JPS6060995A - セラミツクステンシルの製造方法およびその装置 - Google Patents
セラミツクステンシルの製造方法およびその装置Info
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- JPS6060995A JPS6060995A JP16504983A JP16504983A JPS6060995A JP S6060995 A JPS6060995 A JP S6060995A JP 16504983 A JP16504983 A JP 16504983A JP 16504983 A JP16504983 A JP 16504983A JP S6060995 A JPS6060995 A JP S6060995A
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- laser beam
- ceramic
- ceramic substrate
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- Preparation Of Clay, And Manufacture Of Mixtures Containing Clay Or Cement (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックステンシルの製造方法およびその製
造装置に関する。
造装置に関する。
一般に、焼結後のセラミックス幻、、硬くて１１負い性
質があるため、加工が困、１ｌｊｉｉである。このため
、粉末を出発原料とするセラミックの力ｎ工は次のよう
な方法によっていた。最初に、多結晶体合成用原料の基
になる素原料を水溶煕勿用い？混合し％その後、この混
合物勿乾ヅ、倦、粉砕して焼結用原料を作製する。つい
で、ヲＩＺ結用原料に過当な結合剤を加え、たとえは金
減等を使用して成形体を形成する。
質があるため、加工が困、１ｌｊｉｉである。このため
、粉末を出発原料とするセラミックの力ｎ工は次のよう
な方法によっていた。最初に、多結晶体合成用原料の基
になる素原料を水溶煕勿用い？混合し％その後、この混
合物勿乾ヅ、倦、粉砕して焼結用原料を作製する。つい
で、ヲＩＺ結用原料に過当な結合剤を加え、たとえは金
減等を使用して成形体を形成する。
その後、成形体に直接に、又れ成形体の強Ｉｒ（が低い
場合は、さらに仮焼して俄械的強匹を＾め℃から、所定
の形状や寸法にするための什モ桟的加工を施す。
場合は、さらに仮焼して俄械的強匹を＾め℃から、所定
の形状や寸法にするための什モ桟的加工を施す。
成形体に対する機械加工終了後、加工物を焼結して最終
製品を得ていた。もちろん上記製造工程においては、使
用する原料や製品の目的に応じて一部工程が省略される
こともある。しかし、このような製造工程にしたがって
製造するときは、セラミックスの成形加工を機械的に行
うため、形成されるセラミックスは単純な形状で、かつ
、寸法も比較的大きなものに限られ、複雑で、微細な形
状をもつセラミックスを作製することは極めて困難であ
った。
製品を得ていた。もちろん上記製造工程においては、使
用する原料や製品の目的に応じて一部工程が省略される
こともある。しかし、このような製造工程にしたがって
製造するときは、セラミックスの成形加工を機械的に行
うため、形成されるセラミックスは単純な形状で、かつ
、寸法も比較的大きなものに限られ、複雑で、微細な形
状をもつセラミックスを作製することは極めて困難であ
った。
一部、セラミックを直接加工する方法として、レーザウ
゛０と化学エツチングを組み合せたレーザーアシストケ
ミカルエツチング法（以下、ｒＬｃｅ法」とＡう。）が
知られている。
゛０と化学エツチングを組み合せたレーザーアシストケ
ミカルエツチング法（以下、ｒＬｃｅ法」とＡう。）が
知られている。
このＬＣＥ法は、エツチング液としての水酸化カリウム
（ＫＯＨ） 中に、、セラミック製基板（以下、単ＩＣ
降ラミック基板」という１、〕としてアルミナ・チタン
カーバイト（Ａｔ＊ｏｚ・Ｔｉｅ）を浸漬しておき、基
