JPS6045255A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　］が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所・望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に対して無公害であること、史
には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易
に処理することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機とｌ−でオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料−
アモルファスシリコン（以？＆ａ−８４と表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８　号公報には電子写真用僧形成部材として
、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されでいる。

面乍ら、従来のａ−８ｉで構成されだ光導’＋を層を有
する光４電部材は、暗抵抗値、光感贋、光応答性等の電
気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境
特性の点、四には経時的安定性の点において、総合的な
特性向上を図る必要があるという更に改良される可き点
が存するのが実情である。

例えば、電子写真用僧形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観、測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、
高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不
都合な点が生ずる場合が少なく３．．１なかった。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側忙較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射出
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為忙、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｊ材料で光導′電層を構成する場合には、
その７１（気的、光導電的特性の改良を図るだめに、水
素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及
び電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或い
はその他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子
として光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の
含有の仕方如何によっては、形成１．た層の電気的或い
は光導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が＋、数μ以上になると層形成用の真空堆
積室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共
に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、
殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の
点に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８４に
就て電子写真用倫形成部・材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子（Ｓｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母
体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいず
れか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂
水素化アモルファスシリコンゲルッニウム、ハロゲン化
アモルファスシリコンゲルマニウム、或いはハロゲン含
有水素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ
等の総称的表記とし−（「ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　Ｊ
を使用する〕から構成される光導電性を示す光受容層を
有する光導電部材の構成を以後に説明される機な特定化
の下に設計されて作成された光導電部材ｔよ実用上着し
ぐ優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と
較べてみてもあらゆる点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有
していること及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性
に優れてｂることを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的妬緻密で安定的であり１層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の石、子方真法が極めて有効に適用
され得る程度に、静１「像形成の為の帯電処理の際の電
荷保持能が充分あシ。

且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測され
ない優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供する
ことである。

本発明の匹に他の目的は、濃ｍＨが高く、ハーフトーン
か鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高８Ｎ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は光導電部材用の支持体と、シリコ
ン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成さ
れた、光導電性を示す光受容層とを有し、該光受容層は
、酸素原子が含有されている層領域（０）を有し、該層
領域（０）は層厚方向に於ける酸素原子の分布濃度Ｃ（
０）が光受容層の上部表面に向って連続的に増大する領
域（Ｘ）を有する事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計さ九た本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位め影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお夛高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返ｔ７使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質のｖｆＪ偉を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が１層重体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から
成り、光導電性を有する光受容層１０２とを有し、該光
受容層１０２は酸素原子を含有する層領域（０）を有す
る。

光受容層１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、該
光受容層１０２中に万偏無く均一に分布する様に含有さ
れても良いし、或いは、層厚方向には万偏無く含有され
てはいるが分布濃度が不均一であっても良い。面乍らい
ずれの場合にも、支持体の表面と平行な面内方向忙於い
ては、均一な分布で万偏無く含有されるのが面内方向に
於ける特性の均一化を図る点からも必要である。殊に、
光受容層１０１０層厚方向には万偏無く含有されていて
且つ前記支持体１０１の設けられである側とは反対の側
（光受容層１０２の表面１０４側）の方に対して前記支
持体側（光受容層１０２と支持体１０１との界面側）の
方に多く分布した状態となる様にするか、或いは、この
逆の分布状態となる様に前記光受容層１０２中に含有さ
れる。

本発明の光導電部材においては、前記した様に光受容層
中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方
向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表
面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望
ましい。

第２図乃至第１Ｏ図には、本発明における光導電部材の
光受容層中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の
分布状態が不均一な場合の典型的例が示される。

第２図乃至第１Ｏ図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す光受容層の層厚
を示し、輸は支持体側の光受容層の表面の位置を、’Ｔ
は支持体側とは反対側の光受容層の表面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される光受容ｊ−はＩＢ
側より１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第２図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容層が形成される表面と該光受容層の表面とが接
する界面位置ｔＢよりＩＩの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃがｑなる一定の値を取り乍らゲルマニ
ウム原子が、形成される光受容層に含有され１位置ｔ、
よりは界面位置１Ｔに至るまで分布濃度Ｃ！よシ徐々に
連続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいてはゲル
マニウム原子の分布濃度ＣばＣ３とされる。

