JPS6049507A - 電気接続用Ａｇ被覆材料 - Google Patents
電気接続用Ａｇ被覆材料Info
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- JPS6049507A JPS6049507A JP58157537A JP15753783A JPS6049507A JP S6049507 A JPS6049507 A JP S6049507A JP 58157537 A JP58157537 A JP 58157537A JP 15753783 A JP15753783 A JP 15753783A JP S6049507 A JPS6049507 A JP S6049507A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は電気、電子機器及びその部品の電気接続部に用
いる電気接続用Ａｇ被覆＋４料に関するもので、特に耐
熱性を向上して電気接続性を改善したものである。 八ｇ又はＡ！Ｊ ＝Ｓｂ 、 Ａ（１−Ｃｕ 、 Ａ（
１−Ｐ（１。 八（］−Ａｕ等のＡ（＋合金（以下これ等をへりと略記
する）は、耐食性の良導体でＣｕ 、ＣＬＩ合金、Ｆｅ
合金等の電気接続用基材上に被覆し、電気、電子機器及
びその部品の電気接続部に用いられている。例えば帯状
基材上にＡｇを被覆し、これをプレスなどの機械加工に
より所望形状に成型りるか、又は帯状基材を機械加工に
より所望形状に成型し、これにＡｇを被覆しで電気接続
部拐を得ている。Ａａは高価な貴金属であり、その被覆
は必要部分にのみ限られており、例えば帯状某月十にス
トライブ状又はスポラ１〜状に被覆したものが、コネク
ター、リレー、スイッチ等の接点やＩＣ１ＬＳＩ等のリ
ードフレームに用いられＣいる。 このようなＡｇ被覆月別はＡＣＩ固石の物理的、化学的
性質、特に接触抵抗が小さく電気的接続性と、半田付性
やポンディング性に優れた機械的接続性を利用したもの
である。これ等特性には耐熱性が要求されるケースが多
く、例えば部品の製造工程において、半田（＝ｌす、ボ
ンディング、モールド、樹脂キュアー等が行なわれ、ま
た＋ｉ器への実装過程でもプリン１一基板などに一括半
田刊（プが行なわれる。また部品の品質、信頼性の試験
やデバッキングに高温条件が義務付りられるクースも多
い。 しかるにＡ（Ｉ被覆材料は上記高温条件でしばしば重大
な欠陥を引き起すことが知られており、例えばへ〇層か
半田（ｑりや機械的外力や変形により剥離しｌこり、或
いは接触抵抗が異常に高くなることがある。これを防止
するため基材のＡｇ層間にＮｉ中間層を介在さけで、Δ
ｇ被被覆科料耐食性と耐熱性を改善したものが用いられ
ている。Ｎｉは耐食性でＡｌ１１層のピンボールを介し
ｃ基材表面が腐食するのを防止Ｊると共に、基材の卑金
属元素とＡｇ層との拡散反応によるＡ（Ｉの消耗を防止
し、更に卑金属元素のＡｇ層表面への浸出を防止する目
的で介在させたものである３、シかしながらＮｉ中間層
を介在させても、上記高温条件で同様の欠陥がしばしば
発生ずることが報告されでいる。 本発明者等はこれに鑑み上記欠陥発生の条件と、その原
因を究明した結果、Ａｇ層の剥離ヤ）接触抵抗の異常上
置の多くは、Ａｇ層下の基材表面、例えばＣｕ 、Ｃｕ
合金などの表面が高温にａ３いＣＡｇ層を透過する０２
