JPS6055824B2 - 感能性高分子材料及びそのパタ−ン形成方法 - Google Patents
感能性高分子材料及びそのパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6055824B2 JPS6055824B2 JP54131034A JP13103479A JPS6055824B2 JP S6055824 B2 JPS6055824 B2 JP S6055824B2 JP 54131034 A JP54131034 A JP 54131034A JP 13103479 A JP13103479 A JP 13103479A JP S6055824 B2 JPS6055824 B2 JP S6055824B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer material
- sensitive polymer
- formula
- rays
- negative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジスト材料として有用な感能性高分子材料と
、そのパターン形成法に関するものである。
、そのパターン形成法に関するものである。
近年、ＬＳＩなどの高密度集積回路の製造には微細パタ
ーンが必要となるため、従来の可視光線や紫外線による
フォト、リングラフィ技術では限界となり、遠紫外線、
電子線又はＸ線などによるリングラフィ技術が供用され
るに至つている。
ーンが必要となるため、従来の可視光線や紫外線による
フォト、リングラフィ技術では限界となり、遠紫外線、
電子線又はＸ線などによるリングラフィ技術が供用され
るに至つている。
この様な電子線などのレジスト材料には、主として解像
度のよいポジ型レジストが使用され、ネガ型レジストは
高感度ではあるが解像度が悪く、精々２μｍ程度のパタ
ーン形成しかできないので通常余り用いられない傾向に
ある。しかし、ネガ型レジストは残存部分が照射により
反応を起こすために一般に密着性もよく、渭式エッチン
グに対しても強いので、ポジ型レジストと共にネガ型レ
ジストを併用して微細パターンを形成すると、更に回路
素子の精度を向上させることになり、又紫外線露光用レ
ジストはネガ型が従来より多く、工程上非常に好都合な
面もある。
度のよいポジ型レジストが使用され、ネガ型レジストは
高感度ではあるが解像度が悪く、精々２μｍ程度のパタ
ーン形成しかできないので通常余り用いられない傾向に
ある。しかし、ネガ型レジストは残存部分が照射により
反応を起こすために一般に密着性もよく、渭式エッチン
グに対しても強いので、ポジ型レジストと共にネガ型レ
ジストを併用して微細パターンを形成すると、更に回路
素子の精度を向上させることになり、又紫外線露光用レ
ジストはネガ型が従来より多く、工程上非常に好都合な
面もある。
本発明は、高精度パターン形成の可能なネガ型レジスト
材料とその形成法を提案して、上記の目的を達成させよ
うとするもので、その特徴はノボラック型フェノール樹
脂のベース、ポリマーからなる感能性高分子材料を用い
、電子線、Ｘ線、α’線、遠紫外線の少なくとも一つを
選択的に照射し、アルカリ系現像液で現像することによ
りネガ型パターンを得るものである。以下、本発明を詳
しく説明すると、ノボテツク型フェノール樹脂は従前よ
り光感能性物質、例えば で表わされるナフトキノ ンジアジトなどを添加して、ポジ型レジスト材料として
用いられており、Ｍｌ３５Ｏなどはポジ型レジストとし
て知られた商品である。
材料とその形成法を提案して、上記の目的を達成させよ
うとするもので、その特徴はノボラック型フェノール樹
脂のベース、ポリマーからなる感能性高分子材料を用い
、電子線、Ｘ線、α’線、遠紫外線の少なくとも一つを
選択的に照射し、アルカリ系現像液で現像することによ
りネガ型パターンを得るものである。以下、本発明を詳
しく説明すると、ノボテツク型フェノール樹脂は従前よ
り光感能性物質、例えば で表わされるナフトキノ ンジアジトなどを添加して、ポジ型レジスト材料として
用いられており、Ｍｌ３５Ｏなどはポジ型レジストとし
て知られた商品である。
本発明は、この様な光感能性物質を加えることなく、一
般式 （Ｒは−Ｈ又は−ＣＨ３で、ｎは個数）で表わ
されるベース．ポリマーのみからなるレジスト材料を提
案するものである。
般式 （Ｒは−Ｈ又は−ＣＨ３で、ｎは個数）で表わ
されるベース．ポリマーのみからなるレジスト材料を提
案するものである。
検討の結果、この様なノボラック型フェノール樹脂のベ
ース．ポリマーに電子線，Ｘ線又は遠紫外線などを過度
に照射し、又は熱処理と照射量を適宜に組合せることに
よつてネガ型の微細パターンが得られることが判つた。
ース．ポリマーに電子線，Ｘ線又は遠紫外線などを過度
に照射し、又は熱処理と照射量を適宜に組合せることに
よつてネガ型の微細パターンが得られることが判つた。
そして上記の光惑能性物質の添加がないので照射量の増
減によりポジ型化することはない。次にその形成方法の
一実施例を説明する。平均分子量２００＠度のノボラッ
ク型フェノール樹脂をメチルセロソルブアセテートに溶
解せしめて２０％濃度の溶液とする。
減によりポジ型化することはない。次にその形成方法の
一実施例を説明する。平均分子量２００＠度のノボラッ
ク型フェノール樹脂をメチルセロソルブアセテートに溶
解せしめて２０％濃度の溶液とする。
これをシリコン基板などの被処理材料上にスピンナーで
塗布し、次いで８０℃の温度で２紛間、予備熱処理を行
なう。そして電子線ビームを照射して、その照射量を５
×１０−５クーロン／ｃｌとし、照射後、９０℃の温度
で２０分間ポスト．ベーク（露光後熱処理）を施す。次
