JPS6024187B2 - β−ラクタム誘導体の製造法 - Google Patents
β−ラクタム誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPS6024187B2 JPS6024187B2 JP56069147A JP6914781A JPS6024187B2 JP S6024187 B2 JPS6024187 B2 JP S6024187B2 JP 56069147 A JP56069147 A JP 56069147A JP 6914781 A JP6914781 A JP 6914781A JP S6024187 B2 JPS6024187 B2 JP S6024187B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acid
- formula
- general formula
- lower alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は8ーラクタム誘導体の新規な製造法、更に詳し
くは一般式〔式中RIはアラルキル基又はアリールオキ
シメチル基を示す。
くは一般式〔式中RIはアラルキル基又はアリールオキ
シメチル基を示す。
〕>Yは基又は基
を示す。
ここでR2はフェニル環上にニトロ基を有することのあ
るアリール低級アルキル基、フヱニル環上にニトロ基を
有することのあるアリールオキシ低級アルキル基又はハ
ロゲン原子を置換基として有することのある低級アルキ
ル基を、Xはハロゲン原子をそれぞれ示す〕で表わされ
る8−ラクタム誘導体の新規な製造法に関する。
るアリール低級アルキル基、フヱニル環上にニトロ基を
有することのあるアリールオキシ低級アルキル基又はハ
ロゲン原子を置換基として有することのある低級アルキ
ル基を、Xはハロゲン原子をそれぞれ示す〕で表わされ
る8−ラクタム誘導体の新規な製造法に関する。
本発明においてRIは示されるアラルキル基としては例
えばペンジル基、Pーニト。
えばペンジル基、Pーニト。
フェニルメチル基、P−ヒドロキシフェニルメチル基、
P−ク。ルフェニルメチル基、ジフェニルメチル基、2
−フヱニルヱチル基等を挙げることができ、アリールオ
キシメチル基としては例えばフェノキシメチル基、P−
ニトロフェニルオキシメチル基、Pーヒドロキシフェニ
ルオキシメチル基等を挙げることができる。R2で示さ
れるフェニル環上にニトロ基を有することのあるアリー
ル低級アルキル基としては例えばペンジル基、Pーニト
ロベンジル基、ジフェニルメチル基、2−フェニルェチ
ル基、2−(Pーニトロフェニル)エチル基、3ーフェ
ニルプロピル基、3−(ーニトロフヱニル)フ。。ピル
基等を挙げることができ、フェニル環上にニト。基を有
することのあるアリールオキシ低級アルキル基としては
例えばフェノキシメチル基、Pーニトロフェノキシェチ
ル基、2−(Pーニトロフェノキシ)エチル基、3ーフ
ェノキシプロピル基、3−(P−ニトロフェノキシ)プ
ロピル基等を挙げることがき、またハロゲン原子を置換
基として有することのある低級アルキル基としては例え
ばメチル基、エチル基、n−プロピル基、ィソプ。ピル
基、n−プチル基、teれ−プチル基、2ークロロェチ
ル基、2,2,2ートリクロロェチル基等を挙げること
ができる。またXで示されるハロゲン原子としては例え
ば塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができ
る。上記一般式〔1〕で表わされる8−ラクタム誘導体
はべニシIJン系、セフアロスポリン系抗生物質を合成
するために中間体として有用な化合物である。例えば下
記反応式に従い本発明の化合物から抗菌剤として有用な
セフアロスポリソ系化合物〔oa〕,〔ob〕又は〔o
c〕に誘導し得る。〔式中R1,Rり叉びYは前記に同
じ。〕従来の一般式〔1〕で表わされる8−ラクタム誘
導体の製造法としては、例えばmペニシリンスルホカシ
ドを対応するスルフェン酸に熱分解し、塩化チオニル及
びトリヱチルアミンあるいは三臭化リンを反応させる方
法〔K叱olja,J.A.C.S.,97,3192
−3198(1975)〕、■一般式〔式中RI及びR
2は前記に同じ。
