JPS6060938A - 石英系光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
石英系光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS6060938A JPS6060938A JP16735383A JP16735383A JPS6060938A JP S6060938 A JPS6060938 A JP S6060938A JP 16735383 A JP16735383 A JP 16735383A JP 16735383 A JP16735383 A JP 16735383A JP S6060938 A JPS6060938 A JP S6060938A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信用、ライトガイド用、イメージガイド用
などの光ファイバを得べき石英系光ファイバ母相の製造
方法に関する。
などの光ファイバを得べき石英系光ファイバ母相の製造
方法に関する。
石英系光ファイバにおいて、そのクラッドにのみ弗素を
含有するものは数多く知られており、これの具体的なも
のとして、通信に有用なデプレストクラッド・シングモ
ード光ファイバとが、純石英コア舎弗素ドープト石英ク
ラッドからなる耐放射線光ファイバなどがあげられる。
含有するものは数多く知られており、これの具体的なも
のとして、通信に有用なデプレストクラッド・シングモ
ード光ファイバとが、純石英コア舎弗素ドープト石英ク
ラッドからなる耐放射線光ファイバなどがあげられる。
最近、クラッドだけでなく、コアにも弗素を含有させる
と、光ファイバの低損失化に効果的であることが判明し
た。
と、光ファイバの低損失化に効果的であることが判明し
た。
コア、クラッドの両方に弗素を含有させる方法はＰＣＶ
Ｄ法において公知であるが、多孔質ガラス体（多孔質母
材）をつくり、これを透明ガラス化する方法、すなわち
ＶＡＤ法や外付けＣＶＤ法等ではコア、クラッドの両方
に弗素をドープすることが技術的に明らかにされておら
ず、クラッドにのみ弗素をドープすることが知られるに
とどまる。
Ｄ法において公知であるが、多孔質ガラス体（多孔質母
材）をつくり、これを透明ガラス化する方法、すなわち
ＶＡＤ法や外付けＣＶＤ法等ではコア、クラッドの両方
に弗素をドープすることが技術的に明らかにされておら
ず、クラッドにのみ弗素をドープすることが知られるに
とどまる。
ちなみに、第５８年度電子通信学会総合全国大会での報
告では、第１図のＶＡＤ法において、Ｓ ｉ ＣＡ４が
ガラス原料として供給される多重管構造のトーチ１と、
５ｉＣｔｎ、Ｓ Ｆａカフ ス原料として供給される多
重管構造トーチ２とによりコア用多孔質ガラス層３とク
ラッド用多孔質ガラス層４とを堆積形成し、これにより
得られた多孔質母材６を透明ガラス化して光フアイバ母
相とした後、該光フアイバ母材を既知の手段で紡糸する
ことにより、第２図の屈折率分布をもつ光ファイバを製
造している。
告では、第１図のＶＡＤ法において、Ｓ ｉ ＣＡ４が
ガラス原料として供給される多重管構造のトーチ１と、
５ｉＣｔｎ、Ｓ Ｆａカフ ス原料として供給される多
重管構造トーチ２とによりコア用多孔質ガラス層３とク
ラッド用多孔質ガラス層４とを堆積形成し、これにより
得られた多孔質母材６を透明ガラス化して光フアイバ母
相とした後、該光フアイバ母材を既知の手段で紡糸する
ことにより、第２図の屈折率分布をもつ光ファイバを製
造している。
上記の報告をもとにした場合、コア用のトーチ２にも弗
素原料を供給することにより、コア用およびクランド用
の肉条孔質ガラス層３．４に弗素を含有させることがで
きると考えられるが、このような方法では大量の弗素が
消費されてしまい、好ましくない。
素原料を供給することにより、コア用およびクランド用
の肉条孔質ガラス層３．４に弗素を含有させることがで
きると考えられるが、このような方法では大量の弗素が
