JPH0373857B2

JPH0373857B2 -

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Publication number: JPH0373857B2
Application number: JP57047802A
Authority: JP
Priority date: 1982-03-25
Filing date: 1982-03-25
Publication date: 1991-11-25
Also published as: JPS58163951A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が図られ
ているが総合的な特性向上を図る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が各々構成原子として光導電層中に含有
されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何に
よつては、形成した層の電気的或いは光導電的特
性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。従つてａ−Si材料そのものの特性改良が図られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料、
所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化ア
モルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成
された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみて
もあらゆる点において凌駕していること、殊に電
子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を
有していることを見出した点に基づいている。本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を示す第一の非晶質層と、シリ
コン原子と水素原子と炭素原子とを含む非晶質材
料で構成された第二の非晶質層とを支持体側から
有し、前記第一の非晶質層が、支持体側に構成原
子として周期律表第族に属する原子を含有する
層領域（Ｖ）を有する光導電部材において、前記
層領域（Ｖ）は、Ｐ、As、Sb、およびBiからな
る群から少なくとも一つ選ばれる周期律表第族
に属する原子が層厚方向に連続的に分布し、前記
第一の非晶質層は、酸素原子を層厚方向における
分布濃度が連続した状態で含有し該分布濃度が支
持体側より連続的に減少する領域を有することを
特徴とする。上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る第一の非晶質層（）は、層自体が強靭であつ
て、且つ支持体との密着性に著しく優れており、
高速で長時間連続的に繰返し使用することが出来
る。以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
１０２と、シリコン原子と水素原子と、炭素原子
とを含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層
（）１０６と、を有する。第一の非晶質層（）１０２は、該層の全層域
を占め、構成原子として酸素原子を含有する第一
の層領域（Ｏ）１０３、周期律表第族に属する
原子（第族原子）を含有する第二の層領域
（Ｖ）１０４、及び第二の層領域（Ｖ）１０４上
に、酸素原子は含有しているが第族原子は含有
されてない層領域１０５とから成る層構造を有す
る。第一の層領域（Ｏ）１０３に含有される酸素原
子は該層領域（Ｏ）１０３に於いて層厚方向には
連続的に分布し、その分布状態は不均一とされる
が、支持体１０１の表面に実質的に平行な面内で
は連続的に且つ実質的に均一に分布されるのが好
ましいものである。第１図に示す光導電部材１００は第一の非晶質
層（）１０２の表面側の部分には第族原子が
含有されない層領域１０５が設けてある。第二の層領域１０４中に含有される第族原子
は、該層領域１０４に於いて層厚方向には連続的
に分布し、その分布状態は均一であり、且つ支持
体１０１の表面に実質的に平行な面内では連続的
に且つ実質的に均一に分布されるのが好ましいも
のである。本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域
（Ｏ）には酸素原子の含有によつて高暗抵抗化と、
第一の非晶質層（）が直接設けられる支持体と
の間の密着性の向上が重点的に図られている。殊
に、第１図に示す光導電部材１００の様に第一の
非晶質層（）１０２が酸素原子を含有する第一
の層領域（Ｏ）１０３、第族原子を含有する第
二の層領域（Ｖ）１０４、第族原子の含有され
ていない層領域１０５とを有し、第一の層領域
（Ｏ）１０３と第二の層領域（Ｖ）１０４とが共
有する層領域を有する層構造の場合により良好な
結果が得られる。又、本発明の光導電部材に於いては、第一の層
領域（Ｏ）１０３に含有される酸素原子の該層領
域（Ｏ）１０３に於ける層厚方向の分布状態は第
１には該第一の層領域（Ｏ）１０３の設けられる
支持体１０１又は他の層との密着性及び接触性を
良くする為に支持体１０１又は他の層との接合面
側の方に分布濃度が高くなる様にされる。第２に
は、上記第一の層領域（Ｏ）１０３中に含有され
る酸素原子は、自由表面１０７側からの光照射に
対して層領域１０５の高感度化を図る為に自由表
面１０７側に於いて分布濃度が次第に減少され、
第二の非晶質層（）１０６との界面に於いては
分布濃度が実質的に零となる様に第一の層領域
（Ｏ）１０３中に含有されるのが好ましいもので
ある。第二の層領域（Ｖ）１０４中に含有される
第族原子の分布状態は、層領域（Ｖ）１０４に
於いて、その層厚方向に於いては、連続的で均一
であつて且つ支持体１０１の表面に平行な面内に
於いても連続的で均一である。本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する第二の層領域（Ｖ）中に含有される周期律表
第族に属する原子として使用されるのは、Ｐ
（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマ
ス）等であり、殊に好適に用いられるのはＰ，
Asである。本発明において、第二の層領域（Ｖ）中に含有
される第族原子の含有量としては、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜決
められるが、通常は30〜５×10⁴atomic ppm、
好ましくは50〜１×10⁴atomic ppm、最適には
100〜５×10³atomic ppmとされるのが望ましい
