JPS6048741B2 - 液晶セル基板及びその製造方法 - Google Patents
液晶セル基板及びその製造方法Info
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- JPS6048741B2 JPS6048741B2 JP3351181A JP3351181A JPS6048741B2 JP S6048741 B2 JPS6048741 B2 JP S6048741B2 JP 3351181 A JP3351181 A JP 3351181A JP 3351181 A JP3351181 A JP 3351181A JP S6048741 B2 JPS6048741 B2 JP S6048741B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
Landscapes
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- Optics & Photonics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示装置に使用して好適な液晶セル基板
に関する。
に関する。
第１図は、液晶表示装置の構造を示す図で、１、ｌａは
、ガラスなどの絶縁基板上に、絶縁被膜、透明電極、配
向処理膜を形成した液晶セル基板である。
、ガラスなどの絶縁基板上に、絶縁被膜、透明電極、配
向処理膜を形成した液晶セル基板である。
液晶表示装置は、セラミックビーズ等のスペーサーを含
有したエポキシ樹脂などの接着剤２を用いて２枚の液晶
セル基板１、ｌａを一定の間隙に保つて対向させた液晶
セル内に、液晶物質３を封入して作成する。第２図は、
前記液晶セル基板１の構成を詳しく示した図である。
有したエポキシ樹脂などの接着剤２を用いて２枚の液晶
セル基板１、ｌａを一定の間隙に保つて対向させた液晶
セル内に、液晶物質３を封入して作成する。第２図は、
前記液晶セル基板１の構成を詳しく示した図である。
１１はガラスなどの絶縁基板で、該絶縁基板１１上に、
浸漬法、蒸着法、印刷法などにより有機シリコン化合物
を塗布し、４５０フ℃〜５００℃て約ル分間焼成し、前
記絶縁基板１１中に含まれるアルカリイオン溶出防止の
ためにＳｌＯ２の絶縁被膜１２Ａを形成する。
浸漬法、蒸着法、印刷法などにより有機シリコン化合物
を塗布し、４５０フ℃〜５００℃て約ル分間焼成し、前
記絶縁基板１１中に含まれるアルカリイオン溶出防止の
ためにＳｌＯ２の絶縁被膜１２Ａを形成する。
該絶縁被膜１２Ａ上に、印刷法、蒸着法などにより酸化
インジウム等の金属酸化物からなる透明電極１３を所定
形状に形成する。該透明電極１３を被つて、前記絶縁被
膜１２Ａと同じ方法でＳｉＯ。の絶縁被膜１２Ｂを形成
する。さらに、該絶縁被膜１２Ｂ上に、シランカップリ
ング剤等の配向処理膜１４を塗布し、１２０゜Ｃで約３
吟間乾燥した後一定方向にラピングして、液晶セル基板
１を作成していた。しかし、従来の液晶セル基板を用い
て得られる液 ：晶表示装置には、次のような欠点があ
つた。ガラス等の絶縁基板１１に含まれるアルカリイオ
ンが液晶物質中に溶出すると、液晶物質に悪影響を与え
、液晶表示装置の信頼性を悪化させ、寿命を短かくする
。アルカリイオン溶出防止のために、従来は、ＳｉＯ２
絶縁被膜１２Ａ，１２Ｂを形成していたが、十分ではな
く、信頼性、寿命の点で問題があつた。又有機シリコン
化合物を印刷塗布し、４５０゜Ｃ〜５００゜Ｃて焼成し
て得られる前記絶縁被膜１２Ａ，１２Ｂは、比較的軟か
く、ラピング時にはがれたり、ラピング時に絶縁被膜１
２Ｂ上に形成される溝が大きくなつたりして、液晶物質
の配向性が悪るくなる欠点があつた。このような欠点を
解消するため、本出願人は先に、有機ケイ素化合物と、
有機インジウム化合物と、有機アルミニウム化合物との
