JPS6060741A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6060741A JPS6060741A JP58169651A JP16965183A JPS6060741A JP S6060741 A JPS6060741 A JP S6060741A JP 58169651 A JP58169651 A JP 58169651A JP 16965183 A JP16965183 A JP 16965183A JP S6060741 A JPS6060741 A JP S6060741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- molding
- sealed semiconductor
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、組立作業性の改善、とりわけ工程の時間短縮
、自動化推進の容易な樹脂封止形半導体装置の製造方法
に関する。
、自動化推進の容易な樹脂封止形半導体装置の製造方法
に関する。
従来例の構成とその問題点
樹脂封止形半導体装置、例えば、樹脂封止形パワートラ
ンジスタは、通常、第１図の断面図で示されるように、
銅などの良熱伝導性の金属材料からなる支持体１の凹所
にパワートランジスタ素子２を、ろう材３を介して、接
着固定し所定のリード接続を金属配線（図示せず）によ
って行なつ走のち、表面保護用樹脂（ジャンクションコ
ーティングレジン、以下、ＪＣＲと略称する）４で被覆
し、最後に外囲成形樹脂５によって封止して完成されて
いる。
ンジスタは、通常、第１図の断面図で示されるように、
銅などの良熱伝導性の金属材料からなる支持体１の凹所
にパワートランジスタ素子２を、ろう材３を介して、接
着固定し所定のリード接続を金属配線（図示せず）によ
って行なつ走のち、表面保護用樹脂（ジャンクションコ
ーティングレジン、以下、ＪＣＲと略称する）４で被覆
し、最後に外囲成形樹脂５によって封止して完成されて
いる。
ところで、前述の樹脂封止形パワートランジスタで、Ｊ
ＣＲ４の存在は、半導体素子を水分や有害イオン、例え
ば、Ｎａ＋、Ｈ” 、 （４−などの侵入から保獲し、
電気的諸特性を安定化させるのに不可欠であるが、その
反面、同ＪＣＲ４の被覆後の硬化、安定化のための熱処
理が、例えば、１６０℃〜２３０℃で数時間を要し、組
立作業能率を高めるうえで、大きな障害にもなっていた
。また、このような長い所要時間工程があると、製造工
程のライン化、自動化が困難である。さらに、かかるＪ
ＣＲ４にピンホールやマイクロクラックなどが発生する
と、特性劣化、信頼性の低下を招くので、その硬化処理
はおろそかにできず、その急速化はなかなかむつかしい
のが実情である。
ＣＲ４の存在は、半導体素子を水分や有害イオン、例え
ば、Ｎａ＋、Ｈ” 、 （４−などの侵入から保獲し、
電気的諸特性を安定化させるのに不可欠であるが、その
反面、同ＪＣＲ４の被覆後の硬化、安定化のための熱処
理が、例えば、１６０℃〜２３０℃で数時間を要し、組
立作業能率を高めるうえで、大きな障害にもなっていた
。また、このような長い所要時間工程があると、製造工
程のライン化、自動化が困難である。さらに、かかるＪ
ＣＲ４にピンホールやマイクロクラックなどが発生する
と、特性劣化、信頼性の低下を招くので、その硬化処理
はおろそかにできず、その急速化はなかなかむつかしい
のが実情である。
発明の目的
本発明は、短時間での処理によって、表面保護層を実現
し得る製造方法を提供し、これにより、前述の問題点の
解消をはかるものである。
し得る製造方法を提供し、これにより、前述の問題点の
解消をはかるものである。
発明の構成
本発明は、要約するに支持体上に接着された半導体素子
基板の側面をオイル状もしくはグリース状の絶縁物で被
覆したのち、前記半導体素子基板の全域を樹脂カップリ
ング剤および光硬化性樹脂で被覆し、ついで、外囲成形
樹脂によって封止を行なう工程をそなえた樹脂封止形半
導体装置の製造方法であり、これにより、表面保護層の
処理時間の大幅な短縮を可能にしたものである。
基板の側面をオイル状もしくはグリース状の絶縁物で被
覆したのち、前記半導体素子基板の全域を樹脂カップリ
ング剤および光硬化性樹脂で被覆し、ついで、外囲成形
樹脂によって封止を行なう工程をそなえた樹脂封止形半
導体装置の製造方法であり、これにより、表面保護層の
処理時間の大幅な短縮を可能にしたものである。
実施例の説明
第２図は、本発明の実施例で得られた樹脂封止形半導体
装置の断面図である。以下、この図を参照しながら、本
発明を実施例により詳細にのべも捷ず、凹所を有する支
持体１に、パワートランジスタ素子２を、ろう材３を介
在させて接着固定し、さらに、金属細線（不図示）によ
って、所定のり一ド接続を行なう寸での工程は、第１図
示の従来例の場合と同じである。
装置の断面図である。以下、この図を参照しながら、本
発明を実施例により詳細にのべも捷ず、凹所を有する支
持体１に、パワートランジスタ素子２を、ろう材３を介
