JPS6055711A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
- Publication number
- JPS6055711A JPS6055711A JP16379583A JP16379583A JPS6055711A JP S6055711 A JPS6055711 A JP S6055711A JP 16379583 A JP16379583 A JP 16379583A JP 16379583 A JP16379583 A JP 16379583A JP S6055711 A JPS6055711 A JP S6055711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power amplifier
- radiator
- output
- trs
- sized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電力増幅器に関し、特にその出力トランジスタ
の取シ付けに関する。
の取シ付けに関する。
背景技術とその問題点
従来の可聴周波数信号を扱う電力増幅器について、第１
図を参照しながら説明する。
図を参照しながら説明する。
第１図において、入力信号は入力端子（１）から駆動増
幅段（２）に供給され所要レベルまで増幅された後、電
流源回路ＩＫを介してコンプリメンタリブツシュゾル構
成の出力トランジスタ（３）及び（４）に供給される。
幅段（２）に供給され所要レベルまで増幅された後、電
流源回路ＩＫを介してコンプリメンタリブツシュゾル構
成の出力トランジスタ（３）及び（４）に供給される。
両トランジスタ（３１，（４１のエミッタの接続中点が
負荷ＲＬを通じて接地される。尚、出力増幅段から駆動
増幅段に負帰還が掛けられている。
負荷ＲＬを通じて接地される。尚、出力増幅段から駆動
増幅段に負帰還が掛けられている。
また、両トランジスタ（３）及び（４）の各コレクタに
は正及び負の電源（５）及び（６）から電圧が供給され
、両電源（５）及び（６）の接続点（以下電源中点とい
う）（７）は接地されている。尚、駆動増幅段（２）に
紘積重ねられた正、負の電源（５’）、、 （５）及び
（６’）、 （６１から正。
は正及び負の電源（５）及び（６）から電圧が供給され
、両電源（５）及び（６）の接続点（以下電源中点とい
う）（７）は接地されている。尚、駆動増幅段（２）に
紘積重ねられた正、負の電源（５’）、、 （５）及び
（６’）、 （６１から正。
負の電圧が供給される。
ところで、通常両出力トランジスタ（３）及び（４）の
各コレクタはそれぞれ金属製のケースもしくはフィンに
直接ボンディングされているので、出力トランジスタ（
３）及び（４）を放熱器（増幅器のシャーシに結合され
てアース電位にある。但し、図示せず。）に取り付ける
場合は、雲母やポリエステルの絶縁シートをトランジス
タケース（金属外囲器）と放熱器との間に介在させる必
要があった。このため、出力トランジスタの接合部から
ケース、絶縁シート及び放熱器を介して外気に至る放熱
系の全熱抵抗が大きくなシ、この全熱抵抗を小さくする
ために大形の放熱器を使用しなければならず、増幅器の
大形化及びコスト上昇を招いていた。
各コレクタはそれぞれ金属製のケースもしくはフィンに
直接ボンディングされているので、出力トランジスタ（
３）及び（４）を放熱器（増幅器のシャーシに結合され
てアース電位にある。但し、図示せず。）に取り付ける
場合は、雲母やポリエステルの絶縁シートをトランジス
タケース（金属外囲器）と放熱器との間に介在させる必
要があった。このため、出力トランジスタの接合部から
ケース、絶縁シート及び放熱器を介して外気に至る放熱
系の全熱抵抗が大きくなシ、この全熱抵抗を小さくする
ために大形の放熱器を使用しなければならず、増幅器の
大形化及びコスト上昇を招いていた。
発明の目的
本発明は、これらの点に鑑み、出力トランジスタを放熱
器に直接取り付けて、従来の欠点を除去した電力増幅器
を提供することを目的とする。
器に直接取り付けて、従来の欠点を除去した電力増幅器
を提供することを目的とする。
発明の概要
本発明は正、負電源の電源中点とアース点との間から出
力を取シ出すようにしたブツシュゾル電力増幅器におい
て、出力トランジスタの共通電極の接続された金属外囲
器をアース点と同電位にある放熱器に直接取り付けた電
