JPS6050780B2 - 3−アミノ−2−ヒドロキシプロピオン酸誘導体 - Google Patents
3−アミノ−2−ヒドロキシプロピオン酸誘導体Info
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- JPS6050780B2 JPS6050780B2 JP57066233A JP6623382A JPS6050780B2 JP S6050780 B2 JPS6050780 B2 JP S6050780B2 JP 57066233 A JP57066233 A JP 57066233A JP 6623382 A JP6623382 A JP 6623382A JP S6050780 B2 JPS6050780 B2 JP S6050780B2
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- acid
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- ahpa
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P43/00—Drugs for specific purposes, not provided for in groups A61P1/00-A61P41/00
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07K—PEPTIDES
- C07K5/00—Peptides containing up to four amino acids in a fully defined sequence; Derivatives thereof
- C07K5/02—Peptides containing up to four amino acids in a fully defined sequence; Derivatives thereof containing at least one abnormal peptide link
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は下記一般式
R1−CH−CH−COOH
iI(I)
(式中R、は炭素数2景上の低級アルキル基、ベンジル
基または、置換基としてハロゲン原子、低級アルキル基
またはヒドロキシ基を有するベンジル基を示す。
基または、置換基としてハロゲン原子、低級アルキル基
またはヒドロキシ基を有するベンジル基を示す。
またアミノ基はウレタン型保護基で保護されてウレタン
基となつていてもよい。)で表わされる3−アミノー2
−ヒドロキシプロピオン酸誘導体に関するもので、この
化合物は抗ガン剤等として有用なベスタチン(Best
atin)〔(2S、3R)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー4−フエニルブタノイルー(S)一ロイシン〕お
よびその類縁化合物の中間体として有用なものである。
本発明におけるRの低級アルキル基としてはメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基等を、ハロゲン原子と
しては塩素原子、臭素原子、フッ素原子等をあげること
ができる。
基となつていてもよい。)で表わされる3−アミノー2
−ヒドロキシプロピオン酸誘導体に関するもので、この
化合物は抗ガン剤等として有用なベスタチン(Best
atin)〔(2S、3R)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー4−フエニルブタノイルー(S)一ロイシン〕お
よびその類縁化合物の中間体として有用なものである。
本発明におけるRの低級アルキル基としてはメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基等を、ハロゲン原子と
しては塩素原子、臭素原子、フッ素原子等をあげること
ができる。
本発明の一般式(I)で表わされる3−アミノー2−ヒ
ドロキシプロピオン酸誘導体は一般式(■)R1−℃H
−CH−CN 1I(■) (式中R、は前記と同じである。
ドロキシプロピオン酸誘導体は一般式(■)R1−℃H
−CH−CN 1I(■) (式中R、は前記と同じである。
)で表わされるニトリル誘導体またはそのアミノ基を保
護したニトリル誘導体を酸で加水分解することにより得
ることができる。
護したニトリル誘導体を酸で加水分解することにより得
ることができる。
上記一般式(■)で表わされるニトリル誘導体の代表的
化合物としては、3−アミノー2−ヒドロキシー5−メ
チルヘキサンニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー4
−P−クロルエニルブチロニトリル3−アミノー2−ヒ
ドロキシー4−P−ブロムエニルブチロニトリル3−ア
ミノー2−ヒドロキシー4−フェニルブチロニトリル3
−アミノー2−ヒドロキシー4−0−クロルエニルブチ
ロニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−メチ
ルエニルブチロニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー
4−P−ブチルエニルブチロニトリル3−アミノー2−
ヒドロキシー4−P−メトキシフェニルブチロニトリル
3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−ブトキシフエニ
ルブチロニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー4−(
3,4一メチレンジオキシフェニル)ブチロニトリル等
があげられる。
化合物としては、3−アミノー2−ヒドロキシー5−メ
チルヘキサンニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー4
−P−クロルエニルブチロニトリル3−アミノー2−ヒ
ドロキシー4−P−ブロムエニルブチロニトリル3−ア
ミノー2−ヒドロキシー4−フェニルブチロニトリル3
−アミノー2−ヒドロキシー4−0−クロルエニルブチ
ロニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−メチ
ルエニルブチロニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー
4−P−ブチルエニルブチロニトリル3−アミノー2−
ヒドロキシー4−P−メトキシフェニルブチロニトリル
3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−ブトキシフエニ
ルブチロニトリル3−アミノー2−ヒドロキシー4−(
3,4一メチレンジオキシフェニル)ブチロニトリル等
があげられる。
またアミノ基を保護する場合の保護基としては公知のア
ミノ基の保護基を全て使用できるが、好ましくはアシル
型保護基としてホルミル、アセチル、トリフルオロアセ
チル、置換および未置換ベンゾイル等、ウレタン型保護
基として置換および未置換ベンジルオキシカルボニル、
炭素数1ないし6のアルコキシカルボニル、シクロアル
カノオキシカルボニル等、その他の保護基として置換お
よび未置換アリールスルホニル、フタリル、o−ニトロ
フエニルスルフエニル、トリチル等があげられる。加水
分解に使用される酸は通常のニトリル類の加水分解に使
用される酸ならば特に種類を問わない。たとえば無機酸
としては塩酸、臭化水素酸、硫酸等が、有機酸としては
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等のアルキルスル
ホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等の
ようなアリールスルホン酸等があげられる。酸の濃度は
通常のニトリル類の加水分解に使用できる濃度であれば
特に制限はないが、1規定以上の濃度が好ましい。
ミノ基の保護基を全て使用できるが、好ましくはアシル
型保護基としてホルミル、アセチル、トリフルオロアセ
チル、置換および未置換ベンゾイル等、ウレタン型保護
基として置換および未置換ベンジルオキシカルボニル、
炭素数1ないし6のアルコキシカルボニル、シクロアル
カノオキシカルボニル等、その他の保護基として置換お
よび未置換アリールスルホニル、フタリル、o−ニトロ
フエニルスルフエニル、トリチル等があげられる。加水
分解に使用される酸は通常のニトリル類の加水分解に使
用される酸ならば特に種類を問わない。たとえば無機酸
としては塩酸、臭化水素酸、硫酸等が、有機酸としては
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等のアルキルスル
ホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等の
ようなアリールスルホン酸等があげられる。酸の濃度は
通常のニトリル類の加水分解に使用できる濃度であれば
特に制限はないが、1規定以上の濃度が好ましい。
アミノ基が保護されているもので、酸の水溶液に対して
難溶性のものは溶解性をあげるために水溶性の有機溶媒
、たとえばテトラヒドロフラン、ジオキサン、低級アル
コール類、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド等を加えてもよい
。
難溶性のものは溶解性をあげるために水溶性の有機溶媒
、たとえばテトラヒドロフラン、ジオキサン、低級アル
コール類、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド等を加えてもよい
。
また、保護基を使用した場合加水分解中に保護基が分解
して求電子体を生ずるような場合にはアニソール等のカ
チオン捕獲剤を入れることができる。
して求電子体を生ずるような場合にはアニソール等のカ
チオン捕獲剤を入れることができる。
加水分解の温度は室温から溶媒の沸点までの任意の温度
が使用できる。
が使用できる。
なお本加水分解において、N−ベンジルオキシカルボニ
ルー3−アミノー2−ヒドロキシー4一P−メトキシフ
ェニルブチロニトリルを、例えば、濃塩酸とジオキサン
の等量混合物中で加水分解を行うと3−アミノー2−ヒ
ドロキシフェニルー4−P−ヒドロキシフェニル酪酸が
得られる。
ルー3−アミノー2−ヒドロキシー4一P−メトキシフ
ェニルブチロニトリルを、例えば、濃塩酸とジオキサン
の等量混合物中で加水分解を行うと3−アミノー2−ヒ
ドロキシフェニルー4−P−ヒドロキシフェニル酪酸が
得られる。
反応混合物より目的の一般式〔1〕の3−アミノー2−
ヒドロキシプロピオン酸誘導体を単離するには通常のア
