JPS6236038B2 - - Google Patents
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- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
Description
本発明は新規なチアゾリノアゼチジノン誘導体
及びその製造法に関する。 本発明のチアゾリノアゼチジノン誘導体は文献
未載の新規化合物であり、下記一般式〔〕で表
わされる。 〔式中R1はアリール基又はアリールオキシ基
を示す。R2はフエニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリール低級アルキル基、フエニル環
上にニトロ基を有することのあるアリールオキシ
低級アルキル基又はハロゲン原子を置換基として
有することのある低級アルキル基を示す。X1及
びX2は水素原子又はハロゲン原子を示す。〕 上記一般式〔〕で表わされるチアゾリノアゼ
チジノン誘導体はペニシリン系、セフアロスポリ
ン系抗生物質を合成するための中間体として有用
な化合物である。例えば下記反応式に従い本発明
の化合物から抗菌剤として有用なセフアロスポリ
ン系化合物〔a〕又は〔b〕に誘導し得る。 〔式中R1,R2,X1及びX2は前記に同じ。〕 上記一般式〔〕で表わされるチアゾリノアゼ
チジノン誘導体は種々の方法により製造される
が、その好ましい一例を挙げれば例えば一般式 〔式中R1,R2,X1及びX2は前記に同じ。〕で表
わされる塩素化チアゾリノアゼチジノン誘導体に
塩基性化合物を作用させることにより製造され
る。 本発明において、R1で示されるアリール基と
しては例えばフエニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基、p−クロルフエニル基、p−メ
トキシフエニル基、p−ニトロフエニル基、p−
ヒドロキシフエニル基等を挙げることができ、ま
たアリールオキシ基としては例えばフエノキシ
基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチ
ルオキシ基、p−クロルフエニルオキシ基、p−
メトキシフエニルオキシ基、p−ニトロフエニル
オキシ基、p−ヒドロキシフエニルオキシ基等を
挙げることができる。R2で示されるフエニル環
上にニトロ基を有することのあるアリール低級ア
ルキル基としては例えばベンジル基、p−ニトロ
ベンジル基、ジフエニルメチル基、2−フエニル
エチル基、2−(p−ニトロフエニル)エチル
基、3−フエニルプロピル基、3−(p−ニトロ
フエニル)プロピル基等を挙げることができ、フ
エニル環上にニトロ基を有することのあるアリー
ルオキシ低級アルキル基としては例えばフエノキ
シメチル基、p−ニトロフエノキシメチル基、2
−フエノキシエチル基、2−(p−ニトロフエノ
キシ)エチル基、3−フエノキシプロピル基、3
−(p−ニトロフエノキシ)プロピル基等を挙げ
ることができ、またハロゲン原子を置換基として
有することのある低級アルキル基としては例えば
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、2−ク
ロロエチル基、2,2,2−トリクロロエチル基
等を挙げることができる。またX1及びX2で示さ
れるハロゲン原子としては例えば塩素原子、臭素
原子、弗素原子等を挙げることができる。 本発明において出発原料として用いられる一般
式〔〕で表わされる塩素化チアゾリノアゼチジ
ノン誘導体は新規化合物であり、例えば下記反応
式に示す方法により製造される。 〔式中R1,R2,X1及びX2は前記に同じ。〕 一般式〔〕で表わされる化合物の電解ハロゲ
ン化は、例えば水と酢酸メチル、酢酸エチル、ギ
酸メチル、プロピオン酸エチル、クロロホルム、
四塩化炭素等の有機溶媒との混合溶媒中、公知の
ハロゲン酸及び/又はハロゲン化物の存在下に一
般式〔〕で表わされる化合物を電解処理すれば
よい。電解処理の条件としては、通常約5〜
500mA/cm2の範囲の電流密度で約2〜50F/mol
の電気量を通電し、約20〜100℃の範囲の温度で
電解を行なえばよい。 一般式〔〕で表わされる化合物と塩素との反
応は、光照射下適当な有機溶媒中にて行なわれ
る。使用される有機溶媒としては塩素に対して不
活性な溶媒をいずれも使用でき、例えばジクロル
メタン、ジブロムエタン、ジクロルエタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素
類、酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸メチル、酢酸
ブチル、プロピオン酸エチル等のエステル類、ジ
エチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類、アセトニ
