JPS6051301A - バイアス回路構造 - Google Patents
バイアス回路構造Info
- Publication number
- JPS6051301A JPS6051301A JP15995083A JP15995083A JPS6051301A JP S6051301 A JPS6051301 A JP S6051301A JP 15995083 A JP15995083 A JP 15995083A JP 15995083 A JP15995083 A JP 15995083A JP S6051301 A JPS6051301 A JP S6051301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias circuit
- waveguide
- metal post
- hole
- circuit structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/2007—Filtering devices for biasing networks or DC returns
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、導波管内のバイアス回路構造に係り、とくに
同軸構造の低域濾波回路の直列リアクタンスを一定とし
て接続、調整を容易としたバイアス回路構造に関するも
のである。
同軸構造の低域濾波回路の直列リアクタンスを一定とし
て接続、調整を容易としたバイアス回路構造に関するも
のである。
山） 従来技術の問題点
従来のバイアス回路構造は、構造が複雑で低域濾波回路
の直列リアクタンスが半導体素子の高さにより異なるた
め、特性が一定しない。このようなバイアス回路構造を
第１図および第２図にしめす。即ち第１図および第２図
は、従来のバイアス回路構造を説明するための要部断面
図で、１は金属筐体、２は導波管、３は半導体素子、４
および７は金属ポスト、５は誘電体円板、６および９は
雄ねじ、８は巻ばね、１１は同軸穴、１２は雌ねじ、４
１は鍔、 ７１はガイド部をそれぞれ示す。
の直列リアクタンスが半導体素子の高さにより異なるた
め、特性が一定しない。このようなバイアス回路構造を
第１図および第２図にしめす。即ち第１図および第２図
は、従来のバイアス回路構造を説明するための要部断面
図で、１は金属筐体、２は導波管、３は半導体素子、４
および７は金属ポスト、５は誘電体円板、６および９は
雄ねじ、８は巻ばね、１１は同軸穴、１２は雌ねじ、４
１は鍔、 ７１はガイド部をそれぞれ示す。
金属筺体１に導波管２を設け、該導波管２内にダイオー
ド等の半導体素子３を実装する位置に、ｉｊｔ記導波管
２と直交する同軸穴１オとねし穴１２とからなる段付き
穴を形成し、そし°ζ導波管２内に半導体素子３を実装
して、該半導体素子３に第１図に示す如く鍔旧を形成し
た金属ポスト４の半導体素子３の７１１１圧部をスリー
ブ構造として、前記鍔４１の両側に誘電体円板５を介在
せしめて雄ねじ６に、１：り螺着Ｊ７にものである。第
２１ｙＪは金属ポスト７にガイ１部７１を形成し、該ガ
イ１部部７１の外周にアルマイト等の絶縁膜処理を施し
、巻ばね９を介して雄ねじ９により螺着したものである
。ところが第１１３／ｌの構造でＩＩ鍔旧に加わる力が
偏心して、半導体素子３を破ｔ１」する欠点があり、か
つ高周波のｌλ衰特４１１を大きくするため鍔４］を多
段にする場合、構造が複雑で１０＋ Ｉｆｉ度加工を必
要とする欠点があり、ｙ）２ν１の構造−Ｌ″ＩＩ金属
ボスト７の加工が困難であるとともに、゛１！導体素子
ケースの寸法誤差により半導体に文ＪするＦｒＪ″列リ
アクリアクタンスするので寸法のＷなる金属ポストを多
数用意し、最適ボストを５％ ｌｊＩ！するなどの調整
に時間を要するという問題点があった。
ド等の半導体素子３を実装する位置に、ｉｊｔ記導波管
２と直交する同軸穴１オとねし穴１２とからなる段付き
穴を形成し、そし°ζ導波管２内に半導体素子３を実装
して、該半導体素子３に第１図に示す如く鍔旧を形成し
た金属ポスト４の半導体素子３の７１１１圧部をスリー
ブ構造として、前記鍔４１の両側に誘電体円板５を介在
せしめて雄ねじ６に、１：り螺着Ｊ７にものである。第
２１ｙＪは金属ポスト７にガイ１部７１を形成し、該ガ
イ１部部７１の外周にアルマイト等の絶縁膜処理を施し
、巻ばね９を介して雄ねじ９により螺着したものである
。ところが第１１３／ｌの構造でＩＩ鍔旧に加わる力が
偏心して、半導体素子３を破ｔ１」する欠点があり、か
つ高周波のｌλ衰特４１１を大きくするため鍔４］を多
段にする場合、構造が複雑で１０＋ Ｉｆｉ度加工を必
要とする欠点があり、ｙ）２ν１の構造−Ｌ″ＩＩ金属
ボスト７の加工が困難であるとともに、゛１！導体素子
ケースの寸法誤差により半導体に文ＪするＦｒＪ″列リ
アクリアクタンスするので寸法のＷなる金属ポストを多
数用意し、最適ボストを５％ ｌｊＩ！するなどの調整
に時間を要するという問題点があった。
ｒＣｔ 発明の目的
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、簡単な構造で、か