第３図に示される例においてｔよ、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃ＃ま位置ｔＢより位置ｔＴに至る
まで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにお
いて濃度ｑとなる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置１Ｂより位置ｔ、まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ、と位置を丁との間において、徐々に連続的忙減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置１Ｂより位置を丁に至るまで、濃度ＣＡより連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置１３間においては、濃度Ｃ，と
一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩ（ｌされる
。位置ｔ、と位ｆｆ＆：　ＩＴとの間では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位ｔｆＷ、ｊｓより位置ｔＴＫ至るまで
減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１Ｂ
より位置ｔ４までは濃度Ｃ１，の一定値を取り、位置ｔ
４より位置１丁までは濃度ＣＩ！よシ濃度Ｃ！３まで一
次関数的忙減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔ！＋より位置１丁に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ８４
よシ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置１．よシ位置ｔ、に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ０より濃度Ｃ
ｕｅ　’ｔで一次関数的忙減少され、位置１．と位置１
丁との間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が
示されている。

第１Ｏ図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置１Ｂにおいて濃度Ｃ１゜であシ、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃｓｙより初めはゆっくりと
減少され、ｔｌｌの位置付近においては、急激に減少さ
れて位Ｉｆｔ、ｔｏでは濃度Ｃ１ａとされる。

位置ｔ６と位置１．との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ、で
濃度Ｃ１，となり、位置ｔ、と位置ｔ。

との間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ
、において、濃度Ｃ７゜に至る。位置ｔ８と位置１丁の
間においては、濃度Ｃ２゜より実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第ｉｏ図によシ、光受容層中に含有さ
れるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型例の
幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側に
おいて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、界面ｉＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
圧絞べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウム原
子の分布状態が光受容層に設けられている場合は、好適
な例の１つとして挙げられる。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層は好まし
くは上記した様に支持体側の方か又は・ｊｔ′″とは逆
“自由表面側０方１ｃ″′＃ｆ＝ウ　・１１、・ム原子
が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有す
るのが望ましい。

例えば局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１Ｏ図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置１Ｂより５μ以内に設
けられるのが望ましい。

上記局在領域（Ａ）は、界面位ｌ１ｉｊｔＩＩよシ５μ
厚までの全層領域（ＬＴ　）とされる場合もあるし、又
、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値ＣＩＴｌａＸがシリコン原子との和に対して
、好ましく　ｒ、ｉ　１ｏｏｏ□ａｔｏｒｎｉｃ−膿以
上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐ−以上、
最適にはｌ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｓ以上とさ
れル様す分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明忙おいては、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容層は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｎか
ら５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明において、光受容層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜決められるが、シリコン原子
との和に対して好ましくは１〜９．５　Ｘ　１０’　ａ
ｔｏｍｉｃｐｐｌ、より好ましくは１００〜８　Ｘ　１
０’　ａｔｏｍｉｃｐｐａ、最適には、５００〜７　Ｘ
　１０’　ａｔｏｍｉｃ−とされる（Ｄが望ましいもの
である。

本発明の光導電部材に於いては、光受容層中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態は、全層領域にゲルマニウム
原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の
分布濃度Ｃが支持体側よシ光受容層の自由表面側に向っ
て、減少する変化が与えられているか、又は、この逆の
変化が与えられている場合には、分布濃度Ｃの変化車曲
線を所望に従って任意に設計することＫよって、要求さ
れる特性を持った光受容層を所望通りに実現することが
出来る。

例えば、光受容層中に於けるゲルマニウムの分布濃度Ｃ
を支持体側に於いては、充分高め、光受容層の自由表面
側に於いては、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化を、
ゲルマニウム原子の分布濃度曲線に与えることによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度化を図ることが出来
ると共に、レーザ光等の可干渉光に対しての干渉防止を
効果的に図ることが出来る。

更には後述される様に、光受容層の支持体側端部に於い
て、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくする
ことにより、半導体レーザを使用した場合の、光受容層
のレーザ照射面側に於いて充分吸収し切れない長波長側
の光を光受容層の支持体側端部層領域に於いて、実質的
に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射によ
る干渉を効果的に防止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、匿には、支持体と光受容層との間の密着性の改良及
び光受容層の自由表面からの電荷の注入の防止を図る目
的の為に、光受容層中には、酸素原子が含有される。光
受容層中に含有される酸素原子は、光受容層の自由表面
近傍と、必要によっては支持体近傍に特に多く含有され
ている。