P−ク。ルフェニルメチル基、ジフェニルメチル基、2
−フヱニルヱチル基等を挙げることができ、アリールオ
キシメチル基としては例えばフェノキシメチル基、P−
ニトロフェニルオキシメチル基、Pーヒドロキシフェニ
ルオキシメチル基等を挙げることができる。R2で示さ
れるフェニル環上にニトロ基を有することのあるアリー
ル低級アルキル基としては例えばペンジル基、Pーニト
ロベンジル基、ジフェニルメチル基、2−フェニルェチ
ル基、2−(Pーニトロフェニル)エチル基、3ーフェ
ニルプロピル基、3−(ーニトロフヱニル)フ。。ピル
基等を挙げることができ、フェニル環上にニト。基を有
することのあるアリールオキシ低級アルキル基としては
例えばフェノキシメチル基、Pーニトロフェノキシェチ
ル基、2−(Pーニトロフェノキシ)エチル基、3ーフ
ェノキシプロピル基、3−(P−ニトロフェノキシ)プ
ロピル基等を挙げることがき、またハロゲン原子を置換
基として有することのある低級アルキル基としては例え
ばメチル基、エチル基、n−プロピル基、ィソプ。ピル
基、n−プチル基、teれ−プチル基、2ークロロェチ
ル基、2,2,2ートリクロロェチル基等を挙げること
ができる。またXで示されるハロゲン原子としては例え
ば塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができ
る。上記一般式〔1〕で表わされる8−ラクタム誘導体
はべニシIJン系、セフアロスポリン系抗生物質を合成
するために中間体として有用な化合物である。例えば下
記反応式に従い本発明の化合物から抗菌剤として有用な
セフアロスポリソ系化合物〔oa〕,〔ob〕又は〔o
c〕に誘導し得る。〔式中R1,Rり叉びYは前記に同
じ。〕従来の一般式〔1〕で表わされる8−ラクタム誘
導体の製造法としては、例えばmペニシリンスルホカシ
ドを対応するスルフェン酸に熱分解し、塩化チオニル及
びトリヱチルアミンあるいは三臭化リンを反応させる方
法〔K叱olja,J.A.C.S.,97,3192
−3198(1975)〕、■一般式〔式中RI及びR
2は前記に同じ。
〕で表わされるアゼチジノン誘導体に臭素又は塩素を作
用させる方法〔T.Kamiya,テトロヘドロンレタ
ー,3001(1973)〕、【3}上記一般式〔m〕
で表わされるアゼチジノン誘導体に塩化第二銅又は塩化
第二水銀を作用される方法〔有機合成化学,33,24
(1975)〕等の方法が知られている。しかしながら
これらの方法ではいずれも、特殊なハロゲン化剤を用い
たり、取扱いが困難であったり、廃棄物処理等に問題や
あったり、あるいは作業性の悪い試薬や反応条件を必要
とし、それ故工業的生産には不適当な方法である。本発
明者らは斯る現状に盗み工業的に有利な一般式〔1〕で
表わされる8−ラクタム誘導体の製造法を開発すべく鋭
意研究を重ねた結果、ついに本発明を完成するに至った
。
用させる方法〔T.Kamiya,テトロヘドロンレタ
ー,3001(1973)〕、【3}上記一般式〔m〕
で表わされるアゼチジノン誘導体に塩化第二銅又は塩化
第二水銀を作用される方法〔有機合成化学,33,24
(1975)〕等の方法が知られている。しかしながら
これらの方法ではいずれも、特殊なハロゲン化剤を用い
たり、取扱いが困難であったり、廃棄物処理等に問題や
あったり、あるいは作業性の悪い試薬や反応条件を必要
とし、それ故工業的生産には不適当な方法である。本発
明者らは斯る現状に盗み工業的に有利な一般式〔1〕で
表わされる8−ラクタム誘導体の製造法を開発すべく鋭
意研究を重ねた結果、ついに本発明を完成するに至った
。
即ち本発明は、ハロゲン化水素酸及び/又はハロゲン化
物の存在下に一般式〔式中RIはアラルキル基又はアリ
ールオキシメチル基を示す。
物の存在下に一般式〔式中RIはアラルキル基又はアリ
ールオキシメチル基を示す。
R2はフェニル環上にニトロ基を有することのあるアリ
ール低級アルキル基、フェニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリ−ルオキシ低級アルキル基又はハロゲン
原子を置換基として有することのある低級アルキル基を
示す。〕で表わされるアゼチジノン譲導体を電解酸化し
て一般式〔式中〉Yは基 又は基 を示す。
