JPS6042853A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6042853A
JPS6042853A JP58150773A JP15077383A JPS6042853A JP S6042853 A JPS6042853 A JP S6042853A JP 58150773 A JP58150773 A JP 58150773A JP 15077383 A JP15077383 A JP 15077383A JP S6042853 A JPS6042853 A JP S6042853A
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JP
Japan
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semiconductor device
inner lead
tab
semiconductor element
bonding
Prior art date
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Pending
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JP58150773A
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English (en)
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Shoichi Ogura
小倉　昭一
Tomoichi Oku
倶一 奥
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置に係υ、特に樹脂封止血中導体装
置の構造に関するものである。
樹脂封止型半導体装置を作るには、複数のリードを一体
に形成してなる、リードフレームを使用し、このリード
フレームの金（以下Ａｕ　）めっき又は銀（以下ＡＪ）
めっきされた半導体素子（以下ベレットと呼ぶ）載１ｔ
ｍ（以下タブ部と呼ぶ）にそのまま又は適当なろう材を
使用して、加熱圧着し、次いでペレットのＡＪ＠極と＠
記す−ドフし／−ムのＡｕめっき又はＡｇめりきされた
インナーリード該タブ近傍部とをφ２０〜５０μｍのＡ
ｌｌ線によって３００〜４００℃の載置でテールレス熱
圧着ボールボンディングしている。つまシベレット側で
は、Ｍ−Ａｕ接合が形成され、インナーリードｔ１すは
Ａ、　−Ａｕ又はＡｕ　−Ｎｉ接合が形成される。これ
らのＡｊ！！　−Ａｕ接合やＡｌｌ　−Ａｕ接合は、純
金属同志の接合と比べ硬くてもろい。そして電気抵抗の
大きい金属間化合物を形成する為、従来から、ルーズコ
ンタクトの原因とされて来た。
さらに、従来の樹脂封止型の半導体装置の欠点は、生首
自動化によりスピード向上を計υ生座コストを下げたに
もかかわらすＡｕ　＋Ａｌｌを多謝に使用している為、
材料費は依然として、高いままとなっていることである
。
本発明の目的は、このような従来の樹脂封止型の半導体
装置の欠点を除いた半導体装置を提供することにある。
本発明の特徴は、リードフレームを用いた半導体装置に
おいて、このリードフレームのタブ部に近接するインナ
ーリードのペレットが載置される側の表面の先端領域の
みにアルミニウム層が設けられ、ペレットのＡＪ’を極
と該イン１−リードの先端領域とがアルミニウム合金線
によって接続されている半導体装置にある。そして、タ
ブ部１Ｆ−適当なろう材を１更用して、ペレットが固定
されでいて、紛径がφ２０へ５０μｍの人！合金−によ
って、０．５〜１０μｎ１の厚さで１層が櫃けられたイ
ンナーリードの先端領域（先端から０．３〜１．’Ｏｍ
ｉ＋以内）とペレットのＡｊ！　１を極とが接続され、
樹脂によって封とされていること枠；好ましい。　。
本発明ｒｃ工れは、Ａｕ　＋ＡＩの代シ＆ＣＡＪを用い
ることにより従来ｂ）製造工程をｉｔとんど変艇するこ
となく、安価な、・且つ電気的特性の優れた樹脂封止半
導体装置を供給することができるのである。
以下、図面を用しｉて本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第１図は樹脂封止面の半導体装置の断面図である。タブ
部「やインナーリードの該タブ近傍部２９は、従来Ａｕ
めっきやＡＩＩめっきであったが、これをｌめっきとし
、しかもインナーリードのタブ近傍部２ａのみとするこ
とでも、ダイボンディング及びワイヤーボンデインてを
可能にさせた。
つまシダイボンディングにはＡ、箔を使用せスＫＡＩペ
ースト及び半田等のろう材４でペレット３を安定Ｋ１．
ｉｉＩ定・ｔ４．さらにペレット３．のＡ１１ｉＬ極５
とインナーリードの人＃／！７との３妾を受には、Ｍ＃
ン使用して、ペレット側、インナーリード側ともに、Ａ
Ｊ−Ａｌの接合とした。該ｋｌ　Ａｕ接合やＡ１１−Ａ
ｕ接合に比べ、金摘間化合物を形成、しないので耐蝕性
や電気的！＋！ｆ性が改善される。さらに１リードフレ
ームのＡ１層は、材料費低減の為、最小範囲、すなわち