消費されてしまい、好ましくない。
一方、上記報告例では、ＶＡＤ法により得られた多孔質
力２７体を弗素ガス雰囲気中で加熱することにより、そ
のガラス中に弗素を含有さぜることができることも説述
しているが、この際の弗素添加量は△ｎ値で０．０５％
程度ときわめて低く、実用的でない上、コア、クラッド
を形成するといった例示もない。
力２７体を弗素ガス雰囲気中で加熱することにより、そ
のガラス中に弗素を含有さぜることができることも説述
しているが、この際の弗素添加量は△ｎ値で０．０５％
程度ときわめて低く、実用的でない上、コア、クラッド
を形成するといった例示もない。
これに関連する事項として、弗素ガス雰囲気中で多孔質
ガラス体を加熱した場合、弗素のエツチング作用により
ガラスが急速に減量してしまい、工業的にみて実用性の
ないことも経験している。
ガラス体を加熱した場合、弗素のエツチング作用により
ガラスが急速に減量してしまい、工業的にみて実用性の
ないことも経験している。
本発明は上記のごとき事情に鑑みなされたものであり、
その目的とするところは、コアおよびクラッドが共に弗
素を含有している低損失な石英系光ファイバの提供を前
提とし、弗素の消費量が少ないこと、高濃度の弗素ドー
プが行なえること、弗素のエツチングによる多孔質ガラ
ス体の減量がわずかであることなど、工業的に有用な石
英系光フアイバ母材の製造方法を実現することにある。
その目的とするところは、コアおよびクラッドが共に弗
素を含有している低損失な石英系光ファイバの提供を前
提とし、弗素の消費量が少ないこと、高濃度の弗素ドー
プが行なえること、弗素のエツチングによる多孔質ガラ
ス体の減量がわずかであることなど、工業的に有用な石
英系光フアイバ母材の製造方法を実現することにある。
本発明方法が特徴とするところは、多孔質母料（多孔質
ガラス体）をつくる工程と該多孔質母料を透明ガラス化
する工程とにより、コア用ガラス層とクラッド用ガラス
層とが少なくとも弗素をドーパントとして含有している
石英系光フアイバ母材を製造する方法において、多孔貝
母材をつくるとき、そのコア用多孔質ガラス層、クラッ
ド用多孔質ガラス層のうち、少なくともその一方には酸
化物ドーパントを含有させておき、当該多孔質母材を弗
素含有ガス雰囲気中で透明ガラス化することにある。
ガラス体）をつくる工程と該多孔質母料を透明ガラス化
する工程とにより、コア用ガラス層とクラッド用ガラス
層とが少なくとも弗素をドーパントとして含有している
石英系光フアイバ母材を製造する方法において、多孔貝
母材をつくるとき、そのコア用多孔質ガラス層、クラッ
ド用多孔質ガラス層のうち、少なくともその一方には酸
化物ドーパントを含有させておき、当該多孔質母材を弗
素含有ガス雰囲気中で透明ガラス化することにある。
本発明方法において多孔質母材をつくるには、酸化反応
、火炎加水分解反応などにより原料を化学反応させ、こ
れにより生成されたガラス微粒子を所定の形状に堆積さ
せればよく、この隙、コア用多孔質ガラス層、クラッド
用多孔質ガラス層は同時に形成しても別々に形成しても
よい。
、火炎加水分解反応などにより原料を化学反応させ、こ
れにより生成されたガラス微粒子を所定の形状に堆積さ
せればよく、この隙、コア用多孔質ガラス層、クラッド
用多孔質ガラス層は同時に形成しても別々に形成しても
よい。
多孔質母材をつくる具体的な手段としてはＶＡＤ法や外
付けＣＶＤ法が採用される。
付けＣＶＤ法が採用される。
周知の通り、光ファイバはそのコア（導光部）とクラッ
ド（被覆部）との相対関係においてコアが高屈折率、ク
ラッドが低屈折率となっており、こうした屈折率は多孔
質母材をつくるときのドーパントにより設定されるのが
一般であり、具体的にはＳ ｉ Ｏｘを主成分とするコ
ア用多孔質ガラス層、クラッド用多孔質ガラス層の両方
にドーパントを含有させる、コア用多孔質ガラス層に屈
折率高上用のドーパントを含有させるが１クラッド用多
孔負ガラス層にはドーパントを含有させない、コア用多