ール低級アルキル基、フェニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリ−ルオキシ低級アルキル基又はハロゲン
原子を置換基として有することのある低級アルキル基を
示す。〕で表わされるアゼチジノン譲導体を電解酸化し
て一般式〔式中〉Yは基 又は基 を示す。
ここでXはハロゲン原子を示す。
RI及びR2は前記に同じ。〕で表わされる8ーラクタ
ム誘導体を得ることを特徴とする8ーラクタム誘導体の
製造法に係る。本発明の方法によれば、特殊な試薬を使
用することなく、温和な条件下に簡便に且つ高収率で目
的化合物を収得し得る。
ム誘導体を得ることを特徴とする8ーラクタム誘導体の
製造法に係る。本発明の方法によれば、特殊な試薬を使
用することなく、温和な条件下に簡便に且つ高収率で目
的化合物を収得し得る。
しかも目的化合物の分離、精製も容易であり、創生物等
の廃棄物の問題がなく、工業的にも極めて有利な方法で
ある。本発明において出発原料として用いられる一般式
〔m〕のアゼチジノン誘導体は公知の化合物であり、例
えばペニシリンスルホキシド誘導体から容易に製造され
る〔紙谷,テトラヘドロンレター,3001(1973
)参照〕。一般式〔m〕の電解酸化はハロゲン化水素酸
及び/又はハロゲン化物の存在下に必要な電気量を通電
することにより行なわれる。
の廃棄物の問題がなく、工業的にも極めて有利な方法で
ある。本発明において出発原料として用いられる一般式
〔m〕のアゼチジノン誘導体は公知の化合物であり、例
えばペニシリンスルホキシド誘導体から容易に製造され
る〔紙谷,テトラヘドロンレター,3001(1973
)参照〕。一般式〔m〕の電解酸化はハロゲン化水素酸
及び/又はハロゲン化物の存在下に必要な電気量を通電
することにより行なわれる。
ハロゲン化水素酸としては例えば塩酸、臭化水素酸、沃
化水素酸等を挙げることができる。またハロゲン化物と
しては例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化リチ
ウム、塩化マグネシウムト塩化バリウム、塩化カルシウ
ム、塩化アルミニウム等の塩化物、臭化ナトリウム、臭
化カリウムも臭化リチウム、臭化マグネシウム、臭化カ
ルシウム、臭化バリウム等の臭化物、沃化ナトリウム「
沃化カリウム、沃化リチウム、沃化マグネシウム、沃化
カルシウム、沃化バリウム等の沃化物を挙げることがで
きる。斯るハロゲン化水素酸及び/又はハロゲン化物の
使用量としては特に制限がなく範囲内で適宜選択するこ
とができるが、通常反応系内に一般式〔瓜〕の化合物に
対し0.1〜2の音モル量、好ましくは0.5〜1び音
モル量存在させるのがよい。本発明では反応系内に鍵酸
又は有機酸を共存させると効果的である。用いられる鍵
酸としては例えば硫酸、硝酸、炭酸、硫酸水素ナトリウ
ム、硫酸水素カリウム、リン酸、ホウ酸等を挙げること
ができ、また有機酸としては例えばギ酸、酢酸、プロピ
オン酸、シュウ酸、クエン酸、フタル酸、パラトルェン
スルホン酸、メタンスルホン酸等を挙げることができる
。鍵酸又は有機酸の使用量としては一般式〔m〕の化合
物に対して通常0.1〜10倍モル量程度とするのがよ
い。この電解酸化における溶媒としては通常水と適当な
有機溶媒との混合溶媒が用いられる。有機溶媒としては
例えばアセトニトリル、ブチロニトリル、プロピオニト
リル等のニトリル類、ジクロロメタン、ジクロロェタン
、クロロホルム、四塩化炭素、ジブロムェタン等のハロ
ゲン化炭化水素類、ジェチルヱーテル・ジブチルエーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸エチル、プロピオン酸メ
チル等のェステル類、又はこれらに混合溶媒を挙げるこ
とができる。電解反応は、定電位電解及び定電流解のい
ずれでも行うことができる。
化水素酸等を挙げることができる。またハロゲン化物と
しては例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化リチ
ウム、塩化マグネシウムト塩化バリウム、塩化カルシウ
ム、塩化アルミニウム等の塩化物、臭化ナトリウム、臭
化カリウムも臭化リチウム、臭化マグネシウム、臭化カ
ルシウム、臭化バリウム等の臭化物、沃化ナトリウム「