ものである。第一の層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の
量に就いても形成される光導電部材に要求される
特性に応じて所望に従つて適宜決められるが、通
常の場合、0.001〜30atomic ％、好ましくは、
0.002〜20atomic ％、最適には0.003〜10atomic
％、とされるのが望ましいものである。本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域
（Ｏ）には、酸素原子の含有によつて、高暗抵抗
化と、第一の非晶質層（）が直接設けられる支
持体との間の密着性の向上が重点的に図られ、表
面側の部分の層領域には酸素原子を含有させずに
耐圧性の一層の向上と高感度化が重点的に図られ
ている。殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、
第一の非晶質層（）１０２が、酸素原子を含有
する第一の層領域（Ｏ）１０３、第族原子を含
有する第二の層領域（Ｖ）１０４、第族原子の
含有されていない層領域１０５とを有し、第一の
層領域（Ｏ）１０３と第二の層領域（Ｖ）１０４
とが共有する層領域を有する層構造の場合により
良好な結果が得られる。本発明の光導電部材に於いては第一の非晶質層
（）の全層領域を構成し酸素原子の含有される
第一の層領域（Ｏ）は、１つには第一の非晶質層
（）の支持体との密着性の向上を図る目的の為
に、又、第一の非晶質層（）の一部を構成し第
族原子の含有される第二の層領域（Ｖ）は、１
つには、第二の非晶質層（）の自由表面側より
帯電処理を施された際、支持体側より第一の非晶
質層（）の内部に電荷が注入されるのを阻止す
る目的の為に夫々、支持体と第一の非晶質層
（）とが接合する層領域として、少なくとも互
いの一部を共有する構造で設けられる。本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域（Ｖ）は、その設けられる目的
が第一の非晶質層（）と支持体間に於ける、支
持体側から第一の非晶質層（）中への電荷の注
入防止を主たるものとする場合には、第一の非晶
質層（）の支持体側の方に極力偏在させる必要
がある。この様な場合に於いては、第族原子の含有さ
れている層領域（Ｖ）の層厚tbと（第１図では層
領域１０４の層厚）、層領域（Ｖ）の上に設けら
れた、層領域（Ｖ）を除いた部分の層領域（第１
図では層領域１０５）の層厚Ｔとの間には、 t_B／（Ｔ＋t_B）≦0.4 の関係が成立する様に第一の非晶質層（）を形
成するのが望ましく、より好ましくは、上記した
関係式の値が0.35以下、最適には0.3以下とされ
るのが望ましい。又、第族原子の含有される層領域（Ｖ）の層
厚t_Bとしては、通常は30Å〜5μ、好適には40Å〜
4μ、最適には50Å〜3μとされるのが望ましいも
のである。他方前記層厚Ｔと層厚t_Bとの和（Ｔ＋t_B）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）は、支持体側の方に偏在させて設けられ
る、第族原子の含有される層領域（Ｖ）と、該
層領域（Ｖ）を除いた残りの部分であつて、第
族原子の含有されていない層領域とで構成される
が、該第族原子の含有されない層領域の層厚Ｔ
は、形成される光導電部材に要求される特性に従
つて、層設計の際に適宜決定される。本発明に於いて、層厚Ｔとしては、通常は、
0.1〜90μ、好ましくは、0.5〜80μ、最適には、１
〜70μとされるのが望ましいものである。第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子
の含有量Ｃを縦軸は、酸素原子の含有されている
層領域（Ｏ）の層厚ｔを示し、t_Bは支持体の界面
の位置を、t_Tは支持体側とは反対側の界面の位置
を示す。即ち、酸素原子の含有されている層領域
（Ｏ）はt_B側よりt_T側に向つて層形成がなされる。本発明においては、酸素原子の含有される層領
域（Ｏ）は、主にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光
導電性を示す第一の非晶質層（）の全層領域を
占めている。第２図には、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。第２図に示される例では、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）が形成される表面と該層領域
（Ｏ）の表面とが接する界面位置t_Bよりt₁の位置
までは、酸素原子の含有濃度ＣがC₁なる一定の
値を取り乍ら酸素原子が形成される層領域（Ｏ）
に含有され、位置t₁より濃度C₂より界面位置t_Tに
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位
置t_Tにおいては酸素原子の含有濃度ＣはC₃とされ
る。第３図に示される例においては、含有される酸
素原子の含有濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るま
で濃度C₄から徐々に連続的に減少して位置t_Tにお
いて濃度C₅となる様な分布状態を形成している。第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂までは酸
素原子の含有濃度ＣはC₆と一定値とされ、位置t₂
と位置t_Tとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置t_Tにおいて、含有濃度Ｃは実質的に零と
されている。第５図の場合には、酸素原子は位置t_Bより位置
t_Tに至るまで、含有濃度C₈より連続的に徐々に減
少され、位置t_Tにおいて実質的に零とされてい
る。第６図に示す例においては、酸素原子の含有濃
度Ｃは、位置t_Bと位置t₃間においては、濃度C₉と
一定値であり、位置t_Tにおいては濃度C₁₀とされ
る。位置t₃と位置t_Tとの間では、含有濃度Ｃは一
次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで減少され
ている。第７図に示される例においては、位置t_Bより位
置t₄までは濃度C₁₁の一定値を取り、位置t₄より位
置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度C₁₃まで一次関数的に
減少する分布状態とされている。第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、酸素原子の含有濃度Ｃは濃度C₁₄よ
り零に至る様に一次関数的に減少している。第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
