JPS6046048A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は多層配線構造を有する半導体装置およびその製
造方法に関し、特に配線パターンを変更することにより
所望の論理を形成するマスタスライス方式の半導体装置
の配線形成工程におけるカスタムマスク数の低減および
全体工数の低減に適用して有効な技術に関するものであ
る。

〔背景技術〕

半導体基板の主面上尾種々の素子を形成し、てなるＩＯ
，ＬＳＩその他の半導体装置では、各素子間を電気接続
するための配線が必要とでれる。近年の素子の高集積化
や微細化に伴なって配線も２層或いはそれ以上の数に多
層配線構造化され℃いる。例えば、ゲートアレイＬＳＩ
では所謂基本セルと称する素子形成領域に隣合って配線
領域を設け、この配線領域上に下側配線層２層間絶縁膜
。

上側配線層を順次形成する。これにより２層の配線構造
を形成することが行なわれている（特開昭５７−２１１
２４８号公報）。このような構造を実現するために本発
明者が開発したプロセスの具体例を第１図囚、但に示す
。なお、第１図（ＡＪＶ−おい℃は、図面の簡略化のた
めに層間絶縁膜を省略して示している。配線領域として
形成された半導体基板１上の厚い下地絶縁層（フィール
ド酸化膜）２上にアルミニウム膜をエツチングによって
バターニングし、て一方向に延在する下側配線層（以下
第１アルミニウム層という）３を形成する。その上にｓ
ｉｏ、やフォス７オシリケートガラス（ＰＳＧ）等の絶
縁材料を全面にデポジションして層間絶縁膜４を形成す
る。次いで、この層間絶縁膜４の必要とされる箇所を部
分的にエツチングしてコンタクトホール５を形成する。

このコンタクトホール５を通して前記第１アルミニウム
Ｉｆｉ３の一部が露呈させる。そのノ上で、アルミニウ
ム膜の形成およびそのエツチングを行なうことにより第
１アルミニウム層に又わる方向の上側配線層（以下第２
アルミニウム層という）６を形成する。第１．第２の各
アルミニウム層３，６の一部がコンタクトホール５にお
いてのみ電気接続がなされ、他の部位では層間絶縁膜４
によっ℃絶縁分離された状態の２ＷＩＩ配線構造が得ら
れる。

これらの前記第１アルミニウム層３．コンタクトホール
５および第２アルミニウム層６のエツチングに際し、て
は通常ホトリソグラフィ技術が採用はれる。このため、
夫々の工程には第２図（５）〜（至）に示すようなりロ
ム膜（又は金膜）４３を図示のように形成したネガレジ
ストを用いるプロセス用のホトマスクが使用される。即
ち、第１アルミニウム層３の形成には第２図（５）のホ
トマスクＭ、１が使用され、第１アルミニウム層６の形
成には第２図旧のホトマスクＭ４が使用される。また、
コンタクトホール５の形成に際しては、通常では、異物
が原因とされる不所望なピンホールの形成な防止して上
、下記線層の短絡や耐圧の低下を防止するために寸法を
若干相違させた第２図０３）、　（０）の２枚ノホトマ
スクＭ、２．　Ｍ、３が使用されている。つまり、合計
４枚のホトマスクが使用されることになる。

ところで、半導体装置の中でもゲートアレイＬＳＩでは
、所謂マスタースライス方式としてＭＯ８ＦＥ、Ｔ等の
素子のみを基本設計（マスター）として先に形成してお
き、ユーザの設計仕様に応じて異なった配線を施し異な
る機能を有するＬＳＩ（品種）を多数実現する方式がと
られている。したがって、配線の変更に応じて２層配線
構造の各アルミニウム層３，６やコンタクトホール５の
パターンを変更することが要求される。このために新ら
しい品種を製造するために配線を変更した時はその都度
前記各ホトマスクＭ、１．Ｍ２．Ｍ３゜Ｍ４とは全くパ
ターン形状の異なるホトマスクを用意する必要がある。

つまり、前記ホトマスクは夫々の配線パターンに対して
専用化されたカスタムマスクとして構成される、このた
めに、配線バターンが相違する毎に夫々のカスタムマス
クを用意しなげればならない。

