JPS6054477A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明状、光（ζこでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、Ｔ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。 固体撮像装置、或いは儂形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ　
）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後＆−８１と表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。 百年ら、従来のａ−ｓｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び劇湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点におりて、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部イ」は長時間繰返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、
高速で繰返１２使用すると応答性が次第に低Ｆ−ｒる、
等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。。 史には、ａ−８１は可視光領域の短波長側に較べて、集
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半得体ｌ／−ザとのマ
ツチングに於いて、通常使用されでいるノ・ロゲンラン
プや螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効にｆ
重用し得て−ないという点に於いて、夫々改良される余
地が残っている。 又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。 解 この影響は、書像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなシ、殊に牛導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。 或いは又、ａ−ｓｉ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如伺によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性中電気的耐圧性に問題が生ずる場合がおった
。 即ち、的えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電子１１の注入の阻
止が充分でないこと、或い１１１、転写紙に転写された
画像に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現
象によると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニング
に、プレードを用いるとその摺擦によると思われる。俗
に［白スジ−１と云われている所謂画像欠陥が生じたり
１〜ていた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗に云う
画像のボケが生ずる場合が少なくなかった。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決される可き点がある。 従ってａ−８１材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−Ｓｔに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（殉又は〕・ロゲン原子
（１）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ノ・ログン
化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化ア
モルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として［
ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成される
光導電性を示す非番嘴１を有する光層’ｉｆ部材の構成
を以後に説明される様な特定化の下に設計されて作成さ
れた光導電部材は実用十著

【７〈優れた特性を示すばか
りでなく、従来の尤導電部拐と較べてみてもあらゆる点
において凌駕１−ている仁と、殊に電子写真用の光導電
部材として著しく優れた特性を有していること及び長波
長側に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見
出した点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定１．
７でいて、殆Ｘ７ど使用環境に制限を受けない全環境型
であり、長波長側の光感度％性に優れると共に耐光疲労
に著しく長り、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず
、！Ａ貿電位が全く又は殆んど観測されない光尋電部拐
？Ｃ−提供することを生死る目的とする。 本発明の別の目的は、全＝（視光域に於いて光感度が尚
く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応
答の速い光導電部材を提供することである。 Ａ・−発明の仙の目的は、支持体上に設けられる層と支
持体との間＋積層される層の各層間に於ける密着性に優
れ、構造配列的に緻密で安定的でおり、層品質の高い光
導電部材を提供することでおる。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の耐電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。 高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる！−と支持
体との間や積ｊ−される層の各層間に於ける密着性に優
れ、構造配列的に緻密で安定的であシ、層品舖の高い光
導電部材を提供することである。 本発明の更に仙の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質ｉＩ！１１（ＩＩ
を倚ることが容易にできる電子写真用の光導電部材を提
供することである。 本発明の光導電部材をよ、光導電部材用の支持体と、（
１ｅｚ８１１−ｚ　（０，９５（Ｘ≦１）を含む非晶質
材料で構成された第１の層領域と、シリコン原子を含む
非晶質料ｔ１で構成され、光導電性を示す第２の）ＶＪ
領埴とが前＆ｉ支持体側より順に設けられた層構成の第
一のＪ−と、シリコン原子と窒素原子とを會む非晶質劇
料で構成された第二の層とを有し、前ｋｔｙ　Ｍ−の層
中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不
均一である事を％徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。 光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお如高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される層が、
層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に著しく
優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し使用すること
が出来る。 以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。 第１図に示す光４．電部材１００は、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、第一の層（１）１０２　、　
第一’ｉ’）層（１）１０５とを有１，２、該層（ＩＩ
）１０５は自由表面１０６を一方の端面に有している。 第一の層（１）　ｓ　０２は、支持体１０１側よシＧｅ
ｘ８１トｘ　（０，９５＜Ｘ≦１）を含む非晶質材料（
以後１”’　ａ　Ｇｅ１Ｓｉ＋−１（Ｈ＋Ｘ）Ｊと略記
する）で構成された第１の領域ｔｊ９（Ｇ）１０３とａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導電性を有する第２の
層領域（ｓ）　１０４とが順に積層された層構造を有す
る。 ８１Ｎ１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲルマ
ニウム原子は、該第１のノー領域（Ｇ）　１０　：ｌｌ
の層厚方向及び支持体１０１０表面と平行な面内方向に
連続的であって［１つ均一に分布した状態となる様に前
記第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有される３゜ 本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（８）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に第一の層（１）’ｔ−形
成することによって可視光領域を含む、比較的短波長か
ら比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が
優れている光導電部材とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８
）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使用
した場合の、第２の層領域（Ｆ３）では殆んど吸収し切
れない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於？’ｌ”
、実質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの
反射による干渉を防止することが出来る。 ＮＡは層中の人原子の総原子数）としては、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従って適宜法められ
るが、好ましくは５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍ
以下、よシ好ましくはＩ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐ戸以下、最適には、１×ｌＯ″ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｌ
ｎ以下とされるのが望ましいものである。 即ちａ　Ｇｅ　ｚｓ　＋　ｔ　−ｚ　（１１＋　Ｘ　）
におけるＸの値としては、好ましくけ０．９５＜Ｘ≦１
、よシ好ましくは０．９９　＜Ｘ≦１、最適には０．９
９９＜Ｘ≦１とされるのが望゛ましい。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材にｈ
