JPS59147026A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents
金属薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS59147026A JPS59147026A JP58023223A JP2322383A JPS59147026A JP S59147026 A JPS59147026 A JP S59147026A JP 58023223 A JP58023223 A JP 58023223A JP 2322383 A JP2322383 A JP 2322383A JP S59147026 A JPS59147026 A JP S59147026A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- metal
- metal thin
- cylindrical
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高分子材料より成る基板上に金属薄膜を形成す
る金属薄膜の製造方法に関するものである。
る金属薄膜の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
高分子材料より成る基板上に真空蒸着法により金属薄膜
を形成する方法としては、基板を円筒状キャンの周側面
に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている
。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内部
構造の概略を示す。
を形成する方法としては、基板を円筒状キャンの周側面
に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている
。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内部
構造の概略を示す。
高分子材料より成る基板１は円筒状キャン２の周側面に
沿って矢印の向きに走行する。この基板１上に蒸発源５
によって金属薄膜が形成される。３゜４はそれぞれ基板
１の供給ロール及び巻き取りロールである。このような
真空蒸着装置にて高分子材料より成る基板上に金属薄膜
を蒸着する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００Å以下
の場合には、安定に薄膜が形成されるが、数１００Å以
上の膜厚を数１００人／秒以上の高堆積速度で形成する
場合には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等に
より基板の熱変形や熱分解を生じてしまい安定な蒸着膜
が得られない。従って、高分子材料より成る基板上に数
１００人／秒以上の高堆積速度で数１００八以上の金属
薄膜を蒸着する際には、これらの熱的ダメージを避ける
だめの何らかの方法を採用する必要がある。このような
方法の一つとして、まず高分子材料よシ成る基板上に膜
厚数１００Å以下の金属薄膜Ａを蒸着し、その上に金属
薄膜Ａと円筒状キャンとの間に電位差を設けて膜厚数１
００Å以上の金属薄膜Ｂを数１ｏｏ紗宰以上の高堆積速
度で形成することが考えられる。
沿って矢印の向きに走行する。この基板１上に蒸発源５
によって金属薄膜が形成される。３゜４はそれぞれ基板
１の供給ロール及び巻き取りロールである。このような
真空蒸着装置にて高分子材料より成る基板上に金属薄膜
を蒸着する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００Å以下
の場合には、安定に薄膜が形成されるが、数１００Å以
上の膜厚を数１００人／秒以上の高堆積速度で形成する
場合には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等に
より基板の熱変形や熱分解を生じてしまい安定な蒸着膜
が得られない。従って、高分子材料より成る基板上に数
１００人／秒以上の高堆積速度で数１００八以上の金属
薄膜を蒸着する際には、これらの熱的ダメージを避ける
だめの何らかの方法を採用する必要がある。このような
方法の一つとして、まず高分子材料よシ成る基板上に膜
厚数１００Å以下の金属薄膜Ａを蒸着し、その上に金属
薄膜Ａと円筒状キャンとの間に電位差を設けて膜厚数１
００Å以上の金属薄膜Ｂを数１ｏｏ紗宰以上の高堆積速
度で形成することが考えられる。
なお、金属薄膜Ａと金属薄膜Ｂとは同種金属でも良いし
、異種金属でも良い。第２図に上記方法の一例を示す。
、異種金属でも良い。第２図に上記方法の一例を示す。
金属薄膜への蒸着された高分子材料より成る基板６は、
その金属薄膜Ａを金属ローラ７に接して走行する。金属
ローラ了は電源８により、接地された円筒状キャン２と
