JPS6049657A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6049657A
JPS6049657A JP58157336A JP15733683A JPS6049657A JP S6049657 A JPS6049657 A JP S6049657A JP 58157336 A JP58157336 A JP 58157336A JP 15733683 A JP15733683 A JP 15733683A JP S6049657 A JPS6049657 A JP S6049657A
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JP
Japan
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tab
semiconductor device
semiconductor element
lead frame
layer
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JP58157336A
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English (en)
Inventor
Shoichi Ogura
小倉　昭一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明げ半導体装置に係り、特に樹脂封止型半導体装置
の構造に関するものである。
樹脂封止型半導体装置を作るＶＣに複数のリード’ｉ一
体ｃ形収してなるリードフレームに使用Ｌ、このリード
フレームの金（以下Ａ、ｕ　）めっさ又に銀（以下Ａｇ
）めっきされた半導体素子（以下ベレットと呼ぶ）載置
部（以下タブ部と呼ぶ）（Ｃその１ま又げ適当なろう材
全使用して加熱優沼し、欠いでベレットの各Ａｌ′―と
前記リードフレームのＡｕめっき又ｌｌ″ｒＡｇめっき
されたインナーリード該タブ近傍部と全線径が２０〜５
０μｍのＡｕ線・／ｃ工って３００〜４００℃の温度で
テールレス熱圧着ポールボンデインブレだ後、前記ペレ
ット及びワイヤーボンティング部包囲する様樹脂封止し
ていた。
しかし、この様な従来の樹脂封止型半導体装置の欠点に
、生産自動化／Ｃ、ｌニジスピード同上及び品質安定を
計り、生産コスト？下げたにもかかわらずＡｕ又ぼＡｇ
　’に多量に使用している為、材料費ばかなり高いもの
となっていること′ｃｌりる。
本発明の目的は、この様な従来のｗ力旨封止型子導体装
誼の欠点ケ除いた相導体装置？提供することにある。
本発明の特徴ぼり−ドフレームを用いた半導体装置・て
おいてこのリードフレームのタブの少なくともベレット
が載置される側の表面屹Ａｕ層又はＡｇ層が設けられ、
且つインナーリードの少なくとも半導体素子が載置さｈ
る側の表面の該タブ近傍部（アルミニウム（Ａｔ）層が
設けら力たことを特徴とする半導体装置にある。そして
Ａｕ層又ｖＸＡｇ層が設けらｆまたタブにその丑ま又汀
適当なろう打音使用してベレットが固定さｈていて、線
径が２０〜５０μｍのＡｕ線によってＡｔ層が設けられ
たインナーリードの該タブ近傍部とベレットのＡｔ電極
とが受線さｈ、樹脂（よって封止されることが好ましい
。
本発明に工わば、従来Ａｕ層が設けられてぃたインナー
リードの該タブ近傍部ＥＡｔｉ使用しである為、従来の
製造工程をほとんど変更することなく安価な樹脂封止型
中導体装置全供給することができる。
以下、図面？用いて不発明の一実施例全詳細に説明する
。
第１図ぼ樹脂封止前の半導体装置の断囲図であるタブ部
ｌやインナーリードの該タブ近傍部２ａげ従来Ａ、ｕめ
っきやＡｇめっきであったが、これ全タブ部ｌのみとし
インナーリードのタブ近傍部２ａＶＩＡ、ｔめっきする
ことでダイボンティング及びワイヤーポンディングを可
能にさせた。ここでタブ部１のみＶｃＡ、ｕめっきやＡ
ｇめっＰ？施しインナーり一ドのタブ近傍部２ａ［Ａｌ
めっキラしたリードフレームを製造技術に現在笑施して
いるリードフレームへの部分Ａｕ３に部分Ａｇめっきの
製造技術をもってすれば答易なことである。
以下実施例Ｃ工Ｖ説明する。第２図に本実施例のリード
フレーム製造中間工程の図であり、第３図げ本実施例の
リードフレーム製造最終工程の図である。リードフレー
ムげ４２％Ｎ１−Ｆ’ｅ合金基板をエツチング又汀プレ
ス打抜き加工により所定のパターンに形成し第２図斜線
部８以外の領域を０．５〜５０朋のシリコンゴム等にニ
ジ、覆い電気めっきにエリ斜線部ＲＶＣＡｔ層を付ける
。次ＶＣ第３図において破線部９以外の領域（前記斜線