によつＣ酸化づるために起ることを知見した。即ち八り
の酸化物は１８０℃以上の高温で分解リ−るため安定し
て存在せｆ、ＯｚはＡｇ層内を自由に通過覆ることにな
り、Ａｇ層下の基材表面に達して該表面を酸化し、Ａｇ
層との密着性を低下し、更には接触抵抗の異常上Ｖ？を
まねくものである。同様にしてＮｉ中間層を介在させて
も、Ｎｉ表面を酸化しＡｌ１層との密着性を低下し、接
触抵抗の異常上昇や半田付性の低下をまねくものである
。 本発明は上記知見に基ぎΔり被覆月利の耐熱性を向上さ
せるため種々研究の結果、高温条イ１１におけるＡｇ層
の剥離や接触抵抗のＮ掌上シフを防止し、電気的、機械
的接続性を改善Ｊ”るとノいこ、△（）層の厚さを薄く
しても高度の特性を層積りることができる省資源的、経
済的な電気接続部△り被）■材料を開発したもので、電
気接続用基材」−に八〇を被覆した材料において、基材
上に７１１を１０〜９（）％含み、残部Ｆｅからなる合
金の中間層を形成し、その１に／ｌを被覆したことを特
徴と覆るものである。 即ち本発明は電気、電子機器及びイの部品の電気接続部
に用いる基材の全面又は一部に八〇を被覆した材料にお
いて、基材ど△リハ゛へ間にＺｌｌを１０〜９０％含み
、残部トｅからなる合金の中間層を設りたものｅ、この
中間層はＡｇど不溶又
いる電気接続用Ａｇ被覆＋４料に関するもので、特に耐
熱性を向上して電気接続性を改善したものである。 八ｇ又はＡ！Ｊ ＝Ｓｂ 、 Ａ（１−Ｃｕ 、 Ａ（
１−Ｐ（１。 八（］−Ａｕ等のＡ（＋合金（以下これ等をへりと略記
する）は、耐食性の良導体でＣｕ 、ＣＬＩ合金、Ｆｅ
合金等の電気接続用基材上に被覆し、電気、電子機器及
びその部品の電気接続部に用いられている。例えば帯状
基材上にＡｇを被覆し、これをプレスなどの機械加工に
より所望形状に成型りるか、又は帯状基材を機械加工に
より所望形状に成型し、これにＡｇを被覆しで電気接続
部拐を得ている。Ａａは高価な貴金属であり、その被覆
は必要部分にのみ限られており、例えば帯状某月十にス
トライブ状又はスポラ１〜状に被覆したものが、コネク
ター、リレー、スイッチ等の接点やＩＣ１ＬＳＩ等のリ
ードフレームに用いられＣいる。 このようなＡｇ被覆月別はＡＣＩ固石の物理的、化学的
性質、特に接触抵抗が小さく電気的接続性と、半田付性
やポンディング性に優れた機械的接続性を利用したもの
である。これ等特性には耐熱性が要求されるケースが多
く、例えば部品の製造工程において、半田（＝ｌす、ボ
ンディング、モールド、樹脂キュアー等が行なわれ、ま
た＋ｉ器への実装過程でもプリン１一基板などに一括半
田刊（プが行なわれる。また部品の品質、信頼性の試験
やデバッキングに高温条件が義務付りられるクースも多
い。 しかるにＡ（Ｉ被覆材料は上記高温条件でしばしば重大
な欠陥を引き起すことが知られており、例えばへ〇層か
半田（ｑりや機械的外力や変形により剥離しｌこり、或
いは接触抵抗が異常に高くなることがある。これを防止
するため基材のＡｇ層間にＮｉ中間層を介在さけで、Δ
ｇ被被覆科料耐食性と耐熱性を改善したものが用いられ
ている。Ｎｉは耐食性でＡｌ１１層のピンボールを介し
ｃ基材表面が腐食するのを防止Ｊると共に、基材の卑金
属元素とＡｇ層との拡散反応によるＡ（Ｉの消耗を防止
し、更に卑金属元素のＡｇ層表面への浸出を防止する目
的で介在させたものである３、シかしながらＮｉ中間層