このため、前述の２層配線構造では４枚のカスタムマス
クを必要な配線パターンに応じ又用意１２なければなら
ない。一つの基本設計（マスク）を用いて設計、製造さ
れるＬＳＩの品種数が増すほど、つまり配線のパターン
が変更される数の増大に伴なって必要とされるホトマス
ク数は甚大なものとなり、このため、高コスト化を生じ
ると共にホトマスクの管理や取扱いが煩雑なものになる
という問題が生じることがわかった。特に配線層に３層
、４層以上のものが要求される場合には、カスタム数は
極めて大きなものになり、前述の問題は半導体装置の製
造に際し℃の致命的な欠点となることがわかった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は配線パターンの変更をするためのカスタ
ムマスク数を低減した半導体装置を提供することにある
。　゛ 本発明の他の目的はその配線形状によって配線領域内′
＼の半導体素子の形成を可能にし℃素子の高密度化を達
成することができ、これによりコストの低減更には高集
積化を実現できる半導体装置を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は異なる配線パターンの形成に
際しても必要とされるカスタムマスク数を低減し、これ
によりカスタムマスクの枚数に依存するコストの低減、
更には半導体装置のコストの低減を図り、一方ではホト
マスクの取扱いを簡略化してＢ追動率の向上を達成する
半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらか忙なるであ
ろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、上側配線層と下側配線層の一方の配線層に重
なる位置にコンタクトホールを設定すると共に、他方の
配線層はこのコンタクトホールと交わらないように形成
し、コンタクトの必要な部位忙のみ他方の配線層の一部
を延設することにより、コンタクトホールの位置を一定
の位置に設定しても任意の配線接続を得ることができ、
これにヨ’）：ｌ’７タク）ホール形成のためのカスタ
ムマスクを不要にし℃ホトマスク数の低減を図り、コス
トの低減を達成するものである。

また、予め定められた位置に共通のマスクに１コンタク
トホールを形成することにより、カスタムマスクを配ａ
石の形成に必要とされるものだけに限定し、これにより
カスタムマスク数を低減してその取扱い、管理を簡略化
し、製造の容易化や製造効率の向上を達成するものであ
る。

〔実施例１〕 第３図は本発明をゲートアレイＬＳＩｌ０に適用した実
施例である。方形の半導体チップの周辺には多数個のポ
ンディングパッド１１を配設し、かつその内側にはバッ
ド１１に対応して人、出カパッファ１２を配設している
。チップの中央部には格子状に基本セル領域を配設して
いる。基本セル領域は基本セル１３ａを列状に複数個並
べた基本セル列１３を、さらに一定間隔をおいて複数列
並行に配置してなる。基本セル１３ａは所望の論理を形
成するためのものである。通常、基本セル１３ａはある
一つの論理、例えば２人力ＮＡＮ　Ｄゲートを構成し得
るように複数の半導体素子を含む。この実施例では２つ
のＰチャネルＭＯ８ＦＥＴと２つのＮチャネルＭＯ８Ｆ
ＥＴとを組合せて構成した０Ｍ０８（相補ｆｆＭＯ８Ｆ
ＥＴ）からなる。同一チャネル型の２つのＭＯＳＦＥＴ
は夫々、ソース、ドレイン領域となる半導体領域を２つ
のＭＯＳＦＥＴの間で共有し、直列接続されている。

基本セル列１３間には配線領域（チャネル領域）１４を
形成し、前記基本セル、人、出力バッファ１２等の間で
相互接続を行なうための配線を施している。この配線は
ユーザの要求に応じて接続を任意に変更し得るもので、
また一般忙は２層或いはそれ以上の配線層を有する多層
配線構造となっている。

第４図は第３図の矢印Ａ部を拡大し、て示すもので、基
本セル列１３と配線領域１４の各一部を第４図（５）に
示し、そのＢＢ線断面図を同図（５）に示す。

なお、第４回国においては、図面の簡略化のために層間
絶縁膜は省略して示し℃いる。以下第６回置および第８
図においても同様である。第４回国において、２点鎖線
によって各領域１３．１３ａ。

１４を仮想的に区切って示しである。

基本セル１３ａは多結晶シリコンからなるゲート電極４
１と、これに自己整合的に形成されたＮ“卵生導体領域
４２とからなるＮチャネルＭＯ８Ｆ’ＥＴと、図示しな
いＰチャネルＭＯ８ＦＥＴとを有している。Ｐチャネル
ＭＯ８ＦＥＴも図示のＮチャネルＭＯ８ＦＥＴと同様の
パターンを有し。