ｒ望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設訂［
の際に充分なる注意が払われる必焚がある。 本発明に於いて、ＭｌＯ層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好
ましく曇よ、３０Ａ〜５０μ、よシ好ましくは、４０Ａ
〜４０μ、最適には、５０λ〜３０μとされるのが′１
ｊ１ましい。 父、第２０層領域（８）の層＊Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と第一の層（１）全体に要求される特性との相互
間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に
所望に従って、適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲としては好ましくは１〜１００μ、よシ好適に
は１〜８０μ、最適には２〜５０μ　とされるのが望ま
しい。 本発明のよシ好ましい実施態様的に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常は、ＴＢ／Ｔ≦１なる
関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選
択されるのが望ましい。 □上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択
に於いて、よシ好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９、最適に
はＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。 本発明に於いて、第１０層領域（Ｇ）の層厚Ｔａとして
は、成−川く薄くされるのが望寸しく、好まＬ　＜は３
０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適ｔこは２０
μ以下とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、９！°には支持体と第一の層中との間の密着性の改
良を計る目的の為に第一の層（１）中には、酸素原子が
含有される。第一の層（１）中に含有される酸素ｊη子
は、第一の層（１）の全層領域に刃傷なく自°有されて
も良いし、或いは、第一０層（［）の一部の層領域のみ
に含有させて偏在させても良い。 又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（０）が層のｊ−
厚方向に於いては、均一であっても、分布濃度Ｃ（０）
が層厚方向には不均一であっても良い。 本発明に於いて、第一・の層（１）に設けられる酸素原
子の含有されている層領域（０）は、光感度と暗抵抗の
向」二を主たる目的とする場合には、第一の層（夏）の
全層領域を占める様に設けられ、支持体と層との間の密
着性の強化を計るのを主たる目的とする場合には、第一
の層（１）の支持体側端部層領域を占める様に設けられ
る。 前者の場合、層領域（０）中に含有される酸素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（
１）の自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか
或いは、第一の層（Ｉ）の自由表面側の表層領域には、
酸素原子を積極的には含有させない様な酸素原子の分布
状態を層領域（０）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の層（Ｉ）に設けられる層領域（
０）に含有される酸素原子の含有量は、層領域（０）自
体に要求される特性、成いは該層領域（０）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。 又、前記層領域（０）に直に接触して仙の層領域が設け
られる場合には、該仙の層領域の特性や、該仙の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、１表
素原子の含有量が適宜選択される。層領域（０）中に１
′有される酸素原子の量は、形成さ７する光導′ｔ「部
材に要求される特性に応じて所望に従って適宜法められ
るが、好ましくは、０．００１−５０　ａｔｏｍｉＣ％
、よシ好ましくは、０．００２−４０　ａｔｏｉｎｉｃ
％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ　Ｘとされ
るのが望ましいものである。 本発明に於いて、Ｊｉｌｉ領域（０）が第一の層（Ｉ）
の全域を占めるか、或いは、第一０層（１）の全域を占
めなくとも、層領域（０）の層厚Ｔｏ（７）第一の層（
１）の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域
（０）に含有されるｍ素原子の含有量の上限は、前記の
ｆｍよ如充分少なくされるのが舅ましい。 不発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔｏが第一の層
（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（０）中に含有される酸素原子
の量の上限としては、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　
Ｘ以下、よシ好ましくは、２０　ａｔａｕｉｅ％以下、
最適には１０　ａｔｏｍｉａＸ以下とされるのが望まし
いものである。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（０）中に含有さろれ酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸紘、層領域（０）の層厚を示し、ｔＢは支
持体側の層領域（０）の端面の位置を、ｔＴは支持体側
とは反対側の層領域（０）の端面の位置を示す。即ち、
酸素原子の含有される層領域（０）はｔＢ側よりｔＴ側
に向って層形成がなされる。 第２図には、層領域（０）中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。 第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
（０）が形成される表面と該層領域（０）の表面とが接
する界面位置ｔＢよＪ）　ｔｔの位置までは、酸素原子
の分布＃１度ＣがＣ１なる一定の値を取シ乍ら酸素原子
が形成される層領域（０）に含有され、位Ｍ、　ｔ＋よ
シは濃度Ｃ１より界面位置１＝に至るまで徐々に連続的
に減少されている。界面位置ｔＴによ、・いてｔ」、酸
素Ｊ■子の分布濃度ＣはＣ１とされる。 第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに到る首で＃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて＃度Ｃ６
となる様々分布状態を形成している。 第４図の場合には、位＠ｔＢより位置ｔｔまでは酸素原
子の分布ｍｌ＆Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ、
と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、
位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは実質的に零とされている
（ここで実質的に零とは検出限界頃未満の場合である）
。 第５図σ）用台に＃支、酸素原子の分布濃度Ｃはもン＠
１Ｂより１１目ｔｔｒに到るーまで、濃度Ｃ８よ多連続
的に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とさ
ｔｌでいる。 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔｎと位置ｔ１間においては、濃度Ｃ０と一定値で
あり、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩＧとされる。位置ｔ
、と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位
置１ｓよシ位＠ｔＴに至るまで減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１．
よ多位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取シ、位置ｔ
４よ多位置ｔＴまでは濃度Ｃ１＊よシ濃度Ｃ１ｔで一次
関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔｙに去
るまで、酸素原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よシ実質的
に零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置ｔ１よ多位置ｔ、に至るまでは
酸素原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ・よシ濃度Ｃ□まで
一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置を丁との間にお
いては、濃度Ｃ１・の一定値とされた例が示されている
。 第１θ図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位置１．において濃度ＣＩ、であり、位ｆｌｌｌ　
Ｌｍに至る壕ではこの濃度ＣＩ？より初めはゆっくりと
減少され、ｔ、の位置付近においては、急激に減少され
て位ｔｉｔｔｓでは濃度Ｃ４とされる。 位置り、と位ＭＬ？との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位ｔ１１．
Ｌｖで諌度Ｃ１となシ、位置１．と位置１．との間では
、極めてゆつくシと徐々に減少されて位置１ａにおいて
、濃度Ｃ，に至る。位置ｔ、と位置ＬＴＯ間においては
、映度Ｃオ。より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。 以上、給２図乃至第１０図により、層領域（０）中に含
有さハる酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、酸素原子の分布濃度Ｃの＾い部分を有し、界面ｔＴ
側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成
シ低くされた部分を有する酸素原子の分布状態が層領域
（０）に設けられている。 不発明において、第一の層（１）を構成する酸素原子の
含有される層領域（０）は、上記し友様に支持体側の方
に酸素原子が比較的高濃度で含有されている局在領域［
Ｆ］）を有するものとして設けられるのが望ましく、こ
の場合には、支持体と第一の層（１）との間の密着性を
より一層向上させることが出来る。 上記局在領域Ｑ３）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設け
られるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域Ｑ３）は、界面位置ｔ
Ｂよシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。 局在領域を層領域（Ｌりの一部とするか又は全部とする
かは、形成される第一の層（１）に要求される特性に従
って適宜法められる。 局在領域Ｑｌ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状部として酸素原子の分布濃度の最大値ＣＩＩ
ＩＪＬＸが好ましくは５０　ｇ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上、よシ好適にはＢ　０６　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｎ以
上、最適にｔま１０００　ａｔｏｌｎｌ　ｃ　ｐｐｎ　
以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
（０）け、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５
μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する
様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて、第一の層（１）を構成
する第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（８）中に含
有されるハロゲン原子（ト）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。 本発明において、＆　ＧｅｚＳｉｔ−２（ＨＸ）　（０
，９５くＸ≦１）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形
成するには例えばグロー放電法、スパッタリング法。 或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用する
真空堆積法によって成される。例えばグロー放電法によ
ってａ　ＧｅｚＳ　ｌｌ□（Ｈ＊　Ｘ）で構成される第
１の層領域（Ｇ）を形成するには、Ｑ、９５〈Ｘく１の
場合には、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ＠
供給用の原料ガスとシリコン原子（８１）を供給し得る
引供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（６）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（３）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
ａ−Ｇ＠１８１ｔ−Ｘ　（Ｈ＃Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。Ｘ＝１の時には前述の原料ガスのうち８ｉ
供給用ガスを除いておけばよい。又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばムｒ、Ｈ・等の不活性ガス
又は辷れ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｇ・で構成されたターゲットを一枚、或いれ該ターゲッ
トとＳｉで構成されたターゲットの二枚を使用して又は
、ＳｉとＧｏの混合されたターゲットを使用して必要に
応じてＨ・、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈され九Ｇｅ供給用
の原料ガスを必要に応じて、水素原子（ロ）又は／及び
ハロゲン原子（３）導入用のガスをスパッタリング用の
堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成し
て前記ターゲットをスパッタリングしてやれば良い。 イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウム、必要に応じて多結晶
シリコン又は午結晶シリコンを用い、夫々蒸発源として
蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは
、エレクトロビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発さ
せ、飛＃Ｉ蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過
させる以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事
で行うことができる。 本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成如
得る物質としては、５ｉＨ４１５ｉｔＨ・。 ５ｉｓＨａ　＝　５１ａＨｔ。等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｉ供給効率の良さ尋の点でＳ　１Ｈ４ｅ　Ｓ　ｉ　ｍ
迅が好ましいものとして挙げられる。 Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ
４、ＧｅｔＬ　、　Ｇ５１Ｈｓ　＊　Ｇｅ４Ｈ１ｏ　Ｉ
　ＧｅｓＨｔ＊　ｔ　Ｇ＊５ｌＬ４ｒＧｅｙＨｎ　＃　
Ｇ＊＊Ｈｓａ　Ｔ　Ｇｓ＊Ｈ＊ｏ等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇ
・供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨａ　ｒＧ＠＊Ｈ＠　
、　Ｇｅ５Ｈａが好ましいものとして挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのノ・ロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ハロゲン間
化合物、ノ・ロゲンで置換され九シラン誘導体等のガス
状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げ
られる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとＬ７て本発明におい
ては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭索、ヨウ索の／％０
ゲンガスｔ　ＢｒＦ　ｇ　ＣｔＦ　ｔ　Ｃ１Ｆａ　ｙＢ
ＦＦｓ　ｒ　Ｂｒｌ’　＠　ｐ　ＩＦｓ　＃　ＩＦ７　
ｇ　ＩＣｔＨＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙ける仁と
が出来る。 ハロゲン原子を宮む硅素化合物、所側、ハロゲン原子で
置換されたシラン錦導体としては、具体的に１２　ｆｐ
ｑえばＳＩＦ４　ｖ　ＢｈＦｍ　＋　５ｉＣｔ４＋　５
ＩＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして皐げ
ることが出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇ・供給用の原料ガスと共に８１を供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含む５に一８１Ｇ・
から成る第１のＪ−領域（Ｇ）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（（０を作成する場合、基本的には、例えば５ｔｔｔ
ｔ給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧ・供給用の
原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　ｐ　Ｈ＠　
ｓ　Ｈ＠等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様
にして第１の層領域（Ｇ）　′ｔ−形成する堆積室に導
入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰
囲気を形成するととによって、所望の支持体上に第１の
層領域（Ｇ）を形成し得るものであるが、水素原子の導
入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等のガ
スに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガス鉱単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。 スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれは良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水床原子導入用の原
料ガス１、例えば１．・山、或いは前記したシラン類又
は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリン
グ用の堆積家中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を
形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子樽入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。 ＨＣｌ　、　ｆｆＢｒ　、　ＴＨ等のハロゲン化合物、
Ｓ　ＩＩ（Ｊ’ｓ　−８１ＨｔＩｔ　ｅ　８１Ｈ＊ＣＬ
＊　ｅ　５ｉＩＩＣｔｓ　ｌ　５ｉＨＪｒｔ　ｅ　８１
ＨＢｒａ等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅａｒｓ
　。 Ｑ＠Ｈ＊Ｆ＊　、　ＧａＨｍＦ　、　Ｇｅ）ｆｃｌ、ｓ
　、　ＧａＨＩＣＬＨ、０ｆ５ＨｓＣＬ　。 ＧａＨＢｒａ　ｌ　ＧａＨＪｒｌ　＃　ＧｅＨｓＢｒ　
ｅ　ＧｅＨＩａ　ｖ　ＧｅＨｔＩ＊　。 ＧａＴ（ｄ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素
原子を構成Ｊｊ１１１＊０１つとするハロゲン化物、Ｇ
ｅＦ４１　（’ｈｃ１４　ＨＧａＢｒａ　ｖ　ＧａＩ４
　＊　ＧｅＦｔ　ｇ　ＧＢＣＩ４ｔ　ＧａＢｒｇ　５Ｇ
ｅＩ＊等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の
或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形
成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１０層領域（層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適な）・
ロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ３、或いは８　ｉＨ，、Ｓ　ｂＬ　。 引ｓＨａ　、　Ｓｉ＊ＢＬｏ　４！の水素化硅素をＧｅ
を供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と
、或−は１ＧｅＬ　、　Ｇ命ＩＨ＠　ｅ　Ｇｅ５Ｈａ　
ｌ　Ｇ１！４Ｈ１＠　ｐ　Ｇ＠ｓＨ＋ｔ　ｔＧｅｓＨｔ
４ｅ　ＧａｙＨ１ｓ　＃　Ｇｅ５Ｈｕ　＊　Ｇｅ５Ｈｔ