混合物を主成分とする絶縁被膜形成用ペーストを塗布し
た後に焼成してＳＩＯ。−ＩＴＩ．Ｏ３一Ａｌ。Ｏ。系
酸化物からなる絶縁被膜を提案した（特開昭５７−６２
０２７号参照）。この三成分系からなる絶縁被膜は、そ
れぞれ単一独の酸化物の欠点を相補い、優れた特性を有
している。
インジウム等の金属酸化物からなる透明電極１３を所定
形状に形成する。該透明電極１３を被つて、前記絶縁被
膜１２Ａと同じ方法でＳｉＯ。の絶縁被膜１２Ｂを形成
する。さらに、該絶縁被膜１２Ｂ上に、シランカップリ
ング剤等の配向処理膜１４を塗布し、１２０゜Ｃで約３
吟間乾燥した後一定方向にラピングして、液晶セル基板
１を作成していた。しかし、従来の液晶セル基板を用い
て得られる液 ：晶表示装置には、次のような欠点があ
つた。ガラス等の絶縁基板１１に含まれるアルカリイオ
ンが液晶物質中に溶出すると、液晶物質に悪影響を与え
、液晶表示装置の信頼性を悪化させ、寿命を短かくする
。アルカリイオン溶出防止のために、従来は、ＳｉＯ２
絶縁被膜１２Ａ，１２Ｂを形成していたが、十分ではな
く、信頼性、寿命の点で問題があつた。又有機シリコン
化合物を印刷塗布し、４５０゜Ｃ〜５００゜Ｃて焼成し
て得られる前記絶縁被膜１２Ａ，１２Ｂは、比較的軟か
く、ラピング時にはがれたり、ラピング時に絶縁被膜１
２Ｂ上に形成される溝が大きくなつたりして、液晶物質
の配向性が悪るくなる欠点があつた。このような欠点を
解消するため、本出願人は先に、有機ケイ素化合物と、
有機インジウム化合物と、有機アルミニウム化合物との
混合物を主成分とする絶縁被膜形成用ペーストを塗布し
た後に焼成してＳＩＯ。−ＩＴＩ．Ｏ３一Ａｌ。Ｏ。系
酸化物からなる絶縁被膜を提案した（特開昭５７−６２
０２７号参照）。この三成分系からなる絶縁被膜は、そ
れぞれ単一独の酸化物の欠点を相補い、優れた特性を有
している。
すなわち、ＳｉＯ２の液晶分子に対する良好な配向性と
成膜性とガラス基板に対する強固な接着性を有し、また
Ｉｎ。Ｏ３の添加により絶縁膜の硬度を増し、ラピング
しても表面に形成される溝が二必要以上に大きくなるこ
とがなく、さらにＡｌ２Ｏ。により高い膜強度と高電気
絶縁性を兼ね備えた絶縁被膜となる。ところがこのよう
に絶縁膜として優れた特性を有するものにおいても問題
がない訳ではない。
成膜性とガラス基板に対する強固な接着性を有し、また
Ｉｎ。Ｏ３の添加により絶縁膜の硬度を増し、ラピング
しても表面に形成される溝が二必要以上に大きくなるこ
とがなく、さらにＡｌ２Ｏ。により高い膜強度と高電気
絶縁性を兼ね備えた絶縁被膜となる。ところがこのよう
に絶縁膜として優れた特性を有するものにおいても問題
がない訳ではない。
すｌなゎち、ＳｉＯ。−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ。Ｏ３系酸化
物からなる絶縁被膜を用いると、電圧無印加時に透明電
極パターンの見える程度が従来のＳｉＯ。単独の絶縁膜
の場合よりも増し、そのためにコントラスト、表示品位
が損ねられる。本発明は、叙上の従来の欠点を解消し、
コントラスト、表示品位が良く、信頼性のある寿命の長
い液晶表示装置を提供するためになされたものである。
物からなる絶縁被膜を用いると、電圧無印加時に透明電
極パターンの見える程度が従来のＳｉＯ。単独の絶縁膜
の場合よりも増し、そのためにコントラスト、表示品位
が損ねられる。本発明は、叙上の従来の欠点を解消し、
コントラスト、表示品位が良く、信頼性のある寿命の長
い液晶表示装置を提供するためになされたものである。
本発明の特徴は、第２図における絶縁被膜１２Ａとして
、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２系酸化物からなる被膜を用い、絶
縁被膜１２Ｂとして、ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−川。