第１１図乃至第１３図には、光受容層全体としての酸素
原子の分布状態の典型例が示される。

尚、これ等の説明に当って断わることなく使用される信
号は、＠２図乃至第１Ｏ図に於いて使用しだのと同様の
意味を持つ。第１１図に示される例では、酸素原子の分
布濃ｇｃ（ｏ）ｔよ、位置１．より位置１Ｔに至って分
布ｍｈｏからＣ２１１で連続的に単調増加している。

第１２図に示される例では、酸素原子の分布濃度Ｃ（０
）は、位置ｔＢに於いて、分布濃度Ｃ□で、該分布濃度
Ｃ０より、位置ｔ、に至るまでは単調的に連続して減少
し、位＆ｔ９で分１ｆｉｌ１１度Ｃ１ｌとなっている。

位置ｔ０より位置ｔＴの間に於いて　□は、酸素原子の
分布濃度Ｃ（０）は、位置ｔ、より連続して単調的に増
加し、位置ｔＴに於いて分布＃度Ｃ２４となっている。

第１３図の例に於いては、第１２図の例と比較的類似し
ているが、異なるのは、位置ｔ、。と位置’１１　に於
いて、酸素原子が含有されてないことである。

位置ＩＢと位置ｔ□０の間では、位１θ１．に於ける分
布濃度Ｃ８より位置’ｌ（ｌに於ける分布濃度０まで連
続的に学課減少し、位置ｉ１１　と位置ｔＴの間では、
位置’Ｉ＋に於ける分布濃度０より位置１、に於ける分
４１５１；＃　Ｉｔ　Ｃ＊ａまで連続的に単調増加して
いる。

本発明の光４電部材に於いては、第１１図乃至第１３図
にその典型例が示さ−ｈる様に、光受容層の下部表面又
は／及び上部表面側により多く酸素原子を含有させ且つ
光受容層の内部に向ってはより少なく酸素原子を含有さ
せると共に、酸素原子の層厚方向への分布濃度Ｃ（０）
を連続的に変化させることで、例えば光受容１〜の高光
感度化、凋暗抵抗化を図っている。

その他、酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）を、連続的に変化
させるととで酸素原子の含有によるｊ層厚方向に於ける
屈析出の変化を緩やかにしてレーザ光等の可干渉光によ
って生ずる干渉を効果的に防止している。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（０）に
含有される酸素原子の含有量は、層領域（０）自体に要
求される特性、或いＦｉ該層領域（０）が支持体建直に
接触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に
於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸素原子の訃は、形成され
る光導電部材妃要求される特性に応じテ所望に従って適
宜法められるが、シリコン原子とゲルマニウム原子と酸
素原子の和（以後「’ｌ”（８ｉＧｅＯ）　と記す）に
対して」好ま［７〈は、０．００１〜５０　ａｔｏｍｉ
ｃ　５ｇ　１　より好ましくは、０．００２〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ　Ｘ、最適には０．００３〜３　Ｑ　ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於すて、層領域（０）が光受容層の全域を占め
るか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも１層領域
（０）の層厚ｌ１ｌｏの光受容層の層ＪＥＴに占める割
合が充分多い場合には、層領域（０）　Ｋ含有される酸
素原子の含有量の上限は。

前記の値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚ｌ１ｌｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（０）中に含有される酸素原子の
量の上限としては、　Ｔ（ＳｉＧｅＯ）に対して好まし
くは、３．０　ａｔｏｍｉｃ　％以下、よ９好゛ましく
は、２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、峡適には１０ａｔｏｍ
ｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する酸素原子の含有さ
れる層領域（０）は、上記した様に支持体側又は／及び
自由表面近傍の方に酸素原子が比較的高４度で含有され
ている局在領域（１３）を有するものとして設けられる
のが望ましく、この場合には、支持体と光受容層との間
の密着性をよシ一層向上させること及び受容電位の向上
が出来る。

