JPS5918404U - 電力用半導体抵抗 - Google Patents
電力用半導体抵抗Info
- Publication number
- JPS5918404U JPS5918404U JP11445182U JP11445182U JPS5918404U JP S5918404 U JPS5918404 U JP S5918404U JP 11445182 U JP11445182 U JP 11445182U JP 11445182 U JP11445182 U JP 11445182U JP S5918404 U JPS5918404 U JP S5918404U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- semiconductor resistor
- substrate
- region
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Details Of Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来構造図、第２図ａ、 ｂは本考案の一実
施例を示す平面図及び断面図、第３図は特性図である。 図において１は半導体基体、２，２′は拡散領域、３．
３′はオーミック接続用電極、４．４′は端子、５は半
田、６は放熱板、１１はボビン、１２は巻線である。
施例を示す平面図及び断面図、第３図は特性図である。 図において１は半導体基体、２，２′は拡散領域、３．
３′はオーミック接続用電極、４．４′は端子、５は半
田、６は放熱板、１１はボビン、１２は巻線である。
Claims (1)
- 半導体基体の両面又は片面に該基体と同一導電型のこれ
より高不純物濃度の領域を形成するかもしくは該基体と
異る導電型の領域を形成すると共に前記高不純物濃度の
表面に一対の電極を形成し、他方の領域に放熱板を固着
した電力用半導体抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11445182U JPS5918404U (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 電力用半導体抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11445182U JPS5918404U (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 電力用半導体抵抗 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918404U true JPS5918404U (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=30264563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11445182U Pending JPS5918404U (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 電力用半導体抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918404U (ja) |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP11445182U patent/JPS5918404U/ja active Pending
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