では酸素原子の含有濃度Ｃは、濃度C₁₅より濃度
C₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅と位置t_Tの
間においては、濃度C₁₆の一定値とされた例が示
されている。第１０図に示される例においては、酸素原子の
含有濃度Ｃは位置t_Bにおいて濃度C₁₇であり、位
置t₆に至るまではこの濃度C₁₇により始めはゆつ
くりと減少され、t₆の位置付近においては、急激
に減少されて位置t₆では濃度C₁₈とされる。位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間
では極めてゆつくりと徐々に減少され位置t₈にお
いて、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間におい
ては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図に示
す如き形状の曲線に従つて減少されている。以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明に
おいては、支持体側において、酸素原子の含有濃
度Ｃの高い部分を有し、界面t_T側においては、前
記含有濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされ
た部分を有する酸素原子の分布状態が形成された
層領域（Ｏ）が非晶質層に設けられるのが好まし
い。本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上記
した様に支持体側の方に酸素原子が比較的高濃度
で含有されている局在領域Ａを有する。局在領域Ａは、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置t_Bより5μ以内に設
けられるのが望ましいものである。本発明においては、上記局在領域Ａは、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域L_Tとされる場合もあ
るし、又、層領域L_Tの一部とされる場合もある。局在領域Ａを層領域L_Tの一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の非晶質層（）
に要求される特性に従つて適宜決められる。局在領域Ａはその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の含有量分布値
（分布濃度値）の最大値Cmaxが、通常は
10atomic ％以上、好適には20atomic ％以上、
最適には30atomic ％以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望ましい。即ち、本発明の好ましい実施態様例において
は、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、支持
体側からの層厚で5μ以内（t_Bから5μ厚の層領域）
に分布濃度の最大値Cmaxが存在する様に形成さ
れる。本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが例えば、第１図の光
導電部材１００を電子写真用像形成部材として使
用するのであれば連続高速複写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度の点から、通常は10μ以上と
される。本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイグ法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を供
給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子(H)
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されてある、所定の支持体表面上
にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。本発明において、必要に応じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH₄，Si₂H₆が好ましいものとして挙げら
れる。本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えば、ハロゲンガス、ハロゲ
ン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得る
ハロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス，BrF，ClF，ClF₃，
BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る第一の非晶質層（）を形成する事が出来
る。グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を形成する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr，H₂，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第一の非晶質層（）を形
成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
つて、所定の支持体上に第一の非晶質層（）を
形成し得るものであるが、水素原子の導入を図る
為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合
物のガスも所定量混合して層形成しても良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパッタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガス
プラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂，
SiH₂I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として挙げることが出来る。これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の非晶質層（）形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明
においては好適なハロゲン原子導入用の原料とし
て使用される。水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH₂、或いはSiH₄，
Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水素化硅素のガスを
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH₂ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、基体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る
第一の非晶質層（）が形成される。更には、不純物のドーピングも兼ねてPH₃等の
ガスを導入してやることも出来る。本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層（）中に含有される水素原子(H)の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜
40atomic ％、好適には５〜30atomic ％とさ
れるのが望ましい。第一の非晶質層（）に含有される水素原子(H)
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。第一の非晶質層（）に、第族原子を含有す
る層領域（Ｖ）及び酸素原子を含有する層領域
（Ｏ）を設けるには、グロー放電法や反応スパツ
タリング法等による第一の非晶質層（）の形成
の際に、第族原子導入用の出発物質及び酸素原
子導入用の出発物質を夫々前記した第一の非晶質
層（）形成用の出発物質と共に使用して、形成
される層中にその量を制御し乍ら含有してやる事
によつて成される。第一の非晶質層（）を構成する、酸素原子の
含有される層領域（Ｏ）及び第族原子の含有さ
れる層領域（Ｖ）を夫々形成するのにグロー放電
法を用いる場合、各層領域形成用の原料ガスとな
る出発物質としては、前記した第一の非晶質層
（）形成用の出発物質の中から所望に従つて選
択されたものに、酸素原子導入用の出発物質又
は／及び第族原子導入用の出発物質が加えられ
る。その様な酸素原子導入用の出発物質又は第
族原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸
素原子或いは第族原子を構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの
中の大概のものが使用され得る。例えば層領域（Ｏ）を形成するのであれば、シ
リコン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子(H)又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子
（Ｏ）及び水素原子(H)を構成原子とする原料ガス
とを、これも又所望の混合比で混合するか、或い
は、シリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Si）、酸素原子（Ｏ）及び
水素原子(H)の３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することが出来る。又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（Ｏ）を
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
い。酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O₂）、オゾン（O₃）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO₂）、一二酸化
窒素（N₂O）、三二酸化窒素（N₂O₃）、四二酸化
窒素（N₂O₄）、五二酸化窒素（N₂O₅）、三酸化窒
素（NO₃）、シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）
と水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサン（H₃SiOSiH₃）、トリシロキサン
（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。層領域（Ｖ）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH₃，P₂H₄等の水素化燐、PH₄I，
PF₃，PF₅，PCl₃，PCl₅，PBr₃，PBr₅，PI₃等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH₃，
AsF₃，AsCl₃，AsBr₃，AsF₅，SbH₃，SbF₃，
SbF₅，SbCl₃，SbCl₅，BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も
第族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることが出来る。第族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する層領域（Ｏ）を形成するには、単結晶又は多
結晶のSiウエーハー又はSiO₂ウエーハー、又はSi
とSiO₂が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツターリングすることによつて行えば良
い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。又、別には、SiとSiO₂とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO₂の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子として含有するガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて成される。酸素原子導入用
の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で
示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガス
が、スパツターリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。本発明に於いて、非晶質層をグロー放電法で形
成する際に使用される稀釈ガス、或いはスパツタ
ーリング法で形成される際に使用されるスパツタ
ーリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例えば
Ne，He，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域（Ｖ）の上に設けられ、第族