の間に電圧が印加されている。このようにすると、基板
６と円筒状キャン２との間に静電気的な引力が生じ、基
板６が円筒状キャン２に張り付く。張り付いた状態で蒸
発源６から薄膜材料を蒸発させ、基板ｅ上に金属薄膜Ｂ
を形成すると、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱
が円筒状キャン２に拡散するので、基板６の熱変形や熱
分解が生じない。基板６のキャン２への張り付きが不十
分であると熱拡散の量が小さく、基板が熱的ダメージを
受ける。
その金属薄膜Ａを金属ローラ７に接して走行する。金属
ローラ了は電源８により、接地された円筒状キャン２と
の間に電圧が印加されている。このようにすると、基板
６と円筒状キャン２との間に静電気的な引力が生じ、基
板６が円筒状キャン２に張り付く。張り付いた状態で蒸
発源６から薄膜材料を蒸発させ、基板ｅ上に金属薄膜Ｂ
を形成すると、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱
が円筒状キャン２に拡散するので、基板６の熱変形や熱
分解が生じない。基板６のキャン２への張り付きが不十
分であると熱拡散の量が小さく、基板が熱的ダメージを
受ける。
以上のように、円筒状キャンに対して基板に電位差を与
えて蒸着を行なうことにより、安定に膜を作製出来るが
、第２図のような装置で実際に蒸着を行なうと巻き取り
ロール４に巻き取る際に、しわが入ってしまう欠点があ
る。
えて蒸着を行なうことにより、安定に膜を作製出来るが
、第２図のような装置で実際に蒸着を行なうと巻き取り
ロール４に巻き取る際に、しわが入ってしまう欠点があ
る。
発明の目的
本発明は上記欠点を除去し、真空蒸着法により、基板に
熱変形や熱分解及びしわを生じさせずに、金属薄膜を作
製する方法を提供することを目的とする。
熱変形や熱分解及びしわを生じさせずに、金属薄膜を作
製する方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある
高分子材料より成る基板上に直接にあるいは金属薄膜Ａ
を介して金属薄膜Ｂを真空蒸着法によって形成する際に
、円筒状キャンと金属薄膜Ｂとの間に電位差を設け、か
つ基板巻き取９部近傍において金属薄膜Ｂを直接にある
いは抵抗を介して接地することを特徴とする金属薄膜の
製造方法であシ、本発明の方法を用いることによって、
高分子材料より成る基板に熱変形や熱分解及びしわを生
じさせずに、金属薄膜を得ることが可能である。
高分子材料より成る基板上に直接にあるいは金属薄膜Ａ
を介して金属薄膜Ｂを真空蒸着法によって形成する際に
、円筒状キャンと金属薄膜Ｂとの間に電位差を設け、か
つ基板巻き取９部近傍において金属薄膜Ｂを直接にある
いは抵抗を介して接地することを特徴とする金属薄膜の
製造方法であシ、本発明の方法を用いることによって、
高分子材料より成る基板に熱変形や熱分解及びしわを生
じさせずに、金属薄膜を得ることが可能である。
実施例の説明
以下図面を参照して、本発明の実施例について説明する
。第１図、第２図と同一物は同一番号を伺しておく。第
３図はその一実施例を示すものであり、第３図に示され
る真空蒸着装置内部の構成は第２図と殆ど同じであるが
、巻き取りロール４を接地することによシ、金属薄膜Ｂ
を接地している点が異なる。実際の結果、従来の第２図
に示される装置において巻き取９時に入っていたしわが
、第３図のようにすることにより殆ど無くなることが明
らかになった。この原因は本発明により、巻き取り部に
おいて基板に印加されていた電圧が小さくなり、その結
果基板間の反発力が小さくなったためであると考えられ
る９、なお、第３図のように金属薄膜を巻き取り部にお
いて接地すると、金属薄膜内部を電流が流れるが、金属
薄膜と円筒状キャンとの間の電位差は数１０Ｖあれば十
分であるので、電流が訛れても膜を破壊したり、膜の特
性に影響を及はすことはない。また金属薄膜に電圧を印
加するだめの電源としては、第３図では直流電源８が描
かれているが、交流電源でも差しつかえない。まだ第３
図では巻き取りロール４を直接接地しているが、適当な
抵抗を介して接地しても良い。
。第１図、第２図と同一物は同一番号を伺しておく。第
３図はその一実施例を示すものであり、第３図に示され
る真空蒸着装置内部の構成は第２図と殆ど同じであるが
、巻き取りロール４を接地することによシ、金属薄膜Ｂ
を接地している点が異なる。実際の結果、従来の第２図
に示される装置において巻き取９時に入っていたしわが
、第３図のようにすることにより殆ど無くなることが明
らかになった。この原因は本発明により、巻き取り部に
おいて基板に印加されていた電圧が小さくなり、その結
果基板間の反発力が小さくなったためであると考えられ
る９、なお、第３図のように金属薄膜を巻き取り部にお
いて接地すると、金属薄膜内部を電流が流れるが、金属
薄膜と円筒状キャンとの間の電位差は数１０Ｖあれば十
分であるので、電流が訛れても膜を破壊したり、膜の特