板表面にレーザ光を照射することに依り、レーザブＣ照
射部分の基板温度が上昇し、エツチングが促進されるこ
とを利用したものであり、エツチング部分が化学エツチ
ング特有の滑らかな加工面を有している。
（ＫＯＨ） 中に、、セラミック製基板（以下、単ＩＣ
降ラミック基板」という１、〕としてアルミナ・チタン
カーバイト（Ａｔ＊ｏｚ・Ｔｉｅ）を浸漬しておき、基
板表面にレーザ光を照射することに依り、レーザブＣ照
射部分の基板温度が上昇し、エツチングが促進されるこ
とを利用したものであり、エツチング部分が化学エツチ
ング特有の滑らかな加工面を有している。
しかし、このＬＣＥ法にしたがって七うεツク基板を成
形するとぎは、基板上のレーザ光照射面附近から気泡が
発生し、気泡がそのまま基板表面に付着して、レーザ光
が散乱されるため加工状態が不安定となり、再現性が著
るしく１Ｍ１害される錐点があった。
形するとぎは、基板上のレーザ光照射面附近から気泡が
発生し、気泡がそのまま基板表面に付着して、レーザ光
が散乱されるため加工状態が不安定となり、再現性が著
るしく１Ｍ１害される錐点があった。
このほか、セラミック基ｆ葡直接加工する他の方法とし
て、半導体装置の製造にオリ用されているドライエツチ
ング法の応用が考えられる。
て、半導体装置の製造にオリ用されているドライエツチ
ング法の応用が考えられる。
ドライエツチング法は、セラミック基板穴ｔｒｒｉをホ
トレジスト材料で被覆し、さらに、ホトレジスト被膜を
、所望のエッチングバクーン罠マツチした形状にホトエ
ツチングし、これをマスクとしてセラミック基板霧出「
口を化学エツチングする方法である。
トレジスト材料で被覆し、さらに、ホトレジスト被膜を
、所望のエッチングバクーン罠マツチした形状にホトエ
ツチングし、これをマスクとしてセラミック基板霧出「
口を化学エツチングする方法である。
しかし、このようなドライエツチング法により、セラミ
ックテンシルヲ製造しようとすると、厚さ数１０μｍの
セラミック基板を貫通穴が形成するようにエツチングし
なければならない。
ックテンシルヲ製造しようとすると、厚さ数１０μｍの
セラミック基板を貫通穴が形成するようにエツチングし
なければならない。
セラミックは、一般にドライエツチングされにくいので
、ドライエツチング法により、セラミック基板ｆ：貫通
するまで長時間化学エツチングしつづけなけれにならな
い。ところが、このような長時間のエツチングに耐えら
れる適切なマスク材がまだ発見されていないため、セラ
ミックステンシルの製造にドライエツチング法を採用す
ることは因ｒ１である。
、ドライエツチング法により、セラミック基板ｆ：貫通
するまで長時間化学エツチングしつづけなけれにならな
い。ところが、このような長時間のエツチングに耐えら
れる適切なマスク材がまだ発見されていないため、セラ
ミックステンシルの製造にドライエツチング法を採用す
ることは因ｒ１である。
このような理由から、これまでにセラミックステンシル
が製造されたことがなく、またその！！！！！途方法も
、なかった。
が製造されたことがなく、またその！！！！！途方法も
、なかった。
このような事佑に怨み、本発明者等はセラミンクに穿孔
を有するセラミックテンシルを製造する方法についてイ
重々研究を重ねた結果、前述のＬＣＥ法がエツチング液
中に浸漬したセラミック基イメに、レーザ光を照射する
だけにすぎなかった点を改良し、セラミック基板表面に
、常に、新しいエツチング族が流れるようにエツチング
液を循環せしめるとともに、 ７Ｊ［のエツチングパタ
ーンに応じて、セラミック基板表面にレーザ光を走査す
れによいとの見解に達し、不発り１を完成することがで
きた。
を有するセラミックテンシルを製造する方法についてイ
重々研究を重ねた結果、前述のＬＣＥ法がエツチング液
中に浸漬したセラミック基イメに、レーザ光を照射する
だけにすぎなかった点を改良し、セラミック基板表面に
、常に、新しいエツチング族が流れるようにエツチング
液を循環せしめるとともに、 ７Ｊ［のエツチングパタ
ーンに応じて、セラミック基板表面にレーザ光を走査す
れによいとの見解に達し、不発り１を完成することがで
きた。
すなわち、本発明＃′ｉ、従来、難加工であったセラミ
