JPS6058902B2 - 液晶性エステル化合物 - Google Patents
液晶性エステル化合物Info
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- JPS6058902B2 JPS6058902B2 JP8125280A JP8125280A JPS6058902B2 JP S6058902 B2 JPS6058902 B2 JP S6058902B2 JP 8125280 A JP8125280 A JP 8125280A JP 8125280 A JP8125280 A JP 8125280A JP S6058902 B2 JPS6058902 B2 JP S6058902B2
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- -1 ester compound Chemical class 0.000 title claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WIPYZRZPNMUSER-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1Cl WIPYZRZPNMUSER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な有機化合物とその製造方法に係り、
更に詳しくは本発明は、液晶温度範囲が広く、透明点の
高い新規有機化合物とその製造方法に関するものである
。
更に詳しくは本発明は、液晶温度範囲が広く、透明点の
高い新規有機化合物とその製造方法に関するものである
。
液晶を用いた電気光学的表示素子には、従来より様々
な原理が応用され、実用化されている。
な原理が応用され、実用化されている。
ネマチツク液晶材料を用いた電気光学的表示素子は、そ
のネマチツク液晶材料の誘電異方性によつて分類されて
いる。例えば、分子の長軸に垂直な方向の誘電率が長軸
方向の誘電率よりも大きいネマチツク液晶材料、即ち負
の誘電異方性を有するネマチツク液晶材料に電界を印加
した時に生ず)゛HCoト′〇yR・ / L/ る、イオンと液晶分子集団との衝突によつて起こされ
る光散乱現象、いわゆる動的散乱モードを利用した表示
素子、更に、電界の印加により2色性染料の配向を制御
しカラー表示を行うプレオクカイツク表示に於いてポジ
タイプのゲストホスト表示には負の誘電異方性を持つ液
晶材料は必要となる。
のネマチツク液晶材料の誘電異方性によつて分類されて
いる。例えば、分子の長軸に垂直な方向の誘電率が長軸
方向の誘電率よりも大きいネマチツク液晶材料、即ち負
の誘電異方性を有するネマチツク液晶材料に電界を印加
した時に生ず)゛HCoト′〇yR・ / L/ る、イオンと液晶分子集団との衝突によつて起こされ
る光散乱現象、いわゆる動的散乱モードを利用した表示
素子、更に、電界の印加により2色性染料の配向を制御
しカラー表示を行うプレオクカイツク表示に於いてポジ
タイプのゲストホスト表示には負の誘電異方性を持つ液
晶材料は必要となる。
また分子の長軸方向の誘電率が、長軸に垂直方向の誘電
率より大きいネマチツク液晶材料、即ち正の誘電異方性
を有するネマチツク液晶材料に電界を印加した時に生じ
る分子のねじれ、または傾きの変化を利用したいわゆる
電界効果モードを利用した表示素子がある。また、電界
効果モードの発展として、液晶の低周波誘電分散効果を
利用・した2周波表示素子がある。これは次に示す原理
によつて成り立つている。第1図には代表的な正の誘電
異方性をもつ液晶組成物の周波数依存性を示す。(参照
Appl、Phyoレttersり0141974P1
86〜)Fcは誘電異方性のなくなる周波数であり、交
差周波数と称される。
率より大きいネマチツク液晶材料、即ち正の誘電異方性
を有するネマチツク液晶材料に電界を印加した時に生じ
る分子のねじれ、または傾きの変化を利用したいわゆる
電界効果モードを利用した表示素子がある。また、電界
効果モードの発展として、液晶の低周波誘電分散効果を
利用・した2周波表示素子がある。これは次に示す原理
によつて成り立つている。第1図には代表的な正の誘電