孔質ガラス層にはドーパントを含有させずにクラッド用
多孔質ガラス層に屈折率低下用のドーパントを含有させ
る、などの手段が採用される。
ド（被覆部）との相対関係においてコアが高屈折率、ク
ラッドが低屈折率となっており、こうした屈折率は多孔
質母材をつくるときのドーパントにより設定されるのが
一般であり、具体的にはＳ ｉ Ｏｘを主成分とするコ
ア用多孔質ガラス層、クラッド用多孔質ガラス層の両方
にドーパントを含有させる、コア用多孔質ガラス層に屈
折率高上用のドーパントを含有させるが１クラッド用多
孔負ガラス層にはドーパントを含有させない、コア用多
孔質ガラス層にはドーパントを含有させずにクラッド用
多孔質ガラス層に屈折率低下用のドーパントを含有させ
る、などの手段が採用される。
本発明では上述した適宜の手段により、コア用多孔質ガ
ラス層、クラッド用多孔質ガラス層のいずれか一方また
は両方に酸化物ドーパントを含有させる。
ラス層、クラッド用多孔質ガラス層のいずれか一方また
は両方に酸化物ドーパントを含有させる。
酸化物ドーパントのうち、屈折率向上用としてはＧ ｅ
Ｏ！、ＰｔＯｓ、ＡＬ＊Ｏｓ、Ｔ ｉ Ｃｈ、Ｔ ａ
ｄｏｓ、Ｓ ｎ ０１％ Ｚ ｒ ０１％ Ｙ ｂ２０
ｓｓ Ｌ ａｔｏｔｓ Ｇ ａ２ｅｓ％Ｚｎ０２１Ａ
Ｓ ２０ｓなどがあり、屈折率低下用にはＢ２Ｏ３があ
る。
Ｏ！、ＰｔＯｓ、ＡＬ＊Ｏｓ、Ｔ ｉ Ｃｈ、Ｔ ａ
ｄｏｓ、Ｓ ｎ ０１％ Ｚ ｒ ０１％ Ｙ ｂ２０
ｓｓ Ｌ ａｔｏｔｓ Ｇ ａ２ｅｓ％Ｚｎ０２１Ａ
Ｓ ２０ｓなどがあり、屈折率低下用にはＢ２Ｏ３があ
る。
本発明方法において多孔質母材を透明ガラス化する雰囲
気は弗素を含有していなければならず、その弗素含有ガ
ス雰囲気をつくるとき、Ｆ２、ＳＦｇ、ＣＦａ、ＣＣｔ
ｔ Ｆｘ、ＣｘＦｉ、ＣＩ Ｃｔｓ Ｆ ｓ、５ｉＦｉ
、ＮＦｓなど、あるいはこれらの分解または酸化生成ガ
ス等々が用いられる。
気は弗素を含有していなければならず、その弗素含有ガ
ス雰囲気をつくるとき、Ｆ２、ＳＦｇ、ＣＦａ、ＣＣｔ
ｔ Ｆｘ、ＣｘＦｉ、ＣＩ Ｃｔｓ Ｆ ｓ、５ｉＦｉ
、ＮＦｓなど、あるいはこれらの分解または酸化生成ガ
ス等々が用いられる。
ガラス中への弗素含有量は、第３図に例示のごとく雰囲
気中の弗素原子の濃度によって決まり、したがって雰囲
気中における弗素濃度は重要である。
気中の弗素原子の濃度によって決まり、したがって雰囲
気中における弗素濃度は重要である。
ちなみに、第３図では純Ｓ ｉ Ｏ２からなる多孔質母
相をＨｅ 十Ｓ ＯＣＡｓ 十Ｏｘ 十Ｓ Ｆｓの雰囲
気中で透明ガラス化し、当該ガラス中における弗素のド
ープ量を△ｎ％であられしたものである。
相をＨｅ 十Ｓ ＯＣＡｓ 十Ｏｘ 十Ｓ Ｆｓの雰囲
気中で透明ガラス化し、当該ガラス中における弗素のド
ープ量を△ｎ％であられしたものである。
ガラス中の弗素含有率を高めるには、透明ガラス化雰囲
気中の弗素濃度を高める必要があるが、その反面、該雰
囲気中の弗素濃度を高くすると、多孔質母材が弗素によ
り激しくエツチングされ、減量するといった不都合も生
じる。
気中の弗素濃度を高める必要があるが、その反面、該雰
囲気中の弗素濃度を高くすると、多孔質母材が弗素によ
り激しくエツチングされ、減量するといった不都合も生
じる。
したがって本発明方法における透明ガラス化時の弗素含
有ガス雰囲気では、その弗素原子の濃度の上限を６当量
／ｌ とするのがよく、さらに好ましくはこれを０．６
当量／ｌとするのがよく、最も好ましい弗素原子の濃度
は０．３６当量／ｌである。
有ガス雰囲気では、その弗素原子の濃度の上限を６当量
／ｌ とするのがよく、さらに好ましくはこれを０．６
当量／ｌとするのがよく、最も好ましい弗素原子の濃度
は０．３６当量／ｌである。
上記雰囲気中における弗素濃度の上限をこのように設定
したのは、実用上、それ以上の弗素濃度ではガラスが得
られないからである。
したのは、実用上、それ以上の弗素濃度ではガラスが得
られないからである。