つ金属ポストを分割して半導体素子の寸法誤差による直
列リアクタンスの変化をなくするようにしたバイアス回
路構造を提供することを目的とするものである。
つ金属ポストを分割して半導体素子の寸法誤差による直
列リアクタンスの変化をなくするようにしたバイアス回
路構造を提供することを目的とするものである。
ｌｄｌ 発明の構成
前述の目的を達成するために本発明は、導波管内に実装
された半導体素子の電極に接続された金属ポストが、同
軸構造の低域濾波回路を介してバイアス端子として用い
られるバイアス回路構造を、前記金属ポストを外導体と
分割し、該外導体を段付き穴を有する円筒で形成して導
波管の夕１壁に挿入し、該段付き穴内部を少なくとも１
個以上禎重ねて導波管の外壁より突出せしめ、該突出し
た段付き穴内部に前記金属ポストを挿入し、該金属ポス
トを絶縁された弾性体で押圧するようにしたことによっ
て達成される。
された半導体素子の電極に接続された金属ポストが、同
軸構造の低域濾波回路を介してバイアス端子として用い
られるバイアス回路構造を、前記金属ポストを外導体と
分割し、該外導体を段付き穴を有する円筒で形成して導
波管の夕１壁に挿入し、該段付き穴内部を少なくとも１
個以上禎重ねて導波管の外壁より突出せしめ、該突出し
た段付き穴内部に前記金属ポストを挿入し、該金属ポス
トを絶縁された弾性体で押圧するようにしたことによっ
て達成される。
＋ｅｌ 発明の実施例
以下図面を参照しながら本発明に係るバイアス回ｌＩ８
構造の実施例に付いて詳細に説明する。
構造の実施例に付いて詳細に説明する。
第３図は、本発明に係るバイアス回路構造の一実施例を
説明するだめの（８）は分解斜視図、（ｂ）は要部断面
図で、前回と同等の部分に付いては同−符−Ｊ−を付し
ており、Ｉ３は段付き穴、１４は締付けねし穴、 ＋５
ｔ；１段イ・Ｊき穴内部、１６は金属ボスＩ−，１７は
絶縁板、目（は板ばね、］９＆ｊ締付けねじである。
説明するだめの（８）は分解斜視図、（ｂ）は要部断面
図で、前回と同等の部分に付いては同−符−Ｊ−を付し
ており、Ｉ３は段付き穴、１４は締付けねし穴、 ＋５
ｔ；１段イ・Ｊき穴内部、１６は金属ボスＩ−，１７は
絶縁板、目（は板ばね、］９＆ｊ締付けねじである。
金属筺体１に導波管２を設番」、該導波管２内にダイオ
−１゛等の半導体素子３を実装する位置に、ｒｉｉｉ記
導波骨導波管２する段付き穴１３を形成し、そして導波
管２内に半導体素子３を実装するとともに、前記段イ（
１き穴１３内に金属例えばアルミニューＪ・等から′１
１′る段（＝Ｉき穴内部１５を複数（ｌＩｌｌ（この場
合は２（ＩＭ）図のように積み市ね、該段付き穴内部１
５の先ｎ１が金属筺体１より若干突出せしめるよう形成
し、該段（ｊｌき穴内部１５に両端面を除く外周に絶縁
被覆を施した例えばエリーメル線等からなる金属ボスＩ
・ｌ［ｉを１．Ｔｉ大して−Ｍｉｌを前記半導体素子３
を接触・口しぬ、他の端面を前記段付き穴内部１５より
突出するよう形成したるのち、エポキシ系合成樹脂から
なる絶縁板１７に取着した板ばね１８で押圧するように
なっている。この場合前記絶縁板１７を締付けねじ１９
で金属筺体１の締付けねじ穴１４に螺着することはいう
までもない。
−１゛等の半導体素子３を実装する位置に、ｒｉｉｉ記
導波骨導波管２する段付き穴１３を形成し、そして導波
管２内に半導体素子３を実装するとともに、前記段イ（
１き穴１３内に金属例えばアルミニューＪ・等から′１
１′る段（＝Ｉき穴内部１５を複数（ｌＩｌｌ（この場
合は２（ＩＭ）図のように積み市ね、該段付き穴内部１
５の先ｎ１が金属筺体１より若干突出せしめるよう形成
し、該段（ｊｌき穴内部１５に両端面を除く外周に絶縁
被覆を施した例えばエリーメル線等からなる金属ボスＩ
・ｌ［ｉを１．Ｔｉ大して−Ｍｉｌを前記半導体素子３
を接触・口しぬ、他の端面を前記段付き穴内部１５より
突出するよう形成したるのち、エポキシ系合成樹脂から
なる絶縁板１７に取着した板ばね１８で押圧するように
なっている。この場合前記絶縁板１７を締付けねじ１９
で金属筺体１の締付けねじ穴１４に螺着することはいう
までもない。
なお、本実施例では金属ポスト１６を２個使用して説明
したが、使用周波数に対応せしめ２（Ｉｌｉ１以上複数
個であってもかまわない。
したが、使用周波数に対応せしめ２（Ｉｌｉ１以上複数
個であってもかまわない。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係るバイアス
回路構造によれば、従来の構造にくらべて金属ポストを
分割したことにより、半導体素子の寸法誤差があっても
直列リアクタンスが変化しないので、調整作業が容易に
なるとともに特性の向上が期待でき、かつ加工が容易で
簡単な構造により経済的効果も大である。
回路構造によれば、従来の構造にくらべて金属ポストを
分割したことにより、半導体素子の寸法誤差があっても
直列リアクタンスが変化しないので、調整作業が容易に
なるとともに特性の向上が期待でき、かつ加工が容易で
簡単な構造により経済的効果も大である。
第１図および第２図は、従来のバイアス回路構造を説明
するための要部断面図、第３図は、本発明に係るバイア
ス回路構造の一実施例を説明するための（ａ）は分解斜