異方性をもつ液晶組成物の周波数依存性を示す。(参照
Appl、Phyoレttersり0141974P1
86〜)Fcは誘電異方性のなくなる周波数であり、交
差周波数と称される。
2周波表示法とは、このような、FOより低周波領域(
例えばFL)では正の誘電異方性、FOより高周波領域
(例えばFH)では負の誘電異方性を持つ液晶組成物に
於いて、一定印加電圧の下に周波数変化によつて液晶分
子のねじれ又は、傾きを制限し表示を行うものである。
例えばFL)では正の誘電異方性、FOより高周波領域
(例えばFH)では負の誘電異方性を持つ液晶組成物に
於いて、一定印加電圧の下に周波数変化によつて液晶分
子のねじれ又は、傾きを制限し表示を行うものである。
ここで、液晶物質あるいは液晶混合物に添加することに
より、Fcより高周波領域で負の誘電異方性の絶対値が
大きくなれば駆動電圧を下け、ひいては消費電力削減に
有効である。一般に、FO値と応答時間τの間には次の
関係がある。
より、Fcより高周波領域で負の誘電異方性の絶対値が
大きくなれば駆動電圧を下け、ひいては消費電力削減に
有効である。一般に、FO値と応答時間τの間には次の
関係がある。
(τは立ち上がり時間と立ち下がり時間の平均値)即ち
、応答性をよくするとFO値は大きくなり、高周波領域
での負の誘電異方性の絶対値は小さくなる。
、応答性をよくするとFO値は大きくなり、高周波領域
での負の誘電異方性の絶対値は小さくなる。
逆にFc値を小さくすると、応答性は悪くなるが、高周
波領域での負の誘電異方性の絶2対値は大きくなり消費
電力削減に有効となる。しかし、液晶物質あるいは液晶
混合物に添加することにより応答性がよく、かつFO値
を下げることが望まれるが、この両者をバランス良く満
足することができる液晶性エステル化合物はあまり知ら
れていない。本発明の目的は、化学的、熱的、光、湿度
等に対し安定であり、液晶物質あるいは液晶混合物に添
加することにより、FO値を小さくし、かつ応答速度と
のバランスが良く、FO値の温度変化が小さく、液晶温
度範囲を大きくするような新規エステル化合物を提供す
ることにある。
波領域での負の誘電異方性の絶2対値は大きくなり消費
電力削減に有効となる。しかし、液晶物質あるいは液晶
混合物に添加することにより応答性がよく、かつFO値
を下げることが望まれるが、この両者をバランス良く満
足することができる液晶性エステル化合物はあまり知ら
れていない。本発明の目的は、化学的、熱的、光、湿度
等に対し安定であり、液晶物質あるいは液晶混合物に添
加することにより、FO値を小さくし、かつ応答速度と
のバランスが良く、FO値の温度変化が小さく、液晶温
度範囲を大きくするような新規エステル化合物を提供す
ることにある。
本発明によつて提供される液晶性エステル化合物の合成
手順の概略を示す。
手順の概略を示す。
StepI
市販のPCH液晶(メルク社製)をエチレングリコール
に加熱溶解し、等モル以上の強塩基性水溶液、例えば水
酸化カリウム水溶液を加え、加熱還流を8時間以上行う
。
に加熱溶解し、等モル以上の強塩基性水溶液、例えば水
酸化カリウム水溶液を加え、加熱還流を8時間以上行う
。
反応式は以下の如くてある。Step■
StepIで得られた一般式
なる化合物にその等モ
〔ル以上の酸性水溶液(例えば、塩酸など)を加え、数
時間の攪拌を行い、塩をカルボン酸に変え、適当な溶媒
により(例えばメタノール、エタノール等)再結晶を行
う。
時間の攪拌を行い、塩をカルボン酸に変え、適当な溶媒
により(例えばメタノール、エタノール等)再結晶を行
う。
反応式は以下の如くである。Step■
Step■で得られた一般式
モル以上の塩化チオニルを加え、加熱還流し、ガス発生
の起らなくなつた点を、反応終了時と定める。
の起らなくなつた点を、反応終了時と定める。
反応終了後は、加熱減圧し、余剰の塩化チオニルを除去
する。反応式は以下の如くてある。ここで得られたは 所定の手段によつて減圧蒸溜し、精製を行う。
する。反応式は以下の如くてある。ここで得られたは 所定の手段によつて減圧蒸溜し、精製を行う。
Step■次にトルエンを溶媒として一般式
なる化合物を加熱溶解し、冷却
後、前記化合物と等モル量の
を加え、触媒として少量の硫酸とホウ酸を加える。