ミノ酸を単離する常法が適用できる。たとえば、揮発性
の酸で加水分解する場合は過剰の酸を減圧濃縮して除去
し、水を加えて等電点になるまでアルカリで中和し、必
要ならばアセトン、メタノールあるいはエタノール等を
加えて析出した結晶を沖取するか、不揮発性の酸の場合
は水て1規定以下に稀釈して強酸性イオン交換樹脂に通
して目的とするアミノ酸を吸着させ、水洗後アンモニア
水などの揮発性のアルカリで溶出し、減圧濃縮し、必要
ならばアセトン、メタノールあるいはエタノール等を加
えて析出する結晶を沖取することによつて目的物(1)
を得ることがてきる。
ヒドロキシプロピオン酸誘導体を単離するには通常のア
ミノ酸を単離する常法が適用できる。たとえば、揮発性
の酸で加水分解する場合は過剰の酸を減圧濃縮して除去
し、水を加えて等電点になるまでアルカリで中和し、必
要ならばアセトン、メタノールあるいはエタノール等を
加えて析出した結晶を沖取するか、不揮発性の酸の場合
は水て1規定以下に稀釈して強酸性イオン交換樹脂に通
して目的とするアミノ酸を吸着させ、水洗後アンモニア
水などの揮発性のアルカリで溶出し、減圧濃縮し、必要
ならばアセトン、メタノールあるいはエタノール等を加
えて析出する結晶を沖取することによつて目的物(1)
を得ることがてきる。
以上の反応において出発原料として(R)−ニトリル誘
導体を使用した場合にはアミノ酸として(2RS,3R
)一体が、(S)−ニトリル誘導体を使用した場合には
(2RS,3S)一体が、また(RS)−ニトリル誘導
体を使用した場合には(2RS,3RS)一体が得られ
る。
導体を使用した場合にはアミノ酸として(2RS,3R
)一体が、(S)−ニトリル誘導体を使用した場合には
(2RS,3S)一体が、また(RS)−ニトリル誘導
体を使用した場合には(2RS,3RS)一体が得られ
る。
このようにして得られる本発明の代表的な化合物を例示
すると次の通りである。
すると次の通りである。
(2RS,3S)または(2RS,3R)−3−アミノ
ー2−ヒドロキシー5−メチルヘキサン酸(2RS,3
RS)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−クロル
フェニル酪酸(2RS,3S)または(2RS,3R)
−3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−ブロムフェニ
ル酪酸(2RS,3S)または(2RS,3R)−3−
アミノー2−ヒドロキシー4−フェニル酪酸(2RS,
3S)または(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒド
ロキシー4−0−クロルフェニル酪酸(2RS,3S)
または(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシ
ー4−P−メチルフェニル酪酸(2RS,3S)または
(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−
P−ブチルフェニル酪酸(2RS,3S)または(2R
S,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−ニ
トロフェニル酪酸(2RS,3S)または(2RS,3
R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−p−ヒドロキ
シフェニル酪酸3−アミノー2−ヒドロキシー4−(3
,4ージヒドロキシフエニル)酪酸上記化合物はベスタ
チン類縁化合物の原料として使用できるが、例えばベス
タチンの前駆物質としてのベンジルオキシカルボニルー
(2S,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−フ
ェニル酪酸(以下ベンジルオキシカルボニル基を「Z」
、3−アミノー2−ヒドロキシー4−フェニル酪酸を「
AHPA」という。
ー2−ヒドロキシー5−メチルヘキサン酸(2RS,3
RS)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−クロル
フェニル酪酸(2RS,3S)または(2RS,3R)
−3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−ブロムフェニ
ル酪酸(2RS,3S)または(2RS,3R)−3−
アミノー2−ヒドロキシー4−フェニル酪酸(2RS,
3S)または(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒド
ロキシー4−0−クロルフェニル酪酸(2RS,3S)
または(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシ
ー4−P−メチルフェニル酪酸(2RS,3S)または
(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−
P−ブチルフェニル酪酸(2RS,3S)または(2R
S,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−P−ニ
トロフェニル酪酸(2RS,3S)または(2RS,3
R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−p−ヒドロキ
シフェニル酪酸3−アミノー2−ヒドロキシー4−(3
,4ージヒドロキシフエニル)酪酸上記化合物はベスタ
チン類縁化合物の原料として使用できるが、例えばベス
タチンの前駆物質としてのベンジルオキシカルボニルー
(2S,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−フ
ェニル酪酸(以下ベンジルオキシカルボニル基を「Z」
、3−アミノー2−ヒドロキシー4−フェニル酪酸を「
AHPA」という。
)は光学活性体てあるので、この化合物を得るためには
(2RS,3R)−Al(PAを分別結晶して(2S,
3R)−AHPAとする必要がある。そこで(2RS,
3R)一体の分別結晶について種々検討した結果、先ず
常法によつて(2RS,3R)−Al(PAをベンジル
オキシカルボニル化して得られるZ−(2RS,3R)
−AHPAを酢酸エチル中でブルシンと塩を形成させる
ことにより分別結晶できることを見出した。
(2RS,3R)−Al(PAを分別結晶して(2S,
3R)−AHPAとする必要がある。そこで(2RS,
3R)一体の分別結晶について種々検討した結果、先ず
常法によつて(2RS,3R)−Al(PAをベンジル
オキシカルボニル化して得られるZ−(2RS,3R)
−AHPAを酢酸エチル中でブルシンと塩を形成させる
ことにより分別結晶できることを見出した。
即ち、Z−(2RS,3R)−AHPAと当量ないし、
少しく過剰のブルシンを酢酸エチル中で加熱溶解し、必
要ならばろ過したのち沖液を放冷ないし冷却すれば結晶
が析出する。この結晶をp取し、必要に応じて酢酸エチ
ルから再結晶を繰返すことにより光学純粋なZ一(2S
,3R)−AHPAのブルシン塩が得られる。
少しく過剰のブルシンを酢酸エチル中で加熱溶解し、必
要ならばろ過したのち沖液を放冷ないし冷却すれば結晶
が析出する。この結晶をp取し、必要に応じて酢酸エチ
ルから再結晶を繰返すことにより光学純粋なZ一(2S
,3R)−AHPAのブルシン塩が得られる。
この塩を常法によつて脱ブルシン処理すれば光学純粋な
Z−(2S,3R)−AHPAが得られる。またZ−(
2R,3R)−AHPA及び少量のZ−(2S,3R)
−AHPAのブルシン塩を含む酢酸エチル酒液を稀塩酸
と振つてブルシンを除去し酢酸エチル層を無水硫酸ナト
リウムなどの脱水剤で乾燥し、減圧濃縮し、少量の酢酸
エチルにとかし、石油エーテルを加え、析出した結晶を
沖取することによつて光学純粋なZ−(2R,3R)−
AHPAが得られる。本発明者らは更に研究を進めた結
果、ベンジルオキシカルボニル化した一般式(1)の化
合物の(2R,3R)一誘導体は(2S,3R)一誘導
体に比べて有機溶媒に対して溶解性の小さいことを見出
した。即ち、Z−(2RS,3R)−AFIPAを室温
ないし加温して第一の可溶性溶媒にとかし、第二の不溶
性溶媒を加えて結晶を析出させ結晶をp取し、必要に応
じてこの操作を繰返すことにより光学的に純粋なZ−(
2R,3R)−AlIPAが得られる。
Z−(2S,3R)−AHPAが得られる。またZ−(
2R,3R)−AHPA及び少量のZ−(2S,3R)
−AHPAのブルシン塩を含む酢酸エチル酒液を稀塩酸
と振つてブルシンを除去し酢酸エチル層を無水硫酸ナト
リウムなどの脱水剤で乾燥し、減圧濃縮し、少量の酢酸
エチルにとかし、石油エーテルを加え、析出した結晶を
沖取することによつて光学純粋なZ−(2R,3R)−
AHPAが得られる。本発明者らは更に研究を進めた結
果、ベンジルオキシカルボニル化した一般式(1)の化
合物の(2R,3R)一誘導体は(2S,3R)一誘導
体に比べて有機溶媒に対して溶解性の小さいことを見出
した。即ち、Z−(2RS,3R)−AFIPAを室温
ないし加温して第一の可溶性溶媒にとかし、第二の不溶
性溶媒を加えて結晶を析出させ結晶をp取し、必要に応
じてこの操作を繰返すことにより光学的に純粋なZ−(
2R,3R)−AlIPAが得られる。
ここで第一の可溶性溶媒としてはメタノール、エタノー
ル、プロパノールなどの低級アルコール類、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロブルエーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサンなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチ
ルなどのエステル類、アセトン、メチルエチルケトンな
どのケトン類、塩化メチレン、クロロホルムなどのノ和
ゲン化炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミドなどのアミド類、アセトニトリルなどのニト
リル類などが使用できる。第二の不溶性溶媒としては石
油エーテル、石油ベンジン、リグロィンなどの石油系炭
化水素類、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素類
、ヘキサン、シクロヘキサンなどのアルカン類あるいは
シクロアルカン類などが使用できる。一方、淵液中の光
学不純なZ−(2S,3R)−AHPAは上述の酢酸エ
チル中ブルシンとの塩を形成させ、分別結晶することに
より光学純粋なZ一・(2S,3R)−AHPAとする
ことができる。