上記局在領域ＣＢ）は、支持体側および自由表面から５
μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（１１）は、支持体か
らまたは自由表面から５μ厚までの全層領域（ＬＴ）と
される場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされ
る場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値ＣＩｎ
ａＸが好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ１１以□
、よ、□い□８００　ａｔ。□。。ｐ、、Ｊｄ　、□、
□、　已・は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分布状態となり得る様忙層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明において＃′ｉ、酸素原子の含弔−される
層領域（０）は、支持体側から及び自由表面からの層厚
で５μ以内に分布ａ度の最大値ＣｍａＸが存在する様に
形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層中忙含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いてｔよ、光受容層中には、伝
導特性を支配する物質を含有させることにより、光受容
層の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来
る。

この様な物質としては、新開、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る光受容層を構成するａ　−８ｉＧｅ　（１−１，Ｘ　
）に対して、Ｐ型伝々寥特性を与えるＰ型不純物及びｎ
型伝導特性を与える！１型不純物を挙げることが出来る
。具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族に楓
する原子（第。

■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）１Ｍ（アルミニウム）
、Ｇａ（ガリウム）、ｉｎ（インジウム）。

Ｔ／（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるのは
、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｈｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ。

Ａｓである。

本発明に於いて、光受容層中に含有される伝導特性を制
御する物質の含有量は、該光受容層に散水される伝導特
性、或いは該光受容層が直に接触して設けられる支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記の伝導特性を制御する物質を光受容層中に含有
させるのに、該光受容層の所望される層領域に局在的に
含鳴させる場合、殊に、光受容層の支持体側端部層領域
に含有させる場合には、該層領域に直に接触して設けら
れる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界面に
於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する
物質の含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、光受容層中に含有される伝導ヰ￥性を
制御する物質の含有量゛としては、好ましくは、０．０
１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏ＋ｎｉｃｐｐｍ、より好ま
しくは０．５〜ｌ　Ｘ　ｌ　Ｏ’　ａｔｏｍｉ（ｐ、最
適には１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｌｐとされる
のが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質が含有される
層領域に於ける該物質の含有量が好ましくは３ｏ　ａｔ
ｏｍｉｃｐｐｍ以上、より好４シ＜ハ５゜ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐ１１以上、最適には、１００　ａｔｏｒｎｉｃ　
ｐｐｍ以上の場合には、前記物質は、光受容層の一部の
層領域に局所的に含有させるのが望ましく、殊に光受容
層の支持体側端部層領域に偏在させるのが望ましい。

上記の中、光受容層の支持体側端部層領域（Ｅ）に前記
の数値以上の含有量となる様建前記の伝導特性を支配す
る物質を含有させることにょって、例えば該含有させる
物質が前記のＰ型不純物の場合には、光受容層の自由表
面が■極性に帯電処理を受けた際に支持体側からの光受
容層中への電子の注入を効果的に阻止することが出来、
又、前記含有させる物質が前記のｎ型不純物の場合には
、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。

この様に、前記端部層領域（ＩＢ）に一方の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させる場合には、光受容層の
残りの層領域、１ｊｌｌち、前記端部層領域（１つ）を
除いた部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導特性を
支配する物質を含有させても良いし、或いは、同極性の
伝導特性を支配する物質を、端部層領域（Ｅ）に含有さ
れる実際の量よりも一段と少ない量にして含有させても
良い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、端部層領域（
Ｅ）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望
に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは、０
．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　＋より好ま
しくは０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃｐＩ）ｍｌ最適に
は０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｌ１１１ｍ　とされる
のが望ましいものである。

本発明に於いて、端部層領域（Ｅ）及び層領域（Ｚ、）
に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、
層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｆｎ以下とするのが望ましいもの
である。上記した場合の他に、本発明に於いては、光受
容層中に、一方の極性を有する伝導性を支配する物質を
含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配
する物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設け
て、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰
り、例えば、光受容層中に、前記のＰ型不純物を含有す
る層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に
接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層
を設けることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る光受容層を形成するには例えばグロー放電法、スパッ
タリング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現
象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、グ
ロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される光受容層を形成するには、跣本的にはシリコン原
子（Ｓｉ　）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスとゲル
マニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又
は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである、所定の支持体表面上にａ−８ｉＧｅ
　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すれば良い。又、ゲルマ
ニウム原子を不均一な分布状態で含有させるにはゲルマ
ニラム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に従って制御
し乍らａ−８ｉＧｅ　（Ｈｔ　Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には
、例えばＡｒ＋Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスを
ベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたタ
ーゲット、或いは、該ターゲットとＧｅで構成されたタ
ーゲットの二枚を使用して、又は、Ｓｉと伽の混合され
たターゲットを使用して、必要に応じて％　ｎｅｔ　Ａ
ｒ等の稀釈ガスで稀釈されだ侮供給用の原料ガスを、必
要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
成される。ゲルマニウム原子の分布を不均一にする場合
には、前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変
化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをスパ
ッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としてはｓ　ＳｉＨ４＊　５ｉｔ）Ｔｎ　ｒＳ
ｉＢＨ＠　、　５１４ＨＩ。等のガス状態の又はガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＬ　ｔＳｉ＊Ｈｓが好ま
しいものとして挙げられる。

