JPH0245841B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は、導波管内のバイアス回路構造に係
り、とくに同軸構造の低域濾波回路の直列リアク
タンスを一定として接続、調整を容易としたバイ
アス回路構造に関するものである。

(b) 従来技術の問題点 従来のバイアス回路構造は、構造が複雑で低域
濾波回路の直列リアクタンスが半導体素子の高さ
により異なるため、特性が一定しない。このよう
なバイアス回路構造を第１図および第２図にしめ
す。即ち第１図および第２図は、従来のバイアス
回路構造を説明するための要部断面図で、１は金
属筐体、２は導波管、３は半導体素子、４および
７は金属ポスト、５は誘電体円板、６および９は
雄ねじ、８は巻ばね、１１は同軸穴、１２は雌ね
じ、４１は鍔、７１はガイド部をそれぞれ示す。

金属筐体１に導波管２を設け、該導波管２内に
ダイオード等の半導体素子３を実装する位置に、
前記導波管２と直交する同軸穴１１とねじ穴１２
とからなる段付き穴を形成し、そして導波管２内
に半導体素子３を実装して、該半導体素子３に第
１図に示す如く鍔４１を形成した金属ポスト４の
半導体素子３の押圧部をスリーブ構造として、前
記鍔４１の両側に誘電体円板５を介在せしめて雄
ねじ６により螺着したものである。第２図は金属
ポスト７にガイド部７１を形成し、該ガイド部７
１の外周にアルマイト等の絶縁膜処理を施し、巻
ばね９を介して雄ねじ９により螺着したものであ
る。ところが第１図の構造では鍔４１に加わる力
が偏心して、半導体素子３を破損する欠点があ
り、かつ高周波の減衰特性を大きくするため鍔４
１を多段にする場合、構造が複雑で高精度加工を
必要とする欠点があり、第２図の構造では金属ポ
スト７の加工が困難であるとともに、半導体素子
ケースの寸法誤差により半導体に対する直列リア
クタンスが変化するので寸法の異なる金属ポスト
を多数用意し、最適ポストを選択するなどの調整
に時間を要するという問題点があつた。

(c) 発明の目的 本発明は、上記従来の問題点に鑑み、簡単な構
造で、かつ金属ポストを分割して半導体素子の寸
法誤差による直列リアクタンスの変化をなくする
ようにしたバイアス回路構造を提供することを目
的とするものである。

(d) 発明の構成 前述の目的を達成するために本発明は、金属筐
体１内に設けられた導波管２の片面に載置された
半導体素子３の電極に前記金属筐体を貫通して接
続された同一径直線構造の金属ポスト１６を設
け、該金属ポストが貫通する前記金属筐体の穴に
同軸構造の段付き穴１３を穿設し、該段付き穴に
段付き穴円筒１５を少なくとも１個以上積載挿入
すると共に該段付き穴円筒の端部を前記金属筐体
の外壁より突出せしめ、該突出した段付き穴円筒
の端部に前記金属ポストの挿通穴を有する絶縁さ
れた弾性板１７を介して前記外壁にねじ止め固定
し、前記金属ポストを前記挿通穴に挿通して前記
半導体素子３の電極に接続すると共に、前記金属
ポストの外側端部を前記絶縁板より突出せしめ、
該突出した金属ポストの外側端部を前記弾性板に
取付けられた別の板ばね１８で押圧するようにし
たことによつて達成される。

(e) 発明の実施例 以下図面を参照しながら本発明に係るバイアス
回路構造の実施例に付いて詳細に説明する。

第３図は、本発明に係るバイアス回路構造の一
実施例を説明するためのａは分解斜視図、ｂは要
部断面図で、前図と同等の部分に付いては同一符
号を付しており、１３は段付き穴、１４は締付け
ねじ穴、１５は段付き穴円筒、１６は金属ポス
ト、１７は絶縁板、１８は板ばね、１９は締付け
ねじである。

金属筐体１に導波管２を設け、該導波管２内に
載置されたダイオード等の半導体素子３を実装す
る位置に、前記導波管２と直交する段付き穴１３
を形成し、そして導波管２内に半導体素子３を実
装するとともに、前記段付き穴１３内に金属例え
ばアルミニユーム等からなる段付き穴円筒１５を
複数個（この場合は２個）図のように積み重ね、
該段付き穴円筒１５の先端が金属筐体１より若干
突出せしめるよう形成し、該段付き穴円筒１５に
両端面を除く外周に絶縁被覆を施した例えばエナ
メル線等からなる金属ポスト１６を挿入して一端
を前記半導体素子３に接触せしめ、他の端面を前
記段付き穴円筒１５より突出するよう形成したる
のち、エポキシ系合成樹脂からなる絶縁板１７に
取着した板ばね１８で押圧するようになつてい
る。この場合前記絶縁板１７を締付けねじ１９で
金属筐体１の締付けねじ穴１４に螺着することは
いうまでもない。

なお、本実施例では段付き穴円筒１５を２個使
用して説明したが、使用周波数に対応せしめて１
個以上の複数個とすることができる。

(f) 発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明に係る
バイアス回路構造によれば、従来の構造にくらべ
て金属ポストを段付き穴円筒すなわち低域濾波器
回路と分割したことにより半導体素子の底面と低
域濾波器を形成する段付き孔円筒１５の底面との
距離を一定に保持することができ、半導体素子の
寸法誤差があつても直列リアクタンスが変化しな
いので、調整作業が容易になるとともに特性の向
上が期待でき、かつ加工が容易で簡単な構造によ
り経済的効果も大である。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、従来のバイアス回路構
造を説明するための要部断面図、第３図は、本発
明に係るバイアス回路構造の一実施例を説明する
ためのａは分解斜視図、ｂは要部断面図である。 図において、１は金属筐体、２は導波管、３は
半導体素子、４，７および１６は金属ポスト、５
は誘電体円板、６および９は雄ねじ、８は巻ば
ね、１１は同軸穴、１２はめねじ、１３は段付き
穴、１４は締付けねじ穴、１５は段付き穴円筒、
１７は絶縁板、１８は板ばね、１９は締付けね
じ、４１は鍔、７１はガイド部をそれぞれ示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 金属筐体１内に設けられた導波管２の片面に
   載置された半導体素子３の電極に前記金属筐体を
   貫通して接続された同一径直線構造の金属ポスト
   １６を設け、該金属ポストが貫通する前記金属筐
   体の穴に同軸構造の段付き穴１３を穿設し、該段
   付き穴に段付き穴円筒１５を少なくとも１個以上
   積載挿入すると共に該段付き穴円筒の端部を前記
   金属筐体の外壁より突出せしめ、該突出した段付
   き穴円筒の端部に前記金属ポストの挿通穴を有す
   る弾性体の絶縁板１７を介して前記外壁にねじ止
   め固定し、前記金属ポストを前記挿通穴に挿通し
   て前記半導体素子３の電極に接続すると共に、前
   記金属ポストの外側端部を前記絶縁板より突出せ
   しめ、該突出した金属ポストの外側端部を前記絶
   縁板に取付けられた別の板ばね１８で押圧するよ
   うにしたことを特徴とするバイアス回路構造。