、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２系酸化物からなる被膜を用い、絶
縁被膜１２Ｂとして、ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−川。
０。
系酸化物からなる被膜を用いたことであＪる。そして、
ＴｉＯ２−ＳｉＯ。系酸化物被膜は、有機チタン化合物
と有機シリコン化合物との混合物を焼成して得られる被
膜であり、ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３一に。０３系酸化物被
膜が、有機シリコン化合物と、有機インジウム化合物と
、有機アルミニウム化合・物との混合物を焼成して得ら
れる被膜であることである。
ＴｉＯ２−ＳｉＯ。系酸化物被膜は、有機チタン化合物
と有機シリコン化合物との混合物を焼成して得られる被
膜であり、ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３一に。０３系酸化物被
膜が、有機シリコン化合物と、有機インジウム化合物と
、有機アルミニウム化合・物との混合物を焼成して得ら
れる被膜であることである。
さらに他の特徴は、ＴｉＯ。−ＳｉＯ２系酸化物被膜中
にＰ。ｑが含まれていることである。本発明による効果
は、まず第１に、ＳｉＯ。より光の屈折率が大きいＴｉ
Ｏ。を適量混合することにより、電極パターンに対して
マスキング効果の大きいＴｉＯ。−ＳＩＯ。系酸化物の
第１の絶縁被膜が得られるから、前述の膜特性に優れた
ＳｉＯ。−Ｉル０。−Ａｌ２Ｏ３系酸化物からなる第２
の絶縁被膜を用いても液晶表示装置の非点灯時（電圧無
印加時）に、電極パターンが見えることもなく、コント
ラスト、表示品位が良い表示装置が作成できる点があげ
られる。第２に、絶縁被膜１２Ａ中に、Ｐ２Ｏ＝，が含
まれている場合は、ガラスなどの絶縁基板中に含まれる
アルカリイオンの液晶物質中への溶出防止効果が、ＳＩ
Ｏ。単体の被膜より大きく、より信頼性が高く寿命の長
い液晶表示装置が作成できる点があげられる。第３に、
絶縁被膜１２Ｂを、ＳＩＯ。−１ｎ。０。
にＰ。ｑが含まれていることである。本発明による効果
は、まず第１に、ＳｉＯ。より光の屈折率が大きいＴｉ
Ｏ。を適量混合することにより、電極パターンに対して
マスキング効果の大きいＴｉＯ。−ＳＩＯ。系酸化物の
第１の絶縁被膜が得られるから、前述の膜特性に優れた
ＳｉＯ。−Ｉル０。−Ａｌ２Ｏ３系酸化物からなる第２
の絶縁被膜を用いても液晶表示装置の非点灯時（電圧無
印加時）に、電極パターンが見えることもなく、コント
ラスト、表示品位が良い表示装置が作成できる点があげ
られる。第２に、絶縁被膜１２Ａ中に、Ｐ２Ｏ＝，が含
まれている場合は、ガラスなどの絶縁基板中に含まれる
アルカリイオンの液晶物質中への溶出防止効果が、ＳＩ
Ｏ。単体の被膜より大きく、より信頼性が高く寿命の長
い液晶表示装置が作成できる点があげられる。第３に、
絶縁被膜１２Ｂを、ＳＩＯ。−１ｎ。０。
−Ａｌ。Ｏ。系酸化物で形成したので、従来のＳｉＯ。
単体被膜より、被膜強度大で、硬く従つてラピング時に
はがれたり、溝が大きくなつたりすることがなく、信頼
性のある液晶表示装置を提供できる点があげられる。次
に本発明液晶セル基板の製造方法について第２図をもと
にして説明する。
単体被膜より、被膜強度大で、硬く従つてラピング時に
はがれたり、溝が大きくなつたりすることがなく、信頼
性のある液晶表示装置を提供できる点があげられる。次
に本発明液晶セル基板の製造方法について第２図をもと
にして説明する。
まず、有機チタン化合物と、有機シリコン化合物との混
合物を、有機溶媒に溶解し、粘性剤を添加混合してペー
ストを作成する。ここで、有機チタン化合物と、有機シ
リコン化合物との混合物は、有機溶媒に安定に溶解する
必要があり、かつ、焼成温度４５０℃〜７００℃で完全