を介在させても、上記高温条件で同様の欠陥がしばしば
発生ずることが報告されでいる。 本発明者等はこれに鑑み上記欠陥発生の条件と、その原
因を究明した結果、Ａｇ層の剥離ヤ）接触抵抗の異常上
置の多くは、Ａｇ層下の基材表面、例えばＣｕ 、Ｃｕ
合金などの表面が高温にａ３いＣＡｇ層を透過する０２
によつＣ酸化づるために起ることを知見した。即ち八り
の酸化物は１８０℃以上の高温で分解リ−るため安定し
て存在せｆ、ＯｚはＡｇ層内を自由に通過覆ることにな
り、Ａｇ層下の基材表面に達して該表面を酸化し、Ａｇ
層との密着性を低下し、更には接触抵抗の異常上Ｖ？を
まねくものである。同様にしてＮｉ中間層を介在させて
も、Ｎｉ表面を酸化しＡｌ１層との密着性を低下し、接
触抵抗の異常上昇や半田付性の低下をまねくものである
。 本発明は上記知見に基ぎΔり被覆月利の耐熱性を向上さ
せるため種々研究の結果、高温条イ１１におけるＡｇ層
の剥離や接触抵抗のＮ掌上シフを防止し、電気的、機械
的接続性を改善Ｊ”るとノいこ、△（）層の厚さを薄く
しても高度の特性を層積りることができる省資源的、経
済的な電気接続部△り被）■材料を開発したもので、電
気接続用基材」−に八〇を被覆した材料において、基材
上に７１１を１０〜９（）％含み、残部Ｆｅからなる合
金の中間層を形成し、その１に／ｌを被覆したことを特
徴と覆るものである。 即ち本発明は電気、電子機器及びイの部品の電気接続部
に用いる基材の全面又は一部に八〇を被覆した材料にお
いて、基材ど△リハ゛へ間にＺｌｌを１０〜９０％含み
、残部トｅからなる合金の中間層を設りたものｅ、この
中間層はＡｇど不溶又
【よ難溶性で高融点であり、基材
としＣのＣＬＩ又はＣｕ合金ども比較的反応し難いＦｅ
元素ど、△（１にｉｉＪ溶で低温でも拡散し易く、０２
との親和力の人さい７−ｎ元素からなり、Ｆｅ元素と／
１：元素の協同効果によって高温条件におりるＡｇ層の
剥離及び接触抵抗の異常Ｊ昇を防止し、Ａ（］の特性を
維持同士したちのＣある。 この中間層としＣは使用条件にしよるが、０．０５μ以
上の厚さとりることにより実用−１イ〕効に作用するも
のぐ、中間層のＦ ｃ成分Ｇ、Ｌ Ａ ！Ｉの拡散消耗
を防止し、７−’ｎ成分は適度の拡散にＪ、つＣＡｇ一
層の密着力を向上りるど共に、透過ＯｚによりＦｃ成分
の酸化を防止づる。Ｚ １１成分はｊ聞過０２と結合す
るが、ＡＱ層の下層部に分散して分イＩｉ ｉるため、
実質上Ｚｎ成分酸化による影響はない。しかしてｌ：ｅ
成分と７１１成分の伺れかが１０％未満の場合、及び中
間層の厚さが０．０５μ未満の場合には実用上十分な効
果が得られない、。 本発明Ａｇ被覆材料は以上の構成からなり基材上に中間
層どしてＮｏ−Ｚｎ合金をメツ−１−１Ｖ１看、スパッ
タリング、機械的クラツディング、溶接など任意の手段
により被覆し、その上に同様にしＣＡｇを被Ｆｆｉりる
ことにより容易に製造づることができる。中間層及びＡ
ｇ層のｊ９さは使用［］的及び条件にもよるが、Ａｇ層
として＋Ｊ ０ 、１〜数μ、中間層どしては０．１〜
３μ程度とりることが望ましい。 以下本発明を実施例について説明りる。 実施例（１） 厚さ０．４ ｍｍ、 １コ２５ｍｍの１−ランシスター
リードフレーム用Ｓｎ入り００条（Ｓｎ０，９％）を常
法により脱脂、活性化してから下記メッキ液を用い、第
１表に示す組合せの中間層とＡｇ層をメッキしてＡｕ被