在させて接着固定し、さらに、金属細線（不図示）によ
って、所定のり一ド接続を行なう寸での工程は、第１図
示の従来例の場合と同じである。
次に、パワートランジスタ素子２の側面にのみオイル状
もしくはグリース状の絶縁物、例えば、シリコンオイル
６を塗布する。この塗布量は側面から流れ出さないよう
に、すなわち、多すぎて支持体１０面に及ぶことのない
ように留意されるべきである。
もしくはグリース状の絶縁物、例えば、シリコンオイル
６を塗布する。この塗布量は側面から流れ出さないよう
に、すなわち、多すぎて支持体１０面に及ぶことのない
ように留意されるべきである。
ついで、パワートランジスタ素子２および支持体１の全
域をおおって、樹脂カップリング剤、例えば、シリコン
イソシアナート７をプライマーとして塗布し、さらに、
この上に光硬化性樹脂８を塗布する。光硬化性樹脂８は
、例えば液状エポキシアクリレート系で、紫外線照射に
よって、１分程度の短時間に重合反応を行なうものが好
適である。
域をおおって、樹脂カップリング剤、例えば、シリコン
イソシアナート７をプライマーとして塗布し、さらに、
この上に光硬化性樹脂８を塗布する。光硬化性樹脂８は
、例えば液状エポキシアクリレート系で、紫外線照射に
よって、１分程度の短時間に重合反応を行なうものが好
適である。
そして、上述の光硬化性樹脂８の硬化処理後、外囲成形
用樹脂５によって、金型成形を行ない、樹脂封止形パワ
ートランジスタを製品として完成する。
用樹脂５によって、金型成形を行ない、樹脂封止形パワ
ートランジスタを製品として完成する。
本実施例では、パワートランジスタ素子２の表面保護層
が、樹脂カップリング剤のシリコンイソシアナート７と
光硬化性樹脂８とによって形成され、また、オイル状な
いしはグリース状の絶縁物、例えば、シリコンオイル６
は信頼性向上に有益である。
が、樹脂カップリング剤のシリコンイソシアナート７と
光硬化性樹脂８とによって形成され、また、オイル状な
いしはグリース状の絶縁物、例えば、シリコンオイル６
は信頼性向上に有益である。
本発明の実施によって得られたパワートランジスタ製品
の信頼性テストのひとつである＝ＦＰＣ熱疲労試験（半
導体素子に電気的入力を与えて、接合温度を４０℃に上
昇させる過程を６分ごとに反復して、その継続により劣
化寿命を測定するテスト法）を実施したところ、従来例
の水準を十分にしのぐものであった。
の信頼性テストのひとつである＝ＦＰＣ熱疲労試験（半
導体素子に電気的入力を与えて、接合温度を４０℃に上
昇させる過程を６分ごとに反復して、その継続により劣
化寿命を測定するテスト法）を実施したところ、従来例
の水準を十分にしのぐものであった。
また、本発明実施例で得られた樹脂封止形パワートラン
ジスタ製品の耐湿性試験、とくに、高温。
ジスタ製品の耐湿性試験、とくに、高温。
高圧下でのボイルテストに対しては、従来例製品の場合
の１ｏ倍以上の耐性が認められた。これは、光硬化性樹
脂８の金属面に対する接着力の不足をシリコンイソシア
ナート７の塗布ｉＫより補強したことによるものであり
、実用性の高いものであることか確認された。
の１ｏ倍以上の耐性が認められた。これは、光硬化性樹
脂８の金属面に対する接着力の不足をシリコンイソシア
ナート７の塗布ｉＫより補強したことによるものであり
、実用性の高いものであることか確認された。
さらに、実施例では、パワートランジスタを示したが、
他の樹脂封止形半導体装置の製造にも、不発の適用は可
能である。
他の樹脂封止形半導体装置の製造にも、不発の適用は可
能である。
発明の効果
本発明によれば、樹脂封止形半導体装置における内部半
導体素子を、側面にオイル状もしくはグリース状の絶縁
物を塗布し、かつ、全域に樹脂カンプリング剤の塗布な
らびに光硬化性樹脂の塗布からなる表面保護層でおおっ
たのち、外囲樹脂成形を行なうことによシ、大幅な工程
時間短縮が可能である。とりわけ、本発明で用いられる
表面保護用光硬化性樹脂の重合反応は、分単位の短時間
で完了するので、作業能率の向上がはかられ、自動化、
ライン化には最適であり、量産、低コスト化に有用であ
る。
導体素子を、側面にオイル状もしくはグリース状の絶縁
物を塗布し、かつ、全域に樹脂カンプリング剤の塗布な
らびに光硬化性樹脂の塗布からなる表面保護層でおおっ
たのち、外囲樹脂成形を行なうことによシ、大幅な工程
時間短縮が可能である。とりわけ、本発明で用いられる
表面保護用光硬化性樹脂の重合反応は、分単位の短時間
で完了するので、作業能率の向上がはかられ、自動化、
ライン化には最適であり、量産、低コスト化に有用であ
る。
第１図は従来例半導体装置の断面図、第２図は本発明実
施例で得られた半導体装置の断面図である。 １・・・・・半導体基板支持体、２・・・・・・トラン
ジスタ素子、３・・・・・鑞材、５・・・・・・成形樹
脂、６・・・・・・オイル状もしくはグリース状絶縁物
、７・・・・・・シリコンイソシアナート（プライマー
）、８・・・・・・光硬化性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 １