沃化カリウム、沃化リチウム、沃化マグネシウム、沃化
カルシウム、沃化バリウム等の沃化物を挙げることがで
きる。斯るハロゲン化水素酸及び/又はハロゲン化物の
使用量としては特に制限がなく範囲内で適宜選択するこ
とができるが、通常反応系内に一般式〔瓜〕の化合物に
対し0.1〜2の音モル量、好ましくは0.5〜1び音
モル量存在させるのがよい。本発明では反応系内に鍵酸
又は有機酸を共存させると効果的である。用いられる鍵
酸としては例えば硫酸、硝酸、炭酸、硫酸水素ナトリウ
ム、硫酸水素カリウム、リン酸、ホウ酸等を挙げること
ができ、また有機酸としては例えばギ酸、酢酸、プロピ
オン酸、シュウ酸、クエン酸、フタル酸、パラトルェン
スルホン酸、メタンスルホン酸等を挙げることができる
。鍵酸又は有機酸の使用量としては一般式〔m〕の化合
物に対して通常0.1〜10倍モル量程度とするのがよ
い。この電解酸化における溶媒としては通常水と適当な
有機溶媒との混合溶媒が用いられる。有機溶媒としては
例えばアセトニトリル、ブチロニトリル、プロピオニト
リル等のニトリル類、ジクロロメタン、ジクロロェタン
、クロロホルム、四塩化炭素、ジブロムェタン等のハロ
ゲン化炭化水素類、ジェチルヱーテル・ジブチルエーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸エチル、プロピオン酸メ
チル等のェステル類、又はこれらに混合溶媒を挙げるこ
とができる。電解反応は、定電位電解及び定電流解のい
ずれでも行うことができる。
電流密度は通常1〜50仇A/地の範囲であり、好まし
くは5〜20仇山/めである。反応に必要な電気量は、
基質濃度溶媒の種類、電解槽の型状等によって一定しな
いが、通常2〜2岬/molでよい。電極としては白金
、炭素、ステンレス、チタン、ニッケル等速常使用され
る電極を使用することができる。反応温度としては原料
及び生成物が分解、変性しない温度以下であれば特に限
定されないが、通常−30oo〜100℃の範囲である
。電極槽としては、無隔膜電解槽、隔膜電解槽共に使用
することができる。上記電解酸化において、ハロゲン化
水素酸及び/又はハロゲン化物として塩酸及び/又は塩
化物を使用する場合には一般式〔1〕で表わされるaー
ラクタム誘導体のうち一般式〔式中R1,R2及びXは
前記に同じ。
くは5〜20仇山/めである。反応に必要な電気量は、
基質濃度溶媒の種類、電解槽の型状等によって一定しな
いが、通常2〜2岬/molでよい。電極としては白金
、炭素、ステンレス、チタン、ニッケル等速常使用され
る電極を使用することができる。反応温度としては原料
及び生成物が分解、変性しない温度以下であれば特に限
定されないが、通常−30oo〜100℃の範囲である
。電極槽としては、無隔膜電解槽、隔膜電解槽共に使用
することができる。上記電解酸化において、ハロゲン化
水素酸及び/又はハロゲン化物として塩酸及び/又は塩
化物を使用する場合には一般式〔1〕で表わされるaー
ラクタム誘導体のうち一般式〔式中R1,R2及びXは
前記に同じ。
〕で表わされる化合物が選択的に製造される。また沃化
水素酸及び/又は沃化物を使用する場合には一般式〔1
〕で表わされる8−うクタム誘導体のうち一般式〔R1
,R2及び×は前記に同じ。
水素酸及び/又は沃化物を使用する場合には一般式〔1
〕で表わされる8−うクタム誘導体のうち一般式〔R1
,R2及び×は前記に同じ。
〕で表わされる化合物が選択的に製造される。また臭化
水素酸及び/又は臭化物を使用する場合には上記一般式
〔1−a〕で表わされる化合物と一般式〔1−b〕で表
わされる化合物との混合物が生成する。斯くして得られ
る本発明の化合物は通常行なわれている分離手段、例え
ば溶媒抽出、カラムクロマトグラフィー等の手段により
反応混合物から溶易に単機精製される。以下実施例を示
して説明する。
水素酸及び/又は臭化物を使用する場合には上記一般式
〔1−a〕で表わされる化合物と一般式〔1−b〕で表
わされる化合物との混合物が生成する。斯くして得られ
る本発明の化合物は通常行なわれている分離手段、例え
ば溶媒抽出、カラムクロマトグラフィー等の手段により
反応混合物から溶易に単機精製される。以下実施例を示
して説明する。
実施例 1
化合物〔m〕(RI=ペンジル,R2=メチル)85.