に熱分解し、ＴｉＯ。−ＳｉＯ。系酸化物となるもので
なければならない。これら条件を満足する （有機チタ
ン化合物としては、テトラオクチレングリコールチタネ
ート （ＴＯＧ）、テトラスチアリルチタネート （Ｔ
ＳＴ）、チタニウムオキシアセチルｊアセトナート、チ
タニウムブチルアルコレイト、テトライソプロピルビス
（ジオクチルホスフアイト）チタネート、イソプロピル
トリス（ジオクチ ：ルパイロホスフエート）チタネー
トなどがあげられる。又、有機シリコン化合物としては
、ビニルナリス（２−メトキシエトキシ）シラン、アセ
トキシメチルシラン、エチルシリケートなどがあげられ
る。なお、Ｐ。Ｏ。を含むＴｉＯ。−ＳｉＯ。系酸化物
は、有機チタン化合物と、有機シリコン化合物と、有機
リン化合物との混合物を焼成することによつても生成さ
れるが、ペースト化に好適な有機リン化合物としては、
トリエチルホスフィン、メチルホスフィン酌ＱＨ３ＰＯ
（０Ｈ）２、トリフェニルホスフィン（Ｃ６Ｈ５）３Ｐ
）リン酸トリフェニル（Ｃ。桟Ｏ）。ＰＯ等があげられ
る。ペースト化に必要な有機溶媒としては、有機チタン
化合物と有機シリコン化合物との混合物に対して反応性
が乏しく、沸点が１８０〜３５０゜Ｃである必要があり
、ベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、２エ
チルヘキサノール等の高沸点アルコール類、ベンジルア
セテート、カルビトールアセテート等の高沸点エステル
類、ブチルセロソルブなどの高沸点エーテル類などの高
沸点有機溶媒が適用でき、二種以上の溶媒を混合使用し
てよい。又粘性剤としては、前記有機溶媒に対する溶解
能がよく、焼成温１度てある４５０〜７００゜Ｃて完全
に熱分解するものでなくてはならない。この条件を満た
すものとして、エチルセルローズ、ニトロセルローズ等
のセルローズ系粘性剤が適用できる。作成されたペース
トを、ガラスなどの絶縁基板 門１１上に、印刷法によ
り塗布し、１５０℃でル分間予備乾燥後、４５０℃〜５
００゜Ｃで約３紛焼成し、絶縁被膜１２Ａを形成する。
合物を、有機溶媒に溶解し、粘性剤を添加混合してペー
ストを作成する。ここで、有機チタン化合物と、有機シ
リコン化合物との混合物は、有機溶媒に安定に溶解する
必要があり、かつ、焼成温度４５０℃〜７００℃で完全
に熱分解し、ＴｉＯ。−ＳｉＯ。系酸化物となるもので
なければならない。これら条件を満足する （有機チタ
ン化合物としては、テトラオクチレングリコールチタネ
ート （ＴＯＧ）、テトラスチアリルチタネート （Ｔ
ＳＴ）、チタニウムオキシアセチルｊアセトナート、チ
タニウムブチルアルコレイト、テトライソプロピルビス
（ジオクチルホスフアイト）チタネート、イソプロピル
トリス（ジオクチ ：ルパイロホスフエート）チタネー
トなどがあげられる。又、有機シリコン化合物としては
、ビニルナリス（２−メトキシエトキシ）シラン、アセ
トキシメチルシラン、エチルシリケートなどがあげられ
る。なお、Ｐ。Ｏ。を含むＴｉＯ。−ＳｉＯ。系酸化物
は、有機チタン化合物と、有機シリコン化合物と、有機
リン化合物との混合物を焼成することによつても生成さ
れるが、ペースト化に好適な有機リン化合物としては、
トリエチルホスフィン、メチルホスフィン酌ＱＨ３ＰＯ
（０Ｈ）２、トリフェニルホスフィン（Ｃ６Ｈ５）３Ｐ
）リン酸トリフェニル（Ｃ。桟Ｏ）。ＰＯ等があげられ
る。ペースト化に必要な有機溶媒としては、有機チタン
化合物と有機シリコン化合物との混合物に対して反応性
が乏しく、沸点が１８０〜３５０゜Ｃである必要があり
、ベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、２エ
チルヘキサノール等の高沸点アルコール類、ベンジルア
セテート、カルビトールアセテート等の高沸点エステル
類、ブチルセロソルブなどの高沸点エーテル類などの高
沸点有機溶媒が適用でき、二種以上の溶媒を混合使用し
