JPS6052096A - セラミックス回路基板の製法 - Google Patents
セラミックス回路基板の製法Info
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- JPS6052096A JPS6052096A JP16082183A JP16082183A JPS6052096A JP S6052096 A JPS6052096 A JP S6052096A JP 16082183 A JP16082183 A JP 16082183A JP 16082183 A JP16082183 A JP 16082183A JP S6052096 A JPS6052096 A JP S6052096A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 claims description 5
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical group [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006066 glass batch Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はセラミックス回路基板の製法特に電気絶縁基
板上に回路パターンを印刷し、この回路パターンに導通
回路を形成する回路基板の製法を提供するものである。
板上に回路パターンを印刷し、この回路パターンに導通
回路を形成する回路基板の製法を提供するものである。
絶縁基板としてアルミナ、ベリリヤの如きセラミックス
基板を用い、この基板に銀、銀−パラジウム、白金など
の貴金属粉とガラス粉とビヒクルから成る導電性のペー
ストをスクリーン印刷を用いて回路パターン状に印刷し
、焼成して回路基板を製造する方法が知られている。
基板を用い、この基板に銀、銀−パラジウム、白金など
の貴金属粉とガラス粉とビヒクルから成る導電性のペー
ストをスクリーン印刷を用いて回路パターン状に印刷し
、焼成して回路基板を製造する方法が知られている。
最近はこの貴金属に代えて銅、ニッケルなどの安価な金
属種を用いる方法も開発されているが、焼成の際に金属
の酸化を防ぐために脱酸素雰囲気中で焼成しなければな
らず雰囲気を厳密にコントロールする必要があって工業
的には適していない。
属種を用いる方法も開発されているが、焼成の際に金属
の酸化を防ぐために脱酸素雰囲気中で焼成しなければな
らず雰囲気を厳密にコントロールする必要があって工業
的には適していない。
又化学メッキの触媒となり得るパラジウムの化合物を含
むペーストを印刷焼成して化学メッキにより回路基板を
製造する方法も知られているが、これは高価であり、印
刷によって付与された回路パターンからパラジウムが飛
散し所定のパターンを得ることができない。
むペーストを印刷焼成して化学メッキにより回路基板を
製造する方法も知られているが、これは高価であり、印
刷によって付与された回路パターンからパラジウムが飛
散し所定のパターンを得ることができない。
この発明は以上の実情を鑑みてなされたもので貴金属を
用いず、かつ焼成時に酸化することもなく、所望のパタ
ーンを有する回路を得ることのできるセラミックス回路
基板の製法を提供するものである。
用いず、かつ焼成時に酸化することもなく、所望のパタ
ーンを有する回路を得ることのできるセラミックス回路
基板の製法を提供するものである。
この発明は酸化@1銅粉を主成分とする金属酸化物とガ
ラスとビヒクルとから成るペーストをセラミックス基板
に印刷して回路パターンを形成し、焼成し、次に該回路
パターンに含まれる酸化第一銅に酸化処理を施して金属
銅と酸化第2銅とを生成せしめた後化学メッキを施tで
回路パターン上に導電性物質を析出させることを特徴と
するセラミックス回路基板の製法を提供するものである
。
ラスとビヒクルとから成るペーストをセラミックス基板
に印刷して回路パターンを形成し、焼成し、次に該回路
パターンに含まれる酸化第一銅に酸化処理を施して金属
銅と酸化第2銅とを生成せしめた後化学メッキを施tで
回路パターン上に導電性物質を析出させることを特徴と
するセラミックス回路基板の製法を提供するものである
。
以下、この発明の詳細な説明する。酸化第1銅粉とガラ
ス粉とビヒクルとから成るペーストをセラミックス基板
上に回路パターンに印刷する。ここで酸化第1銅粉50