視図、 （ｂｌは要部断面図である。 図において、１は金属筐体、２は導波管、３は半導体素
子、４，７および１６は金属ポスト、５は誘電体円板５
６および９は雄ねじ、８は巻ばね。 １０よ同軸穴、１２はめねし、１３は段付き穴、１４は
締付番Ｊねし穴、１５４；Ｉ一段付き穴内部、１７は絶
縁板、１８ば板ばね、 ＋９は締付１ねじ、４１は鍔、
７１はガイド部をそれぞれ示す。 第１図 第２図 ３ ３−
するための要部断面図、第３図は、本発明に係るバイア
ス回路構造の一実施例を説明するための（ａ）は分解斜
視図、 （ｂｌは要部断面図である。 図において、１は金属筐体、２は導波管、３は半導体素
子、４，７および１６は金属ポスト、５は誘電体円板５
６および９は雄ねじ、８は巻ばね。 １０よ同軸穴、１２はめねし、１３は段付き穴、１４は
締付番Ｊねし穴、１５４；Ｉ一段付き穴内部、１７は絶
縁板、１８ば板ばね、 ＋９は締付１ねじ、４１は鍔、
７１はガイド部をそれぞれ示す。 第１図 第２図 ３ ３−
Claims (2)
- （１）導波管内に実装された半導体素子の電極に接続さ
れた金属ポストが、同軸構造の低域濾波回路を介してバ
イアス端子として用いられるバイアス回路構造を、前記
金属ポストを外導体と分割し、該外導体を段付き穴を有
する円筒で形成して導波管の外壁に挿入し、ｖｊ役付き
穴内部を少なくとも１個以上積重ねて導波管の外壁より
突出せしめ、該突出した段付き穴内部に前記金属ボスト
を挿入し、該段付き穴内部を絶縁された弾性体で押圧し
、前記金属ポストを絶縁された弾性体の上部に突出せ゛
しめ、該弾性体に取付けられた別の弾性体にて押圧する
ようにしたことを特徴とするバイアス回路構造。 - （２）前記金属ポストを両端面を除いた外周に絶縁被覆
を施した直線構造の導体で構成したごとを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項に記載のバイアス回路構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15995083A JPS6051301A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | バイアス回路構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15995083A JPS6051301A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | バイアス回路構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6051301A true JPS6051301A (ja) | 1985-03-22 |
| JPH0245841B2 JPH0245841B2 (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=15704698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15995083A Granted JPS6051301A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | バイアス回路構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140559A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-24 | Nec Home Electronics Ltd | フイ−ルド判定回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010136U (ja) * | 1973-05-24 | 1975-02-01 | ||
| JPS55169858U (ja) * | 1979-05-22 | 1980-12-05 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP15995083A patent/JPS6051301A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010136U (ja) * | 1973-05-24 | 1975-02-01 | ||
| JPS55169858U (ja) * | 1979-05-22 | 1980-12-05 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140559A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-24 | Nec Home Electronics Ltd | フイ−ルド判定回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245841B2 (ja) | 1990-10-12 |
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