力増幅器であって、放熱器を小形化し、電力増幅器を小
形化しそのコストを低減することができるものである。
力を取シ出すようにしたブツシュゾル電力増幅器におい
て、出力トランジスタの共通電極の接続された金属外囲
器をアース点と同電位にある放熱器に直接取り付けた電
力増幅器であって、放熱器を小形化し、電力増幅器を小
形化しそのコストを低減することができるものである。
実施例
以Ｆに第２図を参照して、本発明による電力増幅器の一
実施例について説明する。尚、第２図において、第１図
と対応する部分には同一の符号を付して重複説明を省略
する。
実施例について説明する。尚、第２図において、第１図
と対応する部分には同一の符号を付して重複説明を省略
する。
第２図の電力増幅器は第１図に示した従来の電力増幅器
と基本的に相違する点は次の２点である。
と基本的に相違する点は次の２点である。
尚、（５“）、（６”）は駆動増幅段（２）に対する正
、負の電源である。
、負の電源である。
■ 電源中点（力を接地から浮かして、ここから出力を
取り出している。
取り出している。
■ 出力トランジスタ（３）及び（４）の各エミッタを
接地している。
接地している。
第２図の電力増幅器は、出力トランジスタ（３）及び（
４）のエミッタにそれぞれ抵抗器を接続しなくても、電
流安定性は充分確保することができる。従って、出力ト
ランジスタ（３）及び（４）として、エミッタ（共通電
極）がケース（金属外囲器）に直結されたトランジスタ
を用いれば、絶縁シートを介在させることなく、出力ト
ランジスタを放熱器に直接域シ付けることができる。ま
た、出力トランジスタ（３１，＋４）に対し、同様構造
のトランジスタをダーリントン接続してもよい。
４）のエミッタにそれぞれ抵抗器を接続しなくても、電
流安定性は充分確保することができる。従って、出力ト
ランジスタ（３）及び（４）として、エミッタ（共通電
極）がケース（金属外囲器）に直結されたトランジスタ
を用いれば、絶縁シートを介在させることなく、出力ト
ランジスタを放熱器に直接域シ付けることができる。ま
た、出力トランジスタ（３１，＋４）に対し、同様構造
のトランジスタをダーリントン接続してもよい。
かかる構成によって、前述の放熱系から絶縁シートの熱
抵抗が除かれるので、それだけ放熱器の熱抵抗を大きく
すること、即ち、放熱器を小形にすることができる。
抵抗が除かれるので、それだけ放熱器の熱抵抗を大きく
すること、即ち、放熱器を小形にすることができる。
本発明の他の実施例について、第３図を参照しながら説
明する。第３図において、第１図及び第２図に対応する
部分には同一の符号を付して重複説明を省略する。
明する。第３図において、第１図及び第２図に対応する
部分には同一の符号を付して重複説明を省略する。
第３図において、（８）及び（９）はそれぞれ出力トラ
ンジスタ（３１，（４）に対し後段の出力トランジスタ
を示し、このトランジスタ（８）及び（９）はそれぞれ
トランジスタ（３）及び（４）にインバーテツド−ダー
リントン接続され、コレクタは接地される。従って、後
段出力トランジスタ（８）及び（９）として、コレクタ
とケースが直結されたトランジスタを用いれば、放熱器
への直接取付けが可能となり、放熱器を小形化すること
ができる。
ンジスタ（３１，（４）に対し後段の出力トランジスタ
を示し、このトランジスタ（８）及び（９）はそれぞれ
トランジスタ（３）及び（４）にインバーテツド−ダー
リントン接続され、コレクタは接地される。従って、後
段出力トランジスタ（８）及び（９）として、コレクタ
とケースが直結されたトランジスタを用いれば、放熱器
への直接取付けが可能となり、放熱器を小形化すること
ができる。
例えば、フレフタ損失ＰＣが１２５ Ｗ 、接合部温度
Ｔｊｍａｘが１５０ ｔ：’ 、周囲温度が２５Ｃの定
格の出力トランジスタを用いた場合を考える。
Ｔｊｍａｘが１５０ ｔ：’ 、周囲温度が２５Ｃの定
格の出力トランジスタを用いた場合を考える。
放熱系の等価回路を第４図に示す。ここにθｊｃ接合部
からケースまでの熱抵抗 θＣケースから絶縁シートまでと絶縁シードから放熱器
までの熱抵抗 θｉ 絶縁シートの熱抵抗 θｆ 放熱器の熱抵抗 上述のトランジスタではθｊｃは次式のようになる。
からケースまでの熱抵抗 θＣケースから絶縁シートまでと絶縁シードから放熱器
までの熱抵抗 θｉ 絶縁シートの熱抵抗 θｆ 放熱器の熱抵抗 上述のトランジスタではθｊｃは次式のようになる。