てよい。又粘性剤としては、前記有機溶媒に対する溶解
能がよく、焼成温１度てある４５０〜７００゜Ｃて完全
に熱分解するものでなくてはならない。この条件を満た
すものとして、エチルセルローズ、ニトロセルローズ等
のセルローズ系粘性剤が適用できる。作成されたペース
トを、ガラスなどの絶縁基板 門１１上に、印刷法によ
り塗布し、１５０℃でル分間予備乾燥後、４５０℃〜５
００゜Ｃで約３紛焼成し、絶縁被膜１２Ａを形成する。
次に、該絶縁被膜１２Ａ上に、スクリーン印刷法により
、オクチル酸インジウム等の有機インジウム化合物を有
機溶媒に溶 フ解して作成したペーストを、所定形状に
塗布した後、１５００Ｃで■分間予備乾燥後、４５０゜
Ｃ〜５００゜Ｃで３紛焼成して、透明電極１３を形成す
る。該透明電極１３を被つて、有機シリコン化合物と、
有機インジウム化合物と、有機アルミニウム化合物との
混合物を、有機溶媒に溶解し、粘性剤を添加混合して得
られるペーストを、印刷法により塗布し、１５０℃でル
分間予備乾燥後、４５０゜Ｃ〜５００゜Ｃて約３紛間焼
成して、絶縁被膜１２Ｂを形成する。ここで、有機シリ
コン化合物としては、前記絶縁被膜１２Ａ形成時に用い
たものが適用てきる。有機インジウム化合物としては、
インジウムアルコキシド、インジウムアセチルアセトナ
ート等が、又有機アルミニウム化合物としては、アルミ
ニウムアルコキシド、アルミニウムアセチルアセトナー
ト等が適用できる。有機溶媒、粘性剤は、前記絶縁被膜
１２Ａ形成時に用いたものが適用できる。前記絶縁被膜
１２Ｂ形成後、必要ならば、ビニルトリス（２−メトキ
シエトキシ）シラン等のシランカップリング剤を塗布し
、１２０’Ｃで約３０分間乾燥して、配向処理膜１４を
形成して、液晶セル基板１を完成する。叙上のようにし
て製作した液晶セル基板１を用いて作成した液晶表示装
置は、電圧無印加時に透明電極が見える事もなく、コン
トラスト・表示品位が良い、信頼性の高い長寿命のもの
であつた。
、オクチル酸インジウム等の有機インジウム化合物を有
機溶媒に溶 フ解して作成したペーストを、所定形状に
塗布した後、１５００Ｃで■分間予備乾燥後、４５０゜
Ｃ〜５００゜Ｃで３紛焼成して、透明電極１３を形成す
る。該透明電極１３を被つて、有機シリコン化合物と、
有機インジウム化合物と、有機アルミニウム化合物との
混合物を、有機溶媒に溶解し、粘性剤を添加混合して得
られるペーストを、印刷法により塗布し、１５０℃でル
分間予備乾燥後、４５０゜Ｃ〜５００゜Ｃて約３紛間焼
成して、絶縁被膜１２Ｂを形成する。ここで、有機シリ
コン化合物としては、前記絶縁被膜１２Ａ形成時に用い
たものが適用てきる。有機インジウム化合物としては、
インジウムアルコキシド、インジウムアセチルアセトナ
ート等が、又有機アルミニウム化合物としては、アルミ
ニウムアルコキシド、アルミニウムアセチルアセトナー
ト等が適用できる。有機溶媒、粘性剤は、前記絶縁被膜
１２Ａ形成時に用いたものが適用できる。前記絶縁被膜
１２Ｂ形成後、必要ならば、ビニルトリス（２−メトキ
シエトキシ）シラン等のシランカップリング剤を塗布し
、１２０’Ｃで約３０分間乾燥して、配向処理膜１４を
形成して、液晶セル基板１を完成する。叙上のようにし
て製作した液晶セル基板１を用いて作成した液晶表示装
置は、電圧無印加時に透明電極が見える事もなく、コン
トラスト・表示品位が良い、信頼性の高い長寿命のもの
であつた。
以下実施例をもとにさらに、本発明を説明する。実施例
１ 有機チタン化合物として、テトラオクチレングリコール
チタネート （ＴＯＧ）、有機シリコン化合物として、
ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シランを用い、
次の組成で、ペーストを作成した。
１ 有機チタン化合物として、テトラオクチレングリコール
チタネート （ＴＯＧ）、有機シリコン化合物として、
ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シランを用い、
次の組成で、ペーストを作成した。
金属部５Ｗｔ％
ＴＯＧ
ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン
溶媒部８５Ｗｔ％
２−エチルヘキサノール
粘性剤１０Ｗｔ％
エチルセルローズ
作成したペーストを、ソーダガラス基板上に印刷塗布し
、１５０゜Ｃでル分間予備乾燥後、５００℃て３０分間
焼成して、絶縁被膜１２Ａを形成した。
、１５０゜Ｃでル分間予備乾燥後、５００℃て３０分間
焼成して、絶縁被膜１２Ａを形成した。
次に、該絶縁被膜１２Ａ上にＨＯ。からなる透明電極を
印刷法により形成した。次に、有機インジウム化合物と
して、インジウムアセチルアセトナート、有機アルミニ
ウム化合物として、アルミニウムアセチルアセトナート
、有機シリコン化合物として、ビニルトリス（２−メト
キシエトキシ）シランを用い、次の組成で、ペーストを
作成した。金属部５ｗＬ％インジウムアセチルアセトナ
ート アルミニウムアセチルアセトナート ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン 溶媒部８５ｗｔ％Ｊ ベンジルアセテート ベンジルアルコール 粘性剤１０Ｗｔ％ エチルセルローズ 作成したペーストを、前記透明電極を被つて印刷塗布し
、１５０゜Ｃでル分間予備乾燥後、５００゜Ｃで３０分
間焼成して、絶縁被膜１２Ｂを形成し、ビニルトリス（
２−メトキシエトキシ）シランを塗布１２０℃で３吟間
乾燥し、配向処理膜を形成して、液晶セル基板を完成し
た。
印刷法により形成した。次に、有機インジウム化合物と
して、インジウムアセチルアセトナート、有機アルミニ
ウム化合物として、アルミニウムアセチルアセトナート
、有機シリコン化合物として、ビニルトリス（２−メト
キシエトキシ）シランを用い、次の組成で、ペーストを
作成した。金属部５ｗＬ％インジウムアセチルアセトナ
ート アルミニウムアセチルアセトナート ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン 溶媒部８５ｗｔ％Ｊ ベンジルアセテート ベンジルアルコール 粘性剤１０Ｗｔ％ エチルセルローズ 作成したペーストを、前記透明電極を被つて印刷塗布し
、１５０゜Ｃでル分間予備乾燥後、５００゜Ｃで３０分
間焼成して、絶縁被膜１２Ｂを形成し、ビニルトリス（
２−メトキシエトキシ）シランを塗布１２０℃で３吟間
乾燥し、配向処理膜を形成して、液晶セル基板を完成し
た。
該液晶セル基板を用い ・て作成した液晶表示装置は、
後述のように電圧無印加時に透明電極が見える事もなく
、コントラストの良いものであつた。実施例２ 有機チタン化合物として、チタニウムブチルアルコレイ
、有機シリコン化合物として、エチル・ンリケートを用
い、更に、有機リン化合物として、トリエチルホスフィ
ンを用いて、ペーストを作成し、実施例１と同様にして
、Ｐ。
後述のように電圧無印加時に透明電極が見える事もなく
、コントラストの良いものであつた。実施例２ 有機チタン化合物として、チタニウムブチルアルコレイ
、有機シリコン化合物として、エチル・ンリケートを用
い、更に、有機リン化合物として、トリエチルホスフィ
ンを用いて、ペーストを作成し、実施例１と同様にして
、Ｐ。
Ｏ。を含有する絶縁被膜１２Ａを、ガラス基板上に形成
した。そして透明電極、絶縁被膜１２Ｂを実施例１と同
一に形成して、液晶セル基板を作成し、該液晶セル基板
を用いて、液晶表示装置を製作したところ、電圧無印加
時に透明電極が見えることもなく、コントラストの良い
信頼性の高いものが得られた。本発明の実施例に係る液
晶セル基板ならびに比較例の液晶セル基板をそれぞれ用
いて液晶表示装置を作成し、第２の絶縁膜の成膜性と配
向性ならびに各装置の電圧無印加時における電極パター