ック基板に、所望の形状パターンの穿孔を明確、かつ、
正確に形成するセラミックステンシルの製造方法および
そのＭ造装置を提ｆ１；することを目的とする。
ック基板に、所望の形状パターンの穿孔を明確、かつ、
正確に形成するセラミックステンシルの製造方法および
そのＭ造装置を提ｆ１；することを目的とする。
上記本発明の目的は、エツチング液流中にセラミック基
板を同定し、セラミック基板鉄面をレーザ光で走査する
ことによって達成さｉＬる。
板を同定し、セラミック基板鉄面をレーザ光で走査する
ことによって達成さｉＬる。
そして、このような製造方法ケ実施するためには一し−
ザ光発長器と、レーザ光光捏器から放射されたレーザプ
しを被加工セラミック基板に指向せしめ、かつ、集束す
るプ１０学手段と、被加工セラミック基板表面における
レーザ）Ｙ；の集束位置および加工位置を監視し、コン
トロールするモニタ一手段と、被加工セラミック基板ｆ
：同足し、エツチング加工する容器と、エッチング貯蔵
口から上記エツチング加工容器へエツチング液を循環せ
しめるエツチング液循環手段と、上記エツチング加工容
器を互いに異なるＸ＼、Ｙ方向へぶ動する駆動手段とか
ら構成する装置によって達成される。
ザ光発長器と、レーザ光光捏器から放射されたレーザプ
しを被加工セラミック基板に指向せしめ、かつ、集束す
るプ１０学手段と、被加工セラミック基板表面における
レーザ）Ｙ；の集束位置および加工位置を監視し、コン
トロールするモニタ一手段と、被加工セラミック基板ｆ
：同足し、エツチング加工する容器と、エッチング貯蔵
口から上記エツチング加工容器へエツチング液を循環せ
しめるエツチング液循環手段と、上記エツチング加工容
器を互いに異なるＸ＼、Ｙ方向へぶ動する駆動手段とか
ら構成する装置によって達成される。
本発明にかかる製造方法および製造装危を使用すると、
従来、難加工材料とされていたセラミックに対して、所
盟の形状通シに、穿孔その他の加工を正確、かつ、明確
に飾すことかできるだけでなく、微細形状の加工も施す
ことができる。
従来、難加工材料とされていたセラミックに対して、所
盟の形状通シに、穿孔その他の加工を正確、かつ、明確
に飾すことかできるだけでなく、微細形状の加工も施す
ことができる。
以下、実１ｍ例を挙げて、本発明の内容を具体的に説明
する。
する。
実施例１゜
第１図は、本発明にかかるセラミックステンシルの製造
方法に直接使用する装置の青成図を示す。−第１図の装
置は、レーザ光学系と、エンチング液循環系と加工物走
査系から成っている。− レーザ光学系は、レーザ発振器１ （ＹＡＧレーザ使用
）と、発振器ｌから放射されたレー・−ザ光を被加工セ
ラミック基板５に指向せしめ集束する半透明鏡２および
凸レンズ（ガリしレンズ）３とからなる光学手段と、テ
レビモニター４とから成っており、テレビモニター４は
半透明鏡２．凸レンズ３を介して、セラミック基板表面
に集光されるレーザプしの焦点合せと一加工の位置決め
監視に利用される。
方法に直接使用する装置の青成図を示す。−第１図の装
置は、レーザ光学系と、エンチング液循環系と加工物走
査系から成っている。− レーザ光学系は、レーザ発振器１ （ＹＡＧレーザ使用
）と、発振器ｌから放射されたレー・−ザ光を被加工セ
ラミック基板５に指向せしめ集束する半透明鏡２および
凸レンズ（ガリしレンズ）３とからなる光学手段と、テ
レビモニター４とから成っており、テレビモニター４は
半透明鏡２．凸レンズ３を介して、セラミック基板表面
に集光されるレーザプしの焦点合せと一加工の位置決め
監視に利用される。
エツチング液循環系は、エツチング液貯蔵槽６と、セラ
ミック 基板５勿固定し、エツチング液工する容器７と
、貯蔵槽６およびエツチング加工容器７１ｉ１］を接続
するエツチング液送入管８ａと送出管８ｂと、送入管８
ａに配設され貯Ｒｍ６のエツチング液９をエツチング加
工容器７内へ圧送するポンプｌｏとがら欣っている。さ
らに−ＷＡＲ槽６からエツチング加工容器７ヘエツチン
グ液を送入する青８ａと送出する管８ｈ閥に、分岐管１
１が＾１３設され、送入管８ａと分岐管１１４ＣＦｉ、
それぞｎバリアプル弁１２．１３が耐蝕さＪしており、