０ｊｃ ＝ （ＴｊｍＢｚ−Ｔａ ）／ Ｐｃｍ （１
５０−２５）／ １２５＝ Ｉ Ｃ／ｗ 使用周囲温度が４０Ｃ１使用コレクタ損失が２０Ｗとす
ると、放熱系の全熱抵抗Ｒ１ｈは次式のようにめられる
。
５０−２５）／ １２５＝ Ｉ Ｃ／ｗ 使用周囲温度が４０Ｃ１使用コレクタ損失が２０Ｗとす
ると、放熱系の全熱抵抗Ｒ１ｈは次式のようにめられる
。
Ｒｔｈ ＝ （１５０−４０）／２０ ＝ ５．５ Ｃ
／ＷＴＯ−３型ケースを用いた１００Ｗ級トランジスタ
にポリエステル絶縁シート（シリコングリス塗布）を用
いた場合、θＣ十θｉキｔ、ｏｃ／Ｗであるから、放熱
器の所要熱抵抗は次式のようになる。
／ＷＴＯ−３型ケースを用いた１００Ｗ級トランジスタ
にポリエステル絶縁シート（シリコングリス塗布）を用
いた場合、θＣ十θｉキｔ、ｏｃ／Ｗであるから、放熱
器の所要熱抵抗は次式のようになる。
θｆ＝Ｒｔｈ−（θｊｃ＋θｃ＋＃ｉ ）＝５．５−（
１＋１）＝ ３．５ ｃ／ｗ 本発明によって絶縁シートを用いない場合、θＣ中０．
Ｉ Ｃ／Ｗであるから、所要の放熱器熱抵抗は次式のよ
うになる。
１＋１）＝ ３．５ ｃ／ｗ 本発明によって絶縁シートを用いない場合、θＣ中０．
Ｉ Ｃ／Ｗであるから、所要の放熱器熱抵抗は次式のよ
うになる。
θｆ＝５．５−（１＋０．１）＝４．４Ｃ／Ｗかくして
、放熱器を格段に小形化することができる。また、従来
と同じ放熱器を使用すれば、この例では使用コレクタ損
失を２３．９Ｗまで増大させることができ、より大きな
出力が得られることになる。
、放熱器を格段に小形化することができる。また、従来
と同じ放熱器を使用すれば、この例では使用コレクタ損
失を２３．９Ｗまで増大させることができ、より大きな
出力が得られることになる。
上述の２つの実施例はバイポーラ・トランジスタを用い
たものであるが、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界
効果トランジスタ）を用いても同様な電力増幅器を得る
ことができる。
たものであるが、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界
効果トランジスタ）を用いても同様な電力増幅器を得る
ことができる。
本発明の更に他の実施例として、第５図及び第６図にこ
のような電力増幅器を示す。
のような電力増幅器を示す。
第５図において、００）及びαＢはソースとケースが直
結されたＭＯＳ ＦＥＴを示し、また、第６図において
ｕ７Ｊ及び（１３１はドレインとケースが直結されたＭ
ＯＳＦＥＴを示す。その余の構成はそれぞれ第２図及び
第３図に示した実施例と略々対応し、同様の効果を奏す
るので、詳細な説明は省略する。
結されたＭＯＳ ＦＥＴを示し、また、第６図において
ｕ７Ｊ及び（１３１はドレインとケースが直結されたＭ
ＯＳＦＥＴを示す。その余の構成はそれぞれ第２図及び
第３図に示した実施例と略々対応し、同様の効果を奏す
るので、詳細な説明は省略する。
発明の効果
以上詳述のように、本発明によれば出力トランジスタを
放熱器に直接域シ付けるので、放熱器を小形化すること
ができ、電力増幅器を小形化しそのコストを低減するこ
とができる。
放熱器に直接域シ付けるので、放熱器を小形化すること
ができ、電力増幅器を小形化しそのコストを低減するこ
とができる。
第１図は従来の電力増幅器の構成を示す結線図、第２図
は本発明による電力増幅器の一実施例を示す結線図、第
３図は本発明の他の実施例を示す結線図、第４図は本発
明の説明に供する線図、第５図及び第６図は本発明の更
に他の実施例を示す結線図である。 （２）は駆動増幅段、（３１，（４）、 （８）及び（
９）は出方トランジスタ、（力は電源中点、ＧＯ）、α
１１．（１２１及びαＪはＭＯＳ ＦＥＴである。 第１図 第２図 第４図 第５図
は本発明による電力増幅器の一実施例を示す結線図、第
３図は本発明の他の実施例を示す結線図、第４図は本発
明の説明に供する線図、第５図及び第６図は本発明の更
に他の実施例を示す結線図である。 （２）は駆動増幅段、（３１，（４）、 （８）及び（
９）は出方トランジスタ、（力は電源中点、ＧＯ）、α
１１．（１２１及びαＪはＭＯＳ ＦＥＴである。 第１図 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- 正、負電源の電源中点とアース点との間から出力を取シ