4のp及び無水塩化マグネシウム745.6のpを水3
のと及び塩化メチレン5の‘に加え雛梓する。
4のp及び無水塩化マグネシウム745.6のpを水3
のと及び塩化メチレン5の‘に加え雛梓する。
白金電極(3の)を装入し、3仇hA、26〜28oo
の温度で53分間電解する(餌/モル相当)。反応終了
後、塩化メチレン層を分離し、水層を塩化メチレンで抽
出する。塩化メチレン層を合わせて水洗後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥する。溶媒を減圧除去し、得られた残燈
をベンゼン−酢酸エチル(5:1)の溶媒を用いてシリ
カゲルカラムで分離、精製を行う。目的化合物〔1一a
〕(RI=ペンジル、R2=メチル、×=塩素)59.
0服(収率斑%)を得る。m(CHC13、抑‐1)私
20,1785 1748,1673NMR(CDC1
3,6,肌)1.50(s,細)、3.42(s,2H
)、3.61(s,2H)、3.74(s,3H)、4
.87(s,IH)、5.52,5.59(d,q.が
)、6.40(d,IH)、7.30(s,班)、実施
例 2〜8実施例1と同様の操作、処理を行った。
の温度で53分間電解する(餌/モル相当)。反応終了
後、塩化メチレン層を分離し、水層を塩化メチレンで抽
出する。塩化メチレン層を合わせて水洗後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥する。溶媒を減圧除去し、得られた残燈
をベンゼン−酢酸エチル(5:1)の溶媒を用いてシリ
カゲルカラムで分離、精製を行う。目的化合物〔1一a
〕(RI=ペンジル、R2=メチル、×=塩素)59.
0服(収率斑%)を得る。m(CHC13、抑‐1)私
20,1785 1748,1673NMR(CDC1
3,6,肌)1.50(s,細)、3.42(s,2H
)、3.61(s,2H)、3.74(s,3H)、4
.87(s,IH)、5.52,5.59(d,q.が
)、6.40(d,IH)、7.30(s,班)、実施
例 2〜8実施例1と同様の操作、処理を行った。
結果を第1表に示す。収率の比較的低い実施例の場合、
未反応原料を回収する。反応した原料に対しての収率を
求めると95%以上の値を得る。m及びNMRで目的物
を同定、確認した。第 1 表 実施例 9 化合物〔m〕(RI=ペンジル、R2=メチル)80.
7のo及び無水塩化マグネシウム33.2秘を水0.3
の【及びアセトニトリル6の‘に加え縄拝する。
未反応原料を回収する。反応した原料に対しての収率を
求めると95%以上の値を得る。m及びNMRで目的物
を同定、確認した。第 1 表 実施例 9 化合物〔m〕(RI=ペンジル、R2=メチル)80.
7のo及び無水塩化マグネシウム33.2秘を水0.3
の【及びアセトニトリル6の‘に加え縄拝する。
白金電極(3の)を袋入し、3仇hA、27〜29こ○
で34分間電解を行う(岬/モルに相当)。反応終了後
水3の‘を加え、酢酸エチル30の【で抽出する。抽出
液を実施例1と同様の処理を行うと、目的物〔1−a〕
(RI=ペンジル、R2=メチル、X=塩素)55.4
8の9を得る。(収率92%)。IR及びNMRで確認
同定した。
で34分間電解を行う(岬/モルに相当)。反応終了後
水3の‘を加え、酢酸エチル30の【で抽出する。抽出
液を実施例1と同様の処理を行うと、目的物〔1−a〕
(RI=ペンジル、R2=メチル、X=塩素)55.4
8の9を得る。(収率92%)。IR及びNMRで確認
同定した。
実施例 10
化合物〔m〕(R十=ペンジル、R2=メチル)80.