覆）ＴＡわ１を製造した。 １−ランシスターリードフレーム（まＳｉｌ・ランシス
ターデツプをマウンドする部分と、完成半導体をプリン
ト回路板にインサートりる端１部分とをプレス加工した
後、１〜ランシスター製造フインに供給され、該ライン
にＪりいて高１）ｌ】半ｔｌｌ（９５％ＰＩ＋−２．５
％八ｆｌ−８ｔりによるチップの半［ロイｑりと、ボン
ディングの高温条件に耐え、プリン１〜回路板への実装
が円滑に行なわれることが要求される。その７ｊめ３５
０℃の湿度′ｃ２０分間の人気加熱にｊこり外観上異常
が’Ｊ ＜、ＭＩ１２０８の半［１１＋需れ試験、即ち
２３５℃の共晶半田浴中に５秒間テップして９０％以上
の半Ｈ」濡れが得られることが条件とされている。 これに基い（製造したＡ（１被覆＋ＡＦｌについて、Ｍ
ＩＬ２０８に基き温度２３５℃の共晶半田浴中に５秒間
デツプして半ロー１濡れ性を試験Ｊ−るど共に、上記チ
ップ半Ｂ：ｌ ＩＩ Ｌすの強度と叶全性を保証づるた
め、３９０°Ｃの温度に５分間加熱後、前記、τ“１．
半田を用い、［１ジンフラツクスを使用して３５０°Ｃ
（１） ＭＲ度で１厚さｏ、’＋ｍｍ、Ｉｌｌ ５ ｍ
ｍの銅箔と壬ね合ＩｉＣ半田付（）し、これを引張試験
して破断位置を比較し／ｊ、、Ｌれ等の結果を第１表に
併記した、。 尚引張試験による破断位置についでは、銅箔部での切断
が正常のもので（ν）る。 Ｆｅ−１５％７ｎメツキ 「ｅ ＳＯ４・７ＮｚＯ４５０シ／（ Ｚｎ ＳＯ４・７Ｈｚ○ ３０９／Ｃ Ｃ＋−１３ＣＯＯＮａ ・３１１ｚ○ ｉＪ７／ｆクエ
ン酸 ５９／（ Ｎａ ２ ＳＯ４３０！ｊ／１！。 Ｐ ト１３３ 浴 渇 ５０°Ｃ 電流密度 １０Δ／ ｃ１ｍ２ Ｆｅ −４０％Ｚ １１メツキ Ｆｅ ＳＯ４・７Ｈｚ Ｏ３５０ｓｒ／ ＲＺｎ ８０
４ −７Ｈｚ Ｏ４００：／／ｆＣＨ３ＣＯＯＮａ ＊
３１−１２ ０ １５ ｇ ／Ｊ！クエンＭ５！ｌ／
／Ｊ！ Ｎａ ｚ ＳＯ４４Ｊ？／Ｊ！ Ｐ ｌ−１３ 浴 温 ５０℃ 電流密度 ＋ＯＡ ／ ｄｍ２ Ｆｅ−７５％７ｎメツキ ＦＱ ＳＯ４・ ’７ ＩＩ ｚ Ｏ３００！Ｊ／ぶＺ
ｎ ８０４ ・ ７１１ｚ Ｏ２２０ｚ／＆Ｃ１１３Ｃ
ＯＯＮ ａ ・ ３ トｌｚｏ ：ｌＯｙ／ 柔クエン
酸 ５９／（ Ｎａ ｚ ＳＯ４’ ４（１＜Ｉ／ｆ Ｐ １１ ζ） 浴 記 ５０℃ 電流密１３１ １０Ａ／ｄｍ２ Ａｇメッキ （１）ス（・ライクメツＶ △（ＩＣＮ ３丁１／Ｒ ＫＣＮ ３０ ！／ ／ｆ 浴 温 ２０℃ 電流密度 １０Δ／ ｄｍ２ （２）ｖイｑ（プメッ４ △ｑｃＮ ４０ｇ／、Ｒ ＫＣＮ ５０ｙ／ｆ Ｋ２ ＣＯ３３０Ｌｊ／柔 浴 温 ２０°（］ 電流密度 ２，５△／ｄｍ２ Ｎｉメッキ Ｎｉ ＳＯ４・ ６ トＩｚＯ２ＡＯｇ／、１２１−１
ｉ （１！ｚ ・ ６ｆ−１ｚ Ｏ３０９／Ｊ！１−Ｉ
ｇＢｏａ ４５び、／Ｊ２ ｐ ＠ ２．５ 浴 温 ２５℃ 電流密瓜 ｊ〕△／ｄｎ＋２ 「ｅメツ４： Ｆｅ Ｓ ０４ ・７ ｔ−１ｚ Ｏ３１（１ｔｊ／
Ｊ！１−１ｚ Ｓ ０４ ０．！ｉｒ？ ／ Ｒ浴 温
２ミ）°Ｃ 電流密度 ２Δ７’ｄｍ２ Ｆｅ−９５％Ｚｎメッキ Ｆｅ ８０４−７ｌ−１ｚ Ｏ２０Ｊ７．／、２ＺｌＩ
ＳＯ４・７Ｈｚ０ ３００グ／（ＣＩ−１３ＣＯＯＮａ
・３ｌ−ｌｚ Ｏ３０ｑ／Ｒクニ［ン酸 ５Ｕ／（ Ｎａ ２ ３０４ ４０ｓ／ Ｒ Ｐ＋−＋ ３ 浴 温 ５０°Ｃ ’ｊ’ｆｉ 流ｔ？； Ｉａ １０ Ａ ／ ｄ Ｉｎ