上記雰囲気中には、弗化物ガス以外にＨｅも有用であり
、そのＨｅは約７０ＶｏＬ％以上であるのが好ましい。
、そのＨｅは約７０ＶｏＬ％以上であるのが好ましい。
他に上記雰囲気中にはＡｒ％ｏ２、Ｃｔｘのようなガス
を混ぜてもよい。
を混ぜてもよい。
本発明方法において、多孔質母材を７００〜１２００℃
程度の弗素含有ガス雰囲気中にさらした後、該雰囲気を
ただちに昇温して当該母材を透明ガラス化することもで
きるが、これは透明ガラス化時に弗素含有ガス雰囲気と
するものに比べ、母材中への弗素ドープ量が少なくなり
、好ましくない。
程度の弗素含有ガス雰囲気中にさらした後、該雰囲気を
ただちに昇温して当該母材を透明ガラス化することもで
きるが、これは透明ガラス化時に弗素含有ガス雰囲気と
するものに比べ、母材中への弗素ドープ量が少なくなり
、好ましくない。
多孔質母材を透明ガラス化するのに時間かがかると、ガ
ラスが激しく揮散するので好しくなく、シたがって多孔
質母材は高温の弗素含有ガス雰囲気中に３時間以上さら
さないのがよい。
ラスが激しく揮散するので好しくなく、シたがって多孔
質母材は高温の弗素含有ガス雰囲気中に３時間以上さら
さないのがよい。
これの具体的手段としては、透明ガラス化用の炉内に所
定のガスを供給するとともにその炉内の雰囲気温度を透
明ガラス化温度に設定し、多孔質母材が当該炉内を通過
するときの移動速度６０〜３００ ｍｍ／時程度に設定
するのがよい。
定のガスを供給するとともにその炉内の雰囲気温度を透
明ガラス化温度に設定し、多孔質母材が当該炉内を通過
するときの移動速度６０〜３００ ｍｍ／時程度に設定
するのがよい。
つぎに本発明方法の具体的な実施例について説明する。
＋ −
なお、各実施例における△ｎ１△ 、△ はシングルモ
ード型、グレーデッドインデックス型として示した第４
図イ、口の屈折率分布図に表記した通りであり、同図イ
、口におけるｄは光フアイバ母材のコア用ガラス層の直
径、Ｄはクラッド用ガラス層の直径をあられす。
ード型、グレーデッドインデックス型として示した第４
図イ、口の屈折率分布図に表記した通りであり、同図イ
、口におけるｄは光フアイバ母材のコア用ガラス層の直
径、Ｄはクラッド用ガラス層の直径をあられす。
また、各実施例において降下速度というとき、これは多
孔質母材が高温炉内を上方から下方へ通過する際の移動
速度を意味する。
孔質母材が高温炉内を上方から下方へ通過する際の移動
速度を意味する。
実施例１
この実施例はジングルモード型石英系光ファイバの母材
をつくる例である。
をつくる例である。
Ｓ １ｃｔａｓ ＧｅＣｔ＜をコア用トーチに供給し、
Ｓ ｉ ＣＡ４． ＠クラッド用トーチに供給し、これ
ら原料をそれぞれ火炎力踪分解反応させ、これにより生
成されたガラス微粒子を軸方向に堆積成長させて多孔質
母材を形成した。
Ｓ ｉ ＣＡ４． ＠クラッド用トーチに供給し、これ
ら原料をそれぞれ火炎力踪分解反応させ、これにより生
成されたガラス微粒子を軸方向に堆積成長させて多孔質
母材を形成した。
得られた多孔質母材はコア用多孔質ガラス層の直径が１
５ｍｍφ、クラッド用多孔質ガラス層の直径が８０（財
）φであり、これら多孔質ガラス層の密度は０．２５９
７ｍであった。
５ｍｍφ、クラッド用多孔質ガラス層の直径が８０（財
）φであり、これら多孔質ガラス層の密度は０．２５９
７ｍであった。
弗素含有ガス雰囲気は１６００℃とした高温炉内にａｅ
ｔｓｚ／＝ａ、Ｓ ＯＣ／＝２／ Ｏ！ １１／”、Ｓ
Ｆ６を供給することにより形成し、多孔質母材はその高
温炉内に降下速度１８０ ＋ｎｍ／時にて押入すること
により透明ガラス化した。
ｔｓｚ／＝ａ、Ｓ ＯＣ／＝２／ Ｏ！ １１／”、Ｓ
Ｆ６を供給することにより形成し、多孔質母材はその高
温炉内に降下速度１８０ ＋ｎｍ／時にて押入すること
により透明ガラス化した。
なお、Ｓ ＯＣｔｚ ／ Ｃｈ Ｉ Ｌ／＃ＩＩＩＩは
Ｓ ＯＣ７２をＯＸ（キャリアガス） ｌ ｌｙ’ｘｉ
ｎでバブリングすることにより供給した。