ｏ等の水素化ゲルマニウムと８１を供給する為のシリコ
ン又はシ、リロン化合物とを堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される第一の層（１
）を構成する第１の層領域（Ｑ中に含有される水素原子
（功の量又はハロゲン原子（３）の量又は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は好ましくは０．０１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　
ａｔａｍｌｅ　８、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（功又は／
及びハロゲン原子（３）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（６）、或いはハロゲン原
子（３）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する童、放電電力等を制御してやれば良い
。 本発明に於いて、ａ　５ｉ（ＩＩ＋Ｘ）で構成される第
２の層領域（８）を形成するには前記した第１０層領域
（Ｇ）形成用の出発物質（夏）の中よシ、Ｇｅ供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領
域（８）形成用の出発物質（Ｉｆ）　）を使用して、第
１の層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に
従って行うことが出来る。 即ち、本発明において、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（８）￥Ｃ形成するＫは例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或い紘イオンブレーティング
法等の放電現象を利用する写真堆積法によって成される
。例えは、グロー放電領域（Ｓ）を形成するには、基本
的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（ロ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（３）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
である所定の支持体表面上にａ−８１（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの算囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際、水
素原子（ロ）又は／及びハロゲン原子（２）導入用のガ
スをスパッタリング用の堆積室に導入しておけばよ０ 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）の上に設けられ、ゲルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（８）には、伝導
特性を制御する物質を含有させることによシ、該層領域
（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来る。 この様な物質としては、所圃、半導体分野で六われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成さｉ
するＭ２０層領域（８）を構成するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ２！ｌ１２不純物、
及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純ＱｋＪ會挙げること
が出来る。 具体的にｒｔ、ｔ、ｐ型不純物としては、周期律表第■
族に属する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、
Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ　（イ
ンジウム）、Ｔｔ（タリウム）等があり、殊に好適に用
いられるのは、Ｂ、Ｇａである＋１１１不純物としては
、周期律表第Ｖ族に属する原子（第■族原子）、例えば
、Ｐ（隣）、Ａｓ　（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂ
ｉ（ビスマス）等であり、殊に好適に用いられるは、Ｐ
、Ａｓである。 本発明にふ・いて、第２の層領域（８）に含有される伝
導時＠、をＴｏｌＩ１１４１する物質の含有量は、該層
領域（８）に要求される伝導特性、或いは該層領域（８
）に直に接触して設けられる他の層領域の特性や、該他
の層領域との接触界面に於ける特性との関係等、有機的
関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量としては、好ましくは０
．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍ、よシ好適
には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ１最適に
は０．１〜２００　ａｔｏｍｉｇ　ｐＨ１ｎｌｌとされ
るのが望ましいものである。 第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質例えば
第■族原子、或いは、第Ｖ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質、或い拡
、第■族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に
、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共に導入
してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出発物質
と成シ得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。その様な第１［族原子導入用の出
発物質として具体的には砿累原子導入用としては、Ｂ、
Ｔ（＠　、　Ｂ４Ｈ１゜。 ＢｅＨ＊　−ＢｉＨｕ　、ＢｓＨｔｏ　−Ｂ＊’、Ｉｌ
’ｕ　、Ｂ１１Ｈ１４等の水氷化硼素ｒ　ＢＦＩ　、　
ＢＣｔｓ　＋　ＢＢｒｉ　＃の〕・ロゲン化硼素等が挙
げられる。この他、ＡｌＣ１ｍ　、　ＧａＣム、Ｇａ（
ＣＨｓ）ｓｌｉｕＣＬＢ　、　Ｔ！Ｊ：：Ｉｓ　’Ｉも
挙げることが出来る。 第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において１
効に使用されるのは、燐原子導入用としてｔ、支、ＰＨ
ｓ　、　ＰＩＴ（４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ　−ＰＦａ
　。 ＰＦＩ　、　ＰＣｌａ　、　ＰＣｌｍ　＋　Ｐｉｅｒｓ
　、　ＰＢｒｓ　、　ＰＩ３等のハロゲン北隣が挙げら
れる１、この他、Ａ邸Ｈ＠　、　ＡｓＦ５　ｔＡｓＣｌ
、ｓ　ｌ　ＡＩｉＢｒｍ　＋　Ａ８１’　＠　Ｈ５ｂＨ
ａ　ｅ　ＳｂＦｍ　ＨＳｂＦｍ　ｇ　ＳｂＣ’ｔｓ　ｅ
ＳｂＣｔｌ、ＢｉＨｓ　＋旧Ｃ７ｓ　＊　ＢｉＢｒｍ等
も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることが出来る。 本発明に於いて、第一の層（１）に酸素原子の含有され
た層領域０）を設けるためには、第一の層（Ｉ）の形成
の際に酊＃Ｓ原子導入用の出発物質を前記した第一の１
ｍ（１）形成用の出発物質と共に使用して、形成さＪす
る層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領
域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合には
、前記した第一の層（１）形成用の出発物質の中から所
望に従って選択されたものに酸素原子導入用の出発物質
が加えられる。その様な酸素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（ロ）又は及びノ・ロゲン原子（３）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（８１）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（綽を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）　、酸素原子（
０）及び水素原子（６）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（８１）と水素原子（ロ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良ｉ。 具体的には、例えば酸素（０１）、オゾン（Ｏｎ　）　
−一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯＩ）、−二酸
化窒素（Ｎ＊ｏ）　、三二酸化窒素（ＮｔｏｉＬ四二酸
化窒素１＊ｏｉ）、三二酸化窒素（Ｎオ０．）、二酸化
窒素（ＮＯＩ）、シリコン原子（Ｓｔ）とＭ素原子（０
）と水素原子（Ｉわとを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサン（Ｈｓｉｉ！１Ｏ８ｉＨｓ）　−トリシロキサ
ン（Ｈｓ　Ｓ　ｉｔｓ　１Ｌ０８１Ｈｓ　）尋の低級シ
ロキサン等を挙げることが出来る。 スパッターリング法によって、酸素原子を含有する第一
０層（１）を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウ
エーハー又は８１０ｍウェーッ１−１又は８１とＳｌｏ
ｗが混合されて含有されているウェーハーをターゲット
として、これ等を種々のガスず囲気中でスパッターリン
グすることによって行えばｊＬ−０ ｌＦｉｉｔｆ、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパツメー用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ハーをスパッターリングすれば良い。 又、別には、Ｓｉと８１０．とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８ｉ０＊の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパツメー用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（綽又は／
及びハロゲン原子（２）を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッターリングすることによって成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用ノ原料
ガスが、スパッターリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。 本発明に於いて、第一の層（Ｉ）の形成の際に、酸素原
子の含有される層領域（０）を設ける場合、該層領域（