これを3時間加熱還流を行い、還流後トルエンを減圧溜
去する。残渣を再結晶(例えば溶媒として、アセトニト
リル、メタノール等)し、:を得る。反応式は以下の如
くである。
去する。残渣を再結晶(例えば溶媒として、アセトニト
リル、メタノール等)し、:を得る。反応式は以下の如
くである。
Step■
Step■によつて得られた
とStep■で得られ
た
゛を等モル量ずつ取
りそれぞれ溶液に溶解する。
溶媒としては、クロロホルム、エチルエーテル、トルエ
ン等がある。の溶けている溶液(SOll)には反応の
触媒として塩基性物質としては、ピリジン、トリエチル
アミン等がある。
ン等がある。の溶けている溶液(SOll)には反応の
触媒として塩基性物質としては、ピリジン、トリエチル
アミン等がある。
冷却下に於いて、SOllにの溶けた溶液(SOl
2)を攪拌しながら加え反応させる。
反応式は以下の如くである。SOl2を加え終つたら、
反応を完結させるために、数十分間加熱還流を行う。
反応を完結させるために、数十分間加熱還流を行う。
ここで得られたエステル化合物は、水を加え、エーテル
あるいはクロロホルム等にて抽出を行う。
あるいはクロロホルム等にて抽出を行う。
その後、このエーテル層あるいはクロロホルム層を取り
出し、酸性水溶液(例えば塩酸)及び塩基性水溶液(例
えば水酸化ナトリウム水溶液)で洗い、その後水洗をく
り返し、不純物を除去し、加熱あるいは減圧等の手段に
よつて、エーテルあるいはクロロホルム等を取り除く。
出し、酸性水溶液(例えば塩酸)及び塩基性水溶液(例
えば水酸化ナトリウム水溶液)で洗い、その後水洗をく
り返し、不純物を除去し、加熱あるいは減圧等の手段に
よつて、エーテルあるいはクロロホルム等を取り除く。
得られたエステル化合物は、エタノールあるいはヘキサ
ン等の有機溶媒にて再結晶を行う。以下実施例により、
具体的な液晶エステル化合物の合成法及びにその特性を
示す。
ン等の有機溶媒にて再結晶を行う。以下実施例により、
具体的な液晶エステル化合物の合成法及びにその特性を
示す。
実施例1
StepI
市販のPCH−3(構造式
(イ).1m0I)をエチレングリコール450m1中
に加熱した。
に加熱した。
この溶液が沸騰しているところへ、水酸化カリウム水溶
液(KOH35y..H2O2Oy)を少量ずつ短時間
で加え、8時間以上の加熱還流を行つた。Step■冷
却後、水500m1以上を注ぎ入れて、析出している結
晶を溶解した。
液(KOH35y..H2O2Oy)を少量ずつ短時間
で加え、8時間以上の加熱還流を行つた。Step■冷
却後、水500m1以上を注ぎ入れて、析出している結
晶を溶解した。
尚、溶解しない部分はろ過して取り除いた。この溶液中
に濃塩酸の過剰量(200m1以上)を少量ずつ加え、
白色沈澱を生じさせ、3時間以上の攪拌を行つた。攪拌
終了後、ろ過し、結晶を充分水洗し、乾燥させてエタノ
ールにて再結晶を1回行つた。
に濃塩酸の過剰量(200m1以上)を少量ずつ加え、
白色沈澱を生じさせ、3時間以上の攪拌を行つた。攪拌
終了後、ろ過し、結晶を充分水洗し、乾燥させてエタノ
ールにて再結晶を1回行つた。
得られた結晶4−(41−プロピルシクロヘキシル)−
ベンゾイックアシッドの量は20.1yであつた。St
ep■Step■で得られた結晶19.1y(0.08
2m0りと塩化チオニル50fI(0.42n10りを
加え、加熱還流を1時間半行つた。
ベンゾイックアシッドの量は20.1yであつた。St
ep■Step■で得られた結晶19.1y(0.08
2m0りと塩化チオニル50fI(0.42n10りを
加え、加熱還流を1時間半行つた。
ガスの発生が終つた時点を反応終了時とし、次に過剰の
塩化チオニルを減圧溜去した。残渣の減圧蒸溜(171
77!Hgl5l℃)により、精製4−(4″−プロピ
ルシクロヘキシル)ベンゾイルクロライドの結晶19.
2y(0.073rn0りが得られた。Step■ 次に1′のトルエンを溶媒としてペンチルフエ,ノール
32y(0.2rn01)を加熱溶解した。
塩化チオニルを減圧溜去した。残渣の減圧蒸溜(171
77!Hgl5l℃)により、精製4−(4″−プロピ
ルシクロヘキシル)ベンゾイルクロライドの結晶19.
