JPS6051263B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6051263B2 JPS6051263B2 JP2621277A JP2621277A JPS6051263B2 JP S6051263 B2 JPS6051263 B2 JP S6051263B2 JP 2621277 A JP2621277 A JP 2621277A JP 2621277 A JP2621277 A JP 2621277A JP S6051263 B2 JPS6051263 B2 JP S6051263B2
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Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは
半導体結晶層上に電極を備えかつ半導体結晶層の露出部
がパツシベイトされてなる半導体装置の製造方法に関す
るものである。
半導体結晶層上に電極を備えかつ半導体結晶層の露出部
がパツシベイトされてなる半導体装置の製造方法に関す
るものである。
一般に電極が平面上に配置される半導体素子ては電極間
の半導体動作層表面が露出する場合かあり、表面リーク
電流の増大や汚れの附着等の防止および信頼性の確保と
いう観点から露出半導体表面にパッシベーション膜を形
成することが行われている。
の半導体動作層表面が露出する場合かあり、表面リーク
電流の増大や汚れの附着等の防止および信頼性の確保と
いう観点から露出半導体表面にパッシベーション膜を形
成することが行われている。
現在行われている５１０２やＳｉ。Ｎ４を堆積させる方
法があり、さらに半導体を陽極酸化することにより得ら
れる酸化膜をパッシベーション膜に利用する方法が考え
られる。この方法は従来の方法と異なり、動作層として
機能している化合物半導体の表面そのものを酸化して膜
を形成するため、膜用として新たな材料を必要とせず簡
単な装置で行える利点があるが半導体表面上に配置して
ある電極を通して電流が流れ電極下領域も酸化されてし
まい半導体装置か設計構造と異なつた構造になつてしま
う等の欠点があり実用に供し得なかつた。
法があり、さらに半導体を陽極酸化することにより得ら
れる酸化膜をパッシベーション膜に利用する方法が考え
られる。この方法は従来の方法と異なり、動作層として
機能している化合物半導体の表面そのものを酸化して膜
を形成するため、膜用として新たな材料を必要とせず簡
単な装置で行える利点があるが半導体表面上に配置して
ある電極を通して電流が流れ電極下領域も酸化されてし
まい半導体装置か設計構造と異なつた構造になつてしま
う等の欠点があり実用に供し得なかつた。
本発明は前記従来の欠点を除去せしめた半導体装置の製
造方法を提供することにある。
造方法を提供することにある。
本発明によれば、半導体結晶層上に電極を備えかつ前記
半導体結晶層の露出部がパツシベイトされてなる半導体
装置の製造において前記電極が設けられる半導体結晶層
部をプロトン照射によつて半絶縁性化せしめた後該半絶
縁性化せしめた表面部に電極を形成し、露出せる半導体
結晶層表面部を陽極酸化法によつて酸化膜層に変換せし
めた後、熱処理を施こす工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法が得られる。
半導体結晶層の露出部がパツシベイトされてなる半導体
装置の製造において前記電極が設けられる半導体結晶層
部をプロトン照射によつて半絶縁性化せしめた後該半絶
縁性化せしめた表面部に電極を形成し、露出せる半導体
結晶層表面部を陽極酸化法によつて酸化膜層に変換せし
めた後、熱処理を施こす工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法が得られる。
前記本発明によれば、パッシベーション膜用の材料を新
たに用意することなく密着性の良好なパッシベーション
膜を形成することができ、しかも従来のように電極下ま
でパッシベーション膜がでフきるようなことはなく設計
通りの構造の半導体装置を容易に製作することができる
。
たに用意することなく密着性の良好なパッシベーション
膜を形成することができ、しかも従来のように電極下ま
でパッシベーション膜がでフきるようなことはなく設計
通りの構造の半導体装置を容易に製作することができる
。
次に本発明についてショットキー障壁型ＧａＡｓ電界効
果トランジスタの製造方法に適用した場合を一例として
図面を用いて説明する。
果トランジスタの製造方法に適用した場合を一例として
図面を用いて説明する。
第１図から５第５図は本発明の一実施例を説明するため
の図で各主要工程における半導体装置の断面を示す。ま
す、半絶縁性基板１上にエピタキシャル成長したＧａＡ
ｓ薄層２を矩形状の複数個のフォトレジスト膜３で覆い
エッチングすることによりメサ状の複数個のＧａＡｓ動
作層群を得る（第１図）。次にフォトレジスト膜３を除
去したのち、新たにフォトレジスト膜４を塗布してパタ
ーンを切り該フォトレジスト膜をマスクにプロトン照射
を行い半絶縁性領域５を得る（第２図）。次にＡｌ金属
を蒸着しリフトオフしてゲート電極６を得た後再びフォ
トレジスト膜７を塗布してパターンを切り、該フォトレ
ジスト膜をマスクにプロトン照射を行い半絶縁性領域８
を得る（第３図）。次にオーミック金属を蒸着してリフ