いで有機アルカリ現像液（例えば商品名ｒ！ｏ′３１２
）を水で希釈して２５％水溶液を作り、該現像溶液で現
像すると、巾１μｍ程度のネガ型パターンを形成するこ
とができる。上記説明の照射量とポスト．ベークとを適
当に加減して組合せたり、又照射のみても同様に微細な
ネガ型パターンが得られる。
塗布し、次いで８０℃の温度で２紛間、予備熱処理を行
なう。そして電子線ビームを照射して、その照射量を５
×１０−５クーロン／ｃｌとし、照射後、９０℃の温度
で２０分間ポスト．ベーク（露光後熱処理）を施す。次
いで有機アルカリ現像液（例えば商品名ｒ！ｏ′３１２
）を水で希釈して２５％水溶液を作り、該現像溶液で現
像すると、巾１μｍ程度のネガ型パターンを形成するこ
とができる。上記説明の照射量とポスト．ベークとを適
当に加減して組合せたり、又照射のみても同様に微細な
ネガ型パターンが得られる。
又、現像液も有機アルカリばかりでなく、苛性カリの数
％水溶液でも同様に現像することができる。この様にネ
ガ型で微細なパターンが得られるのは、一般のネガ型レ
ジスト材料に比較して、本発明の高分子材料は分子量が
低いため、電子の散乱，反射等によつて生じるパターン
近傍の反応（架橋反応）はレジストを完全にゲル化（不
溶化）するにいたらず、従つて一般のネガレジストでは
“゜ヒゲ゛や“ブリッジ゛となつて残存する部分が現像
液によつてきれいに溶解してしまうこと、又、水溶液で
現像するために膨潤がおこりにくいこと等のために解像
度が向上すると考えられる。
％水溶液でも同様に現像することができる。この様にネ
ガ型で微細なパターンが得られるのは、一般のネガ型レ
ジスト材料に比較して、本発明の高分子材料は分子量が
低いため、電子の散乱，反射等によつて生じるパターン
近傍の反応（架橋反応）はレジストを完全にゲル化（不
溶化）するにいたらず、従つて一般のネガレジストでは
“゜ヒゲ゛や“ブリッジ゛となつて残存する部分が現像
液によつてきれいに溶解してしまうこと、又、水溶液で
現像するために膨潤がおこりにくいこと等のために解像
度が向上すると考えられる。
この様に、本発明は微細パターンを形成するに適したネ
ガ型レジスト材料とその形成方法を提供するものである
が、ノボラック型フェノール樹脂は普通電子部品成型材
料として多く利用されているものであり、廉価に入手す
ることもできるので高密度集積回路などのコストダウン
にも役立ち、半導体工業ばかりでなく、広く電子工業の
発展に寄与するものと言える。
ガ型レジスト材料とその形成方法を提供するものである
が、ノボラック型フェノール樹脂は普通電子部品成型材
料として多く利用されているものであり、廉価に入手す
ることもできるので高密度集積回路などのコストダウン
にも役立ち、半導体工業ばかりでなく、広く電子工業の
発展に寄与するものと言える。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは−Ｈ又は−ＣＨ＿３である） で表わされるノボラック型フェノール樹脂からなる感能
性高分子材料。 ２ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは−Ｈ又は−ＣＨ＿３である） で表わされるノボラック型フェノール樹脂からなる感能
性高分子材料に電子線、Ｘ線、α線、遠紫外線の少なく
とも一つを選択的に照射し、アルカリ系現像液で現像す
ることにより、ネガ型パターンを得ることを特徴とする
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54131034A JPS6055824B2 (ja) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | 感能性高分子材料及びそのパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54131034A JPS6055824B2 (ja) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | 感能性高分子材料及びそのパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5654433A JPS5654433A (en) | 1981-05-14 |
| JPS6055824B2 true JPS6055824B2 (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=15048467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54131034A Expired JPS6055824B2 (ja) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | 感能性高分子材料及びそのパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055824B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3852771A (en) * | 1973-02-12 | 1974-12-03 | Rca Corp | Electron beam recording process |
-
1979
- 1979-10-11 JP JP54131034A patent/JPS6055824B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5654433A (en) | 1981-05-14 |
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