多結晶シリコンからなるゲート電極と、これに自己整合
的に形成されたＰ“型半導体領域とからなる。このゲー
ト電極とソース、ドレイン領域となる半導体領域とが完
成された状態が、このゲートアレイＬＳＩｌ０の基本設
計（マスク）であり。

金工の品種に共通である。なお、人出バッファ領域−１
２に２いても、全く同様に、基本設計とし−でＭＯＳＦ
ＥＴが完成ばれている。基本セル１３ａに対するアルミ
ニウム配線の図示は省略しである。

配線領域１４は、全ての品種に共通の基本設計（マスク
）として、配想領域に形成袋れたＭＯ８ＦＥＴＱ、、Ｑ
２を有している。、ＭＯ８Ｆ’Ｅ’ｌ’ＱＩ、Ｑ２は多
結晶シリコンからなるゲート電極４１と、これに自己整
合的に形成されたＮ＋型半導体領域４２とからなる。基
本セル１３ａを構成ＴＱ＋　、Ｑ２に対するアルミニウ
ム配線の図示は省略しである。各コンタクトホール間に
設けられるＭＯＳＦＥＴは第２アルミニウムＪ脅の延在
する方向に複数個配置される。第４図（Ｂｌにおいては
。

上述のＭ　ＯＳ　Ｉ”　Ｅ　Ｔ　Ｑ＋　、Ｑｔは省略し
である。

Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ＋　−Ｑｔは絶縁膜１６の下
部の半導体基板１５の表面部に設けられる。

配線領域１４では半導体基板１５の主面上に５ｉｆｔ腺
やＰＳＧ膜等の絶縁膜１６を延設しており、この絶縁膜
１６上に下側配線層１７２層間絶ｆｆ１ｌｌ１１　Ｂ、
　上側配置１Ｊ１１９および）くツシベーション膜２０
をこの順序で積層形成した２層配線構造を構成している
。下側配線層１７は第１アルミニウム層として形成され
、先に真空蒸着法等によって全面にアルミニウム膜を形
成した上でホトリソグラフィ技術にて、即ち更にその上
にホトレジスト膜を形成し、所望のノくターンに形成し
たカスタムのホトマスクを用いてホトレジスト膜を露光
し、かつこれを現像した上で今度はこれをマスクとして
アルミニウム膜のエツチングを行なうことにより形成さ
れる。ここで、本例では第１アルミニウム層１７は基本
セル列１３に平行（図中横方向）に連続あるいは不連続
状態に延設した複数本の配線１７　ａ、１７　ｂ、１７
　ｃからなり、各配線に転１等間隔をおいて配線幅を増
大したコンタクト可能部２１ａ〜２１ｈを形成している
。なお、コンタクト可能部の帖は配線の他の部分と同一
幅とすることもできる。第１アルミニウム層１７を形成
するホトマスクＭ５を第５図（５）に示す。このマスク
はネガレジストを用い℃コンタクトアライナで露光する
のに用いる。

前記層間絶縁膜１８をＳｉｎ、やＰＳＧ等の絶縁部材を
全面にデポジションして形成し、その上で同様にホトリ
ソグラフィ技術により３ンタクト１−ルを形成する。こ
の場合、第５図（Ｂ）、　（Ｑに夫々示す２枚のホトマ
スクＭ６．Ｍ７を順序的に使用し、異物によるピンホー
ル等の発生を防止する。

そして、このとき、これらホトマスクＭ６．Ｍ７はどの
ような配線パターンの変更にも対応し、得るよう、行列
状にコンタクトホールのパターンを形成し７た全ての配
線パターンに共通のマスクとし、て構成される。したが
って、コンタクトホーＪｖ２２　ａ〜２２１は、前記第
１アルミニウム層１７のコンタクト可能部２２ａ〜２２
ｈはもとより第１アルミニウム層１７の存在しない部位
にも単なるホール２２ｈとして形成されることｋなる。

このマスクＭ６およびＭ７はポジレジストな用いてプロ
ジェクシヲンアライナあるいはステッパで露光するのに
用いられろ。これは、ネガレジストを用いコンタクトア
ライナで露光すると、圧接時に異物等の存在により層間
絶縁膜１８および下層配線１７にクラック等が生じ不良
の原因となるのを防止するためである。同様の理由で、
マスクＭ８もポジレジストを用いたプロジェクションア
ライナあるいはステッパで露光される。きらに、第７図
Ｗ〜（Ｂ） 旧および第９図與〜（至）に示すマスクについても同様
である。