゛、インナーリードのタブ近傍部２ａのみに付けること
がｊｉ袈である。この技術は、現在実施しているリード
フレーム５の部分Ａｕ又は部分Ａ、９めりきの製造技術
をもってすれば容易なことである。
以下実施例によプさらに詳ｍＫ、説明する。第２図は本
実施列のリードフレームの図である。す゛−ドフレーム
は、４２％Ｎ１Ｆｅｆ金板をエツチング又はプレス打抜
き加工に工９所定のパターンに杉成し、第２図斜線部Ｂ
以外の領域を０．５〜５０顛のシリコンゴム尋によ＃）
覆い、′電気めっきによシ斜線部８にＡｌ７ｉｌｖ付け
る。こうしてできたリードフレームに第１図の工うＫＡ
、９ペースト４を用いて２００〜３００℃に加熱しなが
ら、ペレット３をダイボンディングする。
次にワイヤーボンディングは、φ３０μｍの人Ｉ　Ｓｉ
合金９６を用い、従来のＡｕ　ＩＩＡボールボンディン
グと同様な、超音波併用型の熱圧着ポールボンディング
装置を用いて、　Ａｒ雰囲気で電気放電トーチによりＡ
４１球を形成し、やはり、２０Ｄ〜３００℃に加熱しな
がらボンディングを行なう。
該ポンディング以降は、従来と同様で樹脂＠正を行い、
外装めっき行なった後、半導体装ｌ１１ｔを、リードフ
レーム伜から個々に分離して製造を完了する。
以上の材料構成、裏道方法によれば従来の工程を大きく
変更することなく、材料費を低減し、且つ電気的特性の
良い半導体装置を得ることができるのである。
向、本実施例では、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金板のリードフ
レームな用いたがさらに材料費を低減する目的でＣｕ合
金又は、Ｆｅ主体の合金でも同様の効果が得られること
は明らかである。
また、リードフレームのインナーリードタブ近傍のＡ７
層は、ＡＪの電気めっきの代りに、マスキングテープを
用いてＡ！真空蒸着により句けＣも、同様の効果が得ら
れることも明らかである。
【図面の簡単な説明】
笛り図は半導体装置の楊成材料を説明する上で用いた明
脂封［Ｅ前の＃導体装置の断面図、第２図は、本発明の
実施例に用いた、リードフレームの図、である。 尚、図にお−いて、１・・・・・・タブ、２・・・・・
・インナーリード、２ａ・・・・・・インナーリードの
該タブ近傍部、３・・・・・・ベレット（Ｓｉ−１−ツ
ブ）、４・・・・・・Ａ、９ペースト、訃・・・・・ペ
レットの１’電極、６・・・・・・Ａｌ緑、７．８・・
・・・・Ａｌめっき層、９・・・・・・アウターリード
、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を＠置したタブと、該タブに近接する複数の
    インナーリードと、該半導体素子と該インナーリードと
    ！接続する金属細線と、該各インナーリードに連続して
    外へ延びるアウターリードとを有する樹脂封と型の半導
    体装置において、該各インナーリードの半導体素子が載
    置される側の表面の先端領域にのみにアルミニウム層が
    設けられ、前記半導体素子と前記インナーリード先端領
    域とがアルミニウム合金線によって接続されていること
    を特徴とする半導体装置。
JP58150773A 1983-08-18 1983-08-18 半導体装置 Pending JPS6042853A (ja)

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JP58150773A JPS6042853A (ja) 1983-08-18 1983-08-18 半導体装置

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JP58150773A JPS6042853A (ja) 1983-08-18 1983-08-18 半導体装置

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JPS6042853A true JPS6042853A (ja) 1985-03-07

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ID=15504102

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JP58150773A Pending JPS6042853A (ja) 1983-08-18 1983-08-18 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035535A (zh) * 2012-12-26 2013-04-10 常州银河世纪微电子有限公司 大电流/高压二极管的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035535A (zh) * 2012-12-26 2013-04-10 常州银河世纪微电子有限公司 大电流/高压二极管的制备方法

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