JPS6055687A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6055687A JPS6055687A JP58164484A JP16448483A JPS6055687A JP S6055687 A JPS6055687 A JP S6055687A JP 58164484 A JP58164484 A JP 58164484A JP 16448483 A JP16448483 A JP 16448483A JP S6055687 A JPS6055687 A JP S6055687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- cap layer
- type semiconductor
- pellet
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2202—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure by making a groove in the upper laser structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザペレッ）Ｋ関するものである。
従来の半導体レーザペレットを熱抵抗低減のためアップ
・サイド・ダウン（ｕｐ−ｓ ｉｄｅ−ｄｏｗｎ）でヒ
ートシンク上に融着材を用いて融着する場合レーザ動作
部であるｐｎｎ接合部融着部に接近しているため、ｐｎ
接合部に溶けた融着材がはい上がシルｎ接合を短絡させ
た９、特性を劣化させる恐れがあった。
・サイド・ダウン（ｕｐ−ｓ ｉｄｅ−ｄｏｗｎ）でヒ
ートシンク上に融着材を用いて融着する場合レーザ動作
部であるｐｎｎ接合部融着部に接近しているため、ｐｎ
接合部に溶けた融着材がはい上がシルｎ接合を短絡させ
た９、特性を劣化させる恐れがあった。
本発明は従来のこれらの欠点を解決することのできる半
導体レーザを提供することを目的とする。
導体レーザを提供することを目的とする。
本発明は、最終エビ！−（キャップ層）をストライプに
沿って溝状にエツチングすることを特徴とする半導体レ
ーザである。
沿って溝状にエツチングすることを特徴とする半導体レ
ーザである。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第１図および第２図は従来のプレーナストライプ型の半
導体レーザペレットの斜視図およびそのペレットのマウ
ントしたときの断面図である。この方法ではキャップ層
２が薄く融着材０”に接近する九め、ｐｎ接合部に溶け
た融着材９がはい上がりｐｎ接合部の短絡、特性の劣化
、出射光の妨害などの恐れがある。
導体レーザペレットの斜視図およびそのペレットのマウ
ントしたときの断面図である。この方法ではキャップ層
２が薄く融着材０”に接近する九め、ｐｎ接合部に溶け
た融着材９がはい上がりｐｎ接合部の短絡、特性の劣化
、出射光の妨害などの恐れがある。
そこで第３図の様に従来の薄いキャップ層２を厚いキャ
ップ層１２にし、また拡散しやすくするためにキャップ
層１２をストライプ（拡散部１１）Ｋ沿って溝状に舌ツ
チングする。
ップ層１２にし、また拡散しやすくするためにキャップ
層１２をストライプ（拡散部１１）Ｋ沿って溝状に舌ツ
チングする。
この様にして得られ九半導体レーザチップをマウントし
た状態を第４図に示す。
た状態を第４図に示す。
キャップ層１２を厚くしたため半導体レーずの動作部は
融着材１９よシ離れ、融着材１９のはい上シ等の半導体
レーザチップに及ばす悪影舎は取ｐ除かれている。
融着材１９よシ離れ、融着材１９のはい上シ等の半導体
レーザチップに及ばす悪影舎は取ｐ除かれている。
以上の説明はプレーナストライプ型半導体レーザについ
てであるが、他の構造の半導体レーザにも適用できる。
てであるが、他の構造の半導体レーザにも適用できる。
第１図は従来のプレーナストライプ型半導体レーザペレ
ットの斜視図。第２図は第１図のペレットのマウント時
の断面図。第３図は本発明によるプレーナストライプ型
半導体レーザペレットの斜視図。第４図は改良され圧プ
レーナストライブ型半導体レーザペレットのマウント時
の断面図。 ここで１・・・・・・従来のプレーナストライプ型半導
体レーザの拡散部、２・・・・・・従来のプレーナスト
ライプ型半導体レーザのキャップ層、３・・・・・・従
来のプレーナストライプ型半導体レーザのクラッド層、
４・・・・・・従来のプレーナスト２イブ型半導体レー
ザの活性層、５・・・・・・従来のプレ、−ナスドライ
ブ型半導体レーザのクラッド層、６・・・・・・従来の
プレーナストライプ型半導体レーずの基板、７・・・・
・・従来のプレーナストライプ型半導体レーザの電極、
８・・・・・・従来のプレーナストライプ型半導体レー
ザの発光部、９・・・・・・融着材、１１・・・・・・
改良されたプレーテストライプ型半導体レーザの拡散部
、１２・・・・・・改良されたプレーナストライプ型半
導体レーザのキャップ層、１３・・・・・・改良され圧
プレーナストライブ型半導体レーザのクラッド層、１４
・・・・・・改良されたプレーナストライプ型半導体レ
ーザの活性Ｊ−１ｔ５・・・・・・改良され九プレーナ
ストライプ型半導体レーザのクラッド層、１６・・・・
・・改良されたグレーナスドライブ型半導体レーザの基
板、１７・・・・・・改良されたグレーナスドライブ型
半導体レーザの電極、１８・・・・・・改良されたプレ
ーナストライプ型半導体レーザの発光部、１９・・・・
・・融着材。 第 １ 図 ９ 第２ 図 ｑ 第４ 凹
ットの斜視図。第２図は第１図のペレットのマウント時
の断面図。第３図は本発明によるプレーナストライプ型
半導体レーザペレットの斜視図。第４図は改良され圧プ
レーナストライブ型半導体レーザペレットのマウント時
の断面図。 ここで１・・・・・・従来のプレーナストライプ型半導
体レーザの拡散部、２・・・・・・従来のプレーナスト
ライプ型半導体レーザのキャップ層、３・・・・・・従
来のプレーナストライプ型半導体レーザのクラッド層、
４・・・・・・従来のプレーナスト２イブ型半導体レー
ザの活性層、５・・・・・・従来のプレ、−ナスドライ
ブ型半導体レーザのクラッド層、６・・・・・・従来の
プレーナストライプ型半導体レーずの基板、７・・・・
・・従来のプレーナストライプ型半導体レーザの電極、
８・・・・・・従来のプレーナストライプ型半導体レー
ザの発光部、９・・・・・・融着材、１１・・・・・・
改良されたプレーテストライプ型半導体レーザの拡散部
、１２・・・・・・改良されたプレーナストライプ型半
導体レーザのキャップ層、１３・・・・・・改良され圧
プレーナストライブ型半導体レーザのクラッド層、１４
・・・・・・改良されたプレーナストライプ型半導体レ
ーザの活性Ｊ−１ｔ５・・・・・・改良され九プレーナ
ストライプ型半導体レーザのクラッド層、１６・・・・
・・改良されたグレーナスドライブ型半導体レーザの基
板、１７・・・・・・改良されたグレーナスドライブ型
半導体レーザの電極、１８・・・・・・改良されたプレ
ーナストライプ型半導体レーザの発光部、１９・・・・
・・融着材。 第 １ 図 ９ 第２ 図 ｑ 第４ 凹
Claims (1)
- 半導体レーザペレットの最終エビ層をストライプに沿つ
て溝状にエツチングすることを特徴とする半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164484A JPS6055687A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164484A JPS6055687A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055687A true JPS6055687A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15794042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164484A Pending JPS6055687A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141889A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-14 | ヤマハ発動機株式会社 | 自動二輪車の排気制御装置 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP58164484A patent/JPS6055687A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141889A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-14 | ヤマハ発動機株式会社 | 自動二輪車の排気制御装置 |
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