伽供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨｉ
　ｖ　ＧｅｔＨｓ　ｅ　Ｇｅ５Ｈａ　ｖ　Ｇｅ＜Ｈｌｏ
　＋　Ｇｅ５Ｈ＋ｔ　＋　ＧｅａＨｕ　ｖＧｅｙＨｔｓ
　＊　Ｇｅ５Ｈｔｓ　＋　ＧｅｅＨｔｏ等のガス状態の
又はガス　、　：ｌｌ、、化し得る水素化ゲルマニウム
が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、伽供給効率の良さ等の点で、　Ｇ
ｅＨ４＋ＧｅｔＨｅ　Ｉ　Ｇｅ３Ｈ１が好ましいものと
して挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る０ 本発明において好適に使用し得るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の？為
ロゲンガス％　１（ｒｌｉ’ｌ　Ｃ１Ｆ、　Ｃ１Ｆ、　
。

Ｂｒ’Ｆ’ｓ　ｇ　ＢｒＦ５　Ｉ　ＩＦｓ　＋　ＩＦｙ
　ｇ　ｉｃｚ、　ＩＢｒ　等の）・ロゲン間化合物を挙
げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、／Ｓ四ゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えは
５ｉＦａ　ｔ　５ｉｔＦｓ　ｔ　Ｓ’ｒＣ１ａ　ｔ　８
ｉＢｒ＝等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げ
ることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅか
ら成る光受容層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ノ・ロゲン原子を含む光受容層
を梨造する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料
ガスとなるノ・ロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスと
なる水素化ゲルマニウムとＡｒｔ　Ｈｔ　ｇ　Ｈｅ　等
のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして光受
容層を形成する堆積座に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に光受容層を形成し得るものであるが
、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様に図る
為にこれ等のガスに更に水素ガス又け水素原子を含む硅
素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される府中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｔ（、、或いは前記したシラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとじて使用されるものであるが、そ
の他に、　Ｉ（Ｆ、　ＨＣｌ。

ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン化水素％　５ｉＨｐＦｔ　Ｔ
　５ｉＨ１１ｔ　１ＳｉＨｔＣ４ｔ　５ｉＨＣｔｉ　ｔ
　ＳｔルＢｒｔ　＋　５ｉＨＢｒ、等のハＩｆｆゲン置
換水素化硅素、及びＧｅＨＢｒ５　ｔ　ＧｅＨｔＦｔ　
ｖ　ＧｅＨ３Ｆ　ｙＧｅＨＣ４ｔ　ＧｅＨＢｒ５　ｔ　
ＧｅＨｓＣｔ、　ＧｅＨＢｒ５　、　ＧｅＨｔＢｒｔ　
＋ＧｅＩ（ｓＢｒ　＋　ＧｅＨＩｓ　ｔ　ＧｅＨｔＩｔ
　ｓ　Ｇｅ）（ａＩ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム
、等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物％
　ＧｅＦａ　ｖ　ＧｅＣ４ｔＧｅＢｒ＊　ｌ　ＧｅＩ４
　ｔ　ＧｅＦｌ　？　ＧｅＣ１２１ＧｅＢｒｔ　ｌ　Ｇ
ｅＩｔ等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の
或いはガス化し得る物質も有効な光受容層形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、光
受容層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電
気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入
用の原料として使用される。