０）に含有される酸素原子の分布媒度Ｃ（０）を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域（０）を形成する
には、グロー放電の場合には分布濃度Ｃ（０）を変化さ
せるべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス
流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆
積家内に導入することによって成さｔする。例えば手動
あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている伺らか
の方法により、ガス流路系の途中に設けられた所定のニ
ードルバルブの開［１を漸次変化させる操作を行なえは
共い。このとき流量の変化率は線型である必要はなく例
えばマイコン等を用いて、あらかじめ設置ｔされた変化
率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得る
こともできる。 層領域（０）をスパッターリング法によって形成する場
合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向
で変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状ＩＭ
　（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆ　ｉ　Ｉｓ　）　′ｆｒ、形
成するには、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該
ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って
適宜変化させることによって成される。 第二には、スパッターリング用のターゲットを、例えば
、ＳｌとＳｌｏｗとの混合されたターゲットを使用する
のであれば、Ｓｌとｓｔｏｗとの混合比を、ターゲット
の層厚方向に於いて、予め変化させておくことＫよって
成される。 本発明に於いて、形成される第一の層（１）を構成する
第２の層領域（８）中に含有される水素原子（ロ）の量
又はノ・ロゲン原子（２）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは１〜４０　ａ
ｔｏｍｉｅ％、よシ好適には５〜３０ａｔｏｎｎｉｃ％
、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。 第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の層
（Ｉ）　１０２上に形成される第二の層■）１０５は自
由表面１０６を有し、主に耐湿性。 連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用項境特性、耐
久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けられる。 又、本発明に於いて１Ｊ：、第一の層（１）　１０２と
第二の層（ＩＩ）　１０５とを構成する非晶質材料の各
々がシリコン原子という共通の構成要素を有して−るの
で、積Ｊ−界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸
されている。 第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の層
（１）　１０２土に形成される第二の層（Ｉｆ）１０３
は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、
電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の
目的を達成するために設けられる。 又、本発明に於いては、第一０層（１）　１０２と第二
の層（ＩＩ）１０５とを構成する非晶質材料の各々がシ
リコン原子という共通の構成要素を有しているのて、積
層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されてい
る。 本発明に於ける第二の層１）は、シリコン原子（８１）
と窒素原子（ロ）と、必要に応じて水素原子（ｌ◆又は
／及びハロゲン原子（３）とを含む非晶質材料（以後ｒ
　ａ　（５ｋｘＮ＊−１）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙ　Ｊと記
す。但し、ｏ＜ｘ　、　ｙ＜１　）で構成される。 ａ　（Ｓ　ｋｘＮｌ−ｘ）　ｙ　（Ｈ−Ｘ）ｔ　−ｙ　
テ構成すｔＬ　ルＷ、　二ノ層ω）の形感はグロー放電
法、スパッタリング法。 エレクトロンビーム法等によって成される。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
２作製される光導電部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有す
る光導電部材を製造するための作製条件の制御が比較的
容易である、シリコン原子と共に窒素原子及びノ・ログ
ン原子を、作製する第二の層（ｎ）中に導入するのが容
易に行える等の利点からグロー放電法或ｉはスパッター
りフグ法が好適に採用される。 更に、不発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層Ｑｌ）を形
成してもよい。 グルー放電法によって第二０層０１）は形成するには＆
−（ＳｉＸＮｌ　ｚ）ｙ（ｆＩ、Ｘ）＋ｙ形成用の原料
ガスを、必をに応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合
１〜て、支持体の設置しである＾空堆積室に導入し、導
入されたガスを、グロー放電を生起させることでガスプ
シズマ化して、前記支持体上に既に形成されである第一
の層（１）上にａ−（Ｓ　ｉｚＮトｚ’）ｙ（Ｉｆ　、
　Ｘ）＋−ｙ　’ｃ　１ｍ　ｆＪ　サセｔ’Ｌ　ハＩｔ
　イ。 本う６明に於いて、ａ　（ＳｉｓＮｍ−１）ｙ（ＨｔＸ
）＋−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓ
ｔ）、電Ｘ原子（財）、水嵩原子（槌、ハロゲン原子（
２）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質全ガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 Ｓｉ、ＮｓＨ，Ｘの中の一つとしてＳｔを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えば５ｔｔ−構成原子
とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原ネ４ガス又は／及びＸ
ｆ：構成原子とする原ｔ１ガスとをＨ「望の混合比で混
合して使用するか、又はＳｉ＆構成原子とする原料ガス
と、Ｎ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＮ及
びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の
混合比で混合するか、或いは、Ｓｉｅ構成原子とする原
料ガスと、Ｓｔ　、　Ｎ及びＨの３つを構成原子とする
原料ガス又は、Ｓｌ　、　Ｎ及びＸの３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。 又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＮ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＮを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。 本発明に於いて、第二の層（ＩＦ）中に含有されるハロ
ゲン原子（ト）として好適なのはＦ　ｓ　ｅｔ、Ｂｒ　
−■であり、殊にＦ　、　ＣＬが望ましいものである。 −１本発明に於いて、第二〇層Ｑｌ）を形成するのに有
効に使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温
常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物
質を挙げることができる。 第二の層Ｑｌ）を上記の非晶質材料で構成する場合の層
形成法としてはグロー放電法、スパッターリング法、イ
オンインプランテーション法、イオンブレーティング法
、エレクトロンビーム法等が挙げられる。これ吟の製造
法は、製造条件。 設備資本投下の負荷程度、製造規模２作製される光専電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光４電部材を製造
する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン
原子と共に窒ｇ原７、必要に応じて水素原子やハロゲン
原子を作製する第二０層（ＩＩ）中に導入するのが容易
に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッターリ
ング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層１）を形成
［７ても良い。 グロー放電法によって、＊−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第二の鳩（ＩＩ）を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給し得る８１供給用の原料ガスと
窒素原子（ロ）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素
原子（功導入用の又は／及びハロゲン原子（３）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の第１の層上にａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ
）からなる第二の層（■）を形成させれば良い。 又、スパッタリング法で第二の層■）を形成する場合に
は、例えば次の様にされる。 第一には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ岬のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで
構成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素原
子（神導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（ロ
）導入用の又は／及びハロゲン原子（２）導入用の原料
ガスと共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導入し
てやれば良０ 第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳ　ｉ
　ｓＮ４で構成されたターゲットか、或いはＳｌで構成
されたターゲットと８１１Ｎ４で構成され九ターゲット
の二枚か、又はＳｉとＳｉｓＮｍとで構成されたターゲ
ットを１史用することで形成される第二の層■）中へ窒
素原子＜Ｎ）　ｔ−導入することが出来る。この除、前