前記上側配線層１９は同様にアルミニウム膜をホトリソ
グラフィ技術にて第２アルミニウム層として形成し、本
例では第１アルミニウム層１７に直交するように図の縦
方向に延長された複数本の配線２３ａ〜２３ｆから構成
される。この第２アルミニウム層１９の形成には第５図
回に示すカスタムのホトマスクＭ８が使用される。この
とぎ重要なことは各配線２３ａ〜２３ｆは第１アルミニ
ウム層１７のコンタクト可能部２１ａ〜２１ｈ、換言ス
ればコンタクトホール２２ａ〜２２．ｉと交差し２ない
位置に延在している。そして、所望の論理を得るために
第１アルミニウム層１７と電気的接続をとりたい配線２
３ｂ、２３ｄ、２３ｅ。

２３ｆには対応する第１アルミニウムｊ＠１７の配線１
７ｂ、１７ｃのコンタクト可能部２１ｅ。

２１ｆ、２１ｇ、２１ｈに向かって一部２８を突状に延
設し、コンタクトホール２２ｅｌ　２２Ｌ２２ｇ、２２
ｉを通して接続がとられるのである。

なお、図において、突状のコンタクト用配線部２８とコ
ンタクト可能部とは略同−の形状であるが、便宜的にコ
ンタクト可能部を大ぎくして示ｔ。

ている。

パッシベーション膜２０はｓｉｏ、、Ｓｉ＊Ｎ４やポリ
イミド樹脂を全面にデポジション又は塗布により形成し
、第２アルミニウム層１９を保Ｎｊると共に、一部はコ
ンタクトなとらなかったコンタクトホール２２ａ、２２
ｂ、２２ｃ、２２ｄ。

２２ｈ内に充填されこれを覆って第１アルミニウム層１
７や下地を保護することになる。

以上のように構成されるゲートアレイＬＳ１１０は、隣
接することが許されるコンタクトホー　ｉｙの最小間隔
寸法ハおよび第１アルミニウム層１７の配線間隔ｌ！が
、夫々２８μｍ、１２μｍとなりコンタクトホールな多
数形成した分だけ従来の夫々の寸法２４μｍ、８μｍ（
第１図参照）よりも大きくなる。したがり℃従来と同一
本数の配線を行なえば配線領域１４の面積を大きくする
必要があり、チップサイズが３〜４割大きくなる。

しかしながら、本例のような第２アルミニウム層の間隔
寸法であればこれらの間にＭＯ８ＦＥＴ素子を形成する
ことが可能である。したかって第４図回に示すように配
線領域１４にＭＯ８ＦＥＴＱＩ、Ｑｌ＋を形成し、ても
よい。これにより実現できるゲート数を基本セル領域の
みの場合に比べ２倍近くに増大でき、チップサイズの増
大分を十分補って、逆に高集積化を果すことができる。

次Ｋ、以上の構成のゲートアレイＬＳＩに対し、異なる
配線を形成する場合を考える。第６図回。

（５）は異なる配線を施したゲートアレイＬ　Ｓ　Ｉ　
ＩＯＡを示す。前例と同様に半導体基板１５の絶縁膜１
６上に下側配線層（第１アルミニウム層）１７Ａを形成
し、その上に層間絶縁膜１８を形成した上で上側配線層
（第２アルミニウム層）１９Ａおよびパッシベーション
族２０を形成し℃いる。第１アルミニウム層１７Ａは前
例とは異なる配線２４ａ。

２４ｂ、２４ｃから構成式れる。これらの形成には第７
図（５）に示すネガレジスト用のカスタムσ）ホトマス
クＭ９が使用される。この第１アルミニウム層１７Ａの
各配線には同様にコンタクト可能部２５８〜２５ｇが形
成される。その位置は第４図のコンタクト可能部２１ａ
〜２１ｈと重なる位置となるようにしている。層間絶縁
膜１８へｉｙ）、＝＋ンタクトホールの形成には、第７
図（Ｂ）、　（０）のように第５図（Ｂｌ、　（０１と
同一のポジレジスト用のホトマスクＭ６．Ｍ７を使用す
る。これにより、コンタクトホールの形成には新たなカ
スタムマスクを用意する必要はなく、全ての配線〕（タ
ーンに適合する共通のマスクを２枚用意しておけばよい
。このホトマスクＭ６．Ｍ７により単なるホール２６ｅ
。

