JPS6046575B2 - 出力ハイブリツド型ソリツド・ステ−ト・リレ− - Google Patents
出力ハイブリツド型ソリツド・ステ−ト・リレ−Info
- Publication number
- JPS6046575B2 JPS6046575B2 JP55079282A JP7928280A JPS6046575B2 JP S6046575 B2 JPS6046575 B2 JP S6046575B2 JP 55079282 A JP55079282 A JP 55079282A JP 7928280 A JP7928280 A JP 7928280A JP S6046575 B2 JPS6046575 B2 JP S6046575B2
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- JP
- Japan
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- relay
- emitting diode
- light emitting
- solid state
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Relay Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体スイッチング素子とメカニカル接点とを
備えてなる出力ハイブリッド型ソリッド・ステート・リ
レーに関する。
備えてなる出力ハイブリッド型ソリッド・ステート・リ
レーに関する。
従来、リレーとしては一般的にいわゆるメカニカルリレ
ーが多く用いられているが、このリレーは、接点がオン
したとき抵抗が極めて低く発熱がない長所がある反面、
接点がオフかオンに移行するとき、バウンスを発生する
こと及びオンからオフにうつるときアークの発生などに
より接点が消耗する等の短所があつた。
ーが多く用いられているが、このリレーは、接点がオン
したとき抵抗が極めて低く発熱がない長所がある反面、
接点がオフかオンに移行するとき、バウンスを発生する
こと及びオンからオフにうつるときアークの発生などに
より接点が消耗する等の短所があつた。
しかして、これに対して第１図に示すような、半導体ス
イッチング素子を含んでなるソリッド・ステート・リレ
ーが既に提案されている。
イッチング素子を含んでなるソリッド・ステート・リレ
ーが既に提案されている。
すなわち、第１図はエンハンスメント型のデユアＭＯＳ
ＥＦＴを光電池と結合させて構成させたものである。
ＥＦＴを光電池と結合させて構成させたものである。
図中１は発光ダイオード、２、２’は光電池、３はデュ
アルＭＯＳＦＥＴを示す。また、４、４’は入力端子、
５、５’は出力端子を示す。動作は、入力端子４、４’
間に入力電流が流れると、発光ダイオード１が発光し、
この光を受けて光電池２がＭＯＳＦＥＴ３にバイアスを
印加し、出力側に負荷電流を流す。このリレーは無アー
ク開閉を行うため、接点の消耗がない利点があるが、そ
の反面オン時の出力抵抗があり、これにつて発熱が生ず
るという欠点を伴なつている。本発明は上記の欠点を改
善し、半導体スイッチング素子とメカニカル接点とを組
合わせることにより発熱の低減化を図つた出力ハイブリ
ッド型ソリッド・ステート・リレーを提供することを目
的とするものであり、以下図面に沿つて本発明を説明す
る。第２図は本発明の一実施例を示す。
アルＭＯＳＦＥＴを示す。また、４、４’は入力端子、
５、５’は出力端子を示す。動作は、入力端子４、４’
間に入力電流が流れると、発光ダイオード１が発光し、
この光を受けて光電池２がＭＯＳＦＥＴ３にバイアスを
印加し、出力側に負荷電流を流す。このリレーは無アー
ク開閉を行うため、接点の消耗がない利点があるが、そ
の反面オン時の出力抵抗があり、これにつて発熱が生ず
るという欠点を伴なつている。本発明は上記の欠点を改
善し、半導体スイッチング素子とメカニカル接点とを組
合わせることにより発熱の低減化を図つた出力ハイブリ
ッド型ソリッド・ステート・リレーを提供することを目
的とするものであり、以下図面に沿つて本発明を説明す
る。第２図は本発明の一実施例を示す。
入力端子４、４’にはリレーコイル６が接続さ１れ、こ
れに並列にダイオードＤと発光ダイオード１との直列回
路が形成されており、この発光ダイオード１と並列に抵
抗ＲとコンデンサＣとの直列回路が接続されている。
れに並列にダイオードＤと発光ダイオード１との直列回
路が形成されており、この発光ダイオード１と並列に抵
抗ＲとコンデンサＣとの直列回路が接続されている。
出力側には光電池２、２’が２組設けられ、一方の光電
池２のアノードゝはデュアルＭＯＳＥＴ３、のゲートＧ
、に接続され、他方の光電池２’のアノードはデュアル
ＭＯＳＥＴ３。のゲートＧ。に接続され、２つの光電池
２、２″のカソードは夫々出力端子５，５″に接続され
ている。また、デュアルＭＯＳＥＴ３ｌ，３。のドレイ