２厩 へ ミ 奥＋＋′℃ 噴 ζ ≧ 社 −１ ＋００ 回 ２ 口囚の寸ＬＬ′）ＣＤト 第１表から明らかなように本光明祠料は何れも外観、破
断位置が１小で、半Ｈ」濡れ１７１ｂ良好で゛あること
が判る。これに対しＣｕ条十にＮｉ又はＦｅからなる中
間層を形成してＡｇを被覆したものは、外観上異常は認
められなかったが、半ＩＩＪ濡れ性が劣るばかりか、破
断位置も異常で゛半田イ］り性が劣り、更に「ｅ−９５
％Ｚｎ合金／ＪＩ Ｉらな中間層を形成して△９を被覆
したもの、及びＣｕ条上に中間層を形成することなく直
接△りを被覆したものは、何れも外観及び破断位置が異
常で半田濡れ性も劣っている。 このように本発明Δ９被覆祠＊１）にＪ、れば高温度の
苛酷な条件においてし半田（＝Ｊりとの接続性、電気接
触抵抗、半ＦＩＮ→（Ｊ強度等の特Ｉ１１を維持し得る
もので、電気、電子機器及びその部品の信頼性を向上し
得るばかりか、Ａｇ被覆の）やさを薄く節約することが
可能となり、省資源、−Ｔｌストダウンの面からも顕著
な効果を奏するものＣある。
としＣのＣＬＩ又はＣｕ合金ども比較的反応し難いＦｅ
元素ど、△（１にｉｉＪ溶で低温でも拡散し易く、０２
との親和力の人さい７−ｎ元素からなり、Ｆｅ元素と／
１：元素の協同効果によって高温条件におりるＡｇ層の
剥離及び接触抵抗の異常Ｊ昇を防止し、Ａ（］の特性を
維持同士したちのＣある。 この中間層としＣは使用条件にしよるが、０．０５μ以
上の厚さとりることにより実用−１イ〕効に作用するも
のぐ、中間層のＦ ｃ成分Ｇ、Ｌ Ａ ！Ｉの拡散消耗
を防止し、７−’ｎ成分は適度の拡散にＪ、つＣＡｇ一
層の密着力を向上りるど共に、透過ＯｚによりＦｃ成分
の酸化を防止づる。Ｚ １１成分はｊ聞過０２と結合す
るが、ＡＱ層の下層部に分散して分イＩｉ ｉるため、
実質上Ｚｎ成分酸化による影響はない。しかしてｌ：ｅ
成分と７１１成分の伺れかが１０％未満の場合、及び中
間層の厚さが０．０５μ未満の場合には実用上十分な効
果が得られない、。 本発明Ａｇ被覆材料は以上の構成からなり基材上に中間
層どしてＮｏ−Ｚｎ合金をメツ−１−１Ｖ１看、スパッ
タリング、機械的クラツディング、溶接など任意の手段
により被覆し、その上に同様にしＣＡｇを被Ｆｆｉりる
ことにより容易に製造づることができる。中間層及びＡ
ｇ層のｊ９さは使用［］的及び条件にもよるが、Ａｇ層
として＋Ｊ ０ 、１〜数μ、中間層どしては０．１〜
３μ程度とりることが望ましい。 以下本発明を実施例について説明りる。 実施例（１） 厚さ０．４ ｍｍ、 １コ２５ｍｍの１−ランシスター
リードフレーム用Ｓｎ入り００条（Ｓｎ０，９％）を常
法により脱脂、活性化してから下記メッキ液を用い、第
１表に示す組合せの中間層とＡｇ層をメッキしてＡｕ被
覆）ＴＡわ１を製造した。 １−ランシスターリードフレーム（まＳｉｌ・ランシス
ターデツプをマウンドする部分と、完成半導体をプリン
ト回路板にインサートりる端１部分とをプレス加工した
後、１〜ランシスター製造フインに供給され、該ライン
にＪりいて高１）ｌ】半ｔｌｌ（９５％ＰＩ＋−２．５
％八ｆｌ−８ｔりによるチップの半［ロイｑりと、ボン
ディングの高温条件に耐え、プリン１〜回路板への実装
が円滑に行なわれることが要求される。その７ｊめ３５
０℃の湿度′ｃ２０分間の人気加熱にｊこり外観上異常