に ２６キを含めたコンタクトホール２６ａ〜２６ｉが第１
アルミニウム層１７Ａのコンタクト可能部２５８〜２５
ｇおよびその他の部分に形成される。

次に、第２アルミニウム層１９Ａは第７図（Ｄのポジレ
ジスト用のカスタムのホトマスクＭＩＯを使用して配線
２７ａ〜２７ｆを形成する。この場合にも配線は前記コ
ンタクトホール２６ａ〜２６ｉと交差しない位置に延在
形成し、電気的接続が必要とされる部位にはその一部２
９をコンタクトホール２６ａ、２６ｄ、２６ｆ、２６ｉ
に向けて突状に延在しているのである。

このように、少なくともコンタクトホールの形成に際し
てはカスタムマスクを不要にして同一のマスクを配線の
パターンの相違にかかわらず使用することができる。こ
れにより配線の変更に伴なうカスタムマスクの変更は第
１．第２アルミニウム層用の２枚のホトマスクでよいこ
とになる。したがって、従来の４枚から２枚へと半減で
き、カスタムマスクの製作コストを低減し、かつその管
理や取扱いを簡略化できる。特にコンタクトホールのパ
ターン露光に際しては露光装置へのホトマスクを取り換
える必要もなく製造作業効率を向上できると共に、前記
したホトマスクのコスト低減と合わせて製品コストの低
減を達成できる。

〔実施例２〕 第８図は本発明装置の他の実施例を示し、特に配線領域
に形成した配線構造のみを図示している。

図ニおいて、３０は下側配線）＠（第１アルミニウム層
）、３１はこの第１アルミニウム層３ｏ上に層間絶縁膜
（図示せず）を介して形成した上側配線層（第２アルミ
ニウム層）である。第１アルミニウム層３０は、第９図
（５）に示すネガレジスト用のカスタムのホトマスクＭ
ｌｌを使用して４本のライン３２ａ〜３２ｄを例えば基
本セル領域に平行（図中横方向）に直線に延設し、途中
にコンタクト可能部３４を夫々複数個形成している。こ
の場合、本例では隣り合った配線におけるコンタクト可
能部が延設方向に半ピツチずれた又互位置となるように
形成している。本例では、配線間隔ｌ。

を１２μｍ、コンタクト可能部の最小間隔（ピッチ）２
＋を１２μｍとしている。

眉間絶縁膜３３に形成するコンタクトホールは、第９図
の）、ρ）に示すポジレジスト用のホトマスクＭ１２．
Ｍ１３を使用し、前記第１アルミニウム１帝３０のコン
タクト可能部３４の全ての上にコンタクトホール３５を
形成している。配線のピッチを細かくするため、コンタ
クトホールは通常のものより約４５°傾けて形成ばれる
。この場合にもホトマスクＭｌ　２．Ｍｌ　３はコンタ
クトホールのパターンを規則配置した全ての品種に共通
のマスクとして構成している。

そして、第２アルミニウム層３１は第９図鋤のようなポ
ジレジスト用のカスタムのホトマスクＭ１４が使用され
、縦方向の複数本のジグザグ状も の配置１３６ａ〜３６にて構成している。この場合にも
、第２アルミニウム層３１の各配線はコンタクトホール
３５と交差しないように形成しており、接続が要求され
る部位にのみ配線の一部３７をコンタクトホールに向け
て突状に延設して接続を図っている。

以上の配線構造では、各配線間隔を従来に比較してそれ
ほど大きくする必要はなく、従来と略同等のチップサイ
ズに形成できる。但し、前例のように配線領域に素子を
形成することはできない。

一方、本例においても、第１．第２アルミニウムＮ３０
，３１のホトマスクを変えるだけで任意の配線を得るこ
とができ、コンタクトホールの形成用ホトマスクは全て
同一のものを使用できる。