原子の含有されない層領域(B)（第１図では層領域
１０４に相当する）には、伝導特性を制御する物
質を含有させることにより、該層領域(B)の伝導特
性を所望に従つて任意に制御することが出来る。この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純
物、具体的には、周期律表第族に属する原子
（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Al（アルミニ
ウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、Tl（タ
リウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、
Ｂ，Gaである。本発明に於いて、層領域(B)に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量は、該層領域(B)に要求
される伝導特性、或いは該層領域(B)に直に接触し
て設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係等有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。本発明に於いて、層領域(B)中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。層領域(B)中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層（）を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その様な第族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、B₂H₆，
B₄H₁₀，B₅H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₆H₁₄
等の水素化硼素、BF₃，BCl₃，BBr₃等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl₃，
GaCl₃，Ga（CH₃）₃，InCl₃，TlCl₃等も挙げるこ
とが出来る。本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）上に設けられる第二の非晶質層（）
は、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成
される非晶質材料〔ａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-y、但し０
＜ｘ，ｙ＜１〕で形成されるので非晶質層（）
を構成する第一の非晶質層（）と第二の非晶質
層（）とを形成する非晶質材料の各々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成
されている。ａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yで構成される第二の非晶質
層（）の形成はグロー放電法、スパツターリン
グ法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプ
レーテイング法、エレクトロンビーム法等によつ
て成される。これ等の製造法は、製造条件、設備
資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性等の要因によつて適宜選
択されて採用されるが、所望する特性を有する光
導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的
容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び水
素原子を作製する第二の非晶質層（）中に導入
することが容易に行える等の利点からグロー放電
法或いはスパツターリング法が好適に採用され
る。更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置してある真空堆積用の
堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電を
生起させることでガスプラズマ化して前記支持体
上に既に形成されてある第一の非晶質層（）上
にａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yを堆積させれば良い。本発明に於いてａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-y形成用の原
料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｈの中の少なくとも１
つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し得
る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は例えばSiを構成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガス
と、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si，Ｃ
及びＨの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSi₂H₆，Si₃H₈，SiH₄，
Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH₄），エタン（C₂H₆），プロパン（CH₈），ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄），
プロピレン（C₃H₆），ブテン−１（C₄H₈），ブテ
ン−２（C₄H₈），イソブチレン（C₄H₈），ペンテ
ン（C₅H₁₀），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂），メチルアセチレン
（C₃H₄），ブチン（C₄H₆）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH₃）₄，Si（C₂H₅）₄等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H₂も有効なもの
として使用される。スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことができる。本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。即ち、Si，Ｃ及びＨを構成原子とする物質はそ