〜98重量%(以下単に%と記す)、ガラス粉2〜50
%の割合で配合したものに上記のビヒクルを混ぜ合わせ
てペーストとする。ビヒクルとしてはブチルカルピトー
ル、パインオイルなどの有機溶剤40〜99%にアクリ
ル樹脂又はポリエチレングリコールのいずれか1種又は
併用して1〜60%溶解させたものを用いることができ
る。
ス粉とビヒクルとから成るペーストをセラミックス基板
上に回路パターンに印刷する。ここで酸化第1銅粉50
〜98重量%(以下単に%と記す)、ガラス粉2〜50
%の割合で配合したものに上記のビヒクルを混ぜ合わせ
てペーストとする。ビヒクルとしてはブチルカルピトー
ル、パインオイルなどの有機溶剤40〜99%にアクリ
ル樹脂又はポリエチレングリコールのいずれか1種又は
併用して1〜60%溶解させたものを用いることができ
る。
酸化第1銅粉やガラス粉は微粉が望ましくおよそ粒径平
均20ミクロン以下、更に好ましくは数ミクロン以下が
適している。ガラス粉は硼硅酸系ガラス、鉛ガラスが適
している。
均20ミクロン以下、更に好ましくは数ミクロン以下が
適している。ガラス粉は硼硅酸系ガラス、鉛ガラスが適
している。
金属酸化物に含まれるのは酸化第1銅単独の場合、この
酸化第1銅の一部をたとえば酸化パラジウムに置換した
場合も含み、特に酸化パラジウムを用いると化学銅メッ
キから銅が回路パターンに析出するに有効である。この
場合酸化パラジウムは数十〜数百ppm程度で析出漣度
を早めることができる。又印刷は特に制限がなくたとえ
ばスクリーン印刷などが用いられる。
酸化第1銅の一部をたとえば酸化パラジウムに置換した
場合も含み、特に酸化パラジウムを用いると化学銅メッ
キから銅が回路パターンに析出するに有効である。この
場合酸化パラジウムは数十〜数百ppm程度で析出漣度
を早めることができる。又印刷は特に制限がなくたとえ
ばスクリーン印刷などが用いられる。
焼成はガラスの種類によっても多少異なるが概して55
0〜950℃空気雰囲気で10〜30分間保持してなさ
れる。
0〜950℃空気雰囲気で10〜30分間保持してなさ
れる。
化学メッキの前処理として回路パターンの表面を軽く研
摩するとよいが限定する趣旨ではない。
摩するとよいが限定する趣旨ではない。
回路パターンに含まれる酸化第1銅から金属銅と酸化第
二銅とを生成する酸処理を施す。ここでたとえば酸処理
としては硫酸水溶液が最適である。
二銅とを生成する酸処理を施す。ここでたとえば酸処理
としては硫酸水溶液が最適である。
酸処理によってガラス中に生成した金属銅は酸化jl!
1銅の中から酸化第二銅とともに生成するのでこの酸化
第二銅によってガラス中に固定された状態に存在する。
1銅の中から酸化第二銅とともに生成するのでこの酸化
第二銅によってガラス中に固定された状態に存在する。
この様に処理した回路パターンに対して化学メッキを施
し、この金属銅を含むガラス質の回路パターン上に導電
性物質を析出させる。ここで化学メッキ液中にイオンの
形で含まれる導電性元素は回路パターンに含まれる金属
銅の触媒核作用により該回路パターン」−に導電性元素
から成る導電性膜が形成され回路を構成する。この場合
、この導電性膜は回路パターンに固定された金属銅に定
着しているので密着の点で信頼性が高いものである。
し、この金属銅を含むガラス質の回路パターン上に導電
性物質を析出させる。ここで化学メッキ液中にイオンの
形で含まれる導電性元素は回路パターンに含まれる金属
銅の触媒核作用により該回路パターン」−に導電性元素
から成る導電性膜が形成され回路を構成する。この場合
、この導電性膜は回路パターンに固定された金属銅に定
着しているので密着の点で信頼性が高いものである。
導it t/J:物質が回路パターン、ヒに析出する化
学メッキとしてはたとえば化学銅メッキが代表的なもの
でこのメッキ液は硫酸銅、ホルマリン、苛性ソーダ、ロ
ッシェル塩などの酪化剤から成る市販されている通常の
ものでよい。
学メッキとしてはたとえば化学銅メッキが代表的なもの
でこのメッキ液は硫酸銅、ホルマリン、苛性ソーダ、ロ
ッシェル塩などの酪化剤から成る市販されている通常の
ものでよい。
さらにこの発明の実施例を挙げて説明する。
実施例1
次の組成のガラスバッチを1350℃で溶融後、水中に
投入してフリットとした。
投入してフリットとした。
組 成 重量%
5i02 75
Na 20 11.5
CaOa5
MfIO4
A/2o3 1
得られたフリットを48時間ポットミルで粉砕し200
メツシュ通過粉をガラス粉末とした。そして純度96.
