JPS6052013A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents

光ｃｖｄ装置

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Publication number
JPS6052013A
JPS6052013A JP16136483A JP16136483A JPS6052013A JP S6052013 A JPS6052013 A JP S6052013A JP 16136483 A JP16136483 A JP 16136483A JP 16136483 A JP16136483 A JP 16136483A JP S6052013 A JPS6052013 A JP S6052013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
film
window
reaction vessel
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16136483A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruo Shibano
芝野　照夫
Kyusaku Nishioka
西岡　久作
Keiji Fujiwara
啓司 藤原
Hiromi Ito
博巳 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16136483A priority Critical patent/JPS6052013A/ja
Publication of JPS6052013A publication Critical patent/JPS6052013A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程等への応用が試みられ
つつある光ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）装置に関するものである。
〔従来技術〕
従来この種の装置として第１図に示すものがあった。図
において、１は膜形成反応容器、２は膜形成を行なうた
めの反応ガスの導入口、３は膜形成ガスの排気口、４は
発光源、５は反射板、６は光を反応容器１内へ導入する
窓、７は試料である。
次に動作について説明する。膜形成ガス導入口２より反
応容器１に導入されたガスは、発光源４及び反射板５か
らの光の作用により分解反応を起こし、その結果、試料
７の上に薄膜が形成される。
一方残ガスは、排気口３より排気される。
従来の光ＣＶＤ装置は以上のように構成されており、試
料７上だけでなく、反応容器１の器壁及び光の導入窓６
上にも膜が形成され、このうち、光の導入窓６上の膜の
形成は、光の透過率を低減せしめ、これにより、試料７
上の膜の形成を著しく阻害するという欠点があった。
〔発明の概要〕
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、光導入窓に、これに形成される膜
を除去できるガスを吹き付けることにより、光導入窓上
への膜の形成を防止し、安定した膜形成が行なえる光Ｃ
ＶＤ装置を提供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図は本発明の一実施例による光ＣＶＤ装置を示し、図に
おいて、第１図と同一符号は同一のものを示す。２０は
本実施例において付加された曇り防止機構であり、該機
構２０において、光導入窓６上に形成される膜を除去す
るためのＣＦ４等のガスは、膜除去ガス導入口８より膜
除去ガス反応容器９へ導入される。高周波電極１０はこ
の容器９内のガスに高周波電源１１からの電力を供給す
るためのものである。また１２はこの反応容器９内で生
成されたガスを光導入窓６に吹きつけるための吹きつけ
ノズルであり、１３は吹きつけられたガスの排気口であ
る。
次に動作について説明する。
膜除去ガス導入口８より膜除去ガス反応容器９内へ導入
されたＣＦ４ガスは、高周波電極１０を介して高周波電
源１１より供給される高周波電力により分解されてＦの
ラジカルを発生する。即ち、窓６に形成される膜と反応
してこの膜を除去できるようなガス成分が生成されるこ
ととなる。そして膜除去ガス排気口１３の作用で、窓６
付近のガス圧力を、膜除去ガス反応容器９内のガス圧力
より低く保つようにすれば、容器９内で生成されたＦの
ラジカルは膜除去ガス吹きイ１けノズル１２へと輸送さ
れ、窓６に吹きつけられることになる。
その結果窓６上に形成される膜はこのＦのラジカルによ
るエツチング反応により除去される。これにより窓６は
富に膜の形成されていない状態に維持される。一方エソ
チング反応の生成物は、膜除去ガス排気口１３より、膜
形成反応容器１外へ排出される。
なお、上記実施例では高周波電力の印加により、ガスを
分解して窓上に形成される膜を除去できるガス成分を作
り出すようにしたが、膜除去ガスとしては高周波電力に
より分解したものでなくとも膜の除去が可能なガスであ
ればよく、この場合高周波電極１０及び反応容器９は不
要となる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、光導入窓に、これに
形成される股を除去できるガスを吹き付けるようにした
ので、光導入窓上への膜の形成を防止でき、これにより
反応容器内への光の照射量を常に一定に保つことができ
、安定した膜の形成が可能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光ＣＶＤ装置を示す図、第２図はこの発
明の一実施例による光ＣＶＤ装置を示す図である。 １・・・反応容器、２・・・膜形成ガス導入口、３・・
・膜形成ガス排気口、４・・・発光源、５・・・反射板
、６・・・光導入窓、７・・・試料、２０・・・曇り防
止機構、８・・・膜除去ガス導入口、９・・・膜除去ガ
ス反応容器、１０・・・高周波電極、１１・・・高周波
電源、１２・・・膜除去ガス吹き付はノズル、１３・・
・膜除去ガス排気口。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 ′ｌ 第２図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光を利用した化学気相反応により試料に成膜を行
    なう光ＣＶＴ）装置であって、内部に試料をするための
    光導入窓と、該光導入窓への膜の形成を防ぐ曇り防＋ｌ
    ［構とを備えたことを特徴とする光ＣＶｒ）装置。
  2. （２）上記曇り防止機構が、上記光導入窓に形成される
    膜を除去できるガスを該窓に吹き付けるノズルを備えた
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の光ＣＶＤ装置。
JP16136483A 1983-08-31 1983-08-31 光ｃｖｄ装置 Pending JPS6052013A (ja)

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JP16136483A JPS6052013A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 光ｃｖｄ装置

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JP16136483A JPS6052013A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 光ｃｖｄ装置

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JPS6052013A true JPS6052013A (ja) 1985-03-23

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ID=15733679

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JP16136483A Pending JPS6052013A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 光ｃｖｄ装置

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JP (1) JPS6052013A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5049794A (en) * 1986-04-07 1991-09-17 Nissan Motor Company, Limited Automotive wiper control system with fail-safe feature for preventing burn-in of wiper motor
US5164034A (en) * 1989-09-08 1992-11-17 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for processing substrate
US5616181A (en) * 1994-11-24 1997-04-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha MBE apparatus and gas branch piping apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5049794A (en) * 1986-04-07 1991-09-17 Nissan Motor Company, Limited Automotive wiper control system with fail-safe feature for preventing burn-in of wiper motor
US5164034A (en) * 1989-09-08 1992-11-17 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for processing substrate
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