JPS6061661A - 周期信号読取装置 - Google Patents
周期信号読取装置Info
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- JPS6061661A JPS6061661A JP58169432A JP16943283A JPS6061661A JP S6061661 A JPS6061661 A JP S6061661A JP 58169432 A JP58169432 A JP 58169432A JP 16943283 A JP16943283 A JP 16943283A JP S6061661 A JPS6061661 A JP S6061661A
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- Japan
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- magnetic field
- magnetized
- bias magnetic
- signal
- rotor
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、磁気抵抗効果を壱する強磁性簿膜より成る磁
気抵抗素子（以下、Ｍｌ（、素子という。）と極性が交
互に反転する磁極面を有する着磁体を相対的に移動させ
その相対速度に対応した周波数信号を得るようにした周
期信号読取装置に関し、特にモータの回転変動等を検出
するために使用して有用な周期信号読取装置に関する。
気抵抗素子（以下、Ｍｌ（、素子という。）と極性が交
互に反転する磁極面を有する着磁体を相対的に移動させ
その相対速度に対応した周波数信号を得るようにした周
期信号読取装置に関し、特にモータの回転変動等を検出
するために使用して有用な周期信号読取装置に関する。
〈背景技術とその問題点〉
従来より、強磁性金属の磁気抵抗効果を応用して信号磁
界を検出する磁気抵抗素子を使用してモータの回転変動
を検出するようにした回転変動検出器が知られている。
界を検出する磁気抵抗素子を使用してモータの回転変動
を検出するようにした回転変動検出器が知られている。
その−例として、第１図に示すようにモータの回転軸１
に取付けられているローフ２の外周に、極性が周方向に
交互に反転するように信号磁界用の極が外周面に等ピッ
チを以って着磁されたリング状の信号記録用マクネット
３を組付は固定するとともに、上記マグネッｌ−３の外
周側に所定の距離を隔てて上記マクネット３と平面対向
するように一対のＭ Ｉｔ素子４，４を配置したものが
ある。
に取付けられているローフ２の外周に、極性が周方向に
交互に反転するように信号磁界用の極が外周面に等ピッ
チを以って着磁されたリング状の信号記録用マクネット
３を組付は固定するとともに、上記マグネッｌ−３の外
周側に所定の距離を隔てて上記マクネット３と平面対向
するように一対のＭ Ｉｔ素子４，４を配置したものが
ある。
上記各Ｍｌ（、素子４，４は、第２（２）に示すように
上記マクネット３の信号磁界に対して直交するように、
且つ所定の間隔を置いて並列するように基板５に取付け
られている。上記Ｍｌｔ素子４，４は、電流端子５ａ、
（ｉｂ間に直列に接続され、その接続点に設けた出力端
子６Ｃから各抵抗比に応じた検出出力を得るようになっ
ている。
上記マクネット３の信号磁界に対して直交するように、
且つ所定の間隔を置いて並列するように基板５に取付け
られている。上記Ｍｌｔ素子４，４は、電流端子５ａ、
（ｉｂ間に直列に接続され、その接続点に設けた出力端
子６Ｃから各抵抗比に応じた検出出力を得るようになっ
ている。
そして、この回転変動検出器は上記ロータ２の回転によ
って上記各ＭＲ素子４，４の抵抗が上記マクネット３の
信号磁界に応じて変化することにより、上記出力端子６
Ｃからの検出出力としてモーフの回転変動に応じた周波
数信号を得るようになっている。
って上記各ＭＲ素子４，４の抵抗が上記マクネット３の
信号磁界に応じて変化することにより、上記出力端子６
Ｃからの検出出力としてモーフの回転変動に応じた周波
数信号を得るようになっている。
ところで、上記ＭＲ素子４の抵抗変化は第３図に示すよ
うに飽和までは磁界の二乗に比例して変化するために、
上記出力端子６Ｃでは第４Ｎに示すように波形の歪んだ
周波数信号ではその周期が不均一なものとなりモーりの