エツチング加工容器７へ送り込まれるエツチング液の流
景をコントロールできる構成になっている。
ミック 基板５勿固定し、エツチング液工する容器７と
、貯蔵槽６およびエツチング加工容器７１ｉ１］を接続
するエツチング液送入管８ａと送出管８ｂと、送入管８
ａに配設され貯Ｒｍ６のエツチング液９をエツチング加
工容器７内へ圧送するポンプｌｏとがら欣っている。さ
らに−ＷＡＲ槽６からエツチング加工容器７ヘエツチン
グ液を送入する青８ａと送出する管８ｈ閥に、分岐管１
１が＾１３設され、送入管８ａと分岐管１１４ＣＦｉ、
それぞｎバリアプル弁１２．１３が耐蝕さＪしており、
エツチング加工容器７へ送り込まれるエツチング液の流
景をコントロールできる構成になっている。
加工物走査系は、エツチング加工容器７の底面に配置さ
れ、当該容器７を互いに異なるＸ、Ｙ方向に走査出動す
るＸＹステージ１４でｔｉ成さｉＬでおり、エツチング
容器内に支持したセラミック基板５に対し、レーザ光を
走査できるようになっている。
れ、当該容器７を互いに異なるＸ、Ｙ方向に走査出動す
るＸＹステージ１４でｔｉ成さｉＬでおり、エツチング
容器内に支持したセラミック基板５に対し、レーザ光を
走査できるようになっている。
この装置によって、セラミック基板５０表面に、目的と
する形状の穿孔を形成するには、（１）先ずエツチング
液を入れたエツチング加工容器７内のテーブル１５上に
セラミック基板５を同定し１．基板表面がｔ３Ｃ漬され
る程度までエツチングＭを入れる。（２）ついで、ポン
プｌＯを作ｖｂシ、エツチング容器７円へエツチング液
を圧送し、セラミツク基板５衣面を常に新しいエツチン
グ液が流れるように貯！Ｘ槽６とエツチング容器７同を
循環させる。■この状態において、レーザ発振器ｌから
レーザ光を放射し、セラミック基板上面に焦点を結ぶよ
うにテレビモニター４を看祖しながら、テ：−・プル１
５の酋さをｉＩ■節する。さらに％所望の形状にしたが
った穿孔を形成するにれ、形−１”Ｌパターンにしたが
ってＸＹステージ１４γＸ又はＹ方向に態動することに
よって、基板５の上面に、ル１象の穿孔を形成すること
７バてきる。しかも、レーザ光照射によりセラミツク基
板５土面から発生する気泡れ、基孜才；４１ｔｉｌ ％
（流れるｖ？を渋エツチング薮により、連かに陀去され
、同時にレーザ光から受ける熱をゼつ１基板温度を一足
に保つので、形成されたＷ孔が精確に加工される。
する形状の穿孔を形成するには、（１）先ずエツチング
液を入れたエツチング加工容器７内のテーブル１５上に
セラミック基板５を同定し１．基板表面がｔ３Ｃ漬され
る程度までエツチングＭを入れる。（２）ついで、ポン
プｌＯを作ｖｂシ、エツチング容器７円へエツチング液
を圧送し、セラミツク基板５衣面を常に新しいエツチン
グ液が流れるように貯！Ｘ槽６とエツチング容器７同を
循環させる。■この状態において、レーザ発振器ｌから
レーザ光を放射し、セラミック基板上面に焦点を結ぶよ
うにテレビモニター４を看祖しながら、テ：−・プル１
５の酋さをｉＩ■節する。さらに％所望の形状にしたが
った穿孔を形成するにれ、形−１”Ｌパターンにしたが
ってＸＹステージ１４γＸ又はＹ方向に態動することに
よって、基板５の上面に、ル１象の穿孔を形成すること
７バてきる。しかも、レーザ光照射によりセラミツク基
板５土面から発生する気泡れ、基孜才；４１ｔｉｌ ％
（流れるｖ？を渋エツチング薮により、連かに陀去され
、同時にレーザ光から受ける熱をゼつ１基板温度を一足
に保つので、形成されたＷ孔が精確に加工される。
以上述べた方法で、セラミツクツｉ〜板上にレーザ光を
走査して形成された穿孔のｔ管のささヤ幅の関係を示す
と、第２図のごとき管法図を得る。
走査して形成された穿孔のｔ管のささヤ幅の関係を示す
と、第２図のごとき管法図を得る。
すなわち、穿孔の竹の深″さくｄ）−１，−よび軌６’
４ ＊Ｊ、レーザパワー（Ｗａｔｔ）に対し同じ傾向で
増大し１いくことがわかる。しかし、形成される穿孔の
断面形状は、レーザパワーが小さい凹奴九床のろる形状
を示すが、パワーが大になると穿孔の底部が銃くなるよ
うに変化し、同時に穿孔内部の溝に凹凸が発住しはじめ