が’Ｊ ＜、ＭＩ１２０８の半［１１＋需れ試験、即ち
２３５℃の共晶半田浴中に５秒間テップして９０％以上
の半Ｈ」濡れが得られることが条件とされている。 これに基い（製造したＡ（１被覆＋ＡＦｌについて、Ｍ
ＩＬ２０８に基き温度２３５℃の共晶半田浴中に５秒間
デツプして半ロー１濡れ性を試験Ｊ−るど共に、上記チ
ップ半Ｂ：ｌ ＩＩ Ｌすの強度と叶全性を保証づるた
め、３９０°Ｃの温度に５分間加熱後、前記、τ“１．
半田を用い、［１ジンフラツクスを使用して３５０°Ｃ
（１） ＭＲ度で１厚さｏ、’＋ｍｍ、Ｉｌｌ ５ ｍ
ｍの銅箔と壬ね合ＩｉＣ半田付（）し、これを引張試験
して破断位置を比較し／ｊ、、Ｌれ等の結果を第１表に
併記した、。 尚引張試験による破断位置についでは、銅箔部での切断
が正常のもので（ν）る。 Ｆｅ−１５％７ｎメツキ 「ｅ ＳＯ４・７ＮｚＯ４５０シ／（ Ｚｎ ＳＯ４・７Ｈｚ○ ３０９／Ｃ Ｃ＋−１３ＣＯＯＮａ ・３１１ｚ○ ｉＪ７／ｆクエ
ン酸 ５９／（ Ｎａ ２ ＳＯ４３０！ｊ／１！。 Ｐ ト１３３ 浴 渇 ５０°Ｃ 電流密度 １０Δ／ ｃ１ｍ２ Ｆｅ −４０％Ｚ １１メツキ Ｆｅ ＳＯ４・７Ｈｚ Ｏ３５０ｓｒ／ ＲＺｎ ８０
４ −７Ｈｚ Ｏ４００：／／ｆＣＨ３ＣＯＯＮａ ＊
３１−１２ ０ １５ ｇ ／Ｊ！クエンＭ５！ｌ／
／Ｊ！ Ｎａ ｚ ＳＯ４４Ｊ？／Ｊ！ Ｐ ｌ−１３ 浴 温 ５０℃ 電流密度 ＋ＯＡ ／ ｄｍ２ Ｆｅ−７５％７ｎメツキ ＦＱ ＳＯ４・ ’７ ＩＩ ｚ Ｏ３００！Ｊ／ぶＺ
ｎ ８０４ ・ ７１１ｚ Ｏ２２０ｚ／＆Ｃ１１３Ｃ
ＯＯＮ ａ ・ ３ トｌｚｏ ：ｌＯｙ／ 柔クエン
酸 ５９／（ Ｎａ ｚ ＳＯ４’ ４（１＜Ｉ／ｆ Ｐ １１ ζ） 浴 記 ５０℃ 電流密１３１ １０Ａ／ｄｍ２ Ａｇメッキ （１）ス（・ライクメツＶ △（ＩＣＮ ３丁１／Ｒ ＫＣＮ ３０ ！／ ／ｆ 浴 温 ２０℃ 電流密度 １０Δ／ ｄｍ２ （２）ｖイｑ（プメッ４ △ｑｃＮ ４０ｇ／、Ｒ ＫＣＮ ５０ｙ／ｆ Ｋ２ ＣＯ３３０Ｌｊ／柔 浴 温 ２０°（］ 電流密度 ２，５△／ｄｍ２ Ｎｉメッキ Ｎｉ ＳＯ４・ ６ トＩｚＯ２ＡＯｇ／、１２１−１
ｉ （１！ｚ ・ ６ｆ−１ｚ Ｏ３０９／Ｊ！１−Ｉ
ｇＢｏａ ４５び、／Ｊ２ ｐ ＠ ２．５ 浴 温 ２５℃ 電流密瓜 ｊ〕△／ｄｎ＋２ 「ｅメツ４： Ｆｅ Ｓ ０４ ・７ ｔ−１ｚ Ｏ３１（１ｔｊ／
Ｊ！１−１ｚ Ｓ ０４ ０．！ｉｒ？ ／ Ｒ浴 温
２ミ）°Ｃ 電流密度 ２Δ７’ｄｍ２ Ｆｅ−９５％Ｚｎメッキ Ｆｅ ８０４−７ｌ−１ｚ Ｏ２０Ｊ７．／、２ＺｌＩ
ＳＯ４・７Ｈｚ０ ３００グ／（ＣＩ−１３ＣＯＯＮａ
・３ｌ−ｌｚ Ｏ３０ｑ／Ｒクニ［ン酸 ５Ｕ／（ Ｎａ ２ ３０４ ４０ｓ／ Ｒ Ｐ＋−＋ ３ 浴 温 ５０°Ｃ ’ｊ’ｆｉ 流ｔ？； Ｉａ １０ Ａ ／ ｄ Ｉｎ
２厩 へ ミ 奥＋＋′℃ 噴 ζ ≧ 社 −１ ＋００ 回 ２ 口囚の寸ＬＬ′）ＣＤト 第１表から明らかなように本光明祠料は何れも外観、破
断位置が１小で、半Ｈ」濡れ１７１ｂ良好で゛あること
が判る。これに対しＣｕ条十にＮｉ又はＦｅからなる中
間層を形成してＡｇを被覆したものは、外観上異常は認
められなかったが、半ＩＩＪ濡れ性が劣るばかりか、破
断位置も異常で゛半田イ］り性が劣り、更に「ｅ−９５
％Ｚｎ合金／ＪＩ Ｉらな中間層を形成して△９を被覆