Ｓ ＯＣ７２をＯＸ（キャリアガス） ｌ ｌｙ’ｘｉ
ｎでバブリングすることにより供給した。
上記透明ガラス化により得られた石英系光フアイバ母材
は、そのコア用ガラス層の直径８ｍｍφ、クラッド用ガ
ラス層の直径４０ｗｎであった。
は、そのコア用ガラス層の直径８ｍｍφ、クラッド用ガ
ラス層の直径４０ｗｎであった。
さらにこの光フアイバ母材は、コア用ガラス層の屈折率
分布がステップ型、クラッド用ガラス層の屈折率分布が
フラット製であり、比屈折率差△ｎは０．３〜０．４％
であった。
分布がステップ型、クラッド用ガラス層の屈折率分布が
フラット製であり、比屈折率差△ｎは０．３〜０．４％
であった。
表１は上記におけるＳＦ４の添加量と△−との関係を示
したものである。
したものである。
表 １
上記実施例１により得られた各石英系光フアイバ母材を
紡糸してコアがＧｅ０ｔ Ｆ ５ｉｎｓ、クラッドがＦ
ＳｉＯｘである光ファイバを製造したところ、それぞれ
伝送特性のよいものが得られた。
紡糸してコアがＧｅ０ｔ Ｆ ５ｉｎｓ、クラッドがＦ
ＳｉＯｘである光ファイバを製造したところ、それぞれ
伝送特性のよいものが得られた。
なお、コア、クラッドには表１の△−値と対応する弗素
が一様に含有されていた。
が一様に含有されていた。
実施例２
この実施例はグレーデツドインデック２型石英系光ファ
イバ母材をつくる例である。
イバ母材をつくる例である。
５ｉＣｔ、、Ｇ ｅ ＣＬａをコア用トーチに供給し、
Ｓ ｉ Ｃ４をクラッド用トーチに供給し、これら原料
をそれぞれ火炎加水分解反応させ、これにより生成され
たガラス微粒子を軸方向に堆積成長させて多孔質母材を
形成した。
Ｓ ｉ Ｃ４をクラッド用トーチに供給し、これら原料
をそれぞれ火炎加水分解反応させ、これにより生成され
たガラス微粒子を軸方向に堆積成長させて多孔質母材を
形成した。
得られた多孔質母材はコア用多孔質ガラス層の直径が５
０・−φ、クラッド用多孔質ガラス層の直径が７０．ｗ
ＩＩＨφであり、これら多孔質ガラス層の密度は０．２
ｆ／ｘ＊であった。
０・−φ、クラッド用多孔質ガラス層の直径が７０．ｗ
ＩＩＨφであり、これら多孔質ガラス層の密度は０．２
ｆ／ｘ＊であった。
弗素含有ガス雰囲気は１６００℃とした高温炉内にＨｅ
１５ Ｌ／ｍｒ、５ＯＣ６２１０２１ｔ／ｍ１ＳＦ、
またはＣＣｔ２Ｆ ｚを供給することにより形成し、多
孔質母材は１２０ｍｎ層、１８０調／時、３００瓢／時
のいずれかを降下速度として上記高温炉内へ挿入するこ
とにより透明ガラス化した。
１５ Ｌ／ｍｒ、５ＯＣ６２１０２１ｔ／ｍ１ＳＦ、
またはＣＣｔ２Ｆ ｚを供給することにより形成し、多
孔質母材は１２０ｍｎ層、１８０調／時、３００瓢／時
のいずれかを降下速度として上記高温炉内へ挿入するこ
とにより透明ガラス化した。
上記透明ガラス化により得られた石英糸光ファイバは比
屈折率差Δｎが１．０％、屈折率分布係数αが１．８〜
２．３であった。
屈折率差Δｎが１．０％、屈折率分布係数αが１．８〜
２．３であった。
表２は上記における弗素化合物添加量、母材降下速度と
△−との関係を示したものである。
△−との関係を示したものである。
表 ２
実施例２において弗素含有ガス雰囲気をＣＣ４ｔＦｔで
形成した場合でもクラッド用ガラス層の屈折率分布は低
下し、フラットな分布となった。
形成した場合でもクラッド用ガラス層の屈折率分布は低
下し、フラットな分布となった。
ただし、表２のＮＯ５で示すようにＳＦｉの濃度が高い
と、多孔質母材がすべてＳｉＦ４になり、揮散してしま
うため、光フアイバ母材が得られなかった。
と、多孔質母材がすべてＳｉＦ４になり、揮散してしま
うため、光フアイバ母材が得られなかった。
さらにＳＦ、の濃度が、１０％を越えた場合、３時間以
上の処理を行なうことによりガラスが消失してしまった
。
上の処理を行なうことによりガラスが消失してしまった
。
上記実施例２において表２のＮｏ １〜ＮＯ４の条件で
得られた各光フアイバ母材を紡糸してコアがＧｅＯ＊−
