JPS6056294B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6056294B2 JPS6056294B2 JP2893878A JP2893878A JPS6056294B2 JP S6056294 B2 JPS6056294 B2 JP S6056294B2 JP 2893878 A JP2893878 A JP 2893878A JP 2893878 A JP2893878 A JP 2893878A JP S6056294 B2 JPS6056294 B2 JP S6056294B2
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に金配線面に表面保護膜を有す
る構造の半導体装置に関するものてある。
る構造の半導体装置に関するものてある。
従来、ビームリード型半導体装置の金属膜配線構造は、
例えばＴｉ−Ｐｔ−Ａｕのように表面がＡｕ膜で成る積
層構造であつた。
例えばＴｉ−Ｐｔ−Ａｕのように表面がＡｕ膜で成る積
層構造であつた。
通常、Ａｕ膜は柔らかい性質のものであるため、配線部
に傷が入り易く、該種半導体装置の動作不良を生じさせ
る原因になつていた。上記改善策として、表面保護膜を
被覆することが試みられている。この被覆材とし−て一
般的にＳｊ０２膜やＳｉ３Ｎ４膜あるいはポリイミド膜
等が用いられる。一方、Ａｕ膜配線を施したこのような
半導体装置は、動作特性の安定性からみて印加される熱
サイクル条件が約３００℃に限定されるため、それ以下
の温度条件て該表面保護膜を；被覆処理しなければなら
ない。前述したＳｉ３Ｎ４膜はポリイミド膜に比らべて
電気絶縁性が優れているため、半導体装置特性の信頼度
が良い。しカルながらＡｕ膜が活性材料でないためＳｉ
３Ｎ４膜はＡｕ膜面との接着性が悪く、該界面から剥離
され易く、表面保護の役目を充分に果しきれなかつた。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、Ａｕ膜を有する半
導体装置主面にＳ１。Ｎ。膜て成る表面保護膜を接着性
良く施設ならしめる構造の半導体装置を提供することに
ある。本発明の特徴は、半導体基板の不純物領域にアル
ミニウム（Ａｌ）のみからなる第１の配線層が設けられ
、該第１の配線層の一部の所定領域にチＩタニウムー白
金−金（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ）からなるビームリード型の
第２の配線層が接続され、この第２の配線層の最上膜て
ある金膜（Ａｕ）に銅膜（Ｃｕ）が被着され、該銅膜（
Ｃｕ）上をシリコン窒化膜（Ｓ１。
に傷が入り易く、該種半導体装置の動作不良を生じさせ
る原因になつていた。上記改善策として、表面保護膜を
被覆することが試みられている。この被覆材とし−て一
般的にＳｊ０２膜やＳｉ３Ｎ４膜あるいはポリイミド膜
等が用いられる。一方、Ａｕ膜配線を施したこのような
半導体装置は、動作特性の安定性からみて印加される熱
サイクル条件が約３００℃に限定されるため、それ以下
の温度条件て該表面保護膜を；被覆処理しなければなら
ない。前述したＳｉ３Ｎ４膜はポリイミド膜に比らべて
電気絶縁性が優れているため、半導体装置特性の信頼度
が良い。しカルながらＡｕ膜が活性材料でないためＳｉ
３Ｎ４膜はＡｕ膜面との接着性が悪く、該界面から剥離
され易く、表面保護の役目を充分に果しきれなかつた。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、Ａｕ膜を有する半
導体装置主面にＳ１。Ｎ。膜て成る表面保護膜を接着性
良く施設ならしめる構造の半導体装置を提供することに
ある。本発明の特徴は、半導体基板の不純物領域にアル
ミニウム（Ａｌ）のみからなる第１の配線層が設けられ
、該第１の配線層の一部の所定領域にチＩタニウムー白
金−金（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ）からなるビームリード型の
第２の配線層が接続され、この第２の配線層の最上膜て
ある金膜（Ａｕ）に銅膜（Ｃｕ）が被着され、該銅膜（
Ｃｕ）上をシリコン窒化膜（Ｓ１。
Ｎ０）が表面保護膜として被覆している半導体装置てあ
る。本発明によると、前述した従来技術の欠点が除去て
き、即ち、絶縁性と界面接着性の表面保護膜特性の良い
半導体装置となり、信頼度特性も向上する。
る。本発明によると、前述した従来技術の欠点が除去て
き、即ち、絶縁性と界面接着性の表面保護膜特性の良い
半導体装置となり、信頼度特性も向上する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
尚、説明の都合上、Ａｌ−（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ）の２層
配線構造で示し、外部端子領域及び不純物拡散素子領域
の導電型については省略した。第１は本発明の一実施例
の表面保護膜を有する半導体装置の断面図であり、シリ
コン基板１とＳｉＯ。
配線構造で示し、外部端子領域及び不純物拡散素子領域
の導電型については省略した。第１は本発明の一実施例
の表面保護膜を有する半導体装置の断面図であり、シリ
コン基板１とＳｉＯ。