1の9及び塩化アルミニウム6水塩22.8の9を水0
.3の‘、アセトニトリル6の【及びテトラヒドロフラ
ン1.5の‘に加え蝿拝する。
1の9及び塩化アルミニウム6水塩22.8の9を水0
.3の‘、アセトニトリル6の【及びテトラヒドロフラ
ン1.5の‘に加え蝿拝する。
白金電極を装入し、実施例9と同様の操作処理を行うと
、目的物〔1一a〕(RI=ペンジル、R2=メチル、
X=塩素)を55.04爪9得る(収率92.6%)。
IR及びNMRで確認同定した。
、目的物〔1一a〕(RI=ペンジル、R2=メチル、
X=塩素)を55.04爪9得る(収率92.6%)。
IR及びNMRで確認同定した。
実施例 11
化合物〔m〕(RI=ペンジル、R2=メチル)80.
9の9及び臭化マグネシウム6水塩52.4の9を水0
.3の‘、アセトニトリル6の【及びテトラヒドロフラ
ン1.5m‘に加え、鯛拝する。
9の9及び臭化マグネシウム6水塩52.4の9を水0
.3の‘、アセトニトリル6の【及びテトラヒドロフラ
ン1.5m‘に加え、鯛拝する。
白金電極43伽)に袋入し、3仇hA、5〜9℃にて3
4分間電解する(岬/モルに相当)。その後実施例9と
同様の処理を行うと、目的物〔1一a〕と〔1一b〕(
R+=ペンジル、R2=メチル、X=臭素)を得る。〔
1一a〕537のp収率80%、〔1一b〕13.4の
o収率20%(全収率:定量的)〔1−a〕(RI=ペ
ンジル、R2=メチル、X=臭素)IR(仇‐1)32
90,1779,1743 1655NMR(CDCl
3、6、脚)1.53(s,細)、3.31(s,汎)
、3.60(s,斑)、3.74(s,知日)、4.9
4(S,IH)、5.8(q,IH)、5.61(d,
IH)、670(d,IH)、7.30(s,斑) 〔1−b〕(RI=ペンジル、R2=メチル、X=臭素
)m(伽‐1)3280,1774,173& 166
1NM瓜(CDC13、6、跡)1.85(s,班)、
2.73,3.50(A&,が)、3.筋(s,2H)
、3.74(s,3H)、4.79(s,IH)、5.
27(d,IH)、5.59(q,IH)、672(d
,IH)、7.32(s,斑)実施例 12〜24 化合物〔m〕(RI=ペンジル、R2=メチル、)を用
いて反応条件を変えて行った。
4分間電解する(岬/モルに相当)。その後実施例9と
同様の処理を行うと、目的物〔1一a〕と〔1一b〕(
R+=ペンジル、R2=メチル、X=臭素)を得る。〔
1一a〕537のp収率80%、〔1一b〕13.4の
o収率20%(全収率:定量的)〔1−a〕(RI=ペ
ンジル、R2=メチル、X=臭素)IR(仇‐1)32
90,1779,1743 1655NMR(CDCl
3、6、脚)1.53(s,細)、3.31(s,汎)
、3.60(s,斑)、3.74(s,知日)、4.9
4(S,IH)、5.8(q,IH)、5.61(d,
IH)、670(d,IH)、7.30(s,斑) 〔1−b〕(RI=ペンジル、R2=メチル、X=臭素
)m(伽‐1)3280,1774,173& 166
1NM瓜(CDC13、6、跡)1.85(s,班)、
2.73,3.50(A&,が)、3.筋(s,2H)
、3.74(s,3H)、4.79(s,IH)、5.
27(d,IH)、5.59(q,IH)、672(d
,IH)、7.32(s,斑)実施例 12〜24 化合物〔m〕(RI=ペンジル、R2=メチル、)を用
いて反応条件を変えて行った。
結果を第2表に示す。IR及びNMRで確認同定した。
第 2 表 実施例 25 化合物〔山〕(RI=ペンジル、R2=メチル)80.