トリル、ブチロニトリル等のニトリル類、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素類、
ベンビン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン
等の芳香族炭化水素、二硫化炭素又はこれらの混
合溶媒等を挙げることができる。塩素としては通
常分子状塩素が用いられる。一般式〔〕で表わ
される化合物と塩素との使用割合としては特に限
定がなく、広い範囲内にて適宜選択することがで
きるが、通常前者に対して後者を0.5〜10倍モル
量、好ましくは1〜5倍モル量用いるのがよい。
該反応は通常−20〜100℃程度にて行なわれる。 一般式〔〕で表わされる化合物に塩基性化合
物を作用させると脱塩酸反応が起こり一般式
〔〕で表わされる本発明の化合物が生成する。
塩基性化合物としては従来公知のものを広く使用
できるが、有機アミン類を用いるのが好ましく、
具体的にはジメチルアミン、ジエチルアミン、ト
リエチルアミン、エチルジイソプロピルアミン、
ピペリジン、ルチジン、ピリジン、1,5−ジア
ザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−5,1,
5−ジアザビククロ〔4,3,0〕ノネン−5等
を例示できる。塩基性化合物の使用量としては特
に限定がなく広い範囲内で適宜選択することがで
きるが、通常一般式〔〕で表わされる化合物に
対して0.5〜10倍モル量、好ましくは1〜5倍モ
ル量用いられる。この脱塩酸反応は有機溶媒中で
行なつてもよいし、或いは使用する塩基性化合物
を溶媒として使用することもできる。有機溶媒と
しては原料化合物、目的化合物及び塩基性化合物
に対して不活性な溶媒を広く使用でき、例えば塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロ
ルエタン、ジブロムエタン等のハロゲン化炭化水
素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭
化水素類、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類等を挙げるこ
とができる。該反応は室温下、加温下及び冷却下
のいずれでも行なわれるが、通常−20〜80℃の範
囲内で行なうのがよい。 斯くして得られる本発明の化合物は通常行なわ
れている分離手段、例えば溶媒抽出、カラムクロ
マトグラフイー等の手段により反応混合物から容
易に単離精製される。 本発明の化合物に構造上類似する化合物として
は式 で示される化合物がJ.A.C.S.,97,5008(1975)
やPure Appl.Chem.,43,423(1975)に記載さ
れており、該化合物は下記反応式に従い合成され
る。 式〔〕の化合物から式〔〕の化合物を得る
反応はN−ブロモサクシンイミド及びラジカル開
始剤を用いて加熱、紫外線照射下に行なわれる。
このブロム化は3位にメトキシ基を有している式
〔〕の化合物であるからこそ可能であつたので
あり、メトキシ基の代りに水素原子で置換された
化合物の場合にはブロム化は進行しない。 これに対して本発明の方法によれば、特殊な試
薬を使用することなく、温和な条件下に簡便に且
つ高収率で目的化合物を収得し得る。しかも目的
物の分離、精製も容易であり、副生物等の廃棄物
の問題がなく、工業的にも極めて有利な方法であ
る。 以下に参考例及び実施例を挙げる。 参考例 1 塩化ナトリウム1gを水3mlに溶解し、これに
濃硫酸0.07ml、塩化メチレン5ml及び化合物
〔〕(R1=フエニル、R2=メチル)50mgを加え
電解液を調製する。3cm2の白金板電極を装入し
30mA定電流、1.6〜1.8V、25℃で約2時間電解を
行う。電解終了後塩化メチレン(30ml)で抽出を
行う。抽出液は亜硫酸ナトリウム水、重ソウ水、
食塩水で洗浄後無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶
媒を除去して淡黄色の液体74mgを得た。このもの
をシリカゲルカラムを用い、ベンゼン:酢酸エチ
ル(5:1)の混合溶媒で展開すると目的化合物
〔〕(R1=フエニル、R2=メチル、X1=X2=
Cl)が62.5mg(収率96%)得られた。 (IR) 1780,1745cm-1 NMR(CDCl3) 3.75(3H,s,COOH3) 3.81(2H,s,−CH2Cl) 5.14(2H,s,C=CH2) 5.41(1H,s,
及びその製造法に関する。 本発明のチアゾリノアゼチジノン誘導体は文献
未載の新規化合物であり、下記一般式〔〕で表
わされる。 〔式中R1はアリール基又はアリールオキシ基
を示す。R2はフエニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリール低級アルキル基、フエニル環