ンの視認性のテストを行ない、その結果を次の表に−ま
とめた。なおこの表において、実施例１は、第１の絶縁
被膜（絶縁基板側の絶縁被膜）としてＴｌＯ２−ＳＩＯ
。
した。そして透明電極、絶縁被膜１２Ｂを実施例１と同
一に形成して、液晶セル基板を作成し、該液晶セル基板
を用いて、液晶表示装置を製作したところ、電圧無印加
時に透明電極が見えることもなく、コントラストの良い
信頼性の高いものが得られた。本発明の実施例に係る液
晶セル基板ならびに比較例の液晶セル基板をそれぞれ用
いて液晶表示装置を作成し、第２の絶縁膜の成膜性と配
向性ならびに各装置の電圧無印加時における電極パター
ンの視認性のテストを行ない、その結果を次の表に−ま
とめた。なおこの表において、実施例１は、第１の絶縁
被膜（絶縁基板側の絶縁被膜）としてＴｌＯ２−ＳＩＯ
。
系酸化物を、第２の絶縁被膜（配向処理膜側）としてＳ
ｉＯ。−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ，Ｏ。系酸化物をそれぞれ用
いた例、実施例２は第１の絶縁被膜としてＴｉＯ２−Ｓ
ｉＯ。−Ｐ。ｑ系酸化物を、第２の絶縁被膜として実施
例１と同じ酸化物を用いた例を示す。また比較例１は、
第１の絶縁被膜としてＳｉＯ２を、第２の絶縁被膜とし
て実施例１と同じ酸化物を用いた例を、比較例２は、第
１の絶縁被膜ならびに第２の絶縁被膜として共にＳｉＯ
２を用いた例を示している。またこの表において、成膜
性の欄において。
ｉＯ。−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ，Ｏ。系酸化物をそれぞれ用
いた例、実施例２は第１の絶縁被膜としてＴｉＯ２−Ｓ
ｉＯ。−Ｐ。ｑ系酸化物を、第２の絶縁被膜として実施
例１と同じ酸化物を用いた例を示す。また比較例１は、
第１の絶縁被膜としてＳｉＯ２を、第２の絶縁被膜とし
て実施例１と同じ酸化物を用いた例を、比較例２は、第
１の絶縁被膜ならびに第２の絶縁被膜として共にＳｉＯ
２を用いた例を示している。またこの表において、成膜
性の欄において。
印のものはクラック等が全くなく膜厚が均一なもの、〇
印のものはクラック等はないが、膜厚がやや不均一なも
のをそれぞれ示している。配向性の欄において〇印のも
のはデイスクリネーシヨンの発生がほとんどないもの、
×印のものはデイスクリネーシヨンの発生があるものを
それぞれ示している。
印のものはクラック等はないが、膜厚がやや不均一なも
のをそれぞれ示している。配向性の欄において〇印のも
のはデイスクリネーシヨンの発生がほとんどないもの、
×印のものはデイスクリネーシヨンの発生があるものを
それぞれ示している。
また視認性の欄において◎印のものは電極パターンが若
干見えたもの、×印のものは電極パターンがはつきり認
められたものをそれぞれ示している。
干見えたもの、×印のものは電極パターンがはつきり認
められたものをそれぞれ示している。
この表から明らかなように、第１の絶縁被膜であるＴｉ
Ｏ２−ＳｌＯ２系酸化物と、第２の絶縁被膜てあるＳｉ
Ｏ。
Ｏ２−ＳｌＯ２系酸化物と、第２の絶縁被膜てあるＳｉ
Ｏ。
−Ｉｎ。Ｏ。−Ａｌ。Ｏ３系酸化物との組合わせにより
（実施例１，２参照）、第２の絶縁被膜の優れた膜特性
を発揮しながら、その第２の絶縁被膜の欠点である電圧
無印加時に電極パターンが見えるという問題点を有効に
解消していることが分かる。
（実施例１，２参照）、第２の絶縁被膜の優れた膜特性
を発揮しながら、その第２の絶縁被膜の欠点である電圧
無印加時に電極パターンが見えるという問題点を有効に
解消していることが分かる。
第１図は、一般的な液晶表示装置の要部断側面図、第２
図は、液晶セル基板の構成を示す部分拡大断面図てある
。 １，１ａ・・・・・・液晶セル基板、２・・・・・・接
着剤、３・・・・・・液晶物質、１１・・・・・・絶縁
基板、１２Ａ・・・・・・絶縁被膜、１２Ｂ・・・・・
・絶縁被膜、１３・・・・・・透明電極、１４・・・・