水素原子を光受容層中に構造的に導入するには、上記の
他に馬、或いはＳｉＬ　ｖ　５ｉｔＨｅ　ｌ　５ｉｓＨ
ｓ　＋Ｓｉ、Ｈ，。等の水素化硅素を［有］を供給する
為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、
ＧｅＨ，、Ｇｅｔ迅＊　Ｇｅ５Ｈｓ　＋　Ｇｅ５Ｈｊｔ
　ｗ　Ｇｅ５Ｈｊｔ　ｔ　Ｇｅ５Ｈｎ　ｔＧｅｙＨ＋ｓ
　ｔ　ＧｅａＨｔａ　ｒ　Ｇｅｅｓｅ等の水素化ゲルマ
ニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも
行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
非晶質層中に含有される水素原子σΦの量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（
Ｈ＋Ｘ　）は好ましくは０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ
　Ｓｓより好ましくは０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　
’Ｓ％最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｅｓとされる
のが望ましい。

光受容層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）
を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明の光導電部材に於ける光受容層の層厚は、光受容
層中で発生されるフォトキャリアが効率良く輸送される
様に所望に従って適宜状められ、好ましくは、１〜１０
０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μ
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に酸素原子の含有された層領
域（０）を設けるには、光受容層の形成の際に酸素原子
導入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出発物質
と共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら
含有してやれば良い。

層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに酸素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な酸素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）。

酸素原子（０）及び水素原子（）■）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（８１）と水素原子（）Ｄと
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（ｏｔ）、オゾン（ＯＳ）。

−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ＊　）　＋−二
酸化窒素（Ｎｔ　ｏ　）　、三二酸化窒素（Ｎｔ　Ｏｓ
　）−四三酸化窒素（Ｎ、０４）、三二酸化窒素（Ｎｔ
　Ｏ！ｌ　）　、三酸化窒素（ＮＯ８）、シリコン原子
（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原
子とする、例えば、ジシロキサン（ＨｓＳｉＯ８ｉＨｓ
）　−トリシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨｚＯ８ｉＨｓ
）等の低級シロキサン等を挙げることか出来る。

スパッタリング法によって、層領域（０）を形成するに
は、光受容層の形成の際に単結晶又は多結晶のＳｔウェ
ーハー又はＳｔｏｗウェーハー、又はＳｔと５ｌＯ１が
混合されて含有されているウェーハーをターゲットとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングする
ことによって行えは良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又。

は／及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを・必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパン　、　Ｊｌ。

り用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Ｓｔウェーハーをスパッタリングすれば
良い。

又、別には、ＳｉとＳｔｏｗとは別々のターゲットとし
て、又はＳｔと５ｉｄｅの混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッタ用のガスとしての稀釈
ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（）■）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、酸素原子の含
有される層領域（０）を設ける場合、該層領域（０）に
含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向に変
化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｌ）ｔｈ　
ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（０）を形成するには
、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（０）を変化させ
るべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流
量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積
室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（０）をスパッタリング法によって形成する場合
、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０を層厚方向で変
化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には、
グロー放電法による場合と同様に、酸素原子導入用の出
発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入す
る際のガス流量を所望に従って適宜変化させることによ
って成される。

第二には、スパッタリング用の夕・−ゲットを、例えば
ＳｌとＳｉＱとの混合されたターゲットを使用するので
あれば％　Ｓｉと８１０．との混合比を、ターゲットの
層厚方向に於いて、予め変化させておくことによって成
される○ 光受容層中に、伝導特性を開側１する物質、例えば、第
■族原子或いは第■族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第■族原子導入用の出発物質或いは第■族
原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、光受容
層を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良
い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温片圧でガス伏の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第１ＩＩ族原子導入用の出発物質として具
体的には硼素原子導入用としては、Ｂ、ル、Ｂ４ＨＩ。

、　ＢｓＨｏ　、ＢｓＨｏ　−ＢｅＨ＋ｏ　、ＢｅＨｕ
　、ＢＪ（ｎ等の水素化硼素、ＢＦ’、　、Ｔ３Ｃｔ、
　。

ＢＢｒｓ等のＩ・ロゲン化硼素等が挙げられる。この他
、Ａｔｃｚ、　、　ＧｅＣ１Ｂ　、　Ｇｅ　（Ｃ）Ｌｔ
）Ａ　Ｉ　ＩｎＣ１５ｔ　’ｒｚｃｚ３等も挙げること
が出来るＯ 第■族原子導入用の出発物質として、本発明においで有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、Ｐ市、　
Ｐ、Ｈ，等の水素北隣、Ｉ）Ｈ４■。