ル、プロパノールなどの低級アルコール類、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロブルエーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサンなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチ
ルなどのエステル類、アセトン、メチルエチルケトンな
どのケトン類、塩化メチレン、クロロホルムなどのノ和
ゲン化炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミドなどのアミド類、アセトニトリルなどのニト
リル類などが使用できる。第二の不溶性溶媒としては石
油エーテル、石油ベンジン、リグロィンなどの石油系炭
化水素類、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素類
、ヘキサン、シクロヘキサンなどのアルカン類あるいは
シクロアルカン類などが使用できる。一方、淵液中の光
学不純なZ−(2S,3R)−AHPAは上述の酢酸エ
チル中ブルシンとの塩を形成させ、分別結晶することに
より光学純粋なZ一・(2S,3R)−AHPAとする
ことができる。
尚以上で使用したZ−AHPAは次のようにして合成で
きる。たとえば、アルカリの存在下(2RS,3R)−
AlIPAと塩化ベンジルオキシカルボニルとの反応に
よつてまたはトリエチルアミン、N−メチルモルホリン
などの有機第三塩基の存在下ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等と水
との混合溶媒中でベンジルオキシカルボニル化試薬たと
えばベンジルオキシカルボニルp−ニトロフェニルエス
テル、ベンジルオキシカルボニルアジド、ベンジルオキ
シカルボニルN−ヒドロキシスクシンイミドエステル、
ベンジルS−4,6−ジメチルピリミドー2−イルーチ
オールカルボネート等との反応によつて得られる。
きる。たとえば、アルカリの存在下(2RS,3R)−
AlIPAと塩化ベンジルオキシカルボニルとの反応に
よつてまたはトリエチルアミン、N−メチルモルホリン
などの有機第三塩基の存在下ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等と水
との混合溶媒中でベンジルオキシカルボニル化試薬たと
えばベンジルオキシカルボニルp−ニトロフェニルエス
テル、ベンジルオキシカルボニルアジド、ベンジルオキ
シカルボニルN−ヒドロキシスクシンイミドエステル、
ベンジルS−4,6−ジメチルピリミドー2−イルーチ
オールカルボネート等との反応によつて得られる。
以上AHPAを例にとり光学活性体を分離する方法を述
べたが、他のアミノ酸においても必要に応じて同様に光
学活性体を分離することができる。
べたが、他のアミノ酸においても必要に応じて同様に光
学活性体を分離することができる。
次に以上のようにして得た一般式(1)で表わされる3
−アミノー2−ヒドロキシプロピオン酸又はその光学活
性体とロイシンを縮合させてベスタチンおよびその類縁
化合物を得るには、ペプチド結合形成の公知の縮合方法
によつて縮合させ、次いで反応に関与しない官能基を保
護しておいた場合はその保護基を除去すればよい。一般
式(1)て表わされる化合物酸と例えばロイシンの縮合
方法としてはジシクロヘキシルカルボジイミド、1−エ
チルー3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイ
ミドなどを用いるカルボジイミド法、ヒドラジドからの
アジド法、クロル炭酸エチル、クロル炭酸イソブチルな
どを用いる混合酸無水物法、シアノメチルエステル、ビ
ニルエステル、置換および未置換フェニルエステル、チ
オフェニルエステル、ヒドロキシコハク酸イミドエステ
ル等の活性エステル法、アセトキシム、シクロヘキサノ
ンオキシムなどを用いるO−アシルヒドロキシルアミン
誘導体法、カルボジイミダゾールなどを用いるN−アシ
ル化合物法などがあげられる。
−アミノー2−ヒドロキシプロピオン酸又はその光学活
性体とロイシンを縮合させてベスタチンおよびその類縁
化合物を得るには、ペプチド結合形成の公知の縮合方法
によつて縮合させ、次いで反応に関与しない官能基を保
護しておいた場合はその保護基を除去すればよい。一般
式(1)て表わされる化合物酸と例えばロイシンの縮合
方法としてはジシクロヘキシルカルボジイミド、1−エ
チルー3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイ
ミドなどを用いるカルボジイミド法、ヒドラジドからの
アジド法、クロル炭酸エチル、クロル炭酸イソブチルな
どを用いる混合酸無水物法、シアノメチルエステル、ビ
ニルエステル、置換および未置換フェニルエステル、チ
オフェニルエステル、ヒドロキシコハク酸イミドエステ
ル等の活性エステル法、アセトキシム、シクロヘキサノ
ンオキシムなどを用いるO−アシルヒドロキシルアミン
誘導体法、カルボジイミダゾールなどを用いるN−アシ
ル化合物法などがあげられる。
また、縮合に用いる溶媒としては通常のアミド結合に関
与しない溶媒であればいずれも使用できる。
与しない溶媒であればいずれも使用できる。
たとえばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオ
キサンなどのエーテル類、酢酸エチルなどのエステル類
、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、塩化
メチレン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミ
ド類、アセトニトリル等のニトリル類等が使用できる。
アミノ基が保護された一般式(1)の化合物とカルボキ
シル基が保護されていないロイシン等のアミノ酸を活性
エステル法で縮合する場合は水と混和する有機溶媒を用
い、炭酸水素ナトリウム、酸化マグネシウム等の無機塩
基あるいはトリエチルアミン、N−メチルモルホリン等
の有機第3塩基の存在下縮合反応を行うとよい。かくし
て得られた保護された目的物はパラジウムを触媒とする
接触還元、酢酸中の臭化水素、トリフルオロ酢酸、有機
溶媒中の塩化水素、アルカリによるケン化、ヒドラジン
、液体アンモニア、液体フッ化水素等、公知の保護基の
除去法によつて保護基を除去し、ベスタチンおよびその
類縁化合物に導くことができる。
キサンなどのエーテル類、酢酸エチルなどのエステル類
、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、塩化
メチレン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミ
ド類、アセトニトリル等のニトリル類等が使用できる。
アミノ基が保護された一般式(1)の化合物とカルボキ
シル基が保護されていないロイシン等のアミノ酸を活性
エステル法で縮合する場合は水と混和する有機溶媒を用
い、炭酸水素ナトリウム、酸化マグネシウム等の無機塩
基あるいはトリエチルアミン、N−メチルモルホリン等
の有機第3塩基の存在下縮合反応を行うとよい。かくし
て得られた保護された目的物はパラジウムを触媒とする
接触還元、酢酸中の臭化水素、トリフルオロ酢酸、有機
溶媒中の塩化水素、アルカリによるケン化、ヒドラジン
、液体アンモニア、液体フッ化水素等、公知の保護基の
除去法によつて保護基を除去し、ベスタチンおよびその
類縁化合物に導くことができる。
なお一般式(■)で表わされるニトリル誘導体は次のよ
うにして合成することができる。
うにして合成することができる。
その第1の方法はアミノ基が保護されたα−アミ7酸と
第2アミンとから得られるアミド類をO℃以下でジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類中で金属水素化物゜(Metalhydride
)で還元してアミノ基が保護されたα−アミノアルデヒ
ドとし、これを一旦亜硫酸水素ナトリウム等の付加物に
かえ、さらにこの付加物に青酸塩を作用させるか、ある
いは青酸を直接作用させてシアンヒドリン、すなわち3
−アミノー2−ヒドロキシニトリルに導くものである。
第2アミンとから得られるアミド類をO℃以下でジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類中で金属水素化物゜(Metalhydride
)で還元してアミノ基が保護されたα−アミノアルデヒ
ドとし、これを一旦亜硫酸水素ナトリウム等の付加物に
かえ、さらにこの付加物に青酸塩を作用させるか、ある
いは青酸を直接作用させてシアンヒドリン、すなわち3
−アミノー2−ヒドロキシニトリルに導くものである。
上記て使用する第2アミンとしては、N,N−ジメチル
アミン、アジリジン、N−メチルアニリン、イミダゾー
ル類、ピラゾール類等が好まし)い。金属水素化物とし
ては、水素化リチウムアルミニウム、水素化リチウムジ
またはトリアルコキシアルミニウム、水素化ソジウムー
ビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウム等が好まし
い。
アミン、アジリジン、N−メチルアニリン、イミダゾー
ル類、ピラゾール類等が好まし)い。金属水素化物とし
ては、水素化リチウムアルミニウム、水素化リチウムジ
またはトリアルコキシアルミニウム、水素化ソジウムー
ビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウム等が好まし
い。
アミノ基の保護基としては、アセチル基、ベンゾイル基
を含むアシル基をはじめ、公知の保護基を全て適用でき
るが好ましくはウレタン型の保護基、就中、ベンジルオ
キシカルボニル基がよい。第2の方法は、上記と同様な
アミノ保護基で保ノ護されたα−アミノ酸の低級アルキ
ルエステルを−40℃以下の低温でジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、トルエンヘキサン
等の炭化水素類およびピリジン中で水素化ソジウムアル
ミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ソ
ジウム ビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウム等
で還元してアミノ基が保護されたアミノアルデヒドとし
、以下上記と同様にして3−アミノー2−ヒドロキシニ
トリル類に導くものである。
二次に本発明の化合物を原料として得られ
るベスタチンおよびその関連化合物の生理活性について
述べる。(4)アミノペプチダーゼBに対する阻害活性
試験法: 1、アミノペプチ
ダーゼB活性の測定はホツプスら〔V.K.HOPSU
,K.KOMAKINEN,G.G.GLENNER,
ArchivesOfBiOchemistryand
B10phySicsTi,557(1966)〕の方