回転変動を正確に検出することができなくなる。
うに飽和までは磁界の二乗に比例して変化するために、
上記出力端子６Ｃでは第４Ｎに示すように波形の歪んだ
周波数信号ではその周期が不均一なものとなりモーりの
回転変動を正確に検出することができなくなる。
そこで、従来より、上記Ｍ Ｒ素子４，４にバイアス磁
界を印加して上記各Ｍ Ｒ素子４，４を飽和イ１庇化さ
せることにより波形に歪が少ない周波数信号が得られる
ようζこしている。
界を印加して上記各Ｍ Ｒ素子４，４を飽和イ１庇化さ
せることにより波形に歪が少ない周波数信号が得られる
ようζこしている。
上記バイアス磁界の印加方法の一例古して、第５図Ａ、
第５図Ｂ及び第５図Ｃに示すようにＭ Ｒ素子４，４が
表面に付着された基板７の裏面にこれら各ＭＲ素子４，
４の長手方向に平行にバイアス磁界が印加されるように
磁極が着磁形成されたマクネット８を貼付けたものがあ
る。
第５図Ｂ及び第５図Ｃに示すようにＭ Ｒ素子４，４が
表面に付着された基板７の裏面にこれら各ＭＲ素子４，
４の長手方向に平行にバイアス磁界が印加されるように
磁極が着磁形成されたマクネット８を貼付けたものがあ
る。
このように、上記基板７にマクイ、ソｌ ８を貼伺けＭ
Ｒ素子４，４にバイアス磁界を印加するものにあっては
製造工程中に上記マグネット８を基板７に貼付ける工程
が必要であり、製造が煩雑なものとなる。また、上記マ
グネツ１−８を設ける分たけコスト高なものとなる。
Ｒ素子４，４にバイアス磁界を印加するものにあっては
製造工程中に上記マグネット８を基板７に貼付ける工程
が必要であり、製造が煩雑なものとなる。また、上記マ
グネツ１−８を設ける分たけコスト高なものとなる。
また、上記バイアス磁界の印加方法の他の例として、第
６図に示すようにパーマロイ膜からなるＭＲ素子９を二
酸化ケイ素５ｉＯｚ等からなる絶縁体１０に一体形成す
るとともに上記絶縁体１０内の上記Ｍ几素子９の背面側
に磁性体１１をスパック−等の手段で伺着させ、上記Ｍ
ｉ（・素子９の長手方向に平行にバイアス磁界が印加
されるように上記磁性体に着磁を施こしたものがある。
６図に示すようにパーマロイ膜からなるＭＲ素子９を二
酸化ケイ素５ｉＯｚ等からなる絶縁体１０に一体形成す
るとともに上記絶縁体１０内の上記Ｍ几素子９の背面側
に磁性体１１をスパック−等の手段で伺着させ、上記Ｍ
ｉ（・素子９の長手方向に平行にバイアス磁界が印加
されるように上記磁性体に着磁を施こしたものがある。
このように、上記磁性体１１を絶縁体１０内に付着し着
磁したものであっても製造が煩雑となり、またコスト高
なものとなる。
磁したものであっても製造が煩雑となり、またコスト高
なものとなる。
〈発明の目的〉
そこで、本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案さ
れたものであり、製造が簡単であるとともにコスト安な
同期信号読取装置を提供することを目的とする。
れたものであり、製造が簡単であるとともにコスト安な
同期信号読取装置を提供することを目的とする。
〈発明の概要〉
上記目的を達成するために、本発明は、磁気抵抗効果を
有する強磁性薄ｊ換より成る磁気抵抗素子と極性が交互
に反転する磁極面を有する着磁体を相対的に移動させて
上記磁極面に対応した周波数信号を得るようにした同期
信号読取装置において、上記着磁体の一部に上記磁気抵
抗素子に対して常に一定方向のバイアス磁界を与える着
磁を施こしてなることを特徴とするものである。
有する強磁性薄ｊ換より成る磁気抵抗素子と極性が交互
に反転する磁極面を有する着磁体を相対的に移動させて
上記磁極面に対応した周波数信号を得るようにした同期
信号読取装置において、上記着磁体の一部に上記磁気抵
抗素子に対して常に一定方向のバイアス磁界を与える着
磁を施こしてなることを特徴とするものである。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら具体
的に説明する。
的に説明する。
第７図は本発明にかかる同期信号読取装置をモーフに適
用した例を示す断面図である。このモータ２０の回転軸
２１は軸受２２，２２により回転自在に支持されており
、その先ψＩ品にはロータ２３が組付は固定されている
。上記ロータ２３の外周には着磁体となるフェライト等
からなるリング状の信号記録用マグネツｌ−（以下、Ｍ
ｇ＋（！：いう。）２４が組付は固定されている。上記
Ｍｇ＋ ’ｌ ４の外側面には第８図に示すように極性
