JPS6052008A - コンデンサ用セラミツク誘電体の製造方法 - Google Patents
コンデンサ用セラミツク誘電体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6052008A JPS6052008A JP58160944A JP16094483A JPS6052008A JP S6052008 A JPS6052008 A JP S6052008A JP 58160944 A JP58160944 A JP 58160944A JP 16094483 A JP16094483 A JP 16094483A JP S6052008 A JPS6052008 A JP S6052008A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- ceramic dielectric
- dielectric material
- ceramic
- producing ceramic
- Prior art date
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アルミナ（局ｔｏｓ ）またはフォルステラ
イト（２Ｍｇ０−８ｉＯ□）を主成分とする、空孔キの
製造方法に関する。
イト（２Ｍｇ０−８ｉＯ□）を主成分とする、空孔キの
製造方法に関する。
従来例の構成と問題点
マイクロチップコンデンサは、微小回路素子用として作
られるため、厚さは２００μｍ以下で、−辺の大きさも
５００μｍ以下が主流であるチップコンデンサのことで
ある。製法としては誘電体セラミックより切断、研摩な
どの機械加工によりチップ化する方法と、誘電体を湿式
成型により厚さを調整し生シートを作製し、前記シート
を焼成後切断によりチップ化する方法がある。
られるため、厚さは２００μｍ以下で、−辺の大きさも
５００μｍ以下が主流であるチップコンデンサのことで
ある。製法としては誘電体セラミックより切断、研摩な
どの機械加工によりチップ化する方法と、誘電体を湿式
成型により厚さを調整し生シートを作製し、前記シート
を焼成後切断によりチップ化する方法がある。
従来の大気圧下での焼成によるマイクロチップコンデン
サの製法では、機械加工時のチッピング、割れが発生し
、また加工歪みによりＱの大幅な低下が起こる。またボ
アの存在により誘電率及び耐電圧特性が低下するなどの
欠点を有する。
サの製法では、機械加工時のチッピング、割れが発生し
、また加工歪みによりＱの大幅な低下が起こる。またボ
アの存在により誘電率及び耐電圧特性が低下するなどの
欠点を有する。
発明の目的
本発明は従来の欠点を除去し、理論密度９９％ＴＤ以上
の高密度で、高い耐電圧特性、低い誘電損失、さらに優
れた機械特性を有するコンデンサ用セラミック誘電体の
製造方法を得るにある。
の高密度で、高い耐電圧特性、低い誘電損失、さらに優
れた機械特性を有するコンデンサ用セラミック誘電体の
製造方法を得るにある。
発明の構成
本発明はコンデンサ用セラミック誘電体の製造方法にお
いて、大気圧中で焼成したアルミナセラミックまたはフ
ォルステライトセラミックを熱間静水圧プレスし、理論
密度９９％ＴＤ以上としたことを特徴とする特 遣方法を一実施例とともに説明する。
いて、大気圧中で焼成したアルミナセラミックまたはフ
ォルステライトセラミックを熱間静水圧プレスし、理論
密度９９％ＴＤ以上としたことを特徴とする特 遣方法を一実施例とともに説明する。
試料の調整工程としては市販の工業川原層（純度９９％
以上） （７） ｈｅ２ｏ３、Ｍｇ０ 、２Ｍｇ０ ・
５ｉ０２、ＢａＯＯ３、ＢａＺｒＯ３粉末を第１表の組
成比になるよう配合し、不純物混入時１１二のためつ１
ノタン内張ポツトを用いて湿式混合し乾燥する。
以上） （７） ｈｅ２ｏ３、Ｍｇ０ 、２Ｍｇ０ ・
５ｉ０２、ＢａＯＯ３、ＢａＺｒＯ３粉末を第１表の組
成比になるよう配合し、不純物混入時１１二のためつ１
ノタン内張ポツトを用いて湿式混合し乾燥する。
第 １ 表 （重量％）
Ａ １ Ｍ２０３Ｍ ｇ ０
９９．８ ０．２
Ａ ２ ２Ｍｇ０・ＳｉＯ，、ＢａＯ０３ＢａＺｒＯ３
９６１３ 前記乾燥体にポリビニルアルコール水溶液をバインダに
して混合し、３２メツシユパスに整粒した。この整粒粉
を５０ Ｘ ５０ Ｘ ３０ ｍｍの角形に１ ｔ／７
の加■力で成形し、これらの成形体を第１表のＡ１に
ついては大気中１５５０℃、Ａ２については大気中１３
５０℃の温度で焼成した。
９６１３ 前記乾燥体にポリビニルアルコール水溶液をバインダに
して混合し、３２メツシユパスに整粒した。この整粒粉
を５０ Ｘ ５０ Ｘ ３０ ｍｍの角形に１ ｔ／７
の加■力で成形し、これらの成形体を第１表のＡ１に
ついては大気中１５５０℃、Ａ２については大気中１３
５０℃の温度で焼成した。
前記焼成体を第２表の条件にてＨ工Ｐ（熱間静水圧プレ
ス）した。
ス）した。
第 ２ 表
Ｈ工Ｐ温度 Ｈ工Ｐ圧力 雰囲気
Ａ １ １４５０℃ １．５００ａｔｍ ＡｒＡ ２
１３００℃ １１０００ａｔ Ａｒこのようにして得ら
れた誘電体磁器素体を内周刃切断機にて厚さ０．２ ＋
ｍｎにスライスし、次に外周刃を用い０．５ Ｘ ０．
５ Ｎｎ角に切断しチップを得る。
１３００℃ １１０００ａｔ Ａｒこのようにして得ら