法を改良して行つた。
を含むアシル基をはじめ、公知の保護基を全て適用でき
るが好ましくはウレタン型の保護基、就中、ベンジルオ
キシカルボニル基がよい。第2の方法は、上記と同様な
アミノ保護基で保ノ護されたα−アミノ酸の低級アルキ
ルエステルを−40℃以下の低温でジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、トルエンヘキサン
等の炭化水素類およびピリジン中で水素化ソジウムアル
ミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ソ
ジウム ビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウム等
で還元してアミノ基が保護されたアミノアルデヒドとし
、以下上記と同様にして3−アミノー2−ヒドロキシニ
トリル類に導くものである。
二次に本発明の化合物を原料として得られ
るベスタチンおよびその関連化合物の生理活性について
述べる。(4)アミノペプチダーゼBに対する阻害活性
試験法: 1、アミノペプチ
ダーゼB活性の測定はホツプスら〔V.K.HOPSU
,K.KOMAKINEN,G.G.GLENNER,
ArchivesOfBiOchemistryand
B10phySicsTi,557(1966)〕の方
法を改良して行つた。
すなわち、0.1mMのアルギニンー1β−ナフチルア
ミド0.3m1に0.1Mトリスー塩酸緩衝液1.0m
11検体を含む溶液0.7m1を加えた混合溶液(PH
7.O)を37℃で3分間加熱したの*ち、ホツプスら
の方法による酵素精製法でセフアデツクス9G−100
で精製したアミノペプチダーゼB溶液を0.2m1加え
、3rCで30分間反応したのち、1.0m9/mlの
濃度にガーネットG℃(0ーアミノアゾトルエンジアゾ
ニウム塩)を含み、1.0%の濃度にフィン(920を
含む1.0M酢酸緩衝液(PH4.2)0.6mtを加
え、室温に1紛間放置したのち、530r1mにおける
吸光度(a)を測定した。同時に検体を含まない緩衝液
のみを用いた盲検の吸光度(b)を測定し、アミノペプ
チダーゼB阻害率を(b−a)/b×100により計算
した。
ミド0.3m1に0.1Mトリスー塩酸緩衝液1.0m
11検体を含む溶液0.7m1を加えた混合溶液(PH
7.O)を37℃で3分間加熱したの*ち、ホツプスら
の方法による酵素精製法でセフアデツクス9G−100
で精製したアミノペプチダーゼB溶液を0.2m1加え
、3rCで30分間反応したのち、1.0m9/mlの
濃度にガーネットG℃(0ーアミノアゾトルエンジアゾ
ニウム塩)を含み、1.0%の濃度にフィン(920を
含む1.0M酢酸緩衝液(PH4.2)0.6mtを加
え、室温に1紛間放置したのち、530r1mにおける
吸光度(a)を測定した。同時に検体を含まない緩衝液
のみを用いた盲検の吸光度(b)を測定し、アミノペプ
チダーゼB阻害率を(b−a)/b×100により計算
した。
結果:
上記試験法により各検体の幾つかの濃度における阻害率
を求め、それにより50%阻害(n)50)を帰納した
。
を求め、それにより50%阻害(n)50)を帰納した
。
その結果を第1表に示す。レu:ロイシンまたはその残
基AOC:2−アミノオクタン酸またはその残基AIa
:アラニンまたはその残基Me−1se:β−メチルイ
ソセリン(3−アミノ4f一2−ヒドロキシ酪酸)Is
O−Bu−1se:β−イソブチルイソセリン(3 ー
アミノー2−ヒドロキシー5−メチルへ キサン酸また
はその残基Ph−1se:β−フェニルイソセリン(3
−アミノー2−ヒドロキシー3−フェニルプロピオン酸
またはその残基 AHPA(p−C1):3−アミノー2−ヒドロキシー
4−p−クロルフェニル酪酸またはその残基 AHPA(0−C1):3−アミノー2−ヒドロキシー
4−0−クロルフェニル酪酸またはそ の残基 AI(PA(p−Me):3−アミノー2−ヒドロ キ
シー4−p−メチルフェニル酪酸または その残基AH
PA(p−NO2):3−アミノー2−ヒドロ キシー
4−p−ニトロフェニル酪酸または その残基AHPA
(p−0H):3−アミノー2−ヒドロ キシー4−p
−ヒドロキシフェニル酪酸ま たはその残基
ノなお、残基とは今まで述べたアミノ
酸のアミノ基から1個の水素原子を除去したもの、カル
ボキシル基からヒドロキシル基を除去したものまたはア
ミノ基から1個の水素原子およびカルボキシル基からヒ
ドロキシル基を除去したものdを示す。
基AOC:2−アミノオクタン酸またはその残基AIa
:アラニンまたはその残基Me−1se:β−メチルイ
ソセリン(3−アミノ4f一2−ヒドロキシ酪酸)Is
O−Bu−1se:β−イソブチルイソセリン(3 ー
アミノー2−ヒドロキシー5−メチルへ キサン酸また
はその残基Ph−1se:β−フェニルイソセリン(3
−アミノー2−ヒドロキシー3−フェニルプロピオン酸
またはその残基 AHPA(p−C1):3−アミノー2−ヒドロキシー
4−p−クロルフェニル酪酸またはその残基 AHPA(0−C1):3−アミノー2−ヒドロキシー
4−0−クロルフェニル酪酸またはそ の残基 AI(PA(p−Me):3−アミノー2−ヒドロ キ
シー4−p−メチルフェニル酪酸または その残基AH
PA(p−NO2):3−アミノー2−ヒドロ キシー
4−p−ニトロフェニル酪酸または その残基AHPA
(p−0H):3−アミノー2−ヒドロ キシー4−p
−ヒドロキシフェニル酪酸ま たはその残基
ノなお、残基とは今まで述べたアミノ
酸のアミノ基から1個の水素原子を除去したもの、カル
ボキシル基からヒドロキシル基を除去したものまたはア
ミノ基から1個の水素原子およびカルボキシル基からヒ
ドロキシル基を除去したものdを示す。
3)ベスタチンによるブレオマイシンの臓器への移行増
強作用試験法: ICR系雄性マウス(4週令)に3匹はブレオマイシン
B2単独100mg/K9皮下投与、他の3匹にはブレ
オマイシンB2lOOm9/Kgとベスタチン100m
g/K9を同時に皮下投与し、各々のマウスを1時間後
に殺し、血清及び臓器内のブレオマイシン為の量をバチ
ルス●ズブチリス(B3clllussubtilis
)PCI2l9を被検菌とする薄層ディスク法によつて
定量した。
強作用試験法: ICR系雄性マウス(4週令)に3匹はブレオマイシン
B2単独100mg/K9皮下投与、他の3匹にはブレ
オマイシンB2lOOm9/Kgとベスタチン100m
g/K9を同時に皮下投与し、各々のマウスを1時間後
に殺し、血清及び臓器内のブレオマイシン為の量をバチ
ルス●ズブチリス(B3clllussubtilis
)PCI2l9を被検菌とする薄層ディスク法によつて
定量した。
結果:
上記の結果を第2表に示す。
尚数字は平均値(μ/m1)である。(C)ベスタチン
の避妊効果 試験法: 発情期のICR−JCL系雌マウスに10mg/K9の
ベスタチンを皮下注射し、同系の雄マウスと同居させ、
交尾の確認されたものについて腟栓形成2日後に雌マウ
スを層殺し、卵管より卵子を採取して受精の有無を調べ
た。
の避妊効果 試験法: 発情期のICR−JCL系雌マウスに10mg/K9の
ベスタチンを皮下注射し、同系の雄マウスと同居させ、
交尾の確認されたものについて腟栓形成2日後に雌マウ
スを層殺し、卵管より卵子を採取して受精の有無を調べ
た。
尚この時期の受精卵は8〜托細胞期である。結果:
上記の試験結果を第3表に示す。
以下に実施例により本発明を具体的に説明するが官能基
の保護法、その除去法、ペプチド結合形成法は実施例記
載の方法に限定されるものではない。
の保護法、その除去法、ペプチド結合形成法は実施例記
載の方法に限定されるものではない。
なお実施例中て略号として前出以外に次のものを使用し
た。
た。
HOBt:1−ヒドロキシベンゾトリアゾールDCCD
:N,N″−ジシクロヘキシカルボジイミ ドHOSU
:N−ヒドロキシコハク酸イミドー0Bz1●TOsO
H.ベンジルエステルp−トルエ ンスルホン酸塩−0
SU:N−ヒドロキシコハク酸イミドエステノレー0M
e:メチルエステル ー0Nb:p−ニトロベンジルエステル BOc:t−ブトキシカルボニル DCHA:ジシクロヘキシルアミン なお実施例中のRf値はシリカゲルGF254プレート
(メルク社製)を用い、n−ブタノールニ酢酸:水(
4:1:1)で展関し測定したものである。
:N,N″−ジシクロヘキシカルボジイミ ドHOSU
:N−ヒドロキシコハク酸イミドー0Bz1●TOsO
H.ベンジルエステルp−トルエ ンスルホン酸塩−0
SU:N−ヒドロキシコハク酸イミドエステノレー0M
e:メチルエステル ー0Nb:p−ニトロベンジルエステル BOc:t−ブトキシカルボニル DCHA:ジシクロヘキシルアミン なお実施例中のRf値はシリカゲルGF254プレート
(メルク社製)を用い、n−ブタノールニ酢酸:水(
4:1:1)で展関し測定したものである。
実施例1
(1) (2RS,3R)−AHPAの合成Z−(2R
S,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−フェニ
ルブチロニトリルの油状物35.4yを濃塩酸300m
11ジオキサン300m1に溶かし、アニソール21.
2yを加えて1満間加熱還流する。
S,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−フェニ
ルブチロニトリルの油状物35.4yを濃塩酸300m
11ジオキサン300m1に溶かし、アニソール21.
2yを加えて1満間加熱還流する。
ジオキサンを減圧で留去し、塩酸溶液をエーテルで洗滌
し、水層を減圧濃縮、乾固する。
し、水層を減圧濃縮、乾固する。
次いで残渣に水200mLを加え、不溶物を沖去し、同
量のアセトンを加えたのちアンモニア水でPH5.5に
調節する。一夜冷蔵庫に放置し、析出した結晶を沖取し
て(2RS,3R)−AFIPAl3.66qを得る。
量のアセトンを加えたのちアンモニア水でPH5.5に
調節する。一夜冷蔵庫に放置し、析出した結晶を沖取し
て(2RS,3R)−AFIPAl3.66qを得る。
〔α〕く了.+16.8F(c=1.25,1NHC1
),RfO.23,O.26元素分析値(ClOHl3
NO3として)実測値C:61.06%,H:6.55
%,N:6.80%理論値C:61.52%,H:6.
71%,N:7.18%(2)Z−(2S,3R)−A
FIPAの合成 (2RS,3R)−AHPAl3.6
6yを1N水酸化ナトリウム水溶液70m1に溶かし、
氷冷下激しく攪拌しながら、塩化ベンゾイルオキシカル
ボニル15TILt11N水酸化ナトリウム水溶液70
m1を3回に分けて3吟間て加える。
),RfO.23,O.26元素分析値(ClOHl3
NO3として)実測値C:61.06%,H:6.55
%,N:6.80%理論値C:61.52%,H:6.