・・配向処理膜。
図は、液晶セル基板の構成を示す部分拡大断面図てある
。 １，１ａ・・・・・・液晶セル基板、２・・・・・・接
着剤、３・・・・・・液晶物質、１１・・・・・・絶縁
基板、１２Ａ・・・・・・絶縁被膜、１２Ｂ・・・・・
・絶縁被膜、１３・・・・・・透明電極、１４・・・・
・・配向処理膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成されたＴｉＯ＿２
−ＳｉＯ＿２系酸化物からなる第１の絶縁被膜と、該第
１の絶縁被膜上に形成された透明電極と、該透明電極を
被つて形成されたＳｉＯ＿２−Ｉｎ＿２Ｏ＿３−Ａｌ＿
２Ｏ＿３系酸化物からなる第２の絶縁被膜とからなるこ
とを特徴とする液晶セル基板。 ２ 前記第１の絶縁被膜が、Ｐ＿２Ｏ＿５を含有してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶セ
ル基板。 ３ 次の各工程を含むことを特徴とする液晶セル基板の
製造方法。 （イ）有機チタン化合物と、有機シリコン化合物との混
合物を有機溶媒に溶解した溶液を、絶縁基板上に塗布し
た後焼成してＴｉＯ＿２−ＳｉＯ＿２系酸化物からなる
第１の絶縁被膜を形成する工程。 （ロ）該第１の絶縁被膜上に、所定形状に透明電極を形
成する工程。（ハ）有機シリコン化合物と、有機インジ
ウム化合物と、有機アルミニウム化合物と、有機アルミ
ニウム化合物との混合物を有機溶媒に溶解し、粘性剤を
添加混合して得られるペーストを前記透明電極上に塗布
した後、焼成してＳｉＯ＿２−Ｉｎ＿２Ｏ＿３−Ａｌ＿
２Ｏ＿３系酸化物からなる第２の絶縁被膜を形成する工
程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351181A JPS6048741B2 (ja) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | 液晶セル基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351181A JPS6048741B2 (ja) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | 液晶セル基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57147617A JPS57147617A (en) | 1982-09-11 |
| JPS6048741B2 true JPS6048741B2 (ja) | 1985-10-29 |
Family
ID=12388563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3351181A Expired JPS6048741B2 (ja) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | 液晶セル基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048741B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6084529A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-13 | Nippon Denso Co Ltd | 液晶素子 |
-
1981
- 1981-03-09 JP JP3351181A patent/JPS6048741B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57147617A (en) | 1982-09-11 |
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