JPS6045917A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6045917A JPS6045917A JP15330383A JP15330383A JPS6045917A JP S6045917 A JPS6045917 A JP S6045917A JP 15330383 A JP15330383 A JP 15330383A JP 15330383 A JP15330383 A JP 15330383A JP S6045917 A JPS6045917 A JP S6045917A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer
- piq
- photoresist
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘヅドの製造方法に係り、特にフロン
トギャップおよびパックギャップ形成部近傍の絶縁島形
状を軸止する方法に関する。
トギャップおよびパックギャップ形成部近傍の絶縁島形
状を軸止する方法に関する。
薄膜磁気へ、ドの従来の構造を第１図に示す。
同図は媒体摺動面と垂直方向の断面図である。
基板１上に第１磁性層２．ギャップ長を規定する非磁性
絶縁層３．コイル導体層５．絶縁層６゜第２磁性層４を
順次積層した構成で、第１磁性層と第２磁性層はパック
ギャップ８で接続さね、磁気回路を作っている。
絶縁層３．コイル導体層５．絶縁層６゜第２磁性層４を
順次積層した構成で、第１磁性層と第２磁性層はパック
ギャップ８で接続さね、磁気回路を作っている。
従来、絶縁層６のフロントギャップ７とバックギャップ
８近傍の形状は、同図にα、βの符号で示したテーバ角
でいえば、３０°〜５ヂに選定され、また、同図にＰ、
Ｑで示した部分は滑らかに形成されている。これは、こ
の１に積層する第２磁性層のテーバ部分での磁気特性や
膜厚の細り、磁気漏洩などを考慮したためである。
８近傍の形状は、同図にα、βの符号で示したテーバ角
でいえば、３０°〜５ヂに選定され、また、同図にＰ、
Ｑで示した部分は滑らかに形成されている。これは、こ
の１に積層する第２磁性層のテーバ部分での磁気特性や
膜厚の細り、磁気漏洩などを考慮したためである。
従来、このような形状の絶縁層を実現するために、絶縁
材料にＡＺ系ホトレジスト（シブレー社製）を使ってい
る。すなわち、フロントギヤ、プとパックギャップのホ
トレジストを除去した後約ｎｏ℃の熱処理によって、同
図の如くＰ、Ｑの部分を滑らかにするＬｌ／１つもので
ある。
材料にＡＺ系ホトレジスト（シブレー社製）を使ってい
る。すなわち、フロントギヤ、プとパックギャップのホ
トレジストを除去した後約ｎｏ℃の熱処理によって、同
図の如くＰ、Ｑの部分を滑らかにするＬｌ／１つもので
ある。
ところが、この従来技術では絶縁材料の耐熱性が低いこ
とから、第２磁性層はメッキで形成しなければならない
。また、へ、ド組立工程で保護板の接着にガラス接着を
使えなり等、後工程の処理溶度を低温化抑えなけれはな
らないという問題をかかえている。
とから、第２磁性層はメッキで形成しなければならない
。また、へ、ド組立工程で保護板の接着にガラス接着を
使えなり等、後工程の処理溶度を低温化抑えなけれはな
らないという問題をかかえている。
一方、絶縁材料に高耐熱性のポリイミド系樹脂や無機絶
縁材料を使い、上記他プロセスでの問題を解決した薄膜
磁気ヘッド例も知られている。しかし、この場合は、第
２図に示したように、絶縁層のＰ、Ｑの部分を滑らかに
することはできず、この近傍では磁気特性のよい第２磁
性層を形成することはできなかった。
縁材料を使い、上記他プロセスでの問題を解決した薄膜
磁気ヘッド例も知られている。しかし、この場合は、第
２図に示したように、絶縁層のＰ、Ｑの部分を滑らかに
することはできず、この近傍では磁気特性のよい第２磁
性層を形成することはできなかった。
以上説明したように、従来技術ではヘッド特性が良好で
、しかも後工程におけるガラス接着などの高温プロセス
に耐え得る耐熱性の高い薄膜磁気ヘッドを作ることはで
きなかった。
、しかも後工程におけるガラス接着などの高温プロセス
に耐え得る耐熱性の高い薄膜磁気ヘッドを作ることはで
きなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上述した従来の薄膜磁気ヘッドの欠点
を解決し、熱流動性の悪い高耐熱性樹脂や無機絶縁材料