したもの、及びＣｕ条上に中間層を形成することなく直
接△りを被覆したものは、何れも外観及び破断位置が異
常で半田濡れ性も劣っている。 このように本発明Δ９被覆祠＊１）にＪ、れば高温度の
苛酷な条件においてし半田（＝Ｊりとの接続性、電気接
触抵抗、半ＦＩＮ→（Ｊ強度等の特Ｉ１１を維持し得る
もので、電気、電子機器及びその部品の信頼性を向上し
得るばかりか、Ａｇ被覆の）やさを薄く節約することが
可能となり、省資源、−Ｔｌストダウンの面からも顕著
な効果を奏するものＣある。
Claims (1)
- （１）電気接続用基オオ上にＡ（＋又はＡ！＋合金を被
覆した材料において、基材上にＺ ｎを１０〜９０％含
み、残部Ｆｅからなる合金の中間層を形成し、その上に
Ａｇ又はＡｇ合金を被覆したことを特徴とする電気接続
用Ａｇ被Ｎ月ＩＩ ０（２）中間層を０．０５μ以上の
厚さに形成する特許請求の範囲第１項記載の電気接続用
Ａｇ被覆月別。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157537A JPS6049507A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 電気接続用Ａｇ被覆材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157537A JPS6049507A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 電気接続用Ａｇ被覆材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049507A true JPS6049507A (ja) | 1985-03-18 |
| JPH0373963B2 JPH0373963B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=15651843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157537A Granted JPS6049507A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 電気接続用Ａｇ被覆材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049507A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182764U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-25 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58157537A patent/JPS6049507A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182764U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373963B2 (ja) | 1991-11-25 |
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