ンは図中、３ａにて示すように互いに接続され、かつソ
ースは、出力端子５，５″にそれぞれ接続されている。
また、前記入力端子側のリレーコイル６によつて開閉す
る接点７は、出力端子５，５″間に挿入されている。次
に動作について説明する。
池２のアノードゝはデュアルＭＯＳＥＴ３、のゲートＧ
、に接続され、他方の光電池２’のアノードはデュアル
ＭＯＳＥＴ３。のゲートＧ。に接続され、２つの光電池
２、２″のカソードは夫々出力端子５，５″に接続され
ている。また、デュアルＭＯＳＥＴ３ｌ，３。のドレイ
ンは図中、３ａにて示すように互いに接続され、かつソ
ースは、出力端子５，５″にそれぞれ接続されている。
また、前記入力端子側のリレーコイル６によつて開閉す
る接点７は、出力端子５，５″間に挿入されている。次
に動作について説明する。
入力端子４，４″間に電圧が印加されると同時にコイル
６及び発光ダイオード１に電圧が印加される。
６及び発光ダイオード１に電圧が印加される。
これにより発光ダイオード１が光を出し、これを受けて
ＭＯＳＦＥＴの３１，３２がオンし、これによつて負荷
電流が流れる。リレー接点７がオンするためには多少の
時間おくれがあるため、ＭＯＳＦＥＴがオンした後に接
点７が閉じる。リレーの接点の接触抵抗がＦＥＴのオン
抵抗と比べて非常に小さいために、発熱を減少させるこ
とができる。次に入力電圧が取り除かれると、リレーの
接点はある動作時間をおいて接点が開く。
ＭＯＳＦＥＴの３１，３２がオンし、これによつて負荷
電流が流れる。リレー接点７がオンするためには多少の
時間おくれがあるため、ＭＯＳＦＥＴがオンした後に接
点７が閉じる。リレーの接点の接触抵抗がＦＥＴのオン
抵抗と比べて非常に小さいために、発熱を減少させるこ
とができる。次に入力電圧が取り除かれると、リレーの
接点はある動作時間をおいて接点が開く。
しかし発光．ダイオード側はコンデンサＣと抵抗Ｒとに
よりコンデンサの放電回路が形成され、直列抵抗とコン
デンサとによつて定まる時定数によつて放電電流が発光
ダイオードに流れる。したがつて時定数を適当に選ぶこ
とによつてＦＥＴのオン状態を保持ｉするに必要な電流
をリレーの動作時間より長い期間流すことができる。こ
のように構成することをによつて、本発明ではリレー接
点７が開いても、ＦＥＴにより負荷電流を流してあるた
め、接点の開路時にはアークが発生しないという効果が
ある。第３図イ〜トは印加電圧が加わつた場合と、消失
した場合とについての電圧、電流を示すもので、イが印
加電圧、口はコイルに流れる電流、ハは発光ダイオード
に流れる電流、二はＭＯＳＦＥＴに流れる電流でオン、
オフの状態を示す。
よりコンデンサの放電回路が形成され、直列抵抗とコン
デンサとによつて定まる時定数によつて放電電流が発光
ダイオードに流れる。したがつて時定数を適当に選ぶこ
とによつてＦＥＴのオン状態を保持ｉするに必要な電流
をリレーの動作時間より長い期間流すことができる。こ
のように構成することをによつて、本発明ではリレー接
点７が開いても、ＦＥＴにより負荷電流を流してあるた
め、接点の開路時にはアークが発生しないという効果が
ある。第３図イ〜トは印加電圧が加わつた場合と、消失
した場合とについての電圧、電流を示すもので、イが印
加電圧、口はコイルに流れる電流、ハは発光ダイオード
に流れる電流、二はＭＯＳＦＥＴに流れる電流でオン、
オフの状態を示す。
ホはリレー接点のオン、オフ状態、へは負荷電流、卜は
出力電圧すなわち端子５，５″間の電圧降下を示・すも
ので、Ｖ１はＦＥＴによる電圧降下を示す。尚へ図にお
いて針線部はＦＥＴによる負荷電流を示す。本発明は叙
上のようにリレーの接点と ＭＯＳＦＥＴとを並列に接続し、接点がオンまたはオフ
に切換わる短期間はＭＯＳＦＥＴによりスイッチングを
行うため、接点に対しては無アーク開閉を行うことが可
能となり、その他の負荷電流はリレー接点を流れるため
、ＭＯＳＦＥＴによる発熱は極めて小さいという効果を
有する。
出力電圧すなわち端子５，５″間の電圧降下を示・すも
ので、Ｖ１はＦＥＴによる電圧降下を示す。尚へ図にお
いて針線部はＦＥＴによる負荷電流を示す。本発明は叙
上のようにリレーの接点と ＭＯＳＦＥＴとを並列に接続し、接点がオンまたはオフ
に切換わる短期間はＭＯＳＦＥＴによりスイッチングを
行うため、接点に対しては無アーク開閉を行うことが可
能となり、その他の負荷電流はリレー接点を流れるため
、ＭＯＳＦＥＴによる発熱は極めて小さいという効果を
有する。
第１図は従来のソリッド・ステート・リレー、第２図は
本発明にかかる出力ハイブリッド型ソリッド・ステート
●リレー、第３図イ〜トは同上の動作説明図である。 １・・・・・発光ダイオード、２，２″・・・・光電池
、３１，３２・・・・デュアルＭＯＳＦＥＴｌ４，４″
．．入力端子、５，５″・・・・・・出力端子、６・・
・・・・リレーコイル、７・・・・・・リレー接点、Ｒ
・・・・・・抵抗、Ｃ・・・・コンデンサ。
本発明にかかる出力ハイブリッド型ソリッド・ステート