記の窒素原子（功専入用の原料ガスを併せてｆ小用すれ
ばその流蓋を制御すること第二の層Φ）中に導入される
窒素原子（へ））の量を任意に制御することが存易であ
る。 第二の層（１）中へ尋人される位紫原子（６）の含有量
は、窒素原子（財）導入用の原料ガスが堆積室中へ導入
される際の流１を制御するか、又は窒素原子（転）導入
用のターゲット中に台上される窒素原子（間の割合を、
該ターゲットを作成する際にｗ４整するか、或いは、こ
の両者を行うことによって、所望に従って任意に制御す
ることが出来る。 本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、Ｓｉ＋Ｈ４ａ　５１ｔＨａ　＃５１
ｓＨｓ　ｐ　５１ｄ（ｔｏ等のガス状態の又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｌ供給
効率の良さ等の点でＢｉＬ＋　５ｉＪＨｓが好まし−も
のとして挙けられる。 これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される第二〇層ＱＩ）中にＳｔ
と共にＨも導入し得る。 Ｓｔ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子に）を含む硅素
化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体
、具体的には例えばＳｉＦ４゜ＳｉｇＦｓ　−ＳｉＣム
＃　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとし
て挙げることが出来る。 更には、５ＩＨｔＦ”ｔ　、　５ｉＨｔｌｔ　ｓ　８ｔ
ＨｔＣｔｔ　ｔ　Ｓｉ圧ｌＩｌ。 ５ｔＨｔｎｒｌ　ｔ　５ｉＨＢｒｓ　’Ｉのハロゲン置
換水素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、
水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な
第二０層値）の形成の為のＳＬ供給用の出発物質として
挙げる事が出来る。 これ等のハロゲン原子（１）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によっ
て、形成される第二の層（ｎ）中にＳｌと共にＸを導入
することが出来る。 上記した出発物質の中水巣原子を含むノ・ロゲン化硅素
化合物は、第二の層（ＩＩ）の形成の際に層中にハロゲ
ン原子（３）の導入と同時に電気的或いは光電的特性の
制御に極めて有効な水素原子（匂も導入されるので、本
発明においては好適な）・ログン原子α）導入用の出発
物質として使用される。 不発ＬＩＩＪにおいてシ゛暴二の層ａｒ）を形成する際
に使用されるハロゲン原子（３）導入用の原料ガスとな
る有効な出発物質としては、上記したものの他に、例え
１よ、フッ素、塩素、臭素、ヨウ累のノーロゲンガス、
ＢｒＦ　、　ＣｔＦ　、　ＣｔＦ、　、　ＢｒＦ５　）
　ＢｒＦ５　＊ＩＦａ　ｒ　ＩＦｖ　ｔ　ＩＣＩ　、　
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、■正、　ＨＣｌ　ｒ　ｌ
ｌ［Ｂｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素を挙げゐことが
出来る。 第二の層Ｑｌ）を形成する際に使用される窒素原子（ロ
）導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用さ
れる出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮと）Ｉと
を構成原子とする例えば窒素（Ｎｌ）、アンモニア（Ｎ
Ｈ，）、ヒドラジン（Ｈｔ’ＮＨＨ＊　）　。 アジ化水素（ＨＮｓ　）−アジ化アンモニウム（ＮＨ４
Ｎｍ　）勢のガス状の又鉱ガス化し得る窒素、窒化物及
びアジ化物等の窒素化合物を皐けることが出来る。この
他に、窒素原子（転）の導入に加えて、ノ・ロゲン原子
（１）の導入も行えるという点から、三弗化室床（ＦＩ
Ｎ）、四弗化窒素（ＦｎＮｔ　）等のハロゲン化窒素化
合物を挙げることが出来る。 本発明に於いて、第二の層（］をグロー放電法又はスパ
ッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所鞘、希ガス、例えばＨｅ・・ｖ　Ｎｏ　、　Ａ
ｒ等が好適な−のとして挙げることが出来る。 本発明に於ける第二の層（Ｉ［）は、その要求される特
性が所望通夛に与えられる様に注意深く形成される。 即ち、８ｉ、Ｎ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質唸、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取シ、電気物性的に唸、
導電性から半導体性、絶縁性までの閾の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　−（Ｓ
　ｉｘＮ＋−１）ｙ　（Ｈ、Ｘ　）＋−ｙが形成される
様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。 例えば、第二の層Ｑｌ）を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設けるにはａ　（ＳｔｘＮｌ−ｘ）ｙ（ａ、ｘ
）ｈｙは使用積項に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。 又、連続繰返１〜蘭用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第二の層０１）が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　
−（８ｉｚＮ＋−２）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋□が作成含れる。 第一０ｍ１（１）の界面にａ　（ＳｉｘＮＩ−２）ｙ（
ＨｐＸ）トｙから成る第二の層（ＩＱの表面にａ　（Ｓ
　１ｚＮｔ−Ｘ）　ｙ（Ｈ，Ｘ）Ｉ−７から成る第二の
層Ｃｌ０）を形成する際、層形成中の支持体温度は、形
成される層の構造及び特性を左右する重要な因子であっ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有するａ−（
ＳｉｚＮｔ−ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ猿アが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるの
が望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（損の形成法に併せて適宜最適範囲が選択さ
れて、第二の層（Ｉ）の形成が実行されるが、好ましく
は、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００℃とされるのが望ましいものであ
る。第二の層ＱＩ）の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御中層厚の制御が他の方法に較べて比較
的容易である事等のために、グロー放電法やスパッター
リング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第
二の層（ＩＤ’ｔ−形成する場合には、前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（
ＳｔｘＮｌ−Ｋ）、（Ｈ，Ｘ）ｌ　。 の特性を左右する重要な因子の一つである。 本発明に於ける目的が達成されるだめの特性を有するａ
　（ＳｔｘＮｌ−ｘ）ｙ（ｎｔｘ）＊−ｙが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件トしては好ま
しくは１．０〜ａｏｏｗ１よシ好適には２、（）〜２５
０Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとさ堆積室内のガス圧
は好ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒ。 より好適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされるの
が望ましい。 本発明に於いては第二の層（ＩＩ）を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ−（ＳｉｘＮＩ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘハーアから成る第
二の層（ＩＩ）が形成される様に相互的有機的関連性に
基づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが
望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の層（ＩＩ）に含有さ
れる窒素原子の量は、第二の層（ＩＩ）の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二
の層（ＩＩ）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の層（ＩＩ）に含有される窒素原子
の量は、第二の層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の種類
及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもの
である。 ｕＩＪら、前記一般式ａ−（ＳＩｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，
Ｘ）Ｉ　ｙで示される非晶質材利け、大別すると、シリ
コン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後、
「ａ−８ｌ　ｍｌ’Ｊ＋−ａ、Ｉと記す。但し、０（ａ
（１）　、シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成
されるＤＩＥ晶質材料（以後、［ａ−（ＳｆｂＮ＋　−
ｂ　）　ｅＺ（＋　−ｅ　、Ｊと記す。但し、０（ｈ　
、　ｃ（１）　、シリコン原子と窒素原子とハロゲン原
子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質材料（
以後、［ａ−（ＳＬ＋Ｎ＋−ｄ）＊（Ｈ＋Ｘ）＋−ｅ−
１と記す。但しＯ（ｄ　、　ｅ（１）、に分類される。 本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）がａ−８ｉ、Ｎｌ−
、で構成される場合、第二の層（■）に含有される窒素
原子の飴は好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０”−”〜６０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、
最適には１０〜４５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しいものである。即ち、先のａ−８ｌａＮ＋−ａの畠の
表示で行えば、ａが好ましくは０．４〜０．９９９９９
