４の範囲であり
、好ましくは５〜２００ｍＡ／Ｃｌｔである。反応に必
要な電気量は、基質濃度、溶媒の種類、電解槽の型状等
によつて一５定しないが、通常２〜５０Ｆ′／ＭＯｌで
よい。電極としては白金、炭素、ステンレス、チタン、
ニッケル等通常使用される電極を使用することができる
。反応温度としては原料及び生成物が分解、変性しない
温度以下であれば特に限定されないが、）−３０℃〜６
（代）の範囲で行われ、好ましくは−２０〜３０℃の範
囲である。電解槽としては、無隔膜電解槽、隔膜電解槽
共に使用することができる。本発明によれば、後記実施
例から明らかなように、目的とする一般式〔１〕で表わ
されるアゼチジノン誘導体を簡便な操作により好収率で
製造し得る。以下実施例を示して説明する。

実施例１ 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル、Ｒ４＝
ベンゾチアゾリル）２５０．３ｍｇをメタノール５０ｍ
１に溶解し、濃硫酸０．４ｍ１を加える。

白金電極を装入し（４×３ｃｒｉ）、撹拌下０〜２℃、
騨Ａ／ｄで２時間電解反応を行う。反応終了後酢酸エチ
ルで抽出し、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後無水
硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を除去し、残渣
をベンゼンー酢酸エチル（３：１）の溶媒を用いてシリ
カゲルカラムで分離、精製すると、１６７．９ｍ９の目
的物〔１〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル、Ｒ３＝メ
チル）を得る。５．１６（４Ｓ，．４Ｈ）、６．７１（
ＤｌｌＨ）、７．２７（Ｓ，．５ｌ−［）実施例２ 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル、Ｒ４＝
ベンゾチアゾリル）５０．２ｍ９をメタノール４ｍｔ及
びトテラヒドロフラン４．５Ｔｎｔに溶解し、濃硫酸０
．０７ｍｔを加える。

白金電極を装入し、−１４〜−１２℃、５ｎ１Ａ／Ｃｌ
ｔで１時間３５分電解反応を行う。反応終了後実施例１
と同様の処理を行うと、目的物〔１〕（Ｒ１＝ベンジル
、Ｒ２＝メチル、Ｒ３＝メチル）３０．２ｍｇを得る（
収率７９％）。訳及びＮＭＲで確認同定した。

実施例３ 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル、Ｒ４＝
ベンゾチアゾリル）５０．６７？！９をメタノール８ｍ
ｔに溶解し、濃硫酸０．０７ｍｔを加え炭素電極を装入
する。

０〜２℃、１０ｒｎＡ／Ａｉで４紛間電解反応を行う。

反応終了後実施例１と同様の処理を行うと目的物〔１〕
（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル、Ｒ３＝メチル）３０
．２ｍｇを得る（収率７７％）。取及びＮＭＲで確認同
定した。実施例４ 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル、Ｒ４＝
ベンゾチアゾリル）４９．５ｍｇをメタノール８ｍ１に
溶解し、濃硫酸０．０７ｍｔ１硫酸銅４２即を加える。

白金電極を装入し、０〜２℃、１０ｒｎＡ／Ｃ７ｌｌで
１時間１紛電解反応を行つた。電解中電流方向を（９）
秒毎に変換した。反応終了後実施例１と同様の処理を行
うと目的物〔１〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル、Ｒ
３＝メチル）３２．０７ｍ９を得る。（収率？％）■及
びＮＭＲで確認同定した。

適当な出発原料を用い実施例１〜４と同様にして下記第
１表記載の化合物を得る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＾１はアリール低級アルキル基又はアリールオ
   キシ低級アルキル基を示す。 Ｒ＾２はフェニル環上にニトロ基を有することのあるア
   リール低級アルキル基、フェニル環上にニトロ基を有す
   ることのあるアリールオキシ低級アルキル基又はハロゲ
   ン原子を置換基として有することのある低級アルキル基
   を示す。Ｒ＾４は２−ベンゾチアゾリル基を示す。〕で
   表わされるアゼチジノン誘導体を低級アルコールの存在
   下に電解処理して一般式▲数式、化学式、表等がありま
   す▼ 〔式中Ｒ＿３は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１及びＲ＾２は前記に同じ。〕で表わされるアゼチ
   ジノン誘導体を得ることを特徴とするアゼチジノン誘導
   体の製造法。 ２ 支持電解質を用いて電解処理を行なう特許請求の範
   囲第１項記載の方法。 ３ 支持電解質が硫酸、過塩素酸、リン酸、ｐ−トルエ
   ンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、酢酸及びプロ
   ピオン酸から選ばれた少なくとも１種である特許請求の
   範囲第２項記載の方法。 ４ 電解処理を−７０〜８０℃にて行なう特許請求の範
   囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の方法。