Ｆ−５ｉｎｓ、クラッドがＦＳｉ（ｈである光ファイバ
を製造したところ、それぞれ伝送特性のよいものが得ら
れた。
得られた各光フアイバ母材を紡糸してコアがＧｅＯ＊−
Ｆ−５ｉｎｓ、クラッドがＦＳｉ（ｈである光ファイバ
を製造したところ、それぞれ伝送特性のよいものが得ら
れた。
なお、コア、クラッドには表２のΔ値と対応する弗素が
一様に含有されていた。
一様に含有されていた。
実施例３
実施例１と同じ条件で作製した多孔質母材を、Ｈｅ １
５１７ｍ、ＳＯＣム１０２１ ｔ／＝、Ｓ Ｆｇ ５０
ｃＣ／４ｊ＊が供給されている１０００℃の炉内で処理
し、その後、炉温を１６００℃とし、供給ガヌをＨｅ
１５ ｔ／＝、Ｓ ＯＣ７２１０２１Ｌ／馴として上記
母材を透明ガラス化した。
５１７ｍ、ＳＯＣム１０２１ ｔ／＝、Ｓ Ｆｇ ５０
ｃＣ／４ｊ＊が供給されている１０００℃の炉内で処理
し、その後、炉温を１６００℃とし、供給ガヌをＨｅ
１５ ｔ／＝、Ｓ ＯＣ７２１０２１Ｌ／馴として上記
母材を透明ガラス化した。
多孔質母材の降下速度はいずれも１８０■／時とした。
上記により得られた石英系光ファイバ母相の屈折率分布
はｒが０．２３％、△が０．１０％であり、弗素の含有
状況は一様でなく、半径方向の週辺に向けて減少してい
た。
はｒが０．２３％、△が０．１０％であり、弗素の含有
状況は一様でなく、半径方向の週辺に向けて減少してい
た。
実施例４
実施例１と同じ条件で作製した多孔質母材を、Ｈｅ １
５ ｉ／ｍｉｎ、Ｓ ＯＣＬ２１ｔ／＝が供給サレテイ
る１０００℃の炉内で処理し、その後ζ炉温を１６００
℃とし、供給ガスをＨｅ １５１／ｍＭ、Ｓ ＯＣＡｔ
／ ０２１ ｔ／ｒｎｉｎ、Ｓ ＦＧ ５０ Ｃ（／＝
として上記母材を透明ガラス化したところ、得られた石
英系光フアイバ母材の屈折率分布はｔが０．１５％、△
−が０２３％であった。
５ ｉ／ｍｉｎ、Ｓ ＯＣＬ２１ｔ／＝が供給サレテイ
る１０００℃の炉内で処理し、その後ζ炉温を１６００
℃とし、供給ガスをＨｅ １５１／ｍＭ、Ｓ ＯＣＡｔ
／ ０２１ ｔ／ｒｎｉｎ、Ｓ ＦＧ ５０ Ｃ（／＝
として上記母材を透明ガラス化したところ、得られた石
英系光フアイバ母材の屈折率分布はｔが０．１５％、△
−が０２３％であった。
以上説明した通り、本発明方法によるときは多孔質母材
の透明ガラス化を弗素含有ガス雰囲気中で行なうので、
その母材には透明ガラス化と同ルｊしてコア用ガラス層
、クラッド用ガラス層に弗素をドープすることができ、
これの弗素含有量も△−値で最高０２８％もの高率にす
ることができ、弗素含有ガス雰囲気中の弗素濃度も６当
量／Ｌでよいので、弗素消費量が少なく、エツチングに
よるガラス減量もわずかで問題とならない。
の透明ガラス化を弗素含有ガス雰囲気中で行なうので、
その母材には透明ガラス化と同ルｊしてコア用ガラス層
、クラッド用ガラス層に弗素をドープすることができ、
これの弗素含有量も△−値で最高０２８％もの高率にす
ることができ、弗素含有ガス雰囲気中の弗素濃度も６当
量／Ｌでよいので、弗素消費量が少なく、エツチングに
よるガラス減量もわずかで問題とならない。
もちろん上記両ガラス層のいずれか一方または両方には
酸化物ドーパントが含有されるので、両者の必要な屈折
率差も容易に設定できる。
酸化物ドーパントが含有されるので、両者の必要な屈折
率差も容易に設定できる。
第１図はＶＡＤ法の暗示説明図、第２図はクラッドにの
み弗素を含有する従来の光ファイバの屈折率分布図、第
３図はガラス中の弗素ドープ量を△ｎであられした図、
第４図イ、口は本発明方法により製造される石英系光フ
アイバ母材の屈折率分布を示す説明図である。 ３・・・・・コア用多孔質ガラス層 ４・・・・・クラッド用多孔質ガラス層５・・・・・多
孔質母材 凹面の１１＝譜内心に変更なし） 第１ 図 第２ 図 食 ３ 図 第４− 図 （イ） ツク 句 （ロ） 手続補正書（，５よ。 ３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４、復式 理 人 〒１００ ６、補正の対象 明細書全文および図面、委任状 ７、補正の内容 ”′や−）菖以上