上にニトロ基を有することのあるアリールオキシ
低級アルキル基又はハロゲン原子を置換基として
有することのある低級アルキル基を示す。X1及
びX2は水素原子又はハロゲン原子を示す。〕 上記一般式〔〕で表わされるチアゾリノアゼ
チジノン誘導体はペニシリン系、セフアロスポリ
ン系抗生物質を合成するための中間体として有用
な化合物である。例えば下記反応式に従い本発明
の化合物から抗菌剤として有用なセフアロスポリ
ン系化合物〔a〕又は〔b〕に誘導し得る。 〔式中R1,R2,X1及びX2は前記に同じ。〕 上記一般式〔〕で表わされるチアゾリノアゼ
チジノン誘導体は種々の方法により製造される
が、その好ましい一例を挙げれば例えば一般式 〔式中R1,R2,X1及びX2は前記に同じ。〕で表
わされる塩素化チアゾリノアゼチジノン誘導体に
塩基性化合物を作用させることにより製造され
る。 本発明において、R1で示されるアリール基と
しては例えばフエニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基、p−クロルフエニル基、p−メ
トキシフエニル基、p−ニトロフエニル基、p−
ヒドロキシフエニル基等を挙げることができ、ま
たアリールオキシ基としては例えばフエノキシ
基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチ
ルオキシ基、p−クロルフエニルオキシ基、p−
メトキシフエニルオキシ基、p−ニトロフエニル
オキシ基、p−ヒドロキシフエニルオキシ基等を
挙げることができる。R2で示されるフエニル環
上にニトロ基を有することのあるアリール低級ア
ルキル基としては例えばベンジル基、p−ニトロ
ベンジル基、ジフエニルメチル基、2−フエニル
エチル基、2−(p−ニトロフエニル)エチル
基、3−フエニルプロピル基、3−(p−ニトロ
フエニル)プロピル基等を挙げることができ、フ
エニル環上にニトロ基を有することのあるアリー
ルオキシ低級アルキル基としては例えばフエノキ
シメチル基、p−ニトロフエノキシメチル基、2
−フエノキシエチル基、2−(p−ニトロフエノ
キシ)エチル基、3−フエノキシプロピル基、3
−(p−ニトロフエノキシ)プロピル基等を挙げ
ることができ、またハロゲン原子を置換基として
有することのある低級アルキル基としては例えば
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、2−ク
ロロエチル基、2,2,2−トリクロロエチル基
等を挙げることができる。またX1及びX2で示さ
れるハロゲン原子としては例えば塩素原子、臭素
原子、弗素原子等を挙げることができる。 本発明において出発原料として用いられる一般
式〔〕で表わされる塩素化チアゾリノアゼチジ
ノン誘導体は新規化合物であり、例えば下記反応
式に示す方法により製造される。 〔式中R1,R2,X1及びX2は前記に同じ。〕 一般式〔〕で表わされる化合物の電解ハロゲ
ン化は、例えば水と酢酸メチル、酢酸エチル、ギ
酸メチル、プロピオン酸エチル、クロロホルム、
四塩化炭素等の有機溶媒との混合溶媒中、公知の
ハロゲン酸及び/又はハロゲン化物の存在下に一
般式〔〕で表わされる化合物を電解処理すれば
よい。電解処理の条件としては、通常約5〜
500mA/cm2の範囲の電流密度で約2〜50F/mol
の電気量を通電し、約20〜100℃の範囲の温度で
電解を行なえばよい。 一般式〔〕で表わされる化合物と塩素との反
応は、光照射下適当な有機溶媒中にて行なわれ
る。使用される有機溶媒としては塩素に対して不
活性な溶媒をいずれも使用でき、例えばジクロル
メタン、ジブロムエタン、ジクロルエタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素
類、酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸メチル、酢酸
ブチル、プロピオン酸エチル等のエステル類、ジ
エチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類、アセトニ
トリル、ブチロニトリル等のニトリル類、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素類、
ベンビン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン
等の芳香族炭化水素、二硫化炭素又はこれらの混
合溶媒等を挙げることができる。塩素としては通
常分子状塩素が用いられる。一般式〔〕で表わ
される化合物と塩素との使用割合としては特に限
定がなく、広い範囲内にて適宜選択することがで
きるが、通常前者に対して後者を0.5〜10倍モル
量、好ましくは1〜5倍モル量用いるのがよい。
該反応は通常−20〜100℃程度にて行なわれる。 一般式〔〕で表わされる化合物に塩基性化合