7mo及び沃化ナトリウム25.0雌を水0.3泌、ア
セトニトリル6の【及びテトラヒドロフラン1.5の【
に加え縄拝する。
第 2 表 実施例 25 化合物〔山〕(RI=ペンジル、R2=メチル)80.
7mo及び沃化ナトリウム25.0雌を水0.3泌、ア
セトニトリル6の【及びテトラヒドロフラン1.5の【
に加え縄拝する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ハロゲン化水素酸及び/又はハロゲン化物の存在下
に一般式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1はアラルキル基又はアリールオキシメチ
ル基を示す。 R^2はフエニル環上にニトロ基を有することのあるア
リール低級アルキル基、フエニル環上にニトロ基を有す
ることのあるアリールオキシ低級アルキル基又はハロゲ
ン原子を置換基として有することのある低級アルキル基
を示す。〕で表わされるアゼチジノン誘導体を電解酸化
して一般式▲数式、化学式、表等があります▼〔式中■
Yは基 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は基 ▲数式、化学式、表等があります▼ を示す。 ここでXはハロゲン原子を示す。 R^1及びR^2は前記に同じ。〕で表わされるβ−ラ
クタム誘導体を得ることを特徴とするβ−ラクタム誘導
体の製造法。 2 反応系内に鉱酸又は有機酸を存在させて電解酸化を
行なう特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 電解酸化を−30〜100℃にて行なう特許請求の
範囲第1項又は第2項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56069147A JPS6024187B2 (ja) | 1981-05-07 | 1981-05-07 | β−ラクタム誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56069147A JPS6024187B2 (ja) | 1981-05-07 | 1981-05-07 | β−ラクタム誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57185289A JPS57185289A (en) | 1982-11-15 |
| JPS6024187B2 true JPS6024187B2 (ja) | 1985-06-11 |
Family
ID=13394251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56069147A Expired JPS6024187B2 (ja) | 1981-05-07 | 1981-05-07 | β−ラクタム誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024187B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60204893A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-16 | Otsuka Chem Co Ltd | 2,2−ビスハロメチルペナム誘導体の製造法 |
-
1981
- 1981-05-07 JP JP56069147A patent/JPS6024187B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57185289A (en) | 1982-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0141152B2 (ja) | ||
| JP3777408B2 (ja) | カルボン酸誘導体の製造法 | |
| US4464237A (en) | Process for preparing β-lactam derivatives | |
| EP0117872B1 (en) | Process for preparing cephalosporin compounds | |
| JPS6043340B2 (ja) | 塩素化アゼチジノン誘導体及びその製造法 | |
| EP0122002B1 (en) | Process for preparing azetidinone derivatives | |
| JP2835785B2 (ja) | 光学活性2−(1−ヒドロキシアルキル)ベンズアルデヒド類の製法 | |
| JPH0154435B2 (ja) | ||
| JPH0710878A (ja) | ハロピリジル−アザビシクロヘプタン誘導体の製造法および中間体 | |
| JPH0459310B2 (ja) | ||
| JPS6236038B2 (ja) | ||
| JP2602669B2 (ja) | 2β−ハロゲノ置換メチルペニシリン誘導体の製造法 | |
| JPS6236037B2 (ja) | ||
| EP0120094B1 (en) | Azetidinone compounds | |
| JP3201998B2 (ja) | (s)−ベンゾオキサジン誘導体の製造方法及び(r)−ベンゾオキサジン誘導体のラセミ化方法 | |
| JPH0141153B2 (ja) | ||
| JPS6236036B2 (ja) | ||
| JPS6221072B2 (ja) | ||
| JP2669961B2 (ja) | アゼチジノン誘導体及びその製造法 | |
| JP3719736B2 (ja) | ピラゾロン類の製造法 | |
| JP3097039B2 (ja) | アルキルアリルハライド誘導体およびその製法 | |
| JP3747333B2 (ja) | 新規3−イミノクロルアゼチジノン誘導体及びその製造法 | |
| JPH0812658A (ja) | シドノン類の製造法 | |
| JPS6043437B2 (ja) | アゼチジノン誘導体の製造法 | |
| JPH08134054A (ja) | β,γ−ブテノリッド類の製造方法 |