したがって、前例と同様にカスタムマスクの低減を図り
、マスクの管理、取扱いを簡略化して製造効率の向上や
コストの低減を達成することができる。

〔効果〕

（１）上側、下側の各配線層を層間絶縁層を挾んで形成
しかつ両層を層間絶縁膜に形成したコンタクトホールな
通して接続してなる多層配線構造において、コンタクト
ホールな一方の配線層と同一の位置に配置すると共に、
他方の配線層はこのコンタクトホールと交差しないよう
に延設し、コンタクトを必要とする箇所においてのみそ
の一部を延在せしめた構成としているので、配線の相違
にかかわらずコンタクトホールな一定位置に形成するこ
とができ、配線が相違する毎に異なるパターン形状の専
用（カスタム）のマスクを使用する必要はない。

（２）　上、下２層の配線層構造では、各配線層の形成
時に夫々カスタムマスクを使用し、コンタクトホールの
形成時には全ての配線に対して同一パターンのマスクを
使用することができるので、この場合にはカスタムマス
ク数を従来０４枚から２枚に低減でき、カスタムマスク
を半減できる。

（３）　カスタムマスクを配線層の形成用としてのみ用
意すればよく、コンタクトポールの形成にはカスタムマ
スクを不要にできるので、カスタムマスクを低減してそ
の管理や取扱いを簡略化でき、合わせてコストの低減を
図ることができる。同時にコンタクトホール形成時にホ
トマスクをその都度交換する必要がないので製造作業工
数の低減を図り、製造効率の向上および製品コストの低
減を達成できる。

（４）配線の相違にかかわらずコンタクトホール位置を
一定箇所と設定できるので、配線領域内に半導体素子を
形成することが可能となり、半導体素子の高密度化、高
集積化が達成できる。

（５）配線の相違が僅かな場合には、下側又は上側配線
層の一方のパターンを異ならせるだけで配線を行なうこ
ともでき、この場合にはカスタムマスクは１枚使用する
だけでよくカスタムマスク数を更に低減でき、製造工程
の短縮ができる。

（６）コンタクトホールな半ピツチずつずらせて配置す
る一方、他方の配線層をジグザグに近い形状とすること
により、配線層の間隔寸法を従来程度のものにでき、チ
ンブサイズを大幅に増大させることはない。

以上本発明者によっ℃な享れた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱１ない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、各配線層の
パターンやコンタクトホールのパターンは前記実施例の
ものに限定されるものではない。また、第５図口に示す
カスタムのホトマスクＭＩＯに代え℃、第１０図に示ス
！パターンを有するホトマスクＭ１５を用いても同様の
機能が得られる。ホトマスク１５を用いた場合、単なる
ホールを含む全てのコンタクトホールの位置上に第２ア
ルミニウム層が形成はれる。したがって、カスタムのホ
トマスクＭ１５を用いた場合は、（コンタクト）ホール
上の第２アルミニウム層と図中縦方向に延びる上側配線
層とを、単に接続部分４０によって所望の位置で接続す
ることで配線が完成される。これは、配線のパターンの
相違が僅かな複数の品種において、カスタムのホトマス
クをＭ２Ｓのみの一枚として論理の変更を行なうのに有
利である。さらに、３層以上の配線層を有する多層配線
構造にも同様に実施できる。

更に、配線層はアルミニウム等の金属材でな（てもよく
、例えばポリシリコン配線層等どのような配線層であっ
てもよい。前記各実施例の上、下の配線層はこれを互に
逆の関係となるように構成することも可能である。すな
わち、下側配線層をホトマスクＭ８又はＭＩＯを用いて
形成し、ホトマスクＭ６およびＭ７を用いてホールを形
成した後、ホトマスクＭ５又はＭ９を用いて上側配線層
な形成する。実施例２についても同様である。このよう
にしても、上述の実施例と同様の効果が得られる。この
場合もホトマスクＭ８に代えてＭ２Ｓを用いてもよい。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるゲートアレイＬＳＩ
に適用した場合について説明したが、マスタースライス
式の半導体装置更にはその他の半導体装置で多層配線構
造を有するものであれば、ゲートアレイＬＳＩに限定さ
れるものではなく全ての半導体装置に適用することがで
きる。

（５）は四回におけるＢＢ線断面図、 第２図（５）〜坦は使用するホトマスクの平面パターン
図、 第３図は本発明を適用するゲートアレイの平面図、 第４図は第３図の一部（Ａ部）の拡大図で、囚は平面図
、（Ｂｌは（５）図のＢＢ線断面図、第５図囚〜（至）
は使用するホトマスクの平面パターン図、 第６図は配線を相違させた状態を示し、（５）、（Ｂ）
は夫々第４１囚、＠に対応する平面図と断面図、＃！７
図囚回置至）は使用するホトマスクの平面パターン図、 第８図は他の実施例の要部の平面図、 第９図囚〜Ｉは使用するホトマスクの平面パターン図、 第１０図はホトマスクの変形例を示すだめの図である。