71%,N:7.18%(2)Z−(2S,3R)−A
FIPAの合成 (2RS,3R)−AHPAl3.6
6yを1N水酸化ナトリウム水溶液70m1に溶かし、
氷冷下激しく攪拌しながら、塩化ベンゾイルオキシカル
ボニル15TILt11N水酸化ナトリウム水溶液70
m1を3回に分けて3吟間て加える。
滴加後、氷冷下で1時間、室温て3時間激しく攪拌する
。反応後、? 塩酸を加えて、PHlに調整する。
。反応後、? 塩酸を加えて、PHlに調整する。
油状物が析出するのて、酢酸エチル100m1で2回抽
出し、酢酸エチル層を合し水洗し、無水硫酸マグネシウ
ムで脱水乾燥する。硫酸マグネシウムを戸去し、減圧で
濃縮し、残渣を酢酸エチルー石油エーテルから再結晶し
て光学不純なZ−(2R,3R)−AHPA8.48y
を得る。
出し、酢酸エチル層を合し水洗し、無水硫酸マグネシウ
ムで脱水乾燥する。硫酸マグネシウムを戸去し、減圧で
濃縮し、残渣を酢酸エチルー石油エーテルから再結晶し
て光学不純なZ−(2R,3R)−AHPA8.48y
を得る。
母液を減圧で濃縮し、石油エーテルで結晶化して光学不
純なZ−(2S,3R)−AFIPA8.O7yを得る
。M.p.l42−143℃、〔α〕?98+70.2
y(c=1.44、AcOH)上記で得られた光学不純
なZ−(2S,3R)一AHPA8.OOyとブルシン
・2水和物10.35yを酢酸エチル300m1および
10m1のメタノールに加熱して溶かし、泊過する。
純なZ−(2S,3R)−AFIPA8.O7yを得る
。M.p.l42−143℃、〔α〕?98+70.2
y(c=1.44、AcOH)上記で得られた光学不純
なZ−(2S,3R)一AHPA8.OOyとブルシン
・2水和物10.35yを酢酸エチル300m1および
10m1のメタノールに加熱して溶かし、泊過する。
淵液を放令するとZ−(2S,3R)−AHPAのブル
シン塩が析出してくるのでこれを淵取し、酢酸エチルか
ら2回再結晶して純粋なZ−(2S,3R)−AHPA
のブルシン塩13.51yを得る。M.p.l443C
l〔α〕帰.+33.8H(c=1.12、AcOH)
この結晶13.5yを酢酸エチル150m1に懸濁し、
1N塩酸30m1でブルシンを除去し、酢酸エチル層を
水洗し無水硫酸マグネシウムで脱水乾燥する。
シン塩が析出してくるのでこれを淵取し、酢酸エチルか
ら2回再結晶して純粋なZ−(2S,3R)−AHPA
のブルシン塩13.51yを得る。M.p.l443C
l〔α〕帰.+33.8H(c=1.12、AcOH)
この結晶13.5yを酢酸エチル150m1に懸濁し、
1N塩酸30m1でブルシンを除去し、酢酸エチル層を
水洗し無水硫酸マグネシウムで脱水乾燥する。
硫酸マグネシウムを沖去し、酢酸エチルを減圧で留去し
、酢酸エチルー石油エーテルから再結晶してZ−(2S
,3R)一AHPA6.2lyを得る。
、酢酸エチルー石油エーテルから再結晶してZ−(2S
,3R)一AHPA6.2lyを得る。
M.p.l54.5℃、〔α〕く?8+83.5AcO
H)実施例2 (2RS,3R)−AHPAの合成 (2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−
フェニルブチロニトリル塩酸塩11.0ダを6N,塩酸
200m1と4時間、加熱還流する。
H)実施例2 (2RS,3R)−AHPAの合成 (2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−
フェニルブチロニトリル塩酸塩11.0ダを6N,塩酸
200m1と4時間、加熱還流する。
減圧で塩酸を留去し、水200m1を加えて、再び減圧
濃縮する。得られる固形物に水100m1を加え、不溶
物を?去し、同量のアセトンを加え、アンモニア水でP
H5.5に調整し、冷蔵庫中に一夜放置する。析出した
結晶を?取し、水−アセトン(11)の溶液て洗滌して
(2RS,3R)一A1(PA6.l9yを得る。実施
例3 (1)Z−(2S,3S)一.AI(PAの合成実施例
1(1)および(2)と同様にして得られるZ一(2R
S,?)−AHPA7.75yとデヒドロアビエチルア
ミン6.69yとから塩を作り、そのうちからエーテル
に難溶性のZ−(2R,3S)一AFIPAのデヒドロ
アビエチルアミン塩を沖別する。
濃縮する。得られる固形物に水100m1を加え、不溶
物を?去し、同量のアセトンを加え、アンモニア水でP
H5.5に調整し、冷蔵庫中に一夜放置する。析出した
結晶を?取し、水−アセトン(11)の溶液て洗滌して
(2RS,3R)一A1(PA6.l9yを得る。実施
例3 (1)Z−(2S,3S)一.AI(PAの合成実施例
1(1)および(2)と同様にして得られるZ一(2R
S,?)−AHPA7.75yとデヒドロアビエチルア
ミン6.69yとから塩を作り、そのうちからエーテル
に難溶性のZ−(2R,3S)一AFIPAのデヒドロ
アビエチルアミン塩を沖別する。
枦液を減圧で濃縮し、得られる油状物を酢酸エチルー1
N塩酸で処理して粗製のZ一(2S,3S)−AHPA
の結晶を得る。
N塩酸で処理して粗製のZ一(2S,3S)−AHPA
の結晶を得る。
この結晶を酢酸エチルー石油エーテルで2回再結晶して
純粋なZ−(2S,3S)−AHPA2.l6qを得る
。M.p.l75〜176−C1〔α〕守98+5.6
。(c=1.39,AcOH)実施例4 (2RS,3R)−Me−1seの合成 Z−(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシプ
ロビオニトリル9.0yを実施例1(1)と同様に処理
して(2RS,3R)−Me−1se3.16Vを得る
。
純粋なZ−(2S,3S)−AHPA2.l6qを得る
。M.p.l75〜176−C1〔α〕守98+5.6
。(c=1.39,AcOH)実施例4 (2RS,3R)−Me−1seの合成 Z−(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシプ
ロビオニトリル9.0yを実施例1(1)と同様に処理
して(2RS,3R)−Me−1se3.16Vを得る
。
〔α〕?8−0.6,(c=1.10,1NHC1),
RfO元素分析値 (C4H9NO3として)実測値C
:40.53%,H:7.51%,N:11.95%理
論値C:40.33%,H:7.62%,N:11.7
6%実施例5(2RS,3R)−1s0−Bu−1se
の合成Z−(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー5−メチルヘキサノニトリルの2.76yを濃塩
酸30TrLtとジオキサン30m1の混液に溶かし、
これにアニソール2.16yを加え、4時間加熱還流す
る。
RfO元素分析値 (C4H9NO3として)実測値C
:40.53%,H:7.51%,N:11.95%理
論値C:40.33%,H:7.62%,N:11.7
6%実施例5(2RS,3R)−1s0−Bu−1se
の合成Z−(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー5−メチルヘキサノニトリルの2.76yを濃塩
酸30TrLtとジオキサン30m1の混液に溶かし、
これにアニソール2.16yを加え、4時間加熱還流す
る。
ジオキサンを減圧で留去し、残液をエーテルで洗滌し、
次いで水層を減圧で濃縮乾固する。残渣を水に溶かし、
50〜100メッシュのダウエツクス850×4(H型
)樹脂50m1を充填したカラムを通過させ、カラムを
水洗したのち、心 アンモニア水で溶出し、溶出液を減
圧で濃縮乾固する。残渣に水−アセトン(1:1)を加
え、析出する結晶を沖取して(2RS,3R)−1s0
−Bu−1se0.82yを得る。
次いで水層を減圧で濃縮乾固する。残渣を水に溶かし、
50〜100メッシュのダウエツクス850×4(H型
)樹脂50m1を充填したカラムを通過させ、カラムを
水洗したのち、心 アンモニア水で溶出し、溶出液を減
圧で濃縮乾固する。残渣に水−アセトン(1:1)を加
え、析出する結晶を沖取して(2RS,3R)−1s0
−Bu−1se0.82yを得る。
〔α〕?8−8.3
この(2RS,3R)−1s0−Bu−1seをベンジ
ルオキシカルボニル化すると油状のZ−(2RS,3R
)−1s0−Bu−1seが得られる。
ルオキシカルボニル化すると油状のZ−(2RS,3R
)−1s0−Bu−1seが得られる。
実施例6(2RS,3R)−Ph−1seの合成
Z−(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシー
3−フェニルプロビオニトリル3.0yを実施例1(1
)と同様に処理して(2RS,3R)−Ph−IseO
.8yを得る。
3−フェニルプロビオニトリル3.0yを実施例1(1
)と同様に処理して(2RS,3R)−Ph−IseO
.8yを得る。
〔α〕く号.+9.5。
(c=1.0,1NHC1),RfO.l3,O.l7
(スレオ体、エリスロ体が薄層板上で分離する。
(スレオ体、エリスロ体が薄層板上で分離する。
)元素分析値 (C9Hェ,NO3として)実測値C:
59.18%,H:6.15%,N:7.67%理論値
C:59.66%,H:6.12%,N:7.73%実
施例7(2RS,3RS)−AHPA(p−Cl)の合
成Z−(2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキ
シー4−p−クロルフェニルブチロニトリル10.3y
を実施例1(1)と同様に処理して(2RS,3RS)
−AHPA(p−C1)3.10yを得る。
59.18%,H:6.15%,N:7.67%理論値
C:59.66%,H:6.12%,N:7.73%実
施例7(2RS,3RS)−AHPA(p−Cl)の合
成Z−(2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキ
シー4−p−クロルフェニルブチロニトリル10.3y
を実施例1(1)と同様に処理して(2RS,3RS)
−AHPA(p−C1)3.10yを得る。
RfO.25元素分析値 (ClOHl2NO3Clと
して)実測値C:52泪%,H:5.17%,N:5.
99%理論値C:52.29%,H:5.27%,N:
6.10%この(2RS,3RS)−Al(PA(p−
C1)をベンジルオキシカルボニル化するとZ−(2R
S,3RS)−AHpA(p−Cl)(M.p.l4r
c)が得られる。実施例8(2RS,3RS)−AHP
A(0−C1)の合成Z−(2RS,3RS)−3−ア
ミノー2−ヒドロキシー4−0−クロルフェニルブチロ
ニトリル10.3yを実施例1(1)と同様に処理して
、(2RS,3RS)−AHPA(0−C1)4.82
Vを得る。
して)実測値C:52泪%,H:5.17%,N:5.
