JPS6044310B2 - ウラシル化合物の製造方法 - Google Patents

ウラシル化合物の製造方法

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JPS6044310B2
JPS6044310B2 JP2312476A JP2312476A JPS6044310B2 JP S6044310 B2 JPS6044310 B2 JP S6044310B2 JP 2312476 A JP2312476 A JP 2312476A JP 2312476 A JP2312476 A JP 2312476A JP S6044310 B2 JPS6044310 B2 JP S6044310B2
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孝範 曾根
幸成 小林
伸幸 鈴木
正輝 小林
国男 飯塚
幹夫 若林
常雄 曾和
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、5一置換又は未置換ウラシルのN1−(2″
−フラニジル)誘導体を、簡単にかつ収率よく製造する
ための新規な方法に関するものである。
5一置換又は未置換ウラシルのN1−(7−フラニジル
)誘導体、例えばN1−(′2′−フラニジル)−5−
フルオロウラシルは、ピリミジンきつ抗作用をもつ制ガ
ン剤として知られており、同じ制ガン剤の5−フルオロ
ウラシルに比べて毒性が低く静脈内投与及ひ経口投与に
よつても消化器ガンや乳ガンに効果を示すという特徴を
有するため、近年注目を浴びるようになつた。
これまで5一置換又は未置換ウラシルのN1−(7−フ
ラジニル)誘導体、例えばN1−(2″−フラニジル)
−5−フルオロウラシルの製法としては、5−フルオロ
ウラシルの−2・4−ビス(トリメチルシリル)誘導体
に2−クロロテトラヒドロフランを、無水溶媒中、−6
0℃ないし+40℃の反応温度で反応させる方法が知ら
れている(特公昭49−10510号公報)。しかしな
がらこの方法で用いられる2−クロロテトラヒドロフラ
ンは、非常に不安定で分解しやすい化合物のため、反応
に際しては低温で行う必要があり、また保存が利かない
ので使用の都度2・3−ジヒドロフランから調製しなけ
ればならないという欠点がある。
さらに2−クロロテトラヒドロフランが過剰に存在する
と、その分解生成物特に塩化水素により原料の2・4−
ビス(トリメチルシリル)−5−フルオロウラシル及び
生成したN1−(2″−フラニジル)−5−フルオロウ
ラシルが分解を受け収率を低下させる原因にもなつてい
る。このように従来法は工業的方法としては不適当であ
るため、簡単な手段でかつ高収率で目的物が得られる5
一置換又は未置換ウラシルのN1一(2″−フラニジル
)誘導体の製法が要望されていた。
本発明者らは、この要望にこたえるべく鋭意研究を重ね
た結果、本発明をなすに至つたものである。
すなわち本発明に従えば、一般式 (式中のRはアルキル基、Xは水素原子、ハロゲン原子
、メチル基又はトリハロメチル基である)で表わされる
5一置換又は未置換ウラシルの2・4−ビス(トリアル
キルスタニル)誘導体と、一般式(式中のR″はアルコ
キシ基、アリールオキシ基又はアシルオキシ基である)
で表わされる2一置換テトラヒドロフランとを、ヨウ素
の存在下に反応させることにより極めて簡単かつ高収率
で、一般式(式中のXは前記と同じ意味をもつ) で表わされるN1−(2″−フラニジル)ウラシル誘導
体を製造することができる。
本発明方法において、出発原料として用いる前記一般式
(1)の化合物は、5一置換(又は未置換)ウラシルに
トリアルキルスタニルオキシドを反応させる公知の方法
により製造することができる。
本発明におけるもう一方の原料、一般式(■)で示され
る化合物のうち、2−アルコキシテトラヒドロフラン及
び2−アリールオキシテトラヒドロフランの例としては
、2−メトキシテトラヒドロフラン、2−エトキシテト
ラヒドロフラン、2ープロポキシテトラヒドロフラン、
2−ブトキシテトラヒドロフラン、2ーベントキシテト
ラヒドロフラン、2ーヘキソキシテトラヒドロフラン、
2−イソプロポキシテトラヒドロフラン、2−イソブト
キシテトラヒドロフラン、2−フェノキシテトラヒドロ
フランなどをあげることができる。
これらの2−アルコキシテトラヒドロフランは、例えば
市販品で容易に入手可能な2・3−ジヒドロフランと、
相当するアルコールを酸触媒の存在下に反応させる公知
の方法に従い、容易かつ定量的に製造することができる
。また、2−アシルオキシテトラヒドロフランの例とし
ては2−アセトキシテトラヒドロフラン、2−プロピオ
ノキシテトラヒドロフラン、2ーブチロキシテトラヒド
ロフランなどをあげることができる。これらの2−アシ
ルオキシテトラヒドロフランは2●3−ジヒドロフラン
と相当する脂肪酸を反応させる公知の方法により容易に
製造することができる。これら一般式(■)で示される
化合物の使用量は特に規定されるものではないが、反応
収率及び経済性を考慮すれば、一般式(1)の化合物1