5%の酸化!@1銅粉末も同様に粉砕しガラス粉50部
(重量%)に対し酸化第1銅粉50部(重量%)、合計
100部(重量%)に対し、ブチルカルピトールにアク
リル樹脂を2重量%溶解したビヒクルを加えスクリーン
印刷性のよいペーストに調製した。これを96重量%の
アルミナ基板上にスクリーンを用いてパターンに印刷し
、(6) 35℃/分の速度で昇温し、700Ω±20℃で7分間
焼成した。65重量%硫酸水溶液に30秒間浸漬したの
ち水洗、化学銅メッキ浴に浸漬し、パターン上に銅を析
出させた。この様にして得られたメッキ皮膜は均一で密
着力は0.8 kHz−で強固なものであり、はんだ性
も良好であった。
メツシュ通過粉をガラス粉末とした。そして純度96.
5%の酸化!@1銅粉末も同様に粉砕しガラス粉50部
(重量%)に対し酸化第1銅粉50部(重量%)、合計
100部(重量%)に対し、ブチルカルピトールにアク
リル樹脂を2重量%溶解したビヒクルを加えスクリーン
印刷性のよいペーストに調製した。これを96重量%の
アルミナ基板上にスクリーンを用いてパターンに印刷し
、(6) 35℃/分の速度で昇温し、700Ω±20℃で7分間
焼成した。65重量%硫酸水溶液に30秒間浸漬したの
ち水洗、化学銅メッキ浴に浸漬し、パターン上に銅を析
出させた。この様にして得られたメッキ皮膜は均一で密
着力は0.8 kHz−で強固なものであり、はんだ性
も良好であった。
実施例2
ガラス組成を次のものとし、かつ酸化第一銅の他に酸化
パラジウムを20 ppm添加したほかは実施例1と同
様の方法でペーストを調製し、アルミナ基板上に印刷焼
成し、処理後化学メッキを施した。メッキ析出速度は実
施例1の約4倍でありメッキ密着性も0゜7kF/−で
あった。
パラジウムを20 ppm添加したほかは実施例1と同
様の方法でペーストを調製し、アルミナ基板上に印刷焼
成し、処理後化学メッキを施した。メッキ析出速度は実
施例1の約4倍でありメッキ密着性も0゜7kF/−で
あった。
組成 1%
5i02 70
20310
Ca0 1
A/203 4
M2O1
Na20 10
(7)
K2O4
特許出願人
松下電工株式会社
代理人弁理士 竹 元 敏 丸
(ほか2名)
(8)
Claims (1)
- (11酸化第1銅粉を主成分とする金属酸化物とガラス
とビヒクルとから成るペーストをセラミックス基板に印
刷して回路パターンを形成し、焼成し、次に該回路パタ
ーンに含まれる酸化第1銅に酸処理を施して金属銅と酸
化第2銅とを生成せしめた後化学メッキを施して回路パ
ターン上に導電性物質を析出させることを特徴とするセ
ラミックス回路基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16082183A JPS6052096A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | セラミックス回路基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16082183A JPS6052096A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | セラミックス回路基板の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052096A true JPS6052096A (ja) | 1985-03-23 |
Family
ID=15723140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16082183A Pending JPS6052096A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | セラミックス回路基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052096A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292393A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | セラミック多層配線基板用酸化第二銅混練物 |
| JP2018170206A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 日立化成株式会社 | 導体及びその製造方法、導体形成用組成物、積層体、並びに装置 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP16082183A patent/JPS6052096A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292393A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | セラミック多層配線基板用酸化第二銅混練物 |
| JP2018170206A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 日立化成株式会社 | 導体及びその製造方法、導体形成用組成物、積層体、並びに装置 |
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