99%理論値C:52.29%,H:5.27%,N:
6.10%この(2RS,3RS)−Al(PA(p−
C1)をベンジルオキシカルボニル化するとZ−(2R
S,3RS)−AHpA(p−Cl)(M.p.l4r
c)が得られる。実施例8(2RS,3RS)−AHP
A(0−C1)の合成Z−(2RS,3RS)−3−ア
ミノー2−ヒドロキシー4−0−クロルフェニルブチロ
ニトリル10.3yを実施例1(1)と同様に処理して
、(2RS,3RS)−AHPA(0−C1)4.82
Vを得る。
RfO.25。O.29(スレオ体、エリスロ体が薄層
板上で分離する。)元素分析値 (ClOFIl2NO
3Clとして)実測値C:52.01%,H:5.17
%,N:5.91%理論値C:52.29%,H:5.
27%,N:6.10%この(2RS,3RS)−AH
PA(0−C1)をベンジルオキシカルボニル化すると
、Z−(2RS,3RS)−AHPA(0−Cl)(M
.p.l36.5゜C)が得られる。
板上で分離する。)元素分析値 (ClOFIl2NO
3Clとして)実測値C:52.01%,H:5.17
%,N:5.91%理論値C:52.29%,H:5.
27%,N:6.10%この(2RS,3RS)−AH
PA(0−C1)をベンジルオキシカルボニル化すると
、Z−(2RS,3RS)−AHPA(0−Cl)(M
.p.l36.5゜C)が得られる。
実施例9
(2RS,3RS)−AFIPA(p−Me)の合成Z
−(2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキシー
4−p−メチルフェニルブチロニトリル11.20yを
実施例1(1)と同様に処理して(2RS,3RS)−
AllPA(p−Me)3.41yを得る。
−(2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキシー
4−p−メチルフェニルブチロニトリル11.20yを
実施例1(1)と同様に処理して(2RS,3RS)−
AllPA(p−Me)3.41yを得る。
RfO.2O元素分析値 (CllHl5NO3として
)実測値C:62.94%,H:7.01%,N:6.
79%理論値C:63.14%,H:7.23%,N:
6.99%この(2RS,3RS)−AHPA(p−M
e)をベンジルオキシカルボニル化するとZ−(2RS
,3RS)−AHPA(p−Me)のDCHA塩(M.
p.l666.5〜168MC)が得られる。実施例1
0(2RS,3RS)−AllPA(p−0H)の合成
Z−(2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキシ
ー4−p−メトキシフェニルブチロニトリル22.0y
を実施例1(1)と同様に処理して、(2RS,3RS
)−AlIPA(p−0H)6.73Vを得る。
)実測値C:62.94%,H:7.01%,N:6.
79%理論値C:63.14%,H:7.23%,N:
6.99%この(2RS,3RS)−AHPA(p−M
e)をベンジルオキシカルボニル化するとZ−(2RS
,3RS)−AHPA(p−Me)のDCHA塩(M.
p.l666.5〜168MC)が得られる。実施例1
0(2RS,3RS)−AllPA(p−0H)の合成
Z−(2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキシ
ー4−p−メトキシフェニルブチロニトリル22.0y
を実施例1(1)と同様に処理して、(2RS,3RS
)−AlIPA(p−0H)6.73Vを得る。
この(2RS,3RS)−AHPA(p−0H)をベン
ジルオキシカルボニル化すると、Z−(2RS,3RS
)−AHPA(p−0Z)(M.p.l38〜140℃
)が得られる。参考例1 ベンジルオキシカルボニルー(2RS,3R)−3−ア
ミノー2−ヒドロキシー4−フェニルブチロニトリルの
合成亜硫酸水素ナトリウム20.8yと水50m1の溶
液に油状のZ−(R)−フエニルアラニナール約52.
7yを加え、分離した物質を戸取し、水およびエーテル
て洗滌して粗製の2−ベンジルオキシカルボニルアミノ
ー1−ヒドロキシー3−フェニルプロパンスルホン酸の
ナトリウム塩77yを得る。
ジルオキシカルボニル化すると、Z−(2RS,3RS
)−AHPA(p−0Z)(M.p.l38〜140℃
)が得られる。参考例1 ベンジルオキシカルボニルー(2RS,3R)−3−ア
ミノー2−ヒドロキシー4−フェニルブチロニトリルの
合成亜硫酸水素ナトリウム20.8yと水50m1の溶
液に油状のZ−(R)−フエニルアラニナール約52.
7yを加え、分離した物質を戸取し、水およびエーテル
て洗滌して粗製の2−ベンジルオキシカルボニルアミノ
ー1−ヒドロキシー3−フェニルプロパンスルホン酸の
ナトリウム塩77yを得る。
この物質68yを水250wL1に懸濁し、10〜12
し、エーテル50070.1を加えたのち、青酸カリウ
ム13yを水100m1に溶かした溶液を30分て滴下
す−る。滴下後室温で3時間放置したのち、エーテル層
を分取し、エーテル層を食塩水で洗滌し、無水硫酸マグ
ネシウムで脱水乾燥する。
し、エーテル50070.1を加えたのち、青酸カリウ
ム13yを水100m1に溶かした溶液を30分て滴下
す−る。滴下後室温で3時間放置したのち、エーテル層
を分取し、エーテル層を食塩水で洗滌し、無水硫酸マグ
ネシウムで脱水乾燥する。
硫酸マグネシウムを戸去し、エーテルを減圧で−留去し
て油状のベンジルオキシカルボニルー(2RS,3R)
−3−アミノー2−ヒドロキシー4−フェニルブチロニ
トリル49yを得る。
て油状のベンジルオキシカルボニルー(2RS,3R)
−3−アミノー2−ヒドロキシー4−フェニルブチロニ
トリル49yを得る。
本発明で使用した他のニトリル誘導体も上記と同様にし
て得ることができる。
て得ることができる。
参考例2
(1)Z−(2S,3R)−AHPA−(S)上Eu−
0Bz1の合成Z−(2S,3R)−AHPA2.25
y..HOBt945mgをテトラヒドロフラン70T
rLtに溶かし、(S)一Leu−0Bz1●TOSO
H2.75ダを加えたのち、トリエチルアミン0.98
mtで中和する。
0Bz1の合成Z−(2S,3R)−AHPA2.25
y..HOBt945mgをテトラヒドロフラン70T
rLtに溶かし、(S)一Leu−0Bz1●TOSO
H2.75ダを加えたのち、トリエチルアミン0.98
mtで中和する。
溶液を−5℃に冷却したのち、DCCDl.4Oyを加
え、一夜反応させる。テトラヒドロフランを減圧で留去
し、酢酸エチル200m1を加え、不溶物を淵去する。
1N硫酸、水、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順
で洗滌したのち無水硫酸マグネシウムで脱水乾燥する。
え、一夜反応させる。テトラヒドロフランを減圧で留去
し、酢酸エチル200m1を加え、不溶物を淵去する。
1N硫酸、水、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順
で洗滌したのち無水硫酸マグネシウムで脱水乾燥する。
硫酸マグネシウムを沖去し、沖液を減圧濃縮して得られ
る残渣を酢酸エチルー石油エーテルで固化させる。固化
物を同じ溶媒で再結晶してZ−(2S,3R)−AHP
A−(S)−レu−0Bz1の結晶3.26yを得る。
M.p.l22〜3℃、〔α〕?8+14.22(c=
1、AcOH)元素分析値 (C3lH36N2O6と
して)実測値C:69.66%,H:7.01%,N:
5.13%理論値C:69.90%,H:6.81%,
N:5.26%)) (2S,3R)−3−アミノー2
−ヒドロキシー4−フェニルプタノイルー(S)一ロイ
シンの合成Z−(2S,3R)−AHPA−(S)−?
u−0Bz13.22fをメタノール100mtに溶か
し、パラジウム黒100m9を加え、常圧で3時間、接
触還元を行う。
る残渣を酢酸エチルー石油エーテルで固化させる。固化
物を同じ溶媒で再結晶してZ−(2S,3R)−AHP
A−(S)−レu−0Bz1の結晶3.26yを得る。
M.p.l22〜3℃、〔α〕?8+14.22(c=
1、AcOH)元素分析値 (C3lH36N2O6と
して)実測値C:69.66%,H:7.01%,N:
5.13%理論値C:69.90%,H:6.81%,
N:5.26%)) (2S,3R)−3−アミノー2
−ヒドロキシー4−フェニルプタノイルー(S)一ロイ
シンの合成Z−(2S,3R)−AHPA−(S)−?