、レーザ加工の特徴が次第に強く功、われてくる。この
ため微細な成形加工を行う揚台にＦｉ、使用できるレー
ザパワーに適正範囲がろることが判る。
４ ＊Ｊ、レーザパワー（Ｗａｔｔ）に対し同じ傾向で
増大し１いくことがわかる。しかし、形成される穿孔の
断面形状は、レーザパワーが小さい凹奴九床のろる形状
を示すが、パワーが大になると穿孔の底部が銃くなるよ
うに変化し、同時に穿孔内部の溝に凹凸が発住しはじめ
、レーザ加工の特徴が次第に強く功、われてくる。この
ため微細な成形加工を行う揚台にＦｉ、使用できるレー
ザパワーに適正範囲がろることが判る。
また、エツチング液（Ｋ ＯＨ）の礎度′？ｆ：高くし
てゆくと、穿孔の溝幅（ｗ）は余り変化しないが、爵の
深さくｄ）は０度にはに第３図に示すように比例するよ
うにｊ９加することが判る。ただし、第３図に訃いて、
＋１！］丹ａ、ｂおよびＣはそれぞ、れ基板に照射した
レーザ光のパワーが４Ｗａｔｔ。
てゆくと、穿孔の溝幅（ｗ）は余り変化しないが、爵の
深さくｄ）は０度にはに第３図に示すように比例するよ
うにｊ９加することが判る。ただし、第３図に訃いて、
＋１！］丹ａ、ｂおよびＣはそれぞ、れ基板に照射した
レーザ光のパワーが４Ｗａｔｔ。
６Ｗａｔｔおよび５ＷａｔｔにしたときのＫＯＨＤ度対
溝の深さくｄ）の関係を示す特憔曲ｎである。
溝の深さくｄ）の関係を示す特憔曲ｎである。
こＣようなエツチング液の高濃度化による加工速度の増
大は、微細形状加工の際、使用できるレーザパワーの適
用Ｖα曲を拡大する効果がるる。したがって、加工能率
を上げるる合は、高ｕ度、高バｙ−の条件で加工を行え
はよいことが判る。
大は、微細形状加工の際、使用できるレーザパワーの適
用Ｖα曲を拡大する効果がるる。したがって、加工能率
を上げるる合は、高ｕ度、高バｙ−の条件で加工を行え
はよいことが判る。
また、レーザ光の走査速度の速さは、形成される溝の深
さに対し、は＃丁反比例して派少する影響を与えるが、
このときの河幅幻０、わずか妬戎少するだけで、大きな
変化はない。１／−ザ光の走査速度を遅くしたときに、
形成さｊｔみ溝の県さくｄ）を、一定のパワーのレーザ
光を使ｆｆ１（、テ、溝幅（町との関係についてＨｒ、
“ｊべた結果をｍ４図に示す。第４図の結果から、鯵の
注さくｄｌ ｔ；、気化り。
さに対し、は＃丁反比例して派少する影響を与えるが、
このときの河幅幻０、わずか妬戎少するだけで、大きな
変化はない。１／−ザ光の走査速度を遅くしたときに、
形成さｊｔみ溝の県さくｄ）を、一定のパワーのレーザ
光を使ｆｆ１（、テ、溝幅（町との関係についてＨｒ、
“ｊべた結果をｍ４図に示す。第４図の結果から、鯵の
注さくｄｌ ｔ；、気化り。
大きいが、鰐幅（ＩＶ）はわずか罠増大するにずき〃い
。この結果、穿孔加工において、府幅（・、（、レーザ
光のパワーによってｌコ、は決まるが、［１−のパワー
のレーザ光であっても、、走査速度を遅くすることによ
って、溝Ｉｉｔ′ｉ′Ｉをｅよとんど久えずに深い館を
形成させることができる。
。この結果、穿孔加工において、府幅（・、（、レーザ
光のパワーによってｌコ、は決まるが、［１−のパワー
のレーザ光であっても、、走査速度を遅くすることによ
って、溝Ｉｉｔ′ｉ′Ｉをｅよとんど久えずに深い館を
形成させることができる。
また、レーザ光の発振？ｒｉ２ｉｉ絖発振（ｃｗモード
〕からＱ−スイッチング（Ｑ−モード）Ｖｃｉえても、
加工特性は連続ｙＡ抑の基５台と同じ結果が得られる。
〕からＱ−スイッチング（Ｑ−モード）Ｖｃｉえても、
加工特性は連続ｙＡ抑の基５台と同じ結果が得られる。
しかし、Ｑ−スイッチング法によるレーザ光はシャープ
なエネルギー分布をもっているため、連続発振のレーザ
光よりも狭ｈ６をもつ深い溝を穿つことができるＯ しかし、この反面、Ｑ−スイッチレーザ光はシャープな
エネルギー分布をもつため、レーザパワーが小さく、体
積除去速度は％連続発振モードによるものよシも小さい
。
なエネルギー分布をもっているため、連続発振のレーザ
光よりも狭ｈ６をもつ深い溝を穿つことができるＯ しかし、この反面、Ｑ−スイッチレーザ光はシャープな
エネルギー分布をもつため、レーザパワーが小さく、体