、より好適には０．５〜０．９９、最適には０．５５〜
０．９である。 本発明に於いて、第二の層（ｎ）が６−　（Ｓｉ　ｂＮ
ｌ−ｂ）ｃＨＩ−６で構成される場合、第二の層（ＩＩ
）に含有される窒素原子の量は、好ま１．　＜はＩ　Ｘ
　１０−”　〜５５ａｔｏｒｎｉｃ％とされ、より好ま
しくは１〜５５　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０〜５
０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま１゜いものである
。水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％
、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉ　ｃ％とされるのが望
ましく、これ等の範囲に水素原子含有量がある場合に形
成される光導電部材は、実際面に於いて優れたものとし
て充分適用させ得る。 即ち、先のａ−（ＳｉｂＮ、、、−ｂ）ｅＨ，−０の表
示で行えばｂが好ましくは０．４５〜０．９９９９９、
より好適には０．４５〜０．９９、最適には０．１５〜
０．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適に
は０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０，９５であ
るのが望ましい。 第二の層（ＩＩ）が、ａ−（ＳｉｄＮｘ−ｄ）＊（Ｈｙ
Ｘ）ｔ−ｓで構成される場合には、第二の層（ｕＩＪ中
に含有される窒素原子の含有量としては、好ましくは、
１×１０−ａ〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１
〜９０　ａｔｏｍｉ　ｃ％、最適には１０〜５５　ａｔ
ｏｍｉ　ｃ　％とされるのが望ましいものである。ハロ
ゲン原子の含有量としては、好ましくは、１〜２０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には１〜］　８　ａｔｏｒｎｉｃ
％、最適には２〜１５　ａｔｏｍｉ　ｃ％とされるのが
望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有菌がある場
合に作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得る
ものである。必要に応じて含有される水素原子の含有量
としては、りｆましくは１９ａｔｏｍｆｃ％以下、より
好適には１３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望まし
いものである。 即ち、先のａ−（ＳｉｄＮ＋−ｄ）ｅ（Ｈ，Ｘ）＋−ａ
のｄ、ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．４〜０．
９９９９９、より好適には０４〜０９９、最適には０．
４５〜０．９、ｅが好まＬ　＜け０．４〜０．９９９９
９、好適には０．４〜０．９９、最適には０．４５〜０
．９であるのが望ましい。 本発明に於ける第二の層（ＴＩ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。 又、第二の層（ＩＩ）の層厚は、該層（■）中に含有さ
れる窒素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に於
いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的
な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある
。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μ、より好適には０．００４〜
２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ま
しい。 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、　ＮｉＣｒ、ステンレス。 ＡＡＩ　＊　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、
　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金
属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。 ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。 ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。 セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。 Ａｌｌ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　、
　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　。 Ｐｄ　、　Ｉｎ＊Ｏｓ　、　Ｓｎｏｗ　、　ＩＴＯ（Ｉ
ｎ＋Ｏｓ　＋ＳｎＯｇ）等から成る薄膜を設けることに
よって導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　ｓ　Ａ１９
　Ａｇ　ｊ　Ｐｂ　？　Ｚｎ　、　Ｎｉ　ｊＡｕｊＯｒ
、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の
薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッターリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面なう電ネー
ト処理して、その表面に導電性が付与される。支持体の
形状としては、円筒状。 ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写真用像形成部材として使用するのであれば
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範四内であれば可能な限り薄くされる。 百年ら、この様な場合支持体の製造士及び取扱い上、機
械的強度等の点から、好ましくは１０ｐ以−トとされる
。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。 第１１図に光導電部側の製造装置の一例を示すＯ 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その−例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
たＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＳｉＨ４／
Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈されたＧ
ｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４／Ｈｅ
と略す。）ボンベ、１１０４は、Ｈｅで稀釈されたＳｉ
Ｆ４ガス（純度９９．９９％、以下ＳｉＦ４／Ｈｅ　と
略す。）ボンベ、１１０５はＮＯガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、１１０６はＮＨ＋＋ガス（純度９９．９
９９％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のパルプ１１２２〜１１２６、
リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助パルプ１１３２゜１１３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインパルプ１１３４を開
いて反応室１１０１、及びガス配管内を排気する。次に
真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０−’　ｔｏｒｒ
になった時点で補助パルプ１１３２　、１１３３、流出
パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（１）を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より
Ｓ　ｉ　Ｈ４、／’Ｈｅガス、□ガスボンベ１１０３よ
りＧｅＨｎ／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５よりＮＯガ
スをパルプ１１２２　、１１２３　、１１２４を開いて
出口圧ゲージ１１２７　、１１２８　、１１２９の圧を
１　ｋｇ／ｃｒ／ｌに調整し、流入パルプ１１１２　、
１１１３　。 １１１４を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０
７　、１１０８　、１１０９内に夫々流入させる。 引き続いて流出バルブ１１１７　、１１１８　、　ｌｌ
ｌ＆補助パルプ１１３２を徐々に開いて夫々のガス反応
室１１０１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４、／
’Ｈｅガス流量とＧｅＨ４／Ｈｅガス流量とＮＯガス流
量との比が所望の値になるように流出バルブ１１１７゜
１１１８　、１１１９を調整し、又、反応室１１０１内
の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読みを
見ながらメインパルプ１１３４の開口を調整する。そし
て基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５
０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認
された後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ所望時間グロー放電
を維持して、所望層厚に、基体１１３７上に第１の要領
域旬な形成する。所望層厚に第１の層領域Ｇ）が形成さ
れた段階に於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じる
こと、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様
な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持するこ
とで、第１の層領域０）上にゲルマニウム原子の実質的
に含有されない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出
来る。 この様にして、第一の層（Ｉ）が形成される。 第２の層領域（Ｓｌ中に伝導性を支配する物質を含有さ
せるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例えば、Ｂ
ｇＨｓ　、　ＰＨｓ等のガスを堆積室１１０１の中に導
入するガスに加えてやれば良い、。 第一の層（ＩＪ中にハロゲン原子を含有させる場合には
、上記のガスに、例えば５ｉＦａガスを更に付加して、