ｐＦｓ　ｔ　ＰＦｓ　＋　ＰＣｔｓ＋　ＰＣ４＋　ＰＢ
ｒｓ　＋　Ｐ　Ｂｒ５１　ＰＩｓ等のハロゲン北隣が挙
げられる。この他ｓ　ＡｓＨｓ　＋ＡｓＦ５　！　ＡＢ
ＣＩｓ　＊　ＡｓＢｒ５　ｌ　ＡｓＦ、、　ｇ　ＳｂＨ
３Ｈ５ｂＦａ　Ｉ　５ｂＦｓ　＋５ｂｃｚ、Ｉ　５ｂＣ
４ｓ　＋　Ｂｔｕｓ　ｌ　ＢｔＣ４１ＢｔＢｒｓ　等も
第■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。

本発明に於い・で、光受容層を構成し、伝導特性を支配
する物質を含有して支持体側に偏在して設けられる層領
域の層厚としては、該層領域と該層領域上に形成される
光受容層を構成する他の層領域とに要求される特＋′、
１゛に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが
、その下限としては好ましくは、３０λ以上、より好ま
しくは４０＾以」二、最適には、５０Å以上とされるの
が望ましいものである。

又、上記層領域中に含有される伝導特性を制御する物質
の含有量が３Ｑａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる場合
には、該層領域の層厚の上限としては、好ましくは１０
μ以下、より好ましくは８μ以下、最適には５μ以下と
されるのが望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ／　、Ｃｒ　、Ｍｏ　
、ＡＩＪ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ、ＴＩ　、Ｐｔ　、Ｐ
ｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の屑が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｌ、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔ
ａ　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ。

Ｊｎ、０．　、　ＳｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ２０．　＋５
ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、
Ｎｉ、Ａｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蓋着、スノ（ツタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性が付与される。支
持体の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写ｎ：用像形成部材として使用するのであれ
ば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電
部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。面乍ら、この様な場合文法に本発明の光導電部材のＤ
１１造方法の一例の概略について説明する。

第１４図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部相を形成するだめの原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｊ（ｅで稀釈さ
れたＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％。

以下Ｓ　ｉＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨ
ｅで希釈されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以
下Ｇｅ１１４／ＩＩｅと略す。）ボン−＜、１１０４は
Ｉ（ｅで希釈されたＳ　ｉＦ４Ｉ４ガス度９９．９９　
％　、以下ＳｉＦ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５
ｕ’１ＮＯガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０
６はｌ−Ｉ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである
。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のノくルプ１１２２〜１１２６
、リークパルプ１１３５が閉じられて℃・ることを確認
し、又、流入／（ルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ
１１１７〜１１２１、補助）ぐルプ！１３２゜１１３３
が開かれていること欠確認して、先づメインパルプ１１
３４を開い′（反応室１１０１、及び各ガス配管内を排
気する３次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０ｔｏｔ
−になりた時点で補助）；ルブ１１３２　、１１３３、
流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

ヶＩｐ−ｙ＋）：／Ｉｔ−ウヵオ□□３□□、−受、□
−・１１・形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ
１１０２よりｆ３　ｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１
０３よりＧｅＨ４／’ＩＩｅガス、ガスボンベ１１０５
よりＮＯガスをパルプ１１２２　、１１２３　、１１２
４　を開（・て出［１圧ゲージ１１２７　、１１２８　
、１１２９０Ｂ−を１ｋｇＺｃＩｌに調整し、流入パル
プ１１１２，１１１３．１１１４を徐りに開ケて、マス
フロコントローラ１１０７．１１０８　、１１０９内に
夫々流入させる。引き続〜・て流出パルプ１１１７　、
１１１８　、１１１９、補助）（ルプ１１３２を徐々に
開いて夫々のガスを　反応室１１０１に流入させる。こ
のときのＳｉＨ４／Ｈｅプｆス流量とＧｅＨ４／Ｉｌｅ
ガス流量とＮ　Ｏガス流量との比が所望の値になるよう
に流出）（ループ１１１７，１１１８　。