トオフを行いオーミック用電極９，１０を得る（第４図
）。次にウェハーの、パツシベイシヨン膜を形成する方
の面に光を照射しながら陽極酸化を行うと、電極下は半
絶縁性領域になつているため電極を通しては陽極酸化液
と電流が流れることはなく酸化膜形成のストッパーとし
て作用するために希望する半導体表面にだけ酸化膜１１
が形成される（第５図）。次に熱処理を行うことにより
電極９，１０を電気的にオーミックにする。この時この
熱処理によリブ２口トン照射により形成された半絶縁性
領域５，８は従来の電気的特性を示す半導体結晶層にも
どる。最後にダイヤモンドスクライバー等で各素子を切
断分離する（第６図）。
の図で各主要工程における半導体装置の断面を示す。ま
す、半絶縁性基板１上にエピタキシャル成長したＧａＡ
ｓ薄層２を矩形状の複数個のフォトレジスト膜３で覆い
エッチングすることによりメサ状の複数個のＧａＡｓ動
作層群を得る（第１図）。次にフォトレジスト膜３を除
去したのち、新たにフォトレジスト膜４を塗布してパタ
ーンを切り該フォトレジスト膜をマスクにプロトン照射
を行い半絶縁性領域５を得る（第２図）。次にＡｌ金属
を蒸着しリフトオフしてゲート電極６を得た後再びフォ
トレジスト膜７を塗布してパターンを切り、該フォトレ
ジスト膜をマスクにプロトン照射を行い半絶縁性領域８
を得る（第３図）。次にオーミック金属を蒸着してリフ
トオフを行いオーミック用電極９，１０を得る（第４図
）。次にウェハーの、パツシベイシヨン膜を形成する方
の面に光を照射しながら陽極酸化を行うと、電極下は半
絶縁性領域になつているため電極を通しては陽極酸化液
と電流が流れることはなく酸化膜形成のストッパーとし
て作用するために希望する半導体表面にだけ酸化膜１１
が形成される（第５図）。次に熱処理を行うことにより
電極９，１０を電気的にオーミックにする。この時この
熱処理によリブ２口トン照射により形成された半絶縁性
領域５，８は従来の電気的特性を示す半導体結晶層にも
どる。最後にダイヤモンドスクライバー等で各素子を切
断分離する（第６図）。
このように本発明によれば半導体結晶層上に電極を備え
かつ半導体結晶層の露出部がパツシベイトされてなる半
導体装置を精度よくかつ容易に製作することができる。
かつ半導体結晶層の露出部がパツシベイトされてなる半
導体装置を精度よくかつ容易に製作することができる。
尚、前記本発明は半導体材料としてＧａＡｓ等の化合物
半導体だけでなくＳｉ．．Ｇｅ等の単一半導体であつて
もよいことは云うまでもない。
半導体だけでなくＳｉ．．Ｇｅ等の単一半導体であつて
もよいことは云うまでもない。
第１図〜第６図は本発明の一実施例として、ショットキ
ー障壁型電界効果トランジスタの製造に適応した場合を
説明するための図で、各主要工程における断面を示す。
ー障壁型電界効果トランジスタの製造に適応した場合を
説明するための図で、各主要工程における断面を示す。
Claims (1)
- １ 半導体結晶層上に電極を備えかつ前記半導体結晶層
の露出部がパツシベイトされてなる半導体装置の製造に
おいて前記電極が設けられる半導体結晶層部をプロトン
照射によつて半絶縁性化せしめた後該半絶縁性化せしめ
た表面部に電極を形成し、露出せる半導体結晶層表面部
を陽極酸化法によつて酸化膜層に変換せしめた後、熱処
理を施こす工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2621277A JPS6051263B2 (ja) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2621277A JPS6051263B2 (ja) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53110470A JPS53110470A (en) | 1978-09-27 |
| JPS6051263B2 true JPS6051263B2 (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=12187118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2621277A Expired JPS6051263B2 (ja) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051263B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195822A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 不純物領域の形成方法 |
| JPS60145675A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | ヒ化ガリウム電界効果トランジスタ |
-
1977
- 1977-03-09 JP JP2621277A patent/JPS6051263B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53110470A (en) | 1978-09-27 |
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