膜２（又はＳｉ、Ｎｏ膜又はそれらを組合せた膜）の半
導体基板に拡散素子領域３とオーミック接触層４を有し
、Ａｌ膜５を配線して、且つ配線間をＡ１。０３膜６で
分離して第１層目配線を形成させ、ＳｌＯ２膜７を中間
絶縁層とし、所定領域を開孔してＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ膜８
を施設し、更にＣ暎９を該Ａｕ膜面に載せ、主面全体に
Ｓｉ３Ｎ４膜１０を被覆して表面保護膜とした半導体装
置である。
導体基板に拡散素子領域３とオーミック接触層４を有し
、Ａｌ膜５を配線して、且つ配線間をＡ１。０３膜６で
分離して第１層目配線を形成させ、ＳｌＯ２膜７を中間
絶縁層とし、所定領域を開孔してＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ膜８
を施設し、更にＣ暎９を該Ａｕ膜面に載せ、主面全体に
Ｓｉ３Ｎ４膜１０を被覆して表面保護膜とした半導体装
置である。
本実施例の構造を得る方法としては、例えば、Ｔｉ−Ｐ
ｔ膜上にＡｕ膜を２〜３μｍ電気メッキで施設して上記
構成を形成する。この状態で、低温スパッタ法（低温条
件は約２００′Ｃ位）を行い、Ｓｉ３Ｎ４膜を該主面積
全体に１〜３μｍの厚さで付着させる。Ｓｉ３Ｎ４膜は
Ｃｕ膜と接着性が良く、又、表面保護膜としての電気絶
縁性及び機械的接着性に優れた半導体装置になり得る。
ｔ膜上にＡｕ膜を２〜３μｍ電気メッキで施設して上記
構成を形成する。この状態で、低温スパッタ法（低温条
件は約２００′Ｃ位）を行い、Ｓｉ３Ｎ４膜を該主面積
全体に１〜３μｍの厚さで付着させる。Ｓｉ３Ｎ４膜は
Ｃｕ膜と接着性が良く、又、表面保護膜としての電気絶
縁性及び機械的接着性に優れた半導体装置になり得る。
第１図は本発明の一実施例の表面保護膜を有する半導体
装置の断面図てある。 尚、図において、１・・・・・シリコン基板、２・・・
・ＳｉＯ２、３・・・・・・不純物拡散領域、４・・・
・・・オーミックコンタクト層、５・・・・・・Ｎ層、
６・・・・・・Ａｌ２Ｏ３、７・・・ＳｉＯ２膜、８・
・・・・・Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ膜、９・・・・・・ＣＵ膜
、１０・・・・・・Ｓｉ３＼膜である。
装置の断面図てある。 尚、図において、１・・・・・シリコン基板、２・・・
・ＳｉＯ２、３・・・・・・不純物拡散領域、４・・・
・・・オーミックコンタクト層、５・・・・・・Ｎ層、
６・・・・・・Ａｌ２Ｏ３、７・・・ＳｉＯ２膜、８・
・・・・・Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ膜、９・・・・・・ＣＵ膜
、１０・・・・・・Ｓｉ３＼膜である。
Claims (1)
- １ 半導体基板の不純物領域にアルミニウムのみからな
る第１の配線層が設けられ、該第１の配線層の一部の所
定領域にチタニウム−白金−金からなるビームリード型
の第２の配線層が接続され、この第２の配線層の最上膜
である金膜に銅膜が被着され、該銅膜上をシリコン窒化
膜が表面保護膜として被覆していることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2893878A JPS6056294B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2893878A JPS6056294B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54121057A JPS54121057A (en) | 1979-09-19 |
| JPS6056294B2 true JPS6056294B2 (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=12262337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2893878A Expired JPS6056294B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056294B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11024510B2 (en) | 2019-09-20 | 2021-06-01 | Kioxia Corporation | Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device |
-
1978
- 1978-03-13 JP JP2893878A patent/JPS6056294B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11024510B2 (en) | 2019-09-20 | 2021-06-01 | Kioxia Corporation | Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54121057A (en) | 1979-09-19 |
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