を使っても、へ、ド特性良好な薄膜磁気ヘッドを作れる
製造方法を提供することにある。
を解決し、熱流動性の悪い高耐熱性樹脂や無機絶縁材料
を使っても、へ、ド特性良好な薄膜磁気ヘッドを作れる
製造方法を提供することにある。
本発明の要点は、フロントギャップおよびパックギャッ
プの絶縁層をエツチングで除去した後、絶縁層のテーパ
部分に滑らかな表面形状を得るために有機材料をスピン
塗布し、この表面形状をドライエツチング法にょシ、最
初の絶縁層に転写する点にある。
プの絶縁層をエツチングで除去した後、絶縁層のテーパ
部分に滑らかな表面形状を得るために有機材料をスピン
塗布し、この表面形状をドライエツチング法にょシ、最
初の絶縁層に転写する点にある。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
第３図はポリイミド系樹脂であるＰＩＱ（日立化成（株
）製）を絶縁層に使った実施例で、本発明に関連する部
分の製造工程図である。
）製）を絶縁層に使った実施例で、本発明に関連する部
分の製造工程図である。
この工程図で順を追って説明する。
に）コイル導体層５を形成した後、ＰＩＱをスピン塗布
し、３５０℃で硬化させる。
し、３５０℃で硬化させる。
（ロ）エツチングによシフロントギャップ７およびパッ
クギャップ部８のＰＩＱを除去する。
クギャップ部８のＰＩＱを除去する。
０ホトレジストをスピン塗布で基板全面に塗布し、テー
パ部近傍に滑らかな表面形状を作る。
パ部近傍に滑らかな表面形状を作る。
０ドライエツチング（イオンエツチング、反応性プラズ
マエツチング等）化より、所定時ｊｌ＋全面をエツチン
グし、ＰＩＱ絶縁層にホトレジストの表面状態を転写す
る。
マエツチング等）化より、所定時ｊｌ＋全面をエツチン
グし、ＰＩＱ絶縁層にホトレジストの表面状態を転写す
る。
■残ったホトレジストを除去する。
以上の工程によって形成されるＰＩＱ絶縁層は従来例で
述べたホトレジストを絶縁一層に使った絶縁層形状と同
等のものが得られる。上述工程Ｃ）のホトレジストはＡ
Ｚ系レジスト、ＯＭＲレジスト（東京応化製）等いずれ
でも良く、また硬化したＰＩＱと選択エツチング可能な
未硬化ＰＩＱ（例えば１５０℃で乾燥した膜はＮ、Ｎ、
ジメチルアセトアミドやＮ、メチルジピロリドンに溶け
るが、硬化したＰＩＱ膜は溶けない）を使うこともでき
る。
述べたホトレジストを絶縁一層に使った絶縁層形状と同
等のものが得られる。上述工程Ｃ）のホトレジストはＡ
Ｚ系レジスト、ＯＭＲレジスト（東京応化製）等いずれ
でも良く、また硬化したＰＩＱと選択エツチング可能な
未硬化ＰＩＱ（例えば１５０℃で乾燥した膜はＮ、Ｎ、
ジメチルアセトアミドやＮ、メチルジピロリドンに溶け
るが、硬化したＰＩＱ膜は溶けない）を使うこともでき
る。
上述した実施例のように、ＰＩＱを絶縁層に使った場合
、ＰＩＱの成膜と同時にコイルの凹凸は平坦化されるが
、８１０ ＋ ８１０２などの無機材料を絶縁層に使っ
た場合、コイル凹凸の平坦化工程が必要になる。本発明
に一成る絶縁層のテーパ形状の補正方法によれは、この
補正工程中に同時に平坦化も行うことができる。その実
施例を第４図に示す。各工程は第６図と全く同じである
。ただ、工程（６）は無機絶縁材料をスパッタや蒸着で
成膜する点が異なる。また、工程Ｃ）のホトレジストは
ＡＺ系レジストの方が平坦化特性が良く好しい。
、ＰＩＱの成膜と同時にコイルの凹凸は平坦化されるが
、８１０ ＋ ８１０２などの無機材料を絶縁層に使っ
た場合、コイル凹凸の平坦化工程が必要になる。本発明
に一成る絶縁層のテーパ形状の補正方法によれは、この
補正工程中に同時に平坦化も行うことができる。その実
施例を第４図に示す。各工程は第６図と全く同じである
。ただ、工程（６）は無機絶縁材料をスパッタや蒸着で
成膜する点が異なる。また、工程Ｃ）のホトレジストは
ＡＺ系レジストの方が平坦化特性が良く好しい。
なお、以上２つの実施例の工程中、４）のドライエツチ
ングの条件はホトレジストのエッチ速度が絶縁層のエッ
チ速度よシ若干大きいか等しい条件に選ぶのがよい。
ングの条件はホトレジストのエッチ速度が絶縁層のエッ
チ速度よシ若干大きいか等しい条件に選ぶのがよい。
以上説明したように、本発明によれは高耐熱性樹脂や無
機材料を絶縁層に使った場合でも、ホトレジストを絶縁
層に使った場合と同等の絶縁層形状を得ることができる
ことがわかる。
機材料を絶縁層に使った場合でも、ホトレジストを絶縁
層に使った場合と同等の絶縁層形状を得ることができる
ことがわかる。