物を作用させると脱塩酸反応が起こり一般式
〔〕で表わされる本発明の化合物が生成する。
塩基性化合物としては従来公知のものを広く使用
できるが、有機アミン類を用いるのが好ましく、
具体的にはジメチルアミン、ジエチルアミン、ト
リエチルアミン、エチルジイソプロピルアミン、
ピペリジン、ルチジン、ピリジン、1,5−ジア
ザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−5,1,
5−ジアザビククロ〔4,3,0〕ノネン−5等
を例示できる。塩基性化合物の使用量としては特
に限定がなく広い範囲内で適宜選択することがで
きるが、通常一般式〔〕で表わされる化合物に
対して0.5〜10倍モル量、好ましくは1〜5倍モ
ル量用いられる。この脱塩酸反応は有機溶媒中で
行なつてもよいし、或いは使用する塩基性化合物
を溶媒として使用することもできる。有機溶媒と
しては原料化合物、目的化合物及び塩基性化合物
に対して不活性な溶媒を広く使用でき、例えば塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロ
ルエタン、ジブロムエタン等のハロゲン化炭化水
素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭
化水素類、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類等を挙げるこ
とができる。該反応は室温下、加温下及び冷却下
のいずれでも行なわれるが、通常−20〜80℃の範
囲内で行なうのがよい。 斯くして得られる本発明の化合物は通常行なわ
れている分離手段、例えば溶媒抽出、カラムクロ
マトグラフイー等の手段により反応混合物から容
易に単離精製される。 本発明の化合物に構造上類似する化合物として
は式 で示される化合物がJ.A.C.S.,97,5008(1975)
やPure Appl.Chem.,43,423(1975)に記載さ
れており、該化合物は下記反応式に従い合成され
る。 式〔〕の化合物から式〔〕の化合物を得る
反応はN−ブロモサクシンイミド及びラジカル開
始剤を用いて加熱、紫外線照射下に行なわれる。
このブロム化は3位にメトキシ基を有している式
〔〕の化合物であるからこそ可能であつたので
あり、メトキシ基の代りに水素原子で置換された
化合物の場合にはブロム化は進行しない。 これに対して本発明の方法によれば、特殊な試
薬を使用することなく、温和な条件下に簡便に且
つ高収率で目的化合物を収得し得る。しかも目的
物の分離、精製も容易であり、副生物等の廃棄物
の問題がなく、工業的にも極めて有利な方法であ
る。 以下に参考例及び実施例を挙げる。 参考例 1 塩化ナトリウム1gを水3mlに溶解し、これに
濃硫酸0.07ml、塩化メチレン5ml及び化合物
〔〕(R1=フエニル、R2=メチル)50mgを加え
電解液を調製する。3cm2の白金板電極を装入し
30mA定電流、1.6〜1.8V、25℃で約2時間電解を
行う。電解終了後塩化メチレン(30ml)で抽出を
行う。抽出液は亜硫酸ナトリウム水、重ソウ水、
食塩水で洗浄後無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶
媒を除去して淡黄色の液体74mgを得た。このもの
をシリカゲルカラムを用い、ベンゼン:酢酸エチ
ル(5:1)の混合溶媒で展開すると目的化合物
〔〕(R1=フエニル、R2=メチル、X1=X2=
Cl)が62.5mg(収率96%)得られた。 (IR) 1780,1745cm-1 NMR(CDCl3) 3.75(3H,s,COOH3) 3.81(2H,s,−CH2Cl) 5.14(2H,s,C=CH2) 5.41(1H,s,
【式】
6.05(2H,s,
【式】
7.3〜7.9(5H,m,フエニル)
参考例 2
化合物〔〕(R1=フエニル、R2=メチル、X1
=X2=Cl)50mgを塩化メチレン0.5mlに溶解し、
塩素の飽和した塩化メチレン溶液1.5mlを加え
る。直ちに750Wタングステンランプを用いて光
照射しながら20〜27℃の範囲で1時間反応を行
う。反応終了後反応液を氷水に注ぎ、塩化メチレ
ン層を分離する。チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥する。減圧下溶媒を除去し、残渣をベンゼン−
酢酸エチル(9:1)を溶媒としてシリカゲルカ
ラムで分離、精製すると50.05mgの化合物〔〕
R1=フエニル、R2=メチル、X1=X2=Cl)を得
る。収率86% IR(cm-1)1770、1760 NMR(CDCl3δ) 3.80(s,3H)、3.98(bs,2H) 4.12(s,2H)、5.12(s,1H) 6.10(d,1H)、6.28(d,1H) 7.2〜7.5(m,3H) 7.5〜7.8(m,2H) 実施例 1 化合物〔〕(R1=フエニル、R2=メチル、X1