●リレー、第３図イ〜トは同上の動作説明図である。 １・・・・・発光ダイオード、２，２″・・・・光電池
、３１，３２・・・・デュアルＭＯＳＦＥＴｌ４，４″
．．入力端子、５，５″・・・・・・出力端子、６・・
・・・・リレーコイル、７・・・・・・リレー接点、Ｒ
・・・・・・抵抗、Ｃ・・・・コンデンサ。
Claims (1)
- １ 入力端子間にリレーコイル、抵抗とコンデンサとの
直列回路及び発光ダイオードを並列に接続し、入力端子
間に加わる電圧が消失したときは、コンデンサの放電電
流が前記の発光ダイオードに流れるように構成すると共
に、出力端子間には前記の発光ダイオードよりの光線に
よつて起電力を発生する光電池がゲート・ソース間に夫
々接続されたデュアルＭＯＳＦＥＴ回路と、前記のリレ
ーコイルにより開閉動作を行うリレー接点回路とを並列
的に配設することを特徴とする出力ハイブリッド型ソリ
ッド・ステート・リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55079282A JPS6046575B2 (ja) | 1980-06-12 | 1980-06-12 | 出力ハイブリツド型ソリツド・ステ−ト・リレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55079282A JPS6046575B2 (ja) | 1980-06-12 | 1980-06-12 | 出力ハイブリツド型ソリツド・ステ−ト・リレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575433A JPS575433A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6046575B2 true JPS6046575B2 (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=13685502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55079282A Expired JPS6046575B2 (ja) | 1980-06-12 | 1980-06-12 | 出力ハイブリツド型ソリツド・ステ−ト・リレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046575B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102804568A (zh) * | 2009-06-17 | 2012-11-28 | 松下电器产业株式会社 | 交流-直流两用开关 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109242U (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-24 | オムロン株式会社 | 負荷開閉装置 |
| JPS60181308U (ja) * | 1984-09-03 | 1985-12-02 | 斉藤 富美恵 | ペチコ−ト |
| JPS61177343U (ja) * | 1985-04-20 | 1986-11-05 | ||
| JP3013894B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2000-02-28 | 日本電気株式会社 | Ｆｅｔ装置 |
| JP2006345658A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Ntt Data Ex Techno Corp | 交流電源スイッチ回路及び交流電源の制御方法 |
-
1980
- 1980-06-12 JP JP55079282A patent/JPS6046575B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102804568A (zh) * | 2009-06-17 | 2012-11-28 | 松下电器产业株式会社 | 交流-直流两用开关 |
| US8890371B2 (en) | 2009-06-17 | 2014-11-18 | Panasonic Corporation | Alternating current/direct current two-way switch |
| CN102804568B (zh) * | 2009-06-17 | 2015-01-28 | 松下电器产业株式会社 | 交流-直流两用开关 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575433A (en) | 1982-01-12 |
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