本発明によれは、熱流動性に乏しい高耐熱性樹脂や無機
絶縁材料を絶縁層に使った薄膜磁気へ、ドにおいて、ホ
トレジストを絶縁層に使った場合と同等の絶縁層形状を
実現できるので、へ、ド特性が良好で、しかもガラス接
着が可能となり、耐摩性もすぐれた薄膜磁気ヘッドを作
ることができる。
絶縁材料を絶縁層に使った薄膜磁気へ、ドにおいて、ホ
トレジストを絶縁層に使った場合と同等の絶縁層形状を
実現できるので、へ、ド特性が良好で、しかもガラス接
着が可能となり、耐摩性もすぐれた薄膜磁気ヘッドを作
ることができる。
第１図はホトレジストを絶縁層に使った従来の薄膜磁気
ヘッドの断面図、第２図は他の従来の薄膜磁気ヘッドの
断面図、第３図は本発明になる実施例を説明するための
工程図、第４図は他の実施例を説明するための工程図で
ある。 １・・・基板、 ２・・・第１磁性層、５・・・絶縁層
、 ４・・・第２磁性層、５・・・コイル導体層、 ６・・・ホトレジストからなる絶縁層、７・・・フロン
トギャップ形成部、 ８・・・パックギャップ形成部、 ６１・・・耐熱性樹脂からなる絶縁層、１０・・・ホト
レジスト、 ６２・・・無機材料からなる絶縁層。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 ”７ＰＩ図 オ？閃 第３図
ヘッドの断面図、第２図は他の従来の薄膜磁気ヘッドの
断面図、第３図は本発明になる実施例を説明するための
工程図、第４図は他の実施例を説明するための工程図で
ある。 １・・・基板、 ２・・・第１磁性層、５・・・絶縁層
、 ４・・・第２磁性層、５・・・コイル導体層、 ６・・・ホトレジストからなる絶縁層、７・・・フロン
トギャップ形成部、 ８・・・パックギャップ形成部、 ６１・・・耐熱性樹脂からなる絶縁層、１０・・・ホト
レジスト、 ６２・・・無機材料からなる絶縁層。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 ”７ＰＩ図 オ？閃 第３図
Claims (1)
- １ 基板上に第１磁性層と内部にコイル導体層を包含す
る絶縁層と上記第１磁性層き磁気回路を作る第２磁性層
とを順次所定形状に積層してなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、上記絶縁層が、絶縁層を成膜する工程、該絶縁層の
へラドギャップ形成部および上記第１．第２磁性層の接
続部をエツチングによシ除去する工程、基板全面に有機
材料を形成した後、所定時間エツチングを施す工程およ
び前記有機材料の残りを除去する工程さによ多形成され
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15330383A JPS6045917A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15330383A JPS6045917A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045917A true JPS6045917A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15559527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15330383A Pending JPS6045917A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045917A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6238517A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-19 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15330383A patent/JPS6045917A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6238517A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-19 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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