JPS6063539A - Ｌｄプリンタ−用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、半導体レーザープリンター（電子写真方式
）用感光体に関する。

従来技術 従来、半導体レーザープリンター用感光体として下記の
ようないくつかの組成物を使ったものが知られている。

しかし、それぞれ問題点があった。

＋１）　増感層にＳ　ｅ　＋　−ｘＴｅｘを用いた非晶
質セレン系積層感光体 この感光体はテルル（Ｔｅ　）の含有量増加により、長
波長域の光感度が増感され、Ｔｅ：１５ａｔｍ％以上で
は７８０〜８２０ｎｍの半導体レーザーに適用できる。

しかし、高濃度のＴｅの影響で、ホールトラップ密度が
増加し、電気特性の繰り返し特性が著しく劣化する。又
、アモルファスＳｅ特有の結晶化しやすい属性を依然と
して持っている。

（２）　増感層にＳｅ　、　−ｘ−ＶＡＳＸＴｅＶを用
いた非晶質セレン系感光体 基本的には半導体レーザー波長域７８０〜８２０ｎｎ＋
に対する非晶質Ａｓ　２８６３の感度不足をテルル添加
で補う技術であるが、テルル添加によりホールトラップ
密度が増加するためにＡｓ　２　Ｓｅ　３特有のエレク
トロントラップ効果と相和して電気特性の繰り返し特性
が著しく劣化する。すなわち、暗部と明部の静電コント
ラストが繰り返し使用中に極端に低下する。

（３）　その他のセレン系感光体 非晶質セレン系の長波長増感をねらった各種材料（Ｂ　
ｉ、ｓ　ｂ、ｓ等）のドーピング技術が検討されている
が、温度、光照射等の作用で結晶化し易く、寿命がプリ
ンター用感光体としての必要寿命に達しない。また、硬
度が低く、特に温度が上昇するとさらに劣化するため傷
がつき易く実用的な寿命を満たさない。

（４１非晶質Ｓｉ：Ｈ光感光体 非晶質Ｓｉ：Ｈだけでは波長８００ｎｍ近くの光感度が
小さくて使用できないため、ゲルマニウム等のドーピン
グ技術が検討されているが、このドーピングによって電
気特性（光導電特性）を劣化させる欠点がある。その他
耐環境性に欠ける。作製時の堆積速度が遅い等の欠点が
ある。

目　的 この発明は、寿命が長く、繰り返し特性に優れたＬＤプ
リンター用長波長増感感光体を提供することを目的とし
ている。

構　成 この発明の構成は、導電性基板上に非晶質３　ｅ　＋　
−ｘ−ｙ、Ａ、　ｓｘＴ　ｌｙなる組成でｘがｏ、３０
〜０．４５　（３０〜４５ａｔｌｌ１％）でｙが少くと
も０．０２　（２ａｔ１％）以上である光導層を設けた
ことを特徴とするＩＤプリンター用感光体である。

この感光体の作製方法および特性を具体的に説明する。

（１）　感光体の作製方法 真空蒸着によって感光体を作製した、その場合の装置は
基板はアルミニウム、蒸発源は電気抵抗加熱されている
ステンレス製ボートを用いた。

蒸着の条件は、真空度、１０’　〜ＩＱ−６ＴＯｒｒ、
基板の温度１８０℃、蒸発源の温度３４０〜３８０℃と
した。

蒸着物の構成は、第１図に示ずようにアルミニウム基板
上２に：　Ｓ　８　＋　−Ｘ−ＶＡ　ＳＸＴ　Ｉｙ層１
を６０μの厚さに蒸着した。その具体的組成範囲は、Ａ
ｓ　２３ｅ　３に対してＴ１をドーピングし、その組成
範囲を（Ａｓ　２３ｅ　３）　＋−ｚＴＩｚただしｚ：
０〜０．１５（０〜１５８ｔ１％）の範囲で検討した。

（２）　感光体の性質 イ）分光感度 コロナ帯電、光減衰による表面電位の変化から分光感度
を調べた結果を第２図および第３図に示す。

第２図は（Ａｓ　２３ｅ　３　）　＋　−ｚＴｌｚの実
際の分光感度で線３はｚ＝　０．１０　、線４はｌ−〇
の物質の性質を示す。第３図は（Ａｓ　２３ｅ　３　）
　＋　−ｚＴＩｚのｌと波長８００ｎｇ＋における感度
の関係を示したグラフである。

この第３図によれば、Ｚの増加により、長波長光感度が
向上する傾向が認められる。

一方ＬＤプリンター用感光体としての必要感度は下記の
表のとおりである。

５− 上記条件から感光体の１点が１ｄａｔ当り受ける光量は
最低２００μＪ／ｃ１である。したがって、ＬＤプリン
ター用感光体としては波長８００ｎｓにおける分光感度
は４■Ｃ１／μＪ以上で十分である。よって、×は少く
とも０．０２以上必要である。

口）帯電電位 長波長光の増感効果に伴ない、帯電能力が低下するのは
バンドギャップＥ（＋の低下によって避けることはでき
ない。

第４図は上記物質の２と帯電能力の関係を示したグラフ
である。帯電能力は一定のコロナチャージ出力下におけ
る帯電電位Ｖｄで評価し、ｚ＝０即ちＡＳ　２３ｅ　３
を１．０として６一 あられしている。

Ｖｄは２の増加に伴なって低下することがわかる。

帯電能力はプリンターの帯電システムによりその必要仕
様が決定されるが、非晶質ＡＳ　２３ｅ　３自体がカル
コゲン系感光体としては低抵抗（低帯電能力）材料に属
するものであり、