が交互に反転するように信号磁界用の極が周方向に等ピ
ッチλを以って着磁形成されている。また、上記Ｍｇ１
２４の外周側には第９図に示すように所定の距離を隔て
て上記Ｍｇ１２４の外周面（磁極面）と平面対向するよ
うに磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜より成る一対の磁
気抵抗素子（Ｍ Ｒ素子）２５．２５が配置されている
。
用した例を示す断面図である。このモータ２０の回転軸
２１は軸受２２，２２により回転自在に支持されており
、その先ψＩ品にはロータ２３が組付は固定されている
。上記ロータ２３の外周には着磁体となるフェライト等
からなるリング状の信号記録用マグネツｌ−（以下、Ｍ
ｇ＋（！：いう。）２４が組付は固定されている。上記
Ｍｇ＋ ’ｌ ４の外側面には第８図に示すように極性
が交互に反転するように信号磁界用の極が周方向に等ピ
ッチλを以って着磁形成されている。また、上記Ｍｇ１
２４の外周側には第９図に示すように所定の距離を隔て
て上記Ｍｇ１２４の外周面（磁極面）と平面対向するよ
うに磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜より成る一対の磁
気抵抗素子（Ｍ Ｒ素子）２５．２５が配置されている
。
上記各Ｍｌ（素子２５．２５は、」二記Ｍｇ□２４の信
号磁界に対して直交するように、且つ所定の間隔を置い
て並列するように基板２６に取付けられている。また、
上記各ＭＲ素子２５．２５は、第１θ図に示すように電
流端子２７ａ、２７ｂ間に直列に接続され、その接続点
に設けた出力端子２゜了Ｃから各抵抗比に応じた検出出
力を得るようになっている。
号磁界に対して直交するように、且つ所定の間隔を置い
て並列するように基板２６に取付けられている。また、
上記各ＭＲ素子２５．２５は、第１θ図に示すように電
流端子２７ａ、２７ｂ間に直列に接続され、その接続点
に設けた出力端子２゜了Ｃから各抵抗比に応じた検出出
力を得るようになっている。
そして、上記ロータ２３の回転によって上記各ＭＲ素子
２５．２５の抵抗が上記Ｍｇｔ２４の信号磁界に応じて
変化することにより、上記出力端子２７ｃからの検出出
力としてモーフの回転変動に応じた周波数信号を得るよ
うになっている。
２５．２５の抵抗が上記Ｍｇｔ２４の信号磁界に応じて
変化することにより、上記出力端子２７ｃからの検出出
力としてモーフの回転変動に応じた周波数信号を得るよ
うになっている。
ところで、上記Ｍｇｔ２４の」二面にはＮ極が着磁形成
されると吉もに下面にはＳ極が着磁形成されている。し
たがって、上記各ＭＲ素子２５．２５にはバイアス磁界
がこれら各Ｍ Ｒ素子２５．２５の長さ方向と平行に印
加されることになり、これら各ＭＲ素子２５．２５は飽
和磁化されるので、」二記出力端子２７Ｃからは第１１
図に示すように歪の少ない正弦波の出力が得られる。し
たがって、周期が均一な周波数信号を得ることがてき、
モーフ２０の回転変動を正確に検出することができる。
されると吉もに下面にはＳ極が着磁形成されている。し
たがって、上記各ＭＲ素子２５．２５にはバイアス磁界
がこれら各Ｍ Ｒ素子２５．２５の長さ方向と平行に印
加されることになり、これら各ＭＲ素子２５．２５は飽
和磁化されるので、」二記出力端子２７Ｃからは第１１
図に示すように歪の少ない正弦波の出力が得られる。し
たがって、周期が均一な周波数信号を得ることがてき、
モーフ２０の回転変動を正確に検出することができる。
ここで、第１２図を参照しながら、バイアス磁界がＭ
Ｒ素子２５．２５の長さ方向と平行に印加された時にお
けるＭＲ素子２５．２５の抵抗ρ（θ）と出力端子２７
Ｃから得られる出力電圧との関係について説明する。
Ｒ素子２５．２５の長さ方向と平行に印加された時にお
けるＭＲ素子２５．２５の抵抗ρ（θ）と出力端子２７
Ｃから得られる出力電圧との関係について説明する。
上記Ｍ Ｒ素子２５．２５の抵抗ρ（θ）は飽和磁化さ
れた状態において電流と磁化の方向について次式の関係
がある。
れた状態において電流と磁化の方向について次式の関係
がある。
ρ（の＝ρ五ＳＩ＋１２θ」−ｉｎｎ ｃｏｓ２０Ｕ：
電流と飽和磁化のなす角度 ｈ：電流と飽和磁化が直交した時の抵抗ρ、７：電流と
飽和磁化か平行した時の抵抗そして、ＭＲ素子２５．２
５の抵抗をＲ＋、Ｒｚとし、さらにＭＲ素子２５．２５
に印加されるバイアス磁界を）ＩＢ＝Ｂとし、ＭＲ素子