部８を含む）全同様シリコンゴム等にエリ覆い、電気め
っ＠（エフ破線部９にＡｕ層を付ける○こうしてできた
リードフレームを従来通すダイボンディングする。すな
わちリードフレームを加熱し、ベレット（Ｓｉ）３とＡ
ｕとの共晶合金４全作りベレット３全固着する。次にワ
イヤーボンティングげベレット３のＡ７電極５とＡｔめ
っきさｈているインナーリードのタブ近傍部２ａｉ結合
させるために線径３０μｍのＡ　ＩＪ　、＠　ｆワイヤ
ボンディングした０該ボンデイングに超音波併用型の熱
圧着ボールボンティング装置で実施した。該ボンティン
グ以降は従来と同様で樹脂封止全行い外装めっ＠全行な
った後、半導体装置を個々だ分離して製造完了した。
以上の材料構成で製造すｈば従来の工程を大きく変更す
ることなく、材料費全低減した半導体装置を得られる。
なお、本実施例で４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金板のリードフレ
ームを用いたがさらに材料費全低減する目的でＣｕ合金
又ｒｒＦｅ主体の合金でも同様の効果が得られることば
、明らかである。またリードフレームのインナーリード
タブ近傍部はＡｔめっきの代り屹Ａｔ真空蒸Ｎ（ＣＬり
Ａ）１層を設けても、　５− 同様の効果が得らｈることも明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図げ半導体装置の構成材料金説明するための樹脂封
止′ｆＭ半導装置の断面図、第２（２）汀本発明の実施
例て用いたリードフレーム製造中間工程の図、第３図に
本発明の実施例に用いたリードフレーム爬造麗終工程の
図、である。 なお図において、ｌ・・・タブ、２・・・インナーリー
ド、２ａ・・・インナーリードの該タブ近傍部、３・・
・ベレット（Ｓｉチッ１）、４・・・Ａｕ−８１共晶合
金、５・・・ベレットのＡｔ電極、６・・・Ａｕ線、７
．ｓ・・・Ａ、ｔめっき層、９・・・Ａｕめっき層、１
０・・・アウターリード、である。 ６− 第　２　図 篤３・図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を載置し、たタブ亡骸タブに近接する複数の
    インナーリードと該半導体素子と該インナーリードとを
    橋絡する金属細線と該各インナーリードに連続して外へ
    延びるアウターリードとを有する樹脂封止型の半導体装
    置において、前記タブの少なくとも半導体素子が載置さ
    ねる側の表面に金層又に銀層が設けられ、且つ前記イン
    ナーリードの少なくとも半導体素子が載置ざｈる側の表
    面の該タブ近傍部にアルミニウム島が設けら一７′ｌた
    ことを特徴とする半導体装置。
JP58157336A 1983-08-29 1983-08-29 半導体装置 Pending JPS6049657A (ja)

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JP58157336A JPS6049657A (ja) 1983-08-29 1983-08-29 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP58157336A JPS6049657A (ja) 1983-08-29 1983-08-29 半導体装置

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JPS6049657A true JPS6049657A (ja) 1985-03-18

Family

ID=15647460

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JP58157336A Pending JPS6049657A (ja) 1983-08-29 1983-08-29 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172041A (ja) * 1986-01-24 1987-07-29 Asahi Chem Ind Co Ltd 発泡バッキングカーペットの製造方法
JPS63113035A (ja) * 1986-10-31 1988-05-18 Nippon Yunikaa Kk シリカ系多孔質物質を含有する連続気泡型架橋エチレン系樹脂発泡体用組成物
CN103035535A (zh) * 2012-12-26 2013-04-10 常州银河世纪微电子有限公司 大电流/高压二极管的制备方法

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