性に影響を及はすことはない。また金属薄膜に電圧を印
加するだめの電源としては、第３図では直流電源８が描
かれているが、交流電源でも差しつかえない。まだ第３
図では巻き取りロール４を直接接地しているが、適当な
抵抗を介して接地しても良い。
次に本発明の具体的な実施例について第４図を用いて説
明する。第４図の真空蒸着装置は基本的には第３図の装
置と同じであるが、金属ローラ７には交流電源９により
ＳＯＶの電圧を印加している。またキャン２及び金属ロ
ーラ１０は接地されている。このような装置にて、膜厚
１２μｍのポリエチレンテレフタレート基板上に金属薄
膜Ａとシテ膜厚４００へのＴｉ膜を形成した。この際に
Ｔ１ の膜厚が薄いので基板に何の変形も生じなかった
。次にＴｉ 膜上に、金属薄膜Ｂとして膜厚１０００人
（７） Ｃｏ−Ｃｒ 合金膜を６０００人／秒の堆積
速度で形成した。作画された膜は非常に安定であり、熱
負け、クラック、しわ等は見られなかった。一方、金属
ローラ１ｏを接地せずに蒸着を行なうと、巻き取りロー
ル４に巻かれる際に、がなりのしわが入った。
明する。第４図の真空蒸着装置は基本的には第３図の装
置と同じであるが、金属ローラ７には交流電源９により
ＳＯＶの電圧を印加している。またキャン２及び金属ロ
ーラ１０は接地されている。このような装置にて、膜厚
１２μｍのポリエチレンテレフタレート基板上に金属薄
膜Ａとシテ膜厚４００へのＴｉ膜を形成した。この際に
Ｔ１ の膜厚が薄いので基板に何の変形も生じなかった
。次にＴｉ 膜上に、金属薄膜Ｂとして膜厚１０００人
（７） Ｃｏ−Ｃｒ 合金膜を６０００人／秒の堆積
速度で形成した。作画された膜は非常に安定であり、熱
負け、クラック、しわ等は見られなかった。一方、金属
ローラ１ｏを接地せずに蒸着を行なうと、巻き取りロー
ル４に巻かれる際に、がなりのしわが入った。
発明の効果
以上のように本発明によれば蒸着時に熱負けを生じず、
かつ巻き取り時にしわの無い安定な金属薄膜を提供でき
るものである。
かつ巻き取り時にしわの無い安定な金属薄膜を提供でき
るものである。
第１図及び第２図はそれぞれ従来例における真空蒸着装
置内部の概略を示す図、第３図及び第４図はそれぞれ本
発明の金属薄膜の製造方法における真空蒸着装置内部の
概略を示す図である。 ２・・・・・円筒状キャン、３・・・・・・供飽ロール
、４・・・・・巻き取りロール、８，９・・・・・基板
に電圧を印加するだめの電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 −７−図
置内部の概略を示す図、第３図及び第４図はそれぞれ本
発明の金属薄膜の製造方法における真空蒸着装置内部の
概略を示す図である。 ２・・・・・円筒状キャン、３・・・・・・供飽ロール
、４・・・・・巻き取りロール、８，９・・・・・基板
に電圧を印加するだめの電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 −７−図
Claims (1)
- 円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある高分子材
料より成る基板上に直接にあるいは金属薄膜Ａを介して
金属薄膜Ｂを真空蒸着法によって形成する際に、上記円
筒状キャンと上記金属薄膜Ｂとの間に電位差を設け、か
つ上記基板巻き取り部近傍において上記金属薄膜Ｂを直
接にあるいは抵抗を介して接地することを特徴とする金
属薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023223A JPS59147026A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023223A JPS59147026A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 金属薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147026A true JPS59147026A (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=12104639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58023223A Pending JPS59147026A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59147026A (ja) |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP58023223A patent/JPS59147026A/ja active Pending
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