２５．２５２π に印加される信号磁界をｌｌ５−８８ＩＩＩＴＸとし、
ＭＲ素子２５．２５の間隔をλ／４とすると、次式％式
％ （１） （２） また、出力端子２７Ｃの出力電圧は次式によって得られ
る。
電流と飽和磁化のなす角度 ｈ：電流と飽和磁化が直交した時の抵抗ρ、７：電流と
飽和磁化か平行した時の抵抗そして、ＭＲ素子２５．２
５の抵抗をＲ＋、Ｒｚとし、さらにＭＲ素子２５．２５
に印加されるバイアス磁界を）ＩＢ＝Ｂとし、ＭＲ素子
２５．２５２π に印加される信号磁界をｌｌ５−８８ＩＩＩＴＸとし、
ＭＲ素子２５．２５の間隔をλ／４とすると、次式％式
％ （１） （２） また、出力端子２７Ｃの出力電圧は次式によって得られ
る。
ＶＰ、、（Ｘｌ＝ ｖＯ（Ｒ２−Ｒ，ｌ）／（Ｊ（，２
＋＆ ） ・−曲（３１そして、上記（１）、（２）式
を（３）式に加入すると、・・・・・・・・・・・・・
・・（４）なお、２ρ。−ρ７汁ん△ρ−ρｔｔ ｌ）
、ｈ、 ｒ−８３ 上記１″が大きい場合、 上記（４）式は、 となり、出力端子２７Ｃから出力される正弦波の歪が少
なくなる。
＋＆ ） ・−曲（３１そして、上記（１）、（２）式
を（３）式に加入すると、・・・・・・・・・・・・・
・・（４）なお、２ρ。−ρ７汁ん△ρ−ρｔｔ ｌ）
、ｈ、 ｒ−８３ 上記１″が大きい場合、 上記（４）式は、 となり、出力端子２７Ｃから出力される正弦波の歪が少
なくなる。
このように、上記実施例によれは、ロータ２３に組イ」
けられ信号磁界用のＭ磁が施こされるＭｇ１２４にバイ
アス磁界用の着磁を施こし、Ｍ Ｒ素子２５．２５にバ
イアス磁界を印加するようにしたものであり、モーフ２
０の回転変動を検出するための装置の製造が簡単なもの
となり、又コスＩ−安なものとなる。
けられ信号磁界用のＭ磁が施こされるＭｇ１２４にバイ
アス磁界用の着磁を施こし、Ｍ Ｒ素子２５．２５にバ
イアス磁界を印加するようにしたものであり、モーフ２
０の回転変動を検出するための装置の製造が簡単なもの
となり、又コスＩ−安なものとなる。
第１３図はロータの他の例を示す斜視（２）である。
この例にのけるロータ２３の外周には前記実施例のもの
と同様にＭｇ工２４か組付けられている。上記Ｍｇ＋２
４の外周面及び内周面には上記各ＭＲ素子２５．２５に
バイアス磁界が印加されるように着磁が施こされている
。そして、」二記Ｍｇ１２４の外周面には信号磁界用の
極が周方向に着磁形成されている。このように、上記Ｍ
ｇ＋２４に着イ１ムを施こしたものであっても上記各Ｍ
１を素子２５．２５にバイアス磁界を印加することかで
きる。この場合、バイアス磁界は放射方向に発生ずる。
と同様にＭｇ工２４か組付けられている。上記Ｍｇ＋２
４の外周面及び内周面には上記各ＭＲ素子２５．２５に
バイアス磁界が印加されるように着磁が施こされている
。そして、」二記Ｍｇ１２４の外周面には信号磁界用の
極が周方向に着磁形成されている。このように、上記Ｍ
ｇ＋２４に着イ１ムを施こしたものであっても上記各Ｍ
１を素子２５．２５にバイアス磁界を印加することかで
きる。この場合、バイアス磁界は放射方向に発生ずる。
第１４図はロータの他の例を示す斜視図である。
この例におけるロータ２３の外周には前記実施例のもの
と同様にＭｇ１２４が組伺けられている。上記Ｍｇ＋２
４の上面及び下面には上記各Ｍ Ｊ、（素子２５．２５
にバイアス磁界が印加されるように着磁が施こされてい
る。そして、上記Ｍｇ＋２４の外周面には４５°の傾斜
角度を以って信号磁界用の極が周方向に着磁形成されて
いる。このように、上記Ｍｇ工２４に着磁を施こしたも
のであっても上記Ｍｌも素子２５．２５にバイアス磁界
を印加することができる。この場合、上記各Ｍ Ｒ素子
２５．２５も上記信号磁界用の極の傾斜角度４５°に応
じて傾斜配置する必要がある。
と同様にＭｇ１２４が組伺けられている。上記Ｍｇ＋２
４の上面及び下面には上記各Ｍ Ｊ、（素子２５．２５
にバイアス磁界が印加されるように着磁が施こされてい
る。そして、上記Ｍｇ＋２４の外周面には４５°の傾斜
角度を以って信号磁界用の極が周方向に着磁形成されて
いる。このように、上記Ｍｇ工２４に着磁を施こしたも
のであっても上記Ｍｌも素子２５．２５にバイアス磁界
を印加することができる。この場合、上記各Ｍ Ｒ素子
２５．２５も上記信号磁界用の極の傾斜角度４５°に応
じて傾斜配置する必要がある。
抛１５１Ｄはロータの他の例を示す斜視肉である。
この例におけるロータ２３の外周面には、外周面かデー
