JPS6047751B2 - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents

撮像管タ−ゲツト

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Publication number
JPS6047751B2
JPS6047751B2 JP50100772A JP10077275A JPS6047751B2 JP S6047751 B2 JPS6047751 B2 JP S6047751B2 JP 50100772 A JP50100772 A JP 50100772A JP 10077275 A JP10077275 A JP 10077275A JP S6047751 B2 JPS6047751 B2 JP S6047751B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tube target
image pickup
layer
present
pickup tube
Prior art date
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Expired
Application number
JP50100772A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5224090A (en
Inventor
隆夫 近村
慎司 藤原
治 江口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS5224090A publication Critical patent/JPS5224090A/ja
Publication of JPS6047751B2 publication Critical patent/JPS6047751B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は撮像管ターゲットの改良に関するものである。
本出願人は、従来の一般用ビジコン（Ｓｂ、Ｓ。からな
るもの）、Ｓｉビジコン（Ｓｉ（７）ｐｎ接合ダイオー
ドアレイよりなるもの）、ＰｂＯビジコン（ＰｂＯから
なるもの）などが持つ欠点を除去できる新らしい撮像管
ターゲットを提案している。すなわち、この撮像管ター
ゲットはＺｎｓｌ−ＺｓｅＺまたはＺｎ、−ｖＣｄｖＳ
と（Ｚｎ、−ｘＣｄｘＴｅ）、−ｙ（Ｉｎ２Ｔｅ。
）ｙとの異種接合構造からなる。しかし、このターゲッ
トでは総合的な諸特性についてはきわめてすぐれている
ものの、残像については改善すべき余地が残されていた
。本発明者らは、この問題点にかんがみて種々検討した
結果、残像を改善できることを見出し、本発明を完成し
た。
以下図面とともに本発明を説明する。
第１図に本発明の撮像管ターゲットの一例を示す。
図において、１はガラス基板、２は透明性導電膜、３は
バンドギャップの大きい物質ではＺｎＳ、−２Ｓｅ２Ｎ
Ｚｎ、−ｖＣｄｖＳ）４は（Ｚｎ、−ｘＣｄ、Ｔｅ）、
−ｙ（Ｉｎ、Ｔｅ。）ｙ）５は島状金属である。次に第
１図における撮像管ターゲットの製作方法をのべる。透
明性導電膜２を形成したガラス基板１上にバンドギャッ
プの大きい物質３例えばはＺｎＳ、−２Ｓｅ２、、Ｚｎ
、−、Ｃｄ、Ｓを基板温度１００〜４０００Ｃにて０．
０３〜１μ几の厚さに蒸着し、その上に（Ｚｎ、−、Ｃ
ｄ、Ｔｅ）、−ｙ（ＩルＴｅ。
）、４を基板温度１５０〜２５０℃にて膜厚が１〜７μ
ｍとなるよう蒸着する。このようにして得られた膜を真
空中において・ ３００〜７００℃の温度範囲で５〜２
０紛間の熱処理を施こす。更に、金属例えばＡｕ、Ａｇ
ＮｃｕＮＩｎ）川、Ｃａ等を解像度を劣化せしめないよ
うに１００Ａ以下の膜厚に形成するか、またはメッシュ
を通して蒸着し各絵素間の横方向のリークを生じないよ
フうにする。このようにして得られた撮像管ターゲット
は諸特性が優れ、とりわけ残像が向上する。第１表に、
本発明の撮像管ターゲット （Ａｕあり）４従来の撮像
管ターゲット （Ａｕなし）とを比較して諸特性を示す
。夕 第１表から本発明のものは従来のものに比べて残像が格
段に向上するのがわかる。
また金属層としては、Ａｕのほか、他の金属例えばＡｕ
．．Ａｇ．．Ｃｕ，．Ｉｎ．．Ａｌ、Ｃｓ等においても
同様な結果が得られた。
以上説明したように、本発明によれば、諸特性が優れた
、とりわけ残像がよい撮像管ターゲットが得られる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例である撮像管ターゲットを示す断
面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明性導電
膜、３・・・・・・バンドギャップの大きい物質、４・
・・（Ｚｎｌ−，．ＣｄＯＴｅ）１−ｙ（Ｉｒｌ２Ｔｅ
３）Ｙｌ５・・・・・・金属。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 透明性導電膜を有する透明基板上に、第一層として
    第二層よりもバンドギャップが大なる物質を形成し、前
    記第二層として（Ｚｎ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ）＿１
    ＿−＿ｙ（Ｉｎ＿２Ｔｅ＿３）＿ｙなる物質を形成し、
    更に前記第二層上に１００Å以下の金属を形成してなる
    撮像管ターゲット。
JP50100772A 1975-08-19 1975-08-19 撮像管タ−ゲツト Expired JPS6047751B2 (ja)

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JPS5224090A JPS5224090A (en) 1977-02-23
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5964210U (ja) * 1982-10-23 1984-04-27 大東木工株式会社 たわみ性の小さい板材からなる折曲壁のコ−ナ部分
JPS5964209U (ja) * 1982-10-23 1984-04-27 大東木工株式会社 たわみ性の小さい板材からなる折曲壁のコ−ナ部分
JPS60107218U (ja) * 1983-12-27 1985-07-22 大建工業株式会社 板材
JPS617670A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Ricoh Co Ltd 光電変換膜

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JPS5224090A (en) 1977-02-23

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