グロー放電を生起させれば良い。 又、第一の層（１）中に水素原子を含有させずにハロゲ
ン原子を含有させる場合には、先のＳｉＨ４／Ｈｅガス
及びＧｅＨ４／Ｈｅガス代りに、ＳｉＦ４／Ｈｅガス及
びＱｅＦ４．イＨｅガスを使用すれば良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（Ｉ）上
に第二の層（ＩＩ）を形成するには、第一の層（Ｉ）の
形成の際と同様なパルプ操作によって、例えばＳｉＨ４
ガス、ＮＨｓガスの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガ
スで稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起
させることによって成される。 第二の層（Ｉｆｌ中にハロゲン原子を含有させるには、
例えば５ｉＦｉガスとＮＨｓガス、或いは、これにＳｉ
Ｈ＜ガスを加えて上記と同様にして第二の層（ＩＩ）を
形成することによって成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パル
プ１１３２　、１１３３を開いてメインバルブ１１３４
を全開して系内な一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。 第二の層（ＩＩ）中に含有される窒素原子の量は例えば
、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスと、ＮＨａガス
又は、ＡｒとＮＨａの混合ガスの反応室１１０１内に導
入される流量比を所望に従って変えるか、或いは、スパ
ッターリングで層形成する場合には、ＡｒとＮＨｓの混
合ガスと、ターゲットを形成する際シリコンウェハと窒
化シリコンのスパッタ面積比率を変えるか、又はシリコ
ン粉末と窒化シリコン粉末の混合比率を変えてターゲッ
トを成型することによって所望に応じて制御することが
出来る。第二の層（ＩＩ）中に含有されるハロゲン原子
（３）の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えば
ＳｉＦ、ガス反応室１１０１内に導入される際の流量を
調整することによって成される。 又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＩ
基体上に第１表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．　ＯｋＶでＱ、　３　ｓｅｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ
光源を用い、２　ｌｕｘ　、ｓα〕の光量を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた。 その稜直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、θ５．　ＯｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、電子写真用像形成部
材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性と現像剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成１．た
ところ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、電子写真用像形成部
材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。 実施例４ 実施例１に於いて、ＧｅＨ４／Ｈｅガスと５ｉＨｉ／’
Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以外
は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を夫々
作成した。 こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
４表に示す結果が得られた。 実施例５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材の夫々を作成した。 こうして？！＋られた各像形成部材に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成（−だと
ころ第５表に示す結果が得られた。 実施例６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
基体上に第６表に示す条件にして、第一の層（１）を形
成１〜だ以外は実施例１と同様に１、て電子写真用像形
成部材を形成１７た。 と５を−てイυられた像形成部材を、帯電露光実験装置
に設置、　１．、　ｅ５．　ｏ　ｋｖで０．３　ｓｅｃ
間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射ｔまた光像はタ
ングステンランプ光ユ；ミを用い、２　ｌｕｘ　、ｓｅ
ｃの光量を透過型のテストチャートを通１〜で照射させ
た。 その抜直ちに、６９向電性の現像剤（トナーとキャリア
ーを含む）を像形成部材表置をカスケードすることによ
って、像形成部胴表面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナー画像を、ｅ５．　ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写し、た所、Ｗｆ像力に優れ、階調再
現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例７ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作
成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例８ 層（ＩＩ）の作成条件を第１１表に示す各条件に１−た
以外は、実施例２，３．６の各実施例と同様の条件と手
順に従って電子写真用像形成部材の各々（試料１’！１
１２−２０１〜１２−２０８．１２−３０１〜１２−３
０８、１２−６０１〜１２−６０８の２４個の試料）を
作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、θ５　ｋＶで０．２臓間コロナ帯
電を行い、光像を照射した。光源はタングステンランプ
を用い、光量は１．Ｏｌｕｘ。 ｓｅｃとした。潜像は■荷電性の現像剤（トナーとキャ
リアーを含む）によって現像され、通常の紙に転写され
た。転写画像は、極めて良好なものであった。転写され
ないで電子写真用像形成部材上に残ったトナーは、ゴム
ブレードによってクリーニングされた１、このような工
程を繰り返し１０万回以上行っても、いずれの場合も画
像の劣化は見られなかった。 各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第８表に示す。 実施例９ 層（１０の形成時の際に、スパッターリングを採用【７
、ＡｒとＮ１１ｍの混合ガスとシリコン原子ノ１と窒化
シリコンのターゲツト面積比を変えて、層（ＩＴＪに於
けるシリコン原子と頷素原子の含有量比を変化させる以
外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部拐の
夫々を作成した。こうして得られた像形成部材の夫々に
つき、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニン
グの工程を約５万回繰り返した後画像評価を行ったとこ
ろ第９表の如き結果を得た。 実施例１０ 層（ｎ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＮＨａガスの流
量比を変えて、層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と窒素
原子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。こうして
得られた各像形成部材につき、実施例１に述べた如き方
法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像評価
を行ったところ、第１０表の如き結果を得た。 実施例１１ 層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ４　ガ
ス、ＮＨｓガスの流量比を変えて、層（ＩＩ）に於ける
シリコン原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は
、実施例１と全（同様な方法によって像形成部材の夫々
を作成した。こうして得られた各像形成部材につき実施
例１に述べた如き作像。 現像、クリーニングの工程を約５刀回繰り返した後、画
像評価を行ったところ第１１表の如き結果を得た。 実施例１２ 層（ｎ）の層厚を変える以外は、実施例】と全く同様な
方法によって像形成部材の夫々を作成した。実施例１に
述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰り返
し第１２表の結果を得た。 ′　リ （−！８六１μ 第４表 第５表 Ｏ：侵出　Ｏ：良好 ６ 第　７　表 第１２表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有量・・・約２
００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有葉・・・約２５
０℃放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至１０図は夫々層中の酸木原
子の分布状態を説明する為の説明図、第１１図は、実施
例に於いて本発明の光導電部材を作製する為に使用され
た装置の模式的説明図である。 １０（）・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２
・・・第一の７１１ １０５・・・第二の層（ＩＴＪ 出　願　人　キャノン株式会社 −一一一→−Ｃ −一一一→−Ｃ −一−−→−Ｃ −一一→−Ｃ 手続補正書印発） 昭和５９年１１月１４日 １、事件の表示 昭和５８年　特許願第　１６２８１１　号２、発明の名
称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（＋００
）キャノン株式会社 代表者　賀　来　龍　三　部 ４、代理人 居所　〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２５、補
１１−の対象 明細書 ６、補正の内容 明細書の所定個外を下表の通り補正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、該支持体上に、Ｇ＠１８５−
   Ｘ　（０，ｉ１５　＜Ｘ≦１）を含む非晶質材料で構成
   され九ｊ１！１の層領域と、シリコン原子を含む非晶質
   材料で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記
   支持体側よ）順に設けられた層構成の第一の層と、シリ
   コン原子と窒素原子とを會む非晶質材料で構成された第
   二の層とを有し、前記第一の層中には酸素原子が含有さ
   れている事を特徴とする光導電部材。