パ状をなずリンク状の信号記録用のマグオ、ソｌ−（以
下、Ｍｇ ２という。）２８が組伺けられている。そし
て、」１記Ｍｇｚ２８の外周面には上記各Ｔｌ（、素子
２５．２５にバイアス磁界が印加されるように着磁が施
こされている。そして、上記Ｍｇ２２８の外周面におけ
る上記バイアス磁界用の各極間の領域に信号磁界用の極
が周方向に等ピッチを以って着磁形成されている。この
ように、上記Ｍｇ２２８に着磁を施こしたものであって
も上記各ＭＲ素子２５．２５にバイアス磁界を印加する
ことができる。この場合、上記各ＭＩＮ素子２５，２５
も上記Ｍｇ２２８の信号磁界用の領域に対して平面対向
するように上記Ｍｇｚ２Ｂの外周面の傾斜角度に応じて
傾斜配置する必要がある。
パ状をなずリンク状の信号記録用のマグオ、ソｌ−（以
下、Ｍｇ ２という。）２８が組伺けられている。そし
て、」１記Ｍｇｚ２８の外周面には上記各Ｔｌ（、素子
２５．２５にバイアス磁界が印加されるように着磁が施
こされている。そして、上記Ｍｇ２２８の外周面におけ
る上記バイアス磁界用の各極間の領域に信号磁界用の極
が周方向に等ピッチを以って着磁形成されている。この
ように、上記Ｍｇ２２８に着磁を施こしたものであって
も上記各ＭＲ素子２５．２５にバイアス磁界を印加する
ことができる。この場合、上記各ＭＩＮ素子２５，２５
も上記Ｍｇ２２８の信号磁界用の領域に対して平面対向
するように上記Ｍｇｚ２Ｂの外周面の傾斜角度に応じて
傾斜配置する必要がある。
第１６図はロータの他の倒れ示す斜視図である。
この例におけるロータ２３の上面にはフェライトからな
る円盤状の信号記録用マクネット（以下、Ｍｇ３という
。）２９が組利は固定されている。上記Ｍｇ３２９の上
面にはバイアス磁界用のＮ極及びＳ極が同心固状に着ｉ
ａ形成されるとともに、上記Ｍｇ３２９の上面における
上記バイアス磁界用のＮ極とＳ極との間に設けられた環
状の領域には信号磁界用のＮ極及びＳ極が周方向に等ビ
ソナを以って着磁形成されている。
る円盤状の信号記録用マクネット（以下、Ｍｇ３という
。）２９が組利は固定されている。上記Ｍｇ３２９の上
面にはバイアス磁界用のＮ極及びＳ極が同心固状に着ｉ
ａ形成されるとともに、上記Ｍｇ３２９の上面における
上記バイアス磁界用のＮ極とＳ極との間に設けられた環
状の領域には信号磁界用のＮ極及びＳ極が周方向に等ビ
ソナを以って着磁形成されている。
そして、基板２６に並列に数個けられた一対のＭＲ素子
２５．２５はその長手方向が信号磁界に対して直交する
ように、且つ上記Ｍｇｚ２９の上面と平面対向するよう
に上記Ｍｇ３２９の信号磁界用の領域の上方位置に配置
されている。
２５．２５はその長手方向が信号磁界に対して直交する
ように、且つ上記Ｍｇｚ２９の上面と平面対向するよう
に上記Ｍｇ３２９の信号磁界用の領域の上方位置に配置
されている。
このように、上記構成からなる実施例にあっても」二記
各Ｍ１％素子２５．２５の長手方向に平行にバイアス磁
界を印加することができ、歪の少ない３に組付けられ信
号磁界用の着磁が施こされるＭｇ３２９にバイアス磁界
用の着磁を施こし、ＭＲ素子２５．２５にバイアス磁界
を印加するようにしたものであり、モーフ２０の回転変
動を検出するための装置の製造が簡単なものとなり、又
コスト安なものとなる。
各Ｍ１％素子２５．２５の長手方向に平行にバイアス磁
界を印加することができ、歪の少ない３に組付けられ信
号磁界用の着磁が施こされるＭｇ３２９にバイアス磁界
用の着磁を施こし、ＭＲ素子２５．２５にバイアス磁界
を印加するようにしたものであり、モーフ２０の回転変
動を検出するための装置の製造が簡単なものとなり、又
コスト安なものとなる。
第１７図はｆＶＩ Ｒ素子の他の例を示す斜視図であり
、ＭＲ素子２５をロータ２３の外周に組伺けられた信号
記録用マグネット（以下、Ｍｇ４という。）３０に対し
て垂直に配置したものである。
、ＭＲ素子２５をロータ２３の外周に組伺けられた信号
記録用マグネット（以下、Ｍｇ４という。）３０に対し
て垂直に配置したものである。
上記Ｍｇ４３０の上面には第８図に示すものと同様にバ
イアス磁界用のＮ極が着磁形成されるとともに上記Ｍｇ
４３０の下面にはバイアス磁界用のＳ極が着磁形成され
、上記Ｍｇ４３０の外周面には信号磁界用のＮ極及びＳ
極が周方向に等ピッチを以って着磁形成されている。
イアス磁界用のＮ極が着磁形成されるとともに上記Ｍｇ
４３０の下面にはバイアス磁界用のＳ極が着磁形成され
、上記Ｍｇ４３０の外周面には信号磁界用のＮ極及びＳ
