JPS6059533U - 半導体の電気特性測定用素子 - Google Patents

半導体の電気特性測定用素子

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JPS6059533U
JPS6059533U JP14956183U JP14956183U JPS6059533U JP S6059533 U JPS6059533 U JP S6059533U JP 14956183 U JP14956183 U JP 14956183U JP 14956183 U JP14956183 U JP 14956183U JP S6059533 U JPS6059533 U JP S6059533U
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JP
Japan
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protrusions
metal electrode
semiconductor layer
measuring electrical
semiconductors
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Application number
JP14956183U
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知史 上田
吉河 満男
伊藤 道春
研二 丸山
哲男 斉藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体の電気特性測定用素子の概
略平面図である。 1・・・・・・HgCdTe層、2・・・・・・電流通
過板、3A、3B、4A、4B、5A、5B、6A、6
8m・・6Am突起部、13. 14. 16. 17
”曲Au電極、11. 12. 15. 17. 19
.20・・・In電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 電流通過板およびこれに対して直交するような4組
    の突出部からなる半導体層を有し、前記4組中の1組の
    突出部上に第1導電型の半導体層とオーミックコンタク
    トとなる第1金属の電極が形成され、別の1組の突出部
    上に第2導電型の半導体層とオーミックコンタクトとな
    る第2金属の電極が形成され、かつ残り2組の同じ側の
    2個の突出部上に前記第1金属の電極が形成され、反対
    側の2個の突出部上に前記第2金属の電極が形成されて
    いる半導体の電気特性測定用素子。 2 前記半導体がHgCdTeである実用新案登録請求
    の範囲第1項記載の素子。
JP14956183U 1983-09-29 1983-09-29 半導体の電気特性測定用素子 Pending JPS6059533U (ja)

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