2y(0.073rn0りが得られた。Step■ 次に1′のトルエンを溶媒としてペンチルフエ,ノール
32y(0.2rn01)を加熱溶解した。
冷却後、前記化合物と等モル量に当る2−クロロー4−
ヒドロキシベンゾイックアシッド34.2q(0.2m
01)と0.5yの硫酸、0.3yのホウ酸を触媒とし
て、30時間以上加熱還流を行い、その後トルエンを減
圧!溜去した。そして、残渣をメタノールにて再結晶を
行つた結果、構造式晶を52f(0.17m0り得た。
ヒドロキシベンゾイックアシッド34.2q(0.2m
01)と0.5yの硫酸、0.3yのホウ酸を触媒とし
て、30時間以上加熱還流を行い、その後トルエンを減
圧!溜去した。そして、残渣をメタノールにて再結晶を
行つた結果、構造式晶を52f(0.17m0り得た。
Step■
Step■で得られた結晶を2.64y(0.01m0
りを適当量(約30m1)のトルエンに溶解した。
りを適当量(約30m1)のトルエンに溶解した。
(SOll)また、Step■で得られた結晶3.06
y(4).01m01)にやはり適当量(約30m1)
のトルエンと、2m1のピリジンを加えることによつて
溶解せしめた。
y(4).01m01)にやはり適当量(約30m1)
のトルエンと、2m1のピリジンを加えることによつて
溶解せしめた。
(SOl2)SOl2を冷却、攪拌しながらSOllを
少量ずつ加え反応させ、白色沈澱を生じさせた。
少量ずつ加え反応させ、白色沈澱を生じさせた。
その後、これを3紛間以上加熱還流した。還流終了後、
水を加え、白色沈澱を溶解しトルエン抽出を行つた。こ
のトルエン層を取り出し、10%の塩酸で3回洗い、純
水で3回水洗し、10%の水酸化ナトリウム溶液で3回
洗い、再び純水で3回水洗した。
水を加え、白色沈澱を溶解しトルエン抽出を行つた。こ
のトルエン層を取り出し、10%の塩酸で3回洗い、純
水で3回水洗し、10%の水酸化ナトリウム溶液で3回
洗い、再び純水で3回水洗した。
このトルエン層から、トルエンを減圧溜去し結晶を得た
。この結晶をヘキサンとエタノール1:1の混合溶媒に
よつて3回再結晶を行つた。以上によつて精製P−ペン
チルフェニル2−クロローP″一〔ピー(4−プロピル
シクロヘキシル)ベンゾイロキシ〕ベンゾエート4.8
y得た。実施例2実施例1と同様の方法を用いて、P−
ペンチルフェニル2−クロローP′−〔P″″−(4−
ペンチルシクロヘキシル)ベンゾイロキシ〕ベンゾエー
トを得た。
。この結晶をヘキサンとエタノール1:1の混合溶媒に
よつて3回再結晶を行つた。以上によつて精製P−ペン
チルフェニル2−クロローP″一〔ピー(4−プロピル
シクロヘキシル)ベンゾイロキシ〕ベンゾエート4.8
y得た。実施例2実施例1と同様の方法を用いて、P−
ペンチルフェニル2−クロローP′−〔P″″−(4−
ペンチルシクロヘキシル)ベンゾイロキシ〕ベンゾエー
トを得た。
実施例3
実施例1と同様の方法を用いて、P−ペンチルフェニル
2−クロローP′−〔ビー(4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ベンゾイロキシ〕ベンゾエートを得た。
2−クロローP′−〔ビー(4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ベンゾイロキシ〕ベンゾエートを得た。
以下表1に本発明の液晶性エステル化合物の構造とC.