極が周方向に等ピッチを以って着磁形成されている。
したかって、上記Ｍ Ｒ素子２５にはその長さ方向に平
行にバイアス磁界が印加される状態になる。
行にバイアス磁界が印加される状態になる。
上記ＭＲ素子２５には第１８図に示すように外部付加抵
抗３１が直列に接続されており、その接続点に設けた出
力端子３２からは歪の少ない正弦波の周波数信号を得る
ことができる。
抗３１が直列に接続されており、その接続点に設けた出
力端子３２からは歪の少ない正弦波の周波数信号を得る
ことができる。
このように、上記実施例にあっても、ｔｊ−り２３に組
（＝ＪけられたＭｇ４３０を利用してＭ、 Ｒ素子２５
にバイアス磁界を印加することがてき、モーフ２０の回
転変動を検出するための装置の製造が１７１〕単なもの
となり、又コスト安なもの吉なる。
（＝ＪけられたＭｇ４３０を利用してＭ、 Ｒ素子２５
にバイアス磁界を印加することがてき、モーフ２０の回
転変動を検出するための装置の製造が１７１〕単なもの
となり、又コスト安なもの吉なる。
〈応用例〉
本発明は着磁体が直線的に移動するものに対しても適用
されるものであり、また磁気抵抗素子が着磁体に沿って
移動するものに対しても適用されるものであり、磁気抵
抗素子と着磁体が相対的に移動するものであれば種々の
ものに適用されるものである。
されるものであり、また磁気抵抗素子が着磁体に沿って
移動するものに対しても適用されるものであり、磁気抵
抗素子と着磁体が相対的に移動するものであれば種々の
ものに適用されるものである。
〈発明の効果〉
このように、本発明の周期信号読取装置は磁気抵抗素子
と相対移動する着磁体を利用して上記素子にバイアス磁
界を印加することかできるの゛で、製造が簡単なものと
なり、又コスト安なものとなる。
と相対移動する着磁体を利用して上記素子にバイアス磁
界を印加することかできるの゛で、製造が簡単なものと
なり、又コスト安なものとなる。
第１図は従来例を示す概略斜視図、第２図はその要部を
示す拡大斜視図、第３図はＭｌ（、素子の抵抗変化を示
す波形図、第４図は上記ＭＲ素子による周波数信号の波
形図、第５図はＭ Ｒ素子にマグ不ソＩ−を付加した状
勅を示す図であり、第５図Ａは拡大正面図、第５図Ｂは
拡大側面図、第５図Ｃは拡大背面図、第６図はＭ Ｒ素
子にマグネットを付加した他の例を示す要部拡大断面図
、第７図は本発明の一実施例・２示す断面図、第８図は
ロータの斜視図、第９図はその要部拡大斜視図、第１Ｏ
図はＭ ｌ（、素子の電気回路図、第１１図は出力端子
から得られる周波数信号の波形図、第１２図はＭＲ素子
の特性を説明するための模式図、第１３図。 第１４図、第１５図及び第１６図はそれぞれ本発明の他
の実施例を示す斜視図、第１７図は本発明のさらに他の
実施例を示す斜視図、ｍ１１８図はへ・ＩＲ素子の電気
回路図である。 ２３・・・ロータ、２４，２８，２９，３０．、、信号
記録用マクネット、２５・・・Ｍｌ（、素子特許出願人
ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第１図 第２図 第４図 第５図
示す拡大斜視図、第３図はＭｌ（、素子の抵抗変化を示
す波形図、第４図は上記ＭＲ素子による周波数信号の波
形図、第５図はＭ Ｒ素子にマグ不ソＩ−を付加した状
勅を示す図であり、第５図Ａは拡大正面図、第５図Ｂは
拡大側面図、第５図Ｃは拡大背面図、第６図はＭ Ｒ素
子にマグネットを付加した他の例を示す要部拡大断面図
、第７図は本発明の一実施例・２示す断面図、第８図は
ロータの斜視図、第９図はその要部拡大斜視図、第１Ｏ
図はＭ ｌ（、素子の電気回路図、第１１図は出力端子
から得られる周波数信号の波形図、第１２図はＭＲ素子
の特性を説明するための模式図、第１３図。 第１４図、第１５図及び第１６図はそれぞれ本発明の他
の実施例を示す斜視図、第１７図は本発明のさらに他の
実施例を示す斜視図、ｍ１１８図はへ・ＩＲ素子の電気
回路図である。 ２３・・・ロータ、２４，２８，２９，３０．、、信号
記録用マクネット、２５・・・Ｍｌ（、素子特許出願人
ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第１図 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- 磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜より成る磁気抵抗素子
