JPH02114552A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02114552A
JPH02114552A JP63267445A JP26744588A JPH02114552A JP H02114552 A JPH02114552 A JP H02114552A JP 63267445 A JP63267445 A JP 63267445A JP 26744588 A JP26744588 A JP 26744588A JP H02114552 A JPH02114552 A JP H02114552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
sealing resin
resin
sealed
stress
Prior art date
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Pending
Application number
JP63267445A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshikazu Inoue
井上　佳和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP63267445A priority Critical patent/JPH02114552A/ja
Publication of JPH02114552A publication Critical patent/JPH02114552A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体チップ、及び、リード、金属線などを
、樹脂封止した半導体装置に関するものである。
従来の技術 従来の半導体装置を製造する場合、半導体チップをリー
ド上に装置し、金属線を張った後、一種類の樹脂を用い
て封止し、半導体装置全体を形成していた。
従来の半導体装置の場合、一種類の樹脂で封止する為、
生産性は優れている反面、気密性や、金属部との密着性
、半導体チップとの密着性、及び半導体チップや封止樹
脂そのものにかかる応力など全ての要求を満足する事が
困難であった。
この問題を解決する為、従来では例えば、チップへの応
力を緩和するためチップ周囲表面へシリコンレジンを塗
布したり、全体への応力を緩和するため応力の小さい樹
脂で封止したり、個別の対応を行なっていた。
発明が解決しようとする課題 前記の様な構造では、樹脂界面が半導体チップや内部リ
ード、外気などと接している為、表面実装において熱ス
トレスを受けた際、それらの膨張係数の差によって、封
止樹脂のクラック、チップクラック、チップへの応力に
よる電気的特性の変動が起こるなどの問題を有していた
。
本発明は、これらの問題点を解決する事ができる半導体
装置を提供するものである。
課題を解決するための手段 本発明は、チップ及びその周辺部を応力の小さい第一の
封止樹脂で封止し、その表面を吸湿率の小さい第二の封
止樹脂で封止するものである。
作用 前記の構造にする事によって、低応力の第一の封止樹脂
でチップや金属線に対しての応力を緩和し、吸湿率の小
さい第二の封止樹脂で内部リードとの密着性、気密性を
向上させる事が可能である。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照して説明す
る。
第１図、第２図は本発明の一実施例の半導体装置の垂直
および水平の断面図である。図中、１は金属リード、２
はそのダイパッド部、３は半導体チップ、４はリード１
と半導体チップ３とを接続する金属線、５はダイパッド
部２、半導体チップ３、金属線４およびリード２のうち
半導体チップ３の周辺に位置する部分を封止する第一の
封止樹脂、６はその表面を封止する第二の封止樹脂であ
る。
ここで、外１りの第二の封止樹脂６として、リード１と
の密着性が良（、゛吸湿率が小さい樹脂を用い、内側の
第一の封止樹脂５として、半導体チップ３との密着性が
良（、応力の小さい樹脂を用いる事により、樹脂クラッ
ク、チップクラック。
チップへの応力による電気的特性の変動等を解決する事
ができる。
発明の詳細 な説明してきた様に、本発明での構造による半導体装置
を用いる事により、半導体装置にかかる外部からの応力
に対し、半導体チップ、金属線、及び、内部リードに加
わる応力を緩和する事ができチップクラック、パッケー
ジクラック、電気特性の変動などを防止する事ができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例にかかる半導体装置の垂直
方向断面図、第２図はその水平方向の断面図である。 ■・・・・・・金属リード、２・・・・・・グイバット
、３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・金属線
、５・・・・・・第一の封止樹脂、６・・・・・・第二
の封止樹脂。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名／−−−ｉ
シ艮リード 第１図 第　２　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップとその周辺に位置するリードと上記半導体
    チップとリードとを接続する金属線を応力の小さい第一
    の封止樹脂で封止し、その表面を吸湿率の小さい第二の
    封止樹脂で封止した事を特徴とする半導体装置。
JP63267445A 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置 Pending JPH02114552A (ja)

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JP63267445A JPH02114552A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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JP63267445A JPH02114552A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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JPH02114552A true JPH02114552A (ja) 1990-04-26

Family

ID=17444944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63267445A Pending JPH02114552A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6390854B2 (en) 2000-07-13 2002-05-21 Denso Corporation Resin shield circuit device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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