積除去速度は％連続発振モードによるものよシも小さい
。
また、上記製造方法において、被加工セラミック基板渋
面を流れるエツチング液は、循環法によるものだけでな
く、一般的に、流れているエツチング族であれｉ１１′
その態様は問わない。
面を流れるエツチング液は、循環法によるものだけでな
く、一般的に、流れているエツチング族であれｉ１１′
その態様は問わない。
次に微細形状１１１１工の場合についての実施例をのべ
る。
る。
実施例２゜
ＣＷモード（連続発振）で発振するレーザ発振器ｌの代
りに、Ｑスイッチモードで発振するレーザ発枯器１４を
使用する以外は第１図に示すと同じ装置、および同じセ
ラミック基板５を使用し、実施例１と同じ方法にしたが
って、セラミック基板５に微細加工を行った。
りに、Ｑスイッチモードで発振するレーザ発枯器１４を
使用する以外は第１図に示すと同じ装置、および同じセ
ラミック基板５を使用し、実施例１と同じ方法にしたが
って、セラミック基板５に微細加工を行った。
ただし、基板５に照射するＱスイッチレーザ光は、基板
上の同一に汲上を多重ビーム走査すると、狭い幅で深い
酵ｆ、芽孔できるが、レーザ光ｒ１一定＋ｂＪ隔を隔て
て／？！ｒ竹荀平行に走査せしめることにより、４デ幅
５０／’ｍ％溝岡隔２００ＩｔＷＬ、床さ６００声℃断
向ｔもち、櫛状の竹を形状することができた。
上の同一に汲上を多重ビーム走査すると、狭い幅で深い
酵ｆ、芽孔できるが、レーザ光ｒ１一定＋ｂＪ隔を隔て
て／？！ｒ竹荀平行に走査せしめることにより、４デ幅
５０／’ｍ％溝岡隔２００ＩｔＷＬ、床さ６００声℃断
向ｔもち、櫛状の竹を形状することができた。
また、多重ビーム走査するレーザ元忙２０〜３０度のＰ
４反で父左δせて照射しても、父差部（変量ｓＪＡり曲
腺半径約５ ／／’Ａ ）れシャープで艮好な形状に゛
加工できた。
４反で父左δせて照射しても、父差部（変量ｓＪＡり曲
腺半径約５ ／／’Ａ ）れシャープで艮好な形状に゛
加工できた。
実施例３゜
セラミック基板に、厚さ５０／傳のｋｌ、ｘｉｓ・ｉ’
ｉｃ丞＆１６２使用する以外は、笑ハ１−１ｉ ２．と
ＩＮじ製置および門じ方法により、Ｑスイッチレーザ光
により、帛５図に示すごとく肩代に最小５０μｍから最
大２０００ＩｆＩｎの寸法軛Ｈの、担々の形状の穿孔１
７に−もつセラミックスデンシルを作槃する仁とができ
た。
ｉｃ丞＆１６２使用する以外は、笑ハ１−１ｉ ２．と
ＩＮじ製置および門じ方法により、Ｑスイッチレーザ光
により、帛５図に示すごとく肩代に最小５０μｍから最
大２０００ＩｆＩｎの寸法軛Ｈの、担々の形状の穿孔１
７に−もつセラミックスデンシルを作槃する仁とができ
た。
このようにし工作製されたセラミックスデンシルは、強
汽、耐熱性、鞘密な孔の形状から、たとえはすぐマスク
Ｉとして使用することがで貼る。
汽、耐熱性、鞘密な孔の形状から、たとえはすぐマスク
Ｉとして使用することがで貼る。
夾 ｋ 例 屯
冥施ｉ７ａ ！と同じ処理および装框によｊ）、ＣＷモ
ードＱこより、微小領域を平面加工した。ただし、−回
の九比丘で形成される６幅の１／４〜１１５を凡畳１＋
４１ｉ口とし−Ｃ１セラミック基板曲を走立して職加工
紙団がｌよば平坦にな＠よりに平面加工することがでと
たζ） 以上の記載刀）ら明らかなように、木光明にかかるセラ
ミックステンシルは、形成δ几た弁孔のル状恰郭が間化
で、しかも、機軸に加工されているので、従来％難加工
わ科としてセラミンクステンシルが作製されないため、
セラミックヌ製品の４り用分野が限足されていた現状に
対し、セラミックス製品のオリｈｊ分ｇｊｙ、拡大逓せ
る効果がめる。
ードＱこより、微小領域を平面加工した。ただし、−回
の九比丘で形成される６幅の１／４〜１１５を凡畳１＋
４１ｉ口とし−Ｃ１セラミック基板曲を走立して職加工
紙団がｌよば平坦にな＠よりに平面加工することがでと
たζ） 以上の記載刀）ら明らかなように、木光明にかかるセラ
ミックステンシルは、形成δ几た弁孔のル状恰郭が間化
で、しかも、機軸に加工されているので、従来％難加工
わ科としてセラミンクステンシルが作製されないため、
セラミックヌ製品の４り用分野が限足されていた現状に