=X2=H)55mgを塩化メチル0.6mlに溶解し、こ
れにトリエチルアミン88μを加え、室温で撹拌
する。2時間反応を行つた後エーテル5mlを加
え、次に水を加えて洗浄する。続いて10%塩酸、
飽和食塩水で洗浄する。エーテル層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、減圧下溶媒を除去する。残渣
をシリカゲルカラムで精製すると、無色油状物と
して目的物〔〕(R1=フエニル、R2=メチル、
X1=X2=H)を得る。収率98% IR(cm-1) 1770,1720 NMR(CDCl3δ) 3.76(s,3H)、3.90(s,2H) 4.07(bs,2H)、4.63(bs,2H) 5.83(d,1H)、6.30(bd,1H) 7.25(s,5H) 実施例 2〜7 実施例1と同様の操作、処理を行う。結果を第
1〜2表に示す。尚表中Phはフエニル基を意味
する。
=X2=Cl)50mgを塩化メチレン0.5mlに溶解し、
塩素の飽和した塩化メチレン溶液1.5mlを加え
る。直ちに750Wタングステンランプを用いて光
照射しながら20〜27℃の範囲で1時間反応を行
う。反応終了後反応液を氷水に注ぎ、塩化メチレ
ン層を分離する。チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥する。減圧下溶媒を除去し、残渣をベンゼン−
酢酸エチル(9:1)を溶媒としてシリカゲルカ
ラムで分離、精製すると50.05mgの化合物〔〕
R1=フエニル、R2=メチル、X1=X2=Cl)を得
る。収率86% IR(cm-1)1770、1760 NMR(CDCl3δ) 3.80(s,3H)、3.98(bs,2H) 4.12(s,2H)、5.12(s,1H) 6.10(d,1H)、6.28(d,1H) 7.2〜7.5(m,3H) 7.5〜7.8(m,2H) 実施例 1 化合物〔〕(R1=フエニル、R2=メチル、X1
=X2=H)55mgを塩化メチル0.6mlに溶解し、こ
れにトリエチルアミン88μを加え、室温で撹拌
する。2時間反応を行つた後エーテル5mlを加
え、次に水を加えて洗浄する。続いて10%塩酸、
飽和食塩水で洗浄する。エーテル層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、減圧下溶媒を除去する。残渣
をシリカゲルカラムで精製すると、無色油状物と
して目的物〔〕(R1=フエニル、R2=メチル、
X1=X2=H)を得る。収率98% IR(cm-1) 1770,1720 NMR(CDCl3δ) 3.76(s,3H)、3.90(s,2H) 4.07(bs,2H)、4.63(bs,2H) 5.83(d,1H)、6.30(bd,1H) 7.25(s,5H) 実施例 2〜7 実施例1と同様の操作、処理を行う。結果を第
1〜2表に示す。尚表中Phはフエニル基を意味
する。
【表】
【表】
【表】
実施例 8〜19
実施例1と同様の操作、処理を行う。結果を第
3表に示す。尚表中Phはフエニル基を意味す
る。
3表に示す。尚表中Phはフエニル基を意味す
る。
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中R1はアリール基又はアリールオキシ基
を示す。R2はフエニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリール低級アルキル基、フエニル環
上にニトロ基を有することのあるアリールオキシ
低級アルキル基又はハロゲン原子を置換基として
有することのある低級アルキル基を示す。X1及
びX2は水素原子又はハロゲン原子を示す。〕で表
わされるチアゾリノアゼチジノン誘導体。 2 一般式 〔式中R1はアリール基又はアリールオキシ基
を示す。R2はフエニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリール低級アルキル基、フエニル環
上にニトロ基を有することのあるアリールオキシ
低級アルキル基又はハロゲン原子を置換基として
有することのある低級アルキル基を示す。X1及
びX2は水素原子又はハロゲン原子を示す。〕で表
わされるチアゾリノアゼチジノン誘導体に塩基性
化合物を作用させて一般式 〔式中R1,R2,X1及びX2は前記に同じ。〕で表
わされるチアゾリノアゼチジノン誘導体を得るこ
とを特徴とするチアゾリノアゼチジノン誘導体の
製造法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067136A JPS57183794A (en) | 1981-05-01 | 1981-05-01 | Thiazolinoazetidinone derivative and its preparation |