モルに対し、1.0〜1.6モル用いるのが望ましい。
本発明方法においては、触媒として、ヨウ素が用いられ
る。このヨウ素の添加量は、特に制限はないが、通常前
記一般式(1)の化合物に対し15モル%以下の割合で
用いられる。本発明方法に用いる反応温度は、触媒の添
加量により変わるが−20゜Cないし210℃の範囲内
で選択される。
本発明の実施に際して溶媒は特に必要ではないが多くの
場合溶媒を用いた方がよい結果を与える。
使用する溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極
性溶媒、酢酸エチルなどのエステル類、ジクロルエタン
、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類、ベンゼン
、トルエンなど芳香族炭化水素類があげられる。このよ
うにして得られた、反応生成物のパターンは極めてクリ
アーなものであり、主生成物の5−置換及び未置換ウラ
シルのN1−(2″−フラニジル)誘導体の外、少量の
未反応原料のウラシル誘導体が含まれているに過ぎない
この反応液は、例えば必要ならば中和し、溶媒を留去し
た後、残留物に、水とジクロルメタン、クロロホルムな
どの有機溶媒を加え完溶した後、有機溶媒層を分取すれ
ば、一般式(■)で示される目的物を選択的に抽出する
ことができる。また、少量残留する原料は水層に移り容
易に回収することができる。以下実施例によつてさらに
詳細に説明するが、本発明の範囲はこれに限定されるも
のではない。なお、実施例中の目的物の生成率(反応率
)は次の条件の高圧ろ紙電気泳動により分析し計算した
。バツフアーニPHlO.5ホウ酸バッファー電圧:4
K■電流:1Tn.A1cmwid山 時間:70〜8扮 ろ 紙:東洋ろ紙NO5lA 実施例1 2●4−ビス(トリメチルスタニル)−5−フルオロウ
ラシル91Vと2−メトキシテトラヒドロフラン25y
およびヨウ素2.3gをアセトニトリル0.5eに溶か
し、油浴温度80℃で4時間加熱かきまぜる。
反応終了後1N−カセイソーダで中和し減圧下浴温45
℃でアセトニトリルを留去し、残留物に水0.3eとジ
クロルメタン1eを加え完溶させる。ジクロルメタン層
を分取し、水層はさらにジクロルメタンで2回抽出する
。得られた抽出液を合わせ、芒硝で乾燥後濃縮し、得ら
れた残留分(反応率76%)をエチルアルコールより再
結晶を行い、さらに母液より再結晶を行い、合わせてN
1−(2″−フラニジル)−5−フルオロウラシル26
.4yを得る。収率66%(2・4−ビス(トリメチル
シリル)−5−フルオロウラシルを基として計算)。融
点166.5〜167.5℃。λK?田272rr1p
r(ε=8.230)。元素分析値(C8ll9O3N
2Fとして)実施例2実施例1において2・4−ビス(
トリメチルス門タニル)−5−フルオロウラシル91f
1の代りに2・4−ビス(トリメチルスタニル)−5−
メチルウラシル90gを用いる以外は全く同様にして(
反応率76%)、N1−(7−フラニジル)−5−メチ
ルウラシル26.7yを得る。
収率68% 融点182)〜183.5℃。元素分析値
(C9Hl2N2O3として)実施例3 実施例1において2−メトキシテトラヒドロフラン25
yの代りに2−アセトキシテトラヒドロフラン31.2
yを、油浴温度80′Cの代りに60℃を用いる以外は
全く同様にして(反応率83%)、N1−(2″−フラ
ニジル)−5−フルオロウラン29.3yを得る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I )(式
    中のRはアルキル基、Xは水素原子、ハロゲン原子、メ
    チル基又はトリハロメチル基である)で表わされる2・
    4−ビス(トリアルキルスタニル)ピリミジン誘導体と
    、一般式▲数式、化学式、表等があります▼・・・(I
    I)(式中のR′はアルコキシ基、アリールオキシ基又
    はアシルオキシ基である)で表わされる2−置換テトラ
    ヒドロフランとを、ヨウ素の存在下反応させることを特
    徴とする、一般式▲数式、化学式、表等があります▼・
    ・・(III)(式中のXは前記と同じ意味をもつ) で表わされるウラジル化合物の製造方法。 2 一般式( I )の2・4−ビス(トリアルキルスタ
    ニル)ピリミジン誘導体が2・4−ビス(トリメチルス
    タニル)−ウラシル又はその5−置換体である特許請求
    の範囲第1項記載の方法。 3 一般式(II)の2−置換テトラヒドロフランが2−
    メトキシテトラヒドロフランである特許請求の範囲第1
    項又は第2項記載の方法。 4 一般式(II)の2−置換テトラヒドロフランが2−
    フェノキシテトラヒドロフランである特許請求の範囲第
    1項又は第2項記載の方法。 5 一般式(II)の2−置換テトラヒドロフランが2−
    アセトキシテトラフランである特許請求の範囲第1項又
    は第2項記載の方法。
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