施例で得られた半導体装置の断面図である。 １・・・・・半導体基板支持体、２・・・・・・トラン
ジスタ素子、３・・・・・鑞材、５・・・・・・成形樹
脂、６・・・・・・オイル状もしくはグリース状絶縁物
、７・・・・・・シリコンイソシアナート（プライマー
）、８・・・・・・光硬化性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 １
Claims (1)
- 支持体上に接着された半導体素子基板の側面をオイル状
もしくはグリース状の絶縁物で被覆したのち、前記半導
体素子基板の全域を樹脂カンプリング剤および光硬化性
樹脂で被覆し、ついで、外囲成形樹脂によって封止を行
なう工程をそなえた樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169651A JPS6060741A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169651A JPS6060741A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060741A true JPS6060741A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15890419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169651A Pending JPS6060741A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060741A (ja) |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58169651A patent/JPS6060741A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5547730A (en) | Device having a mounting board and method for applying a passivating gel | |
| JPH0513382B2 (ja) | ||
| TW360958B (en) | Resin sealing type semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| EP0645812B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| US6541856B2 (en) | Thermally enhanced high density semiconductor package | |
| JPS5821850A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6060741A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPS6077446A (ja) | 封止半導体装置 | |
| JPS59188947A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JP2844633B2 (ja) | 接着増進剤を有するプラスチック封止用半導体ダイ | |
| JPS61102758A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60137043A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPH0714946A (ja) | 樹脂封止型半導体装置のパッケージ組立構造 | |
| JPH0366152A (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
| JPH0526760Y2 (ja) | ||
| JPH0567069B2 (ja) | ||
| JPH05183072A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0237754A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0210758A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63107050A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6263449A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH02114552A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH01296647A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPS62202544A (ja) | 半導体装置 |