１１１９を調整し、又、反応室１１０１　内の圧力が所
望の値になるように真空計１１３６の読みを易ナカラメ
インバルプ１１３４のｉｉｉ　［−Ｉを調整スル。

そして基体１１３７の温度が加熱と一ター１１３８によ
り５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定して反
応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあらか
じめ設計された変化率曲綜に従ってＮＯガス及びＧｅｌ
１４／ＨｅソＪスの流量を手Ｗｂあるいは外部駆動モー
タ等の方法によってパルプ１１１８の開口を漸次変化さ
せる操作を行なって形成される層中に含有さｆｌ、イ）
　ｌ’ｉｌ’：　４．ｉ＋４原子及びゲルマニウム原子
σ）分布濃度４；　？Ｉｉ’ｌ　ｆ’１−Ｊ−る。

又、層形成を行りている間ヲ＋、層形ｇ　２＞　Ｍフー
イヒを図るため基体１１３７はモータＪ１３９け、ｊ、
リ一定速度で回転させてやるのが望まし℃・。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
基体十にＭ１表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料隆ｘｉ−ｉ〜１３−３）を夫々作成した
（第２表）。

各試料に於ける、ゲルマニウム原子の含有分布濃度は第
１５図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第１６図に示
される。

こうして得られた各試料を、帯′ｐｔ露光実験装置に設
置し■５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２　ｌｕｘ　＊　ｓｅｃの光量を透過型のテス
トチャートを通して照射させた。

その後直しＪＬζ、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリ
アーを含む）を像形成部側表面をカスケードすることに
よって、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。

像形成部材上の１・す−画像を、■５．０ｋＶのコロナ
帯電で転写紙上に転写した折、各試料共に解像力に優れ
、階ｌｌｌＩ４１現住のよい鮮明な高濃度の画像が得ら
れた。

上記に於いて、光源をタングステンランプの代りに８１
０　ｎｍ０ＧａＡｓ系半導体レーザ（１□０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、上記と同様のトナ
ー画像形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ、各試料共に解像力に優れ、
階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例２ 第１４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＩ
基体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料［２１−１〜Ｎｌ２３−３）を夫々作成
した（第４表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
５図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第１６図に示さ
れる。

これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に　（□、。

就て３８℃、８０％皿の環境に於いて２０万回の繰返し
使用テストを行ったところ、いずれの試料も画像品質の
低下は見られなかった。

第　２　表 第　４　表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・・・
・・・・約２００℃ 放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、＃Ｉ２図乃至＃！１０図は夫々光受容
層中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明
図、第１１図乃至第１３図は、夫々光受容層中の酸素原
子の分布状態を説明するための説明図、第１４図は、本
発明で使用された装置の模式的説明図で、第１５図、第
１６図は夫々本発明の実施例に於ける各原子の含有分布
状態を示す分布状態図である。 １００　・・・光導電部材 １０１・・・支持体 １０２・・・光受容層 −□−→−Ｃ Ｃ （ 一一一一→−Ｃ Ｃ Ｃ（ω Ｇαυ （１５０θ　（ｔｓｏｚ） ｃよｍボｃ％） （ｆ！５０’ＥＪ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲル
   マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された、光導電
   性を示す光受容層とを有し、該光受容層は、酸素原子が
   含有されている層領域（０）を有し、該層領域（０）は
   層厚方向に於ける酸素原子の分布濃度Ｃ（０）が光受容
   層の上部表面に向って連続的に増大する領域■を有する
   事を特徴とする光導電部材。 （２）層領域（０）は領域（Ｘ）の下方に、分布濃度Ｃ
   （０）が支持体側に向って連続的に増大する領域（Ｙ）
   を有する特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （３）光受容層中に水素原子が含有されている特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電部材０（４）光受容層中に
   ハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１項及
   び同第２項に記載の光導電部材。 （５）光受容層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
   が、層厚方向に不均一である特許請求の範囲部１項に記
   載の光導電部材。 （６）光受容層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
   が層厚方向に均一である特許請求の範囲第１項に記載の
   光導電部材。 （７）光受容層中に伝導性を支配する物質が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （８）伝導性を支配する物質が周期律表第１！（族に属
   する原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部
   材０ （９）　伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材
   ０