れた誘電体磁器素体を内周刃切断機にて厚さ０．２ ＋
ｍｎにスライスし、次に外周刃を用い０．５ Ｘ ０．
５ Ｎｎ角に切断しチップを得る。
前記チップにＡｕ蒸着をし、マイクロチップコンデンサ
とする。前記チップコンデンサを用い、比誘電率εｒ
（測定周波数ｉ ＭＨ２）、Ｑ（Ｉ ＭＨ２）、昇圧破
壊電比ｖｂ （Ｖ／ｍｍ ）を測定した。また、セラミ
ックについては、切断時のカケ不良率、ボア分布、理論
密度比を測定した。結果を第３表に示す。比較試料はＨ
工Ｐ処理しないものである。
とする。前記チップコンデンサを用い、比誘電率εｒ
（測定周波数ｉ ＭＨ２）、Ｑ（Ｉ ＭＨ２）、昇圧破
壊電比ｖｂ （Ｖ／ｍｍ ）を測定した。また、セラミ
ックについては、切断時のカケ不良率、ボア分布、理論
密度比を測定した。結果を第３表に示す。比較試料はＨ
工Ｐ処理しないものである。
第 ３ 表
本発明品は、従来品と比較しεｒにて約２０％、ＱＫて
約１５０〜２００％、ｖｂにて約２０％アップするなど
優れた特性を有する。理論密度比が９９％ＴＤ未満の場
合は、εｒが低下するとともに機械加工時のカケ、チッ
ピングなどが発生し、マイクロチップコンデンサには不
適である。
約１５０〜２００％、ｖｂにて約２０％アップするなど
優れた特性を有する。理論密度比が９９％ＴＤ未満の場
合は、εｒが低下するとともに機械加工時のカケ、チッ
ピングなどが発生し、マイクロチップコンデンサには不
適である。
発明の効果
本発明により次のような効果が生ずる。
（１） 理論密度比９９％ＴＤ以上の高密度セラミック
が得られる。
が得られる。
（２） コンデンサ特性が向上し、安定化する。
（３） 機械特性が向上し、加工時の歩留りが向上する
。
。
以上のように、本発明のマイクロチップコンデンサの製
造方法は非常に優れた性能を備えており、工業的量産化
においても著しく安定であり、産業上利用し得る効果を
生ずる。
造方法は非常に優れた性能を備えており、工業的量産化
においても著しく安定であり、産業上利用し得る効果を
生ずる。
特許出願人 松下電器産業株式会社
°代理人弁理士 阿 部 功
Claims (1)
- 大気圧中で焼成したアルミナセラミックまたはフォルス
テライトセラミックを熱間静水圧プレスし、理論密度９
９％ＴＤ以」二としたことを特徴とするコンデンサ用セ
ラミック誘電体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160944A JPS6052008A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | コンデンサ用セラミツク誘電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160944A JPS6052008A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | コンデンサ用セラミツク誘電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052008A true JPS6052008A (ja) | 1985-03-23 |
Family
ID=15725588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160944A Pending JPS6052008A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | コンデンサ用セラミツク誘電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052008A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4985544A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-16 | ||
| JPS4992539A (ja) * | 1972-12-28 | 1974-09-04 | ||
| JPS565376A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-20 | Suwa Seikosha Kk | Manufacture of ceramic dielectric body |
-
1983
- 1983-09-01 JP JP58160944A patent/JPS6052008A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4985544A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-16 | ||
| JPS4992539A (ja) * | 1972-12-28 | 1974-09-04 | ||
| JPS565376A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-20 | Suwa Seikosha Kk | Manufacture of ceramic dielectric body |
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