u−0Bz13.22fをメタノール100mtに溶か
し、パラジウム黒100m9を加え、常圧で3時間、接
触還元を行う。
触媒を淵去し、溶媒を減圧濃縮後メタノ−ルー酢酸エチ
ルから再結晶して(2S,3R)−3−アミノー2−ヒ
ドロキシー4−フェニルプタノイルー(S)一ロイシン
889mgを得る。M.p.233〜236)C(分解
) 〔α〕?8−23.56(c=0.48,Ac0H),
RfO.48元素分析値 (Cl6H24N2O4とし
て)実測値C:62.61%,H:7.86%,N:8
.83%理論値C:62.31%,H:7.85%,N
:9.09%容考例31)Z−(2RS,3R)−Me
−1se−(S)上Eu一0Bz1の合成(2RS,3
R)−Me−1seをベンジルオキシカルボニル化して
得た油状のZ−(2RS,3R)一Me−1se1.1
0qと(S)上Eu−0Bz1●TOSOHl.97f
l..HOBt67.5m9、トリエチルアミン0.7
mt.,DCCD948m9を参考例2(1)と同様に
処理して油状のZ−(2RS,3R)−Me−1se−
(S)−レu−0Bz1を得る。
ルから再結晶して(2S,3R)−3−アミノー2−ヒ
ドロキシー4−フェニルプタノイルー(S)一ロイシン
889mgを得る。M.p.233〜236)C(分解
) 〔α〕?8−23.56(c=0.48,Ac0H),
RfO.48元素分析値 (Cl6H24N2O4とし
て)実測値C:62.61%,H:7.86%,N:8
.83%理論値C:62.31%,H:7.85%,N
:9.09%容考例31)Z−(2RS,3R)−Me
−1se−(S)上Eu一0Bz1の合成(2RS,3
R)−Me−1seをベンジルオキシカルボニル化して
得た油状のZ−(2RS,3R)一Me−1se1.1
0qと(S)上Eu−0Bz1●TOSOHl.97f
l..HOBt67.5m9、トリエチルアミン0.7
mt.,DCCD948m9を参考例2(1)と同様に
処理して油状のZ−(2RS,3R)−Me−1se−
(S)−レu−0Bz1を得る。
このものは薄層クロマトグラフィで単一であることが証
明された。
明された。
2) (2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキシ
プロピオニルー(S)一ロイシンの合成(1)で得られ
たZ−(2RS,3R)−Me−1se一(S)上Eu
−0Bz1をそのまま参考例2(2)と同時に水素添加
処理して(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキ
シプロピオニルー(S)ーロイシン765mgを得る。
プロピオニルー(S)一ロイシンの合成(1)で得られ
たZ−(2RS,3R)−Me−1se一(S)上Eu
−0Bz1をそのまま参考例2(2)と同時に水素添加
処理して(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキ
シプロピオニルー(S)ーロイシン765mgを得る。
〔α〕?8−28.7
元素分析値 (ClOH2ON2O4として)実測値C
:51.49%,H:8.42%,N:11.96%理
論値C:51.70%,H:8.58%,N:12.0
6%参考例4 (1) (2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキ
シー5−メチルヘキサノイルー(S)一ロイシンの合成
(2RS,3R)−1s0−Bu−1seをベンジル
オキシカルボニル化して得られる油状のZ−(2RS,
3R)−1s0−Bu−1se1.32yと(S)一F
u−0Bz1●TOSOHl.76y,HOBtO.6
Oylトリエチルアミン0.63m1、DCCDO.9
2yを用い、参考例2(1)と同様に処理してZ−(2
RS,3R)−1s0−Bu−1se−(S)上Eu−
0Bz1N油状物を得る。
:51.49%,H:8.42%,N:11.96%理
論値C:51.70%,H:8.58%,N:12.0
6%参考例4 (1) (2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロキ
シー5−メチルヘキサノイルー(S)一ロイシンの合成
(2RS,3R)−1s0−Bu−1seをベンジル
オキシカルボニル化して得られる油状のZ−(2RS,
3R)−1s0−Bu−1se1.32yと(S)一F
u−0Bz1●TOSOHl.76y,HOBtO.6
Oylトリエチルアミン0.63m1、DCCDO.9
2yを用い、参考例2(1)と同様に処理してZ−(2
RS,3R)−1s0−Bu−1se−(S)上Eu−
0Bz1N油状物を得る。
この油状物をそのまま参考例2(2)と同様に水素添加
処理して、(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー5−メチルヘキサノイルー(S)一ロイシン0.
37yを得る。
処理して、(2RS,3R)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー5−メチルヘキサノイルー(S)一ロイシン0.
37yを得る。
〔α〕く98−26.6y(c=1.0,Ac0H)
.RfO.43,O.49(スレオ体、エリスロ体が薄
層板上で分離する。
.RfO.43,O.49(スレオ体、エリスロ体が薄
層板上で分離する。
)元素分析値 (Cl3H23N2Olとして)実測値
C:57.01%,H:9.80%,N:10.14%
理論値C:56.91%,H:9.55%,N:10.
21%参考例5 (1)Z−(2RS,3R)−Ph−1se−(S)上
Eu一0Bz1の合成 (2RS,3R)−Ph−1s
eをベンジルオキシカルボニル化して得られるZ−(2
RS,3R)−Ph−1seCm.p.170〜171
℃、〔α〕?98+18.5■(c=0.47,Ac0
I()〕250mgと(S)−しu一0Bz1●TOS
OH394m9、HOBtl3Omg、トリエチルアミ
ン0.14m1,.DCCD165mgを用い参考例2
(1)と同様に処理してZ−(2RS,3R)−Ph−
Ise−(S)上Eu−0Bz1285mgを得る。
C:57.01%,H:9.80%,N:10.14%
理論値C:56.91%,H:9.55%,N:10.
21%参考例5 (1)Z−(2RS,3R)−Ph−1se−(S)上
Eu一0Bz1の合成 (2RS,3R)−Ph−1s
eをベンジルオキシカルボニル化して得られるZ−(2
RS,3R)−Ph−1seCm.p.170〜171
℃、〔α〕?98+18.5■(c=0.47,Ac0
I()〕250mgと(S)−しu一0Bz1●TOS
OH394m9、HOBtl3Omg、トリエチルアミ
ン0.14m1,.DCCD165mgを用い参考例2
(1)と同様に処理してZ−(2RS,3R)−Ph−
Ise−(S)上Eu−0Bz1285mgを得る。
M.p.93〜95℃,〔α〕?%−84.7得(c=
0.49,Ac0H))) (2RS,3R)−3−ア
ミノー2−ヒドロキシー3−フェニルプロピオニルー(
S)一ロイシンの合成z−(2RS,3R)−Ph−1
se−(S)上Eu一0Bz1200mgを参考例2(
2)と同様に水素添加処理して、(2RS,3R)−3
−アミノー2−ヒドロキシー3−フェニルプロピオニル
ー(S)ーロイシン45m9を得る。
0.49,Ac0H))) (2RS,3R)−3−ア
ミノー2−ヒドロキシー3−フェニルプロピオニルー(
S)一ロイシンの合成z−(2RS,3R)−Ph−1
se−(S)上Eu一0Bz1200mgを参考例2(
2)と同様に水素添加処理して、(2RS,3R)−3
−アミノー2−ヒドロキシー3−フェニルプロピオニル
ー(S)ーロイシン45m9を得る。
〔α〕?ワ。
−2.4る(c=0.33,Ac0H),RfO.36
,O.45(スレオ体、エリスロ体が薄層板上で分離す
る。
,O.45(スレオ体、エリスロ体が薄層板上で分離す
る。
)元素分析値 (Cl5H22N2O4として)実測値
C:60.22%,H:7.67%,N:9.46%理
論値C:61.20%,H:7.53%,N:9.52
%ド考例6 .)Z−(2RS,3RS)−AHPA(p−C1)−
(S)−Fu−0BzIの合成(2RS,3RS)−A
HPA(p−Cl)をベンジルオキシカルボニル化して
得られるZ一(2RS,3RS)−AHPA(p−C1
)(M.p.l47℃)1.81yと(S)−1j2u
−0Bz1◆TOSOH2.37y.,HOBt8lO
mgトリエチルアミン0.8477111DCCD1.
03yを用い、実施例2(1)と同様に処理してZ−(
2RS,3RS)−AH[11)A(p−Cl)−(S
)−レU−0BzI2.50yを得る。
C:60.22%,H:7.67%,N:9.46%理
論値C:61.20%,H:7.53%,N:9.52
%ド考例6 .)Z−(2RS,3RS)−AHPA(p−C1)−
(S)−Fu−0BzIの合成(2RS,3RS)−A
HPA(p−Cl)をベンジルオキシカルボニル化して
得られるZ一(2RS,3RS)−AHPA(p−C1
)(M.p.l47℃)1.81yと(S)−1j2u
−0Bz1◆TOSOH2.37y.,HOBt8lO
mgトリエチルアミン0.8477111DCCD1.
03yを用い、実施例2(1)と同様に処理してZ−(
2RS,3RS)−AH[11)A(p−Cl)−(S
)−レU−0BzI2.50yを得る。
M.p.l22〜124℃,〔α〕?8−12.3−(
c=3.18,Ac0H))) (2RS,3RS)−
3−アミノー2−ヒドロキシー4−p−クロルフェニル
プタノイルー(S)一ロイシンの合成 Z−(2RS,3RS)−AHPA(p−C1)−(S
)上Eu−0Bz11.5qを参考例2(2)と同様に
水素添加処理して(2RS,3RS)−3−アミノー2
−ヒドロキシー4−p−クロルフェニルプタノイルー(
S)一ロイシン650mgを得る。
c=3.18,Ac0H))) (2RS,3RS)−
3−アミノー2−ヒドロキシー4−p−クロルフェニル
プタノイルー(S)一ロイシンの合成 Z−(2RS,3RS)−AHPA(p−C1)−(S
)上Eu−0Bz11.5qを参考例2(2)と同様に
水素添加処理して(2RS,3RS)−3−アミノー2
−ヒドロキシー4−p−クロルフェニルプタノイルー(
S)一ロイシン650mgを得る。
〔α〕??8−11.3イ(c=1.33,Ac0H)
,RfO.42,O.52(スレオ体、エリスロ体が薄
層板上で分離する。
,RfO.42,O.52(スレオ体、エリスロ体が薄
層板上で分離する。
)元素分析値 (Cl6H23N2O4Clとして)実
測値C:55.88%,H:7.29%,N:8.11
理論値C:56.05%,H:6.76%,N:8.1
7%参考例7 (1) (2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー4−p−メチルフェニルプタノイルー(S)一ロ
イシンの合成 (2RS,3RS)−AlIPA(p−Me)をベン
ジルオキシカルボニル化して得られるZ一(2RS,3
RS)−AHPA(p−Me)のDCHA塩(M.p.