１０・・・ゲートアレイＬＳＩ、１３・・・基本セル列
、１３ａ・・・基本セル、１４・・・配線領域、１７．
１７Ａ・・・第１アルミニウム層（下側配線Ｒ）、１７
ａ〜１７ｃ・・・配線、１８・・・層間絶縁膜、１９・
・・第２アルミニウム層（上側配線層）、２０・・・パ
ッシベーシヨン膜、２１ａ〜２１ｈ・・・コンタクト可
能部。

２２ａ〜２２ｉ・・・コンタクトホール、２３ａ〜２３
　ｆ　・・・配線、２４　ａ〜２４　ｃ・・・配線、２
５８〜２５ｇ・・・コンタクト可能部、２６ａ〜２６ｉ
・・・コンタクトホール、２７ａ〜２７ｆ・・・配線、
２８゜２９・・・延長部、３０・・・第１アルミニウム
層、３１・・・第２アルミニウム層、３２ａ〜３２ｄ・
・・配線、３４・・・コンタクト可能部、３５・・・コ
ンタクトホーｙ、３６　ａ〜３６　ｅ・・−配線、３７
・・・延長部５Ｍ５゜Ｍ８．Ｍ９．Ｍｌ　Ｏ，Ｍｌ　１
．Ｍｌ　３・・・カスタムマスク、Ｍ６．Ｍ７．Ｍｌ　
２．Ｍｌ　３・・・マスク。

第　５　図 （Ａ） ヂ３ （６） ４、／ 第　５　図 （Ｃ） （Ｄ） 、ｚ、、７’ 第６図 （Ａ） （Ｂ） 第　７　図 （ＩＶ） （Ｂ） 第　７　図 （Ｃ） （Ｄ） Ｊ 第　８　図 、、？／ 第　９ ４．ｊ （ｃ） （Ｄ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、層間絶縁膜を挾んで下側配線層と上側配線層を形成
   した２層以上の多層配線構造を有する半導体装置におい
   て、前記層間絶縁膜には一方の配線層に重なる位置でか
   つ他方の配線層に重ならない位置にコンタクトホールな
   形成し、他方の配線層ぐンタクトノ の一部を必要に応じて大軍＝ホール位置にまで延設した
   ことを特徴とする半導体装置。 ２、下側配線層と下側配線層とを略直角方向に父差をせ
   、コンタクトホールは下側配線層に重なる位置で上側配
   線層の対向位置に形成してなる特許請求の範囲第１項記
   載の半導体装置。 ３、　コンタクトホールの間の配線領域に素子を配設し
   てなる特許請求の範囲第２項記載の半導体装置。 ４、　コンタクトホールは複数本並設これた一方の配線
   層に重なる位置にこれらの延長方向の又互位置に列設し
   、他方の配線層は各コンタクトホールを避けるようにジ
   グザグ状に形成し７でなる特許請求の範囲第１項記載の
   半導体装置。 ５、素子を形成した基本セル領越と、多層配線構造を形
   成する配線領域とを有するゲー　ドアレイである特許請
   求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半導体
   装置。 ６、所望のパターンに形成したカスタムマスクを使用し
   て下側配線層を形成し、一定のパターンに形成したマス
   クを使用して層間絶縁膜にコンタクトホールな形成し、
   しかる上で所望のパターンに形成したカスタムマスクを
   使用して上側配線層を形成し、て多層配線構造を構成す
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ７、全面にアルミニウム層を形成した上でカスタムマス
   クにて第１のアルミニウム層をエツチングし、この第１
   のアルミニウム層の配線に重なる位置の層間絶縁膜にマ
   スクにてコンタクトホールな形成し、その上に全面に形
   成したアルミニウム層をカスタムマスクにてパターンエ
   ツチングして第２のアルミ層を形成してなる特許請求の
   範囲第６項記載の半導体装置の製造方法。 ８．第１のアルミニウム層と第２のアルミニウム層の夫
   々のカスタムマスクを変更−Ｊ’％Ｆし、コンタクトホ
   ールのマスクをそのまま使用して配線変更を施す特許請
   求の範囲第７項記載の半導体装置の製造方法。