p.、M.p.を示す。
p.、M.p.を示す。
但し、表中M.p.は固相からネマチツク液晶相への遷
移点(融点)、C.p.はネマチツク液晶相から等方性
液体への遷移点(透明点)を示す。
移点(融点)、C.p.はネマチツク液晶相から等方性
液体への遷移点(透明点)を示す。
第2図から第4図までは、それぞれの赤外吸収スペク2
トルを示した。実施例4 母液晶として市販のP−ペンチルフェニル2−クロロー
4−(P−ペンチルベンゾイルロキシ)ーベンゾエート
を用い、本発明によつて得られた液晶性エステル化合物
を以下の成分比で加え、その誘電分散を第5図に示した
。
トルを示した。実施例4 母液晶として市販のP−ペンチルフェニル2−クロロー
4−(P−ペンチルベンゾイルロキシ)ーベンゾエート
を用い、本発明によつて得られた液晶性エステル化合物
を以下の成分比で加え、その誘電分散を第5図に示した
。
第5図かられかるように、本発明の液晶性エステル化合
物の添加量が多くなるに連れて、Fc値は小さくなつて
いる。
物の添加量が多くなるに連れて、Fc値は小さくなつて
いる。
また、Fc値の減少に比較して応答性も良く、この両者
のバランスが満足されている。以上の様に、本発明の液
晶性エステル化合物は、液晶物質、液晶組成物に添加す
ることによりFc値を減少させるが、それに比較して応
答性も良く、この両者のバランスが満足され、かつそれ
らの液晶温度範囲を広くすることができる。
のバランスが満足されている。以上の様に、本発明の液
晶性エステル化合物は、液晶物質、液晶組成物に添加す
ることによりFc値を減少させるが、それに比較して応
答性も良く、この両者のバランスが満足され、かつそれ
らの液晶温度範囲を広くすることができる。
また、本発明の化合物は、エステル化合物であり、化学
的、熱的、光、温度に対し安定であるのは言うまでもな
い。更に、本発明の液晶性エステル化合物は透明点が高
く、このような高透明点の化合物を既知の液晶組成物に
添加することによつて、該液晶組成物の透明点を高くす
ることができるのは公知の事実である。
的、熱的、光、温度に対し安定であるのは言うまでもな
い。更に、本発明の液晶性エステル化合物は透明点が高
く、このような高透明点の化合物を既知の液晶組成物に
添加することによつて、該液晶組成物の透明点を高くす
ることができるのは公知の事実である。
このように、電界効果型液晶としても有効な使用が考え
られ、前記の如く、2周波表示用液晶としても言うまで
もなく有効な使用が考えられる。
られ、前記の如く、2周波表示用液晶としても言うまで
もなく有効な使用が考えられる。
第1図、代表的な液晶組成物の誘電異方性の周波数依存
、第2図、の赤外吸収スペクトル、第3図、 の赤外吸収スペクトル、第4図、 の赤外吸収スペクトル、第5図、母液晶 に本発明の液晶性エステル化合物を添加した時の誘電異
方性の周波数依存、NO.l9%、NO.2l8%、N
O.327%で、室温測定。
、第2図、の赤外吸収スペクトル、第3図、 の赤外吸収スペクトル、第4図、 の赤外吸収スペクトル、第5図、母液晶 に本発明の液晶性エステル化合物を添加した時の誘電異
方性の周波数依存、NO.l9%、NO.2l8%、N
O.327%で、室温測定。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式が ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R_1は炭素数が3個、5個または7個の直鎖
アルキル基を示し、R_2は炭素数が5個の直鎖アルキ
ル基を示す。 )で表わされることを特徴とする液晶性エステル化合物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125280A JPS6058902B2 (ja) | 1980-06-16 | 1980-06-16 | 液晶性エステル化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125280A JPS6058902B2 (ja) | 1980-06-16 | 1980-06-16 | 液晶性エステル化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS577449A JPS577449A (en) | 1982-01-14 |
| JPS6058902B2 true JPS6058902B2 (ja) | 1985-12-23 |
Family
ID=13741191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8125280A Expired JPS6058902B2 (ja) | 1980-06-16 | 1980-06-16 | 液晶性エステル化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058902B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210118192A (ko) | 2019-03-20 | 2021-09-29 | 가부시키가이샤 코세 | 추정 방법, 추정 모델의 생성 방법, 프로그램, 및 추정 장치 |
-
1980
- 1980-06-16 JP JP8125280A patent/JPS6058902B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210118192A (ko) | 2019-03-20 | 2021-09-29 | 가부시키가이샤 코세 | 추정 방법, 추정 모델의 생성 방법, 프로그램, 및 추정 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS577449A (en) | 1982-01-14 |
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