| US06/370,034 US4482491A (en) | 1981-05-01 | 1982-04-20 | Thiazolinoazetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| GB08212330A GB2101986B (en) | 1981-05-01 | 1982-04-28 | Thiazolinoazetidinone derivatives |
| FR8207398A FR2504927B1 (fr) | 1981-05-01 | 1982-04-29 | Derives de la thiazolinoazetidinone, procedes pour leurs preparations et leur utilisation dans la preparation de cephalosporines |
| DE3249934A DE3249934C2 (ja) | 1981-05-01 | 1982-04-30 | |
| DE3249933A DE3249933C2 (de) | 1981-05-01 | 1982-04-30 | Verfahren zur Herstellung von 2-[4-(Aryl-bzw. Heteroaryldithio)-2-azetidinon-1-yl]-3-halogenmethyl-3-butensäure-Derivaten |
| DE3216256A DE3216256A1 (de) | 1981-05-01 | 1982-04-30 | Thiazolinoazetidinonderivate und verfahren zu ihrer herstellung |
| FR8220933A FR2522662B1 (fr) | 1981-05-01 | 1982-12-14 | Procede de preparation de cephalosporines |
| US06/625,621 US4603014A (en) | 1981-05-01 | 1984-06-28 | Thiazolinoazetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| GB08418485A GB2144418B (en) | 1981-05-01 | 1984-07-19 | Thiazolinoazetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| GB08500025A GB2152051B (en) | 1981-05-01 | 1985-01-02 | Process for the preparation of azetidinone derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067136A JPS57183794A (en) | 1981-05-01 | 1981-05-01 | Thiazolinoazetidinone derivative and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57183794A JPS57183794A (en) | 1982-11-12 |
| JPS6236038B2 true JPS6236038B2 (ja) | 1987-08-05 |
Family
ID=13336177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56067136A Granted JPS57183794A (en) | 1981-05-01 | 1981-05-01 | Thiazolinoazetidinone derivative and its preparation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57183794A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185295A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-15 | Otsuka Chem Co Ltd | Thiazolinoazetidinone derivative and its preparation |
-
1981
- 1981-05-01 JP JP56067136A patent/JPS57183794A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57183794A (en) | 1982-11-12 |
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