の作成条件によつて構造的には結晶からアモルフ
アスまでの形態を取り、電気物性的には導電性か
ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電
的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−Si_xC_1-xが形成される様
に、所望に従つてその作成条件の選択が厳密に成
される。例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（Si_xC_1-x）_y
H_1-yは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（Si_xC_1-x）_y
H_1-yが作成される。第一の非晶質層（）の表面にａ−（Si_xC_1-x）_y
H_1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明に於いては、目的とする特性を有するａ−（Si_x
C_1-x）_yH_1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、100℃
〜300℃、好適には150℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては、通常、10
〜300W、好適には20〜200Wとされるのが望まし
い。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Torr、好適
には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−（Si_x
C_1-x）_yH_1-yから成る第二の非晶質層（）が形成
される様に相互的有機的関連性に基づいて、各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二の非晶質層（）の作製条件と同様、本発明
の目的を達成する所望の特性が得られる第二の非
晶質層（）が形成される重要な因子である。本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常は１×10^-3〜90atomic
％とされ、好ましくは１〜90atomic ％、最
適には10〜80atomic ％とされるのが望ましい
ものである。水素原子の含有量としては、通常の
場合１〜40atomic ％、好ましくは２〜
35atomic ％、最適には５〜30atomic ％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量が
ある場合に形成される光導電部材は、実際面に於
いて優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。即ち、先のａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yの表示で行えば
ｘとしては、通常は0.1≦ｘ≦0.99999、好適には
0.1≦ｘ≦0.99、最適には0.15≦ｘ≦0.9，ｙとし
ては、通常0.6≦ｙ≦0.99、好適には0.65≦ｙ≦
0.98、最適には0.7≦ｙ≦0.95であるのが望まし
い。本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。図中の１１０２〜１１０６の夫々のガスボンベ
には、本発明の夫々の層を形成するための原料ガ
スが密封されており、その１例としてたとえば１
１０２は、Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度
99.999％、以下SiH₄／Heと略す。）ボンベ、１１
０３はHeで稀釈されたPH₃ガス（純度99.999％、
以下PH₃／Heと略す。）ボンベ、１１０４は
C₂H₄ガス（純度99.99％）ボンベ、１１０５は
NOガス（純度99.999％）ボンベ、１１０６はHe
で稀釈されたSiF₄ガス（純度99.999％、以下
SiF₄／Heと略す。）ボンベである。これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が夫々閉じ
られていることを確認し、又、流入バルブ１１１
２〜１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、
補助バルブ１１３２，１１３３が開かれているこ
とを確認して、先づメインバルブ１１３４を開い
て反応室１１０１、及びガス配管内を排気する。
次に真空計１１３６の読みが約５×10^-6torrにな
つた時点で補助バルブ１１３２、流出バルブ１１
１７〜１１２１を閉じる。その後、反応室１１０１内に導入すべきガスの
ボンベに接続されているガス配管のバルブを所定
通り操作して、所望するガスを反応室１１０１内
に導入する。次に、本発明の光導電部材を作成する場合の一
例の概要を述べる。ガスボンベ１１０２より
SiH₄／Heガスを、ガスボンベ１１０３より
PH₃／Heガスを、ガスボンベ１１０５よりNOガ
スを、夫々バルブ１１２２，１１２３，１１２５
を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８，１１
３０の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ１１１
２，１１１３，１１１５を徐々に開けて、マスフ
ローコントローラ１１０７，１１０８，１１１０
内に流入させる。引き続いて流出バルブ１１１
７，１１１８，１１２０、補助バルブ１１３２を
徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入
させる。このときのSiH₄／Heガス流量とPH₃／
Heガス流量とNOガス流量との比が所望の値に
なるように流出バルブ１１１７，１１１８，１１
２０を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所
望の値になるように真空計１１３６の読みを見な
がらメインバルブ１１３４の開口を調整する。そ
してシリンダー状の基体１１３７の温度が加熱ヒ
ーター１１３８により50〜400℃の範囲の温度に
設定されていることを確認された後、電源１１４
０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計され
た変化率曲線に従つてNOガスの流量を手動ある
いは外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１１
２０を漸次変化させる操作を行なつて形成される
層中に含有される酸素原子の含有濃度を制御し乍
ら層領域（Ｐ，Ｏ）を形成する。層領域（Ｐ，Ｏ）が所望層厚に形成された時点
に於いて一旦放電を中止してバルブ１１１８を完