み弗素を含有する従来の光ファイバの屈折率分布図、第
３図はガラス中の弗素ドープ量を△ｎであられした図、
第４図イ、口は本発明方法により製造される石英系光フ
アイバ母材の屈折率分布を示す説明図である。 ３・・・・・コア用多孔質ガラス層 ４・・・・・クラッド用多孔質ガラス層５・・・・・多
孔質母材 凹面の１１＝譜内心に変更なし） 第１ 図 第２ 図 食 ３ 図 第４− 図 （イ） ツク 句 （ロ） 手続補正書（，５よ。 ３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４、復式 理 人 〒１００ ６、補正の対象 明細書全文および図面、委任状 ７、補正の内容 ”′や−）菖以上
Claims (1)
- 多孔質母材をつくる工程と該多孔質母材を透明ガラス化
する工程とにより、コア用ガラス層とクラッド用ガラス
層とが少なくとも弗素をドーパントとして含有している
石英系光フアイバ母材を製造する方法において、多孔質
母材をつくるとき、そのコア用多孔質ガラス層、クラッ
ド用多孔質ガラス層のうち、少なくともその一方には酸
化物ドーパントを含有させておき、当該多孔質母材を弗
素含有ガス雰囲気中で透明ガラス化する石英系光フアイ
バ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16735383A JPS6060938A (ja) | 1983-09-10 | 1983-09-10 | 石英系光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16735383A JPS6060938A (ja) | 1983-09-10 | 1983-09-10 | 石英系光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060938A true JPS6060938A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15848147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16735383A Pending JPS6060938A (ja) | 1983-09-10 | 1983-09-10 | 石英系光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060938A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650136A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of optical fiber base material |
| JPS6011250A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光伝送用フアイバならびにその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-10 JP JP16735383A patent/JPS6060938A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650136A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of optical fiber base material |
| JPS6011250A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光伝送用フアイバならびにその製造方法 |
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