出すようにしたブツシュゾル電力増幅器において、出力
トランジスタの共通電極の接続された金属外囲器を上記
アース点と同電位にある放熱器に直接取シ付けたことを
特徴とする電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16379583A JPS6055711A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16379583A JPS6055711A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055711A true JPS6055711A (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=15780842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16379583A Pending JPS6055711A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055711A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110413A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | オンキヨー株式会社 | 増幅装置 |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP16379583A patent/JPS6055711A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110413A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | オンキヨー株式会社 | 増幅装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO1988004115A1 (ja) | 定電流バイアス回路を備えた増幅器 | |
| US5066926A (en) | Segmented cascode HBT for microwave-frequency power amplifiers | |
| JPH0669408A (ja) | 高周波電力増幅用半導体装置 | |
| JP2933633B2 (ja) | バッファ増幅器 | |
| JP2004531979A (ja) | 熱分散型ダーリントン増幅器 | |
| US6771123B2 (en) | Multichannel power amplifying | |
| US4151479A (en) | Low frequency power amplifier using MOS FET's | |
| US4320349A (en) | Thermal coupler for amplifier temperature compensation | |
| US3550024A (en) | Transistor push-pull amplifier | |
| JPS59117810A (ja) | ハイブリツドｉｃ化ｆｅｔ増幅器 | |
| JP3427482B2 (ja) | 演算増幅器 | |
| JPS598411A (ja) | 電力増幅器 | |
| JP3051653U (ja) | 電力増幅器 | |
| JPS6246330Y2 (ja) | ||
| JPH0754888B2 (ja) | バイアス回路 | |
| JPH036022Y2 (ja) | ||
| JPS5911012A (ja) | 電力増幅器 | |
| SU801226A1 (ru) | Двухтактный усилитель мощности | |
| JPH0246092Y2 (ja) | ||
| JPS6230701B2 (ja) | ||
| JPS5980008A (ja) | プツシユプル電力増幅回路 | |
| JPS6221310A (ja) | 電流定倍回路 | |
| JPS5833707Y2 (ja) | トランジスタ回路装置 | |
| JPH08181602A (ja) | 論理回路 | |
| JPH0415309U (ja) |