l66.5〜168゜C)1.57yと(S)上Eu一
0BZ1・TOSOHl.42y.SHOBt486m
g、トリエチルアミン0.50Tn1..DCCD61
8mgを常法により処理して油状のZ−(2RS,3R
S)−AHPA(p−Me)−(S)上Eu−0Bz1
を定量的に得る。
測値C:55.88%,H:7.29%,N:8.11
理論値C:56.05%,H:6.76%,N:8.1
7%参考例7 (1) (2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒドロ
キシー4−p−メチルフェニルプタノイルー(S)一ロ
イシンの合成 (2RS,3RS)−AlIPA(p−Me)をベン
ジルオキシカルボニル化して得られるZ一(2RS,3
RS)−AHPA(p−Me)のDCHA塩(M.p.
l66.5〜168゜C)1.57yと(S)上Eu一
0BZ1・TOSOHl.42y.SHOBt486m
g、トリエチルアミン0.50Tn1..DCCD61
8mgを常法により処理して油状のZ−(2RS,3R
S)−AHPA(p−Me)−(S)上Eu−0Bz1
を定量的に得る。
この油状物を参考例2(2)と同様に処理して(2RS
,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−p−メ
チルフェニルプタノイルー(S)ーロイシン497m9
を得る。
,3RS)−3−アミノー2−ヒドロキシー4−p−メ
チルフェニルプタノイルー(S)ーロイシン497m9
を得る。
〔α〕ξワ.−7.2得(c=0.96,Ac0H)
,RfO.58,O.53(スレオ体、エリスロ体が薄
層板上で分離する。
,RfO.58,O.53(スレオ体、エリスロ体が薄
層板上で分離する。
)元素分析値 (Cl7H35N2O4として)実測値
C:63.08%,H:8.23%,N:8.49%理
論値C:63.33%,H:8.13%,N:8.69
ド考例8) (2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒ
ドロキシー4−p−ヒドロキシフェニルプタノイルー(
S)一ロイシンの合成(2RS,斌S)−AHPA(p
−0H)をベンジルオキシカルボニル化して得られるZ
−(2RS,3RS)−AlIPA(p−0Z)(M.
p.l38〜140℃)479mgと(S)上Eu−0
Bz1T0s0H472m9,H0Bt162m9、ト
リエチルアミン0.168m1,DCCD206m9を
用いて実施例2(1)と同様に処理してZ−(2RS,
3RS)−AHPA(p一0Z)−(S)−レU−0B
Z1450m9を得る。
C:63.08%,H:8.23%,N:8.49%理
論値C:63.33%,H:8.13%,N:8.69
ド考例8) (2RS,3RS)−3−アミノー2−ヒ
ドロキシー4−p−ヒドロキシフェニルプタノイルー(
S)一ロイシンの合成(2RS,斌S)−AHPA(p
−0H)をベンジルオキシカルボニル化して得られるZ
−(2RS,3RS)−AlIPA(p−0Z)(M.
p.l38〜140℃)479mgと(S)上Eu−0
Bz1T0s0H472m9,H0Bt162m9、ト
リエチルアミン0.168m1,DCCD206m9を
用いて実施例2(1)と同様に処理してZ−(2RS,
3RS)−AHPA(p一0Z)−(S)−レU−0B
Z1450m9を得る。
M.p.98〜99℃,〔α〕A■−14.0を(c=
0.58,Ac0H)得られたZ−(2RS,3RS)
−AHPA(p−0Z)−(S)上Eu−0Bz140
0mgを実施例2(2)と同様に処理して(2RS,3
RS)一AI(PA(p−0H)一(S)上Eu2l9
mgを得る。 〔α〕g?8−8.8)(c=0.90
,Ac0H),RfO.5l,O.33(スレオ体、エ
リスロ体が薄層板上て分離する。
0.58,Ac0H)得られたZ−(2RS,3RS)
−AHPA(p−0Z)−(S)上Eu−0Bz140
0mgを実施例2(2)と同様に処理して(2RS,3
RS)一AI(PA(p−0H)一(S)上Eu2l9
mgを得る。 〔α〕g?8−8.8)(c=0.90
,Ac0H),RfO.5l,O.33(スレオ体、エ
リスロ体が薄層板上て分離する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1は炭素数2以上の低級アルキル基、ベンジ
ル基または、置換基としてハロゲン原子、低級アルキル
基またはヒドロキシ基を有するベンジル基を示す。 またアミノ基はウレタン型保護基で保護されてウレタン
基となつていてもよい。)で表わされる3−アミノ−2
−ヒドロキシプロピオン酸誘導体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB30632/75A GB1510477A (en) | 1975-07-22 | 1975-07-22 | Peptides and to amino acid intermediates thereof |
| GB30632/75 | 1975-07-22 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8599276A Division JPS52136118A (en) | 1975-07-22 | 1976-07-21 | Modification of bestatin and analogous compounds and their preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823654A JPS5823654A (ja) | 1983-02-12 |
| JPS6050780B2 true JPS6050780B2 (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=10310676
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8599276A Granted JPS52136118A (en) | 1975-07-22 | 1976-07-21 | Modification of bestatin and analogous compounds and their preparation |
| JP57066233A Expired JPS6050780B2 (ja) | 1975-07-22 | 1982-04-22 | 3−アミノ−2−ヒドロキシプロピオン酸誘導体 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8599276A Granted JPS52136118A (en) | 1975-07-22 | 1976-07-21 | Modification of bestatin and analogous compounds and their preparation |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
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| AU (1) | AU506003B2 (ja) |
| CA (1) | CA1104156A (ja) |
| CH (1) | CH630892A5 (ja) |
| CS (2) | CS201034B2 (ja) |
| DE (2) | DE2660626C2 (ja) |
| DK (1) | DK149110C (ja) |
| FR (1) | FR2318863A1 (ja) |
| GB (1) | GB1510477A (ja) |
| HU (1) | HU183048B (ja) |
| NL (1) | NL7608064A (ja) |
| SE (3) | SE431642B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE2725732C2 (de) | 1977-06-07 | 1983-01-05 | Zaidan Hojin Biseibutsu Kagaku Kenkyu Kai, Tokyo | Bestatin-Analoga, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese Verbindungen enthaltende pharmazeutische Präparate |
| DE2760007C2 (ja) * | 1977-06-07 | 1988-10-06 | Microbial Chem Res Found | |
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| JPH0810855Y2 (ja) * | 1989-07-20 | 1996-03-29 | タナシン電機株式会社 | オートリバース式テープレコーダ |
| DE69420524T2 (de) * | 1993-06-29 | 2000-02-17 | Kaneka Corp., Osaka | Verfahren zur herstellung von derivaten von 3-amin-2-hydroxy-4-phenylbuttersäure und 1-nitro-4-phenyl-2-butanol zwischenprodukte |
| ATE284863T1 (de) * | 1996-02-08 | 2005-01-15 | Nippon Kayaku Kk | Verfahren zur erzeugung optisch aktiver cyanohydrine |
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-
1975
- 1975-07-22 GB GB30632/75A patent/GB1510477A/en not_active Expired
-
1976
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- 1976-07-15 AU AU15912/76A patent/AU506003B2/en not_active Expired
- 1976-07-16 CS CS793519A patent/CS201034B2/cs unknown
- 1976-07-16 CS CS764736A patent/CS201033B2/cs unknown
- 1976-07-19 DE DE2660626A patent/DE2660626C2/de not_active Expired
- 1976-07-19 DE DE2632396A patent/DE2632396C2/de not_active Expired
- 1976-07-20 CA CA257,393A patent/CA1104156A/en not_active Expired
- 1976-07-21 CH CH933676A patent/CH630892A5/de not_active IP Right Cessation
- 1976-07-21 NL NL7608064A patent/NL7608064A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-07-21 JP JP8599276A patent/JPS52136118A/ja active Granted
- 1976-07-21 FR FR7622279A patent/FR2318863A1/fr active Granted
- 1976-07-22 HU HU76ZA395A patent/HU183048B/hu unknown
- 1976-07-22 DK DK331276A patent/DK149110C/da not_active IP Right Cessation
-
1980
- 1980-03-13 SE SE8001959A patent/SE452318B/sv unknown
-
1982
- 1982-04-22 JP JP57066233A patent/JPS6050780B2/ja not_active Expired
-
1983
- 1983-11-09 SE SE8306145A patent/SE8306145D0/xx not_active Application Discontinuation
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| NL7608064A (nl) | 1977-01-25 |
| GB1510477A (en) | 1978-05-10 |
| DK331276A (da) | 1977-01-23 |
| CS201033B2 (en) | 1980-10-31 |
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| DE2660626C2 (de) | 1985-07-11 |
| DK149110C (da) | 1986-09-08 |
| DE2632396A1 (de) | 1977-02-03 |
| CA1104156A (en) | 1981-06-30 |
| DE2632396C2 (de) | 1982-11-25 |
| HU183048B (en) | 1984-04-28 |
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| AU1591276A (en) | 1978-01-19 |
| CH630892A5 (en) | 1982-07-15 |
| SE8001959L (sv) | 1980-03-13 |
| SE7606736L (sv) | 1977-01-23 |
| JPS5758338B2 (ja) | 1982-12-09 |
| SE431642B (sv) | 1984-02-20 |
| SE8306145D0 (sv) | 1983-11-09 |
| SE452318B (sv) | 1987-11-23 |
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| AU506003B2 (en) | 1979-12-13 |
| FR2318863B1 (ja) | 1980-10-31 |
| JPS52136118A (en) | 1977-11-14 |
| FR2318863A1 (fr) | 1977-02-18 |
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