対し、セラミックス製品のオリｈｊ分ｇｊｙ、拡大逓せ
る効果がめる。
６らすこ、不発坊にかかるセ２（ンクステンシルの辰造
方伝および製造猛蔚ム健釆のＬＣＥ万式が、エツチング
′ｅ、を人ｎＺｃＭ器にセラミック基板を己療し、レー
ザ九を照射したたり一の嚢蘂と共ｔこ、レーザ九ｔ″被
加工セラミンク丞板に対し足車−＠−１，干る仁とによ
り、従来、離加工羽科とさ庇たセラミックに対して％明
確、がっＬ６ｒ！ｔｍな形状を〃ロエ可能となった。６
うに、博いセラミック基板であって％ｂ Ｑスイッチレ
ーザ忙利用することにより効率よくセラミックステンシ
ルを装造１−ることができる、１
方伝および製造猛蔚ム健釆のＬＣＥ万式が、エツチング
′ｅ、を人ｎＺｃＭ器にセラミック基板を己療し、レー
ザ九を照射したたり一の嚢蘂と共ｔこ、レーザ九ｔ″被
加工セラミンク丞板に対し足車−＠−１，干る仁とによ
り、従来、離加工羽科とさ庇たセラミックに対して％明
確、がっＬ６ｒ！ｔｍな形状を〃ロエ可能となった。６
うに、博いセラミック基板であって％ｂ Ｑスイッチレ
ーザ忙利用することにより効率よくセラミックステンシ
ルを装造１−ることができる、１
褐五図は本兜稠にかかるセラミックステンシルの表造装
随の徊底ｆ＊す助圃図、第２図はセラミック≠基板に照
射するレーザバシーと、形成さ７Ｌゐに輪（ｖｖ７２ま
ひ病原さくｄ）の間係を示す特性図、謁３図ムエンテン
グ液（ＫＯ）１）の磯度ト形成される射誠さくｄＪとの
間係留ボア特性図、第゛ｌ・・拳レーザ発振器、 ２・−ｅ牛ｉ１ｉ明鋺、 ３−・・凸レンズ、 ４ ａｓｓテレビモー、−１ ５，１８’・−セラミック基板、 ６−・・エツチング畝貯成僧、 ７・・・エツチング加工容器。 ８ａ・・・エツチング液送入室、 ８ｂ・・・エツチングＹ戊送出管・ １０−−−ポンプ、 １１・・・分岐舌、 １２．１３”−バリアプル弁、 １４・、、ＸＹステージ、 １５１１・盛テーブル。 ｑテ許出酋人 日本型イ（ｊ ／４ Ｋ公社 代 理 人 弁理出光 石 士 部 化１名 第１図
随の徊底ｆ＊す助圃図、第２図はセラミック≠基板に照
射するレーザバシーと、形成さ７Ｌゐに輪（ｖｖ７２ま
ひ病原さくｄ）の間係を示す特性図、謁３図ムエンテン
グ液（ＫＯ）１）の磯度ト形成される射誠さくｄＪとの
間係留ボア特性図、第゛ｌ・・拳レーザ発振器、 ２・−ｅ牛ｉ１ｉ明鋺、 ３−・・凸レンズ、 ４ ａｓｓテレビモー、−１ ５，１８’・−セラミック基板、 ６−・・エツチング畝貯成僧、 ７・・・エツチング加工容器。 ８ａ・・・エツチング液送入室、 ８ｂ・・・エツチングＹ戊送出管・ １０−−−ポンプ、 １１・・・分岐舌、 １２．１３”−バリアプル弁、 １４・、、ＸＹステージ、 １５１１・盛テーブル。 ｑテ許出酋人 日本型イ（ｊ ／４ Ｋ公社 代 理 人 弁理出光 石 士 部 化１名 第１図
Claims (2)
- （１） エツチング畝流中にセラミック製基板を固定し
、セラミック製基板辰面をレーザブＣで走査することに
より、一定形状の穿孔を形成することを９ ’Ｇｌとす
るセラミックステンシルの製造方法。 - （２） レーザ光発振器と、レーザ光発指器から放射さ
ルたレーザうＬを被加工セラミック製基板に指向せしめ
、かつ集束する光学手段と、被加工セラミック製基板表
面に３けるレーザ光の集束ｃＬｆαおよび加工位置を監
視するモニタ一手段と、被加工セラミック製基板を固定
し。 エツチング加工する容器と、エツチング貯蔵４”Ｊから
上−記エッチング加工容器へエツチング液を循猿せしめ
るエツチング′１５．循環手段と、上記エツチング加工
容器を、互いに異なるＸ、Ｙ方向へＩ＄動する鹿Ｐり手
段とからＪ＋見ることを特徴とするセラミックステンシ
ルのｆｉ 、７４５ 装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16504983A JPS6060995A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | セラミツクステンシルの製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16504983A JPS6060995A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | セラミツクステンシルの製造方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060995A true JPS6060995A (ja) | 1985-04-08 |
| JPH0360796B2 JPH0360796B2 (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=15804860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16504983A Granted JPS6060995A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | セラミツクステンシルの製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060995A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4982065A (en) * | 1989-03-07 | 1991-01-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing a core for magnetic head |
| WO2022181756A1 (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | Ａｇｃ株式会社 | 無機部材の製造方法、無機部材、シャワープレート、半導体製造装置、並びに、レーザ加工装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125677A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-26 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスのレ−ザ加工方法 |
| JPS59121174A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-13 | 株式会社東芝 | 脆性材料の複合加工法 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16504983A patent/JPS6060995A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125677A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-26 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスのレ−ザ加工方法 |
| JPS59121174A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-13 | 株式会社東芝 | 脆性材料の複合加工法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4982065A (en) * | 1989-03-07 | 1991-01-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing a core for magnetic head |
| WO2022181756A1 (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | Ａｇｃ株式会社 | 無機部材の製造方法、無機部材、シャワープレート、半導体製造装置、並びに、レーザ加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0360796B2 (ja) | 1991-09-17 |
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