と極性が交互に反転する磁極面を有する着磁体を相対的
に移動させて上記磁極面に対応した周波数信号を得るよ
うにした周期信号読取装置において、上記着磁体の一部
に上記磁気抵抗素子に対して常に一定方向のバイアス磁
界を与える着磁を施こしてなることを特徴とする周期信
号読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169432A JPS6061661A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 周期信号読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169432A JPS6061661A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 周期信号読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061661A true JPS6061661A (ja) | 1985-04-09 |
Family
ID=15886483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169432A Pending JPS6061661A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 周期信号読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061661A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03160321A (ja) * | 1989-11-18 | 1991-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気回転センサ |
| JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
| US5998989A (en) * | 1993-12-22 | 1999-12-07 | Itt Automotive Europe Gmbh | Device including magnet-biased magnetoresistive sensor and rotatable, magnetized encoder for detecting rotary movements |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142409A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-06 | Nec Corp | Angle detector |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP58169432A patent/JPS6061661A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142409A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-06 | Nec Corp | Angle detector |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03160321A (ja) * | 1989-11-18 | 1991-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気回転センサ |
| JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
| US5998989A (en) * | 1993-12-22 | 1999-12-07 | Itt Automotive Europe Gmbh | Device including magnet-biased magnetoresistive sensor and rotatable, magnetized encoder for detecting rotary movements |
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