全に閉じる。その後の層形成はNOガスとSiH₄／
Heガスの使用のみで行われ、NOガスの溶量は
前記の変化率曲線に従つて調節する。その結果、
層領域（Ｐ，Ｏ）上に燐原子の含有されない層領
域が所望の層厚で形成されて、第一の非晶質層
（）の形成が終了される。上記の様にして、非晶質層（）が、含有され
る第族原子と酸素原子の所望の分布濃度
（depth profile）を以つて、所望層厚に形成され
た後、流出バルブ１１１７，１１２０が一旦完全
に閉じられ、放電も中断される。非晶質層（）の形成の際に使用される原料ガ
ス種としては、SiH₄ガスの他に、殊にSi₂H₆ガス
が層形成速度の向上を計る為に有効である。第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF₄／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。非晶質層（）上に非晶質層（）を形成する
には非晶質層（）の形成の際に使用したPH₃／
Heガス及びNOガスのかわりにC₂H₄ガスを用い
て層形成を行なう。夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又、
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガ
スが反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１
１２１から反応室１１０１内に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１１１７〜
１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開いてメイ
ンバルブ１１３４を全開して系内を一旦真空に排
気する操作を必要に応じて行う。又、層形成を行なつている間は層形成の均一化
を計るため基体１１３７はモータ１１３９により
一定速度で回転させる。実施例１第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
層領域内で、第１２図に示すような酸素濃度分布
を持つ像形成部材を第１表の条件下で作製した。こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、1.5lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面をカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。実施例２第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
層領域内で、第１３図に示すような酸素濃度分布
を持つ像形成部材を第２表の条件下で作製した。その他の条件は実施例１と同様にして行つた。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例３第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
層領域内で、第１４図に示すような酸素濃度分布
を持つ像形成部材を第３表の条件下で作製した。その他の条件は実施例１と同様にして行つた。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例４非晶質層（）の層形成時、SiH₄ガスとC₂H₄
ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に於ける
シリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は実施例１と全く同様な方法によつて層形成
を行つた。こうして得られた像形成部材につき、
実施例１に述べた如き方法で転写までの工程を約
５万回繰り返した後、画像評価を行つたところ、
第４表の如き結果を得た。実施例５非晶質層（）の層の層厚を下表の如く変える
以外は、実施例１と全く同様な方法によつて層形
成を行つた。評価の結果は第５表の如くである。実施例６第１及び第２層領域の形成方法を第６表の如く
変える以外は、実施例１と同様な方法で層形成を
行い、実施例１と同様な画質評価を行つたとこ
ろ、良好な結果が得られた。実施例７第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
層領域内で、第１５図に示すような酸素濃度分布
を持つ像形成部材を第７表の条件下で作製した。その他の条件は実施例１と同様にして行つた。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。

【表】

【表】 ◎：非常に良好 ○：良好 △：実用上充分である
×：画像欠陥をやや生ずる

【表】

【表】実施例８実施例３の第２層領域の作成に際し、層作成条
件を下記の第８表に示す条件にした以外は、実施
例３に示した各条件と手順に従つて、電子写真用
像形成部材の夫々を作製し、実施例１と同様の方
法で評価したところ、夫々に就いて特に画質、耐
久性の点に於いて良好な結果が得られた。

【表】【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な
例の１つを説明する為の模式的説明図、第２図乃
至第１０図は、夫々、本発明の光導電部材の非晶
質層（）を構成する層領域（Ｏ）に於ける酸素
原子の分布濃度を説明する模式的説明図、第１１
図は、本発明の光導電部材を作製する為に使用さ
れた装置の模式的説明図、第１２図乃至第１５図
は、夫々、本発明の実施例に於ける層領域（Ｏ）
中の酸素原子の分布濃度を示す説明図である。１００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…第一の層領域
（Ｏ）、１０４…第二の層領域（Ｖ）、１０５…層
領域、１０６…第二の非晶質層（）、１０７…
自由表面。

Claims

【特許請求の範囲】１光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成された、光導電性を示
す第一の非晶質層と、シリコン原子と水素原子と
炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の
非晶質層とを支持体側から有し、前記第一の非晶
質層が、支持体側に構成原子として周期律表第
族に属する原子を含有する層領域（Ｖ）を有する
光導電部材において、前記層領域（Ｖ）は、Ｐ、As、Sb、およびBi
からなる群から少なくとも一つ選ばれる周期律表
第族に属する原子が層厚方向に連続的に分布
し、前記第一の非晶質層は、酸素原子を層厚方向に
おける分布濃度が連続した状態で含有し該分布濃
度が支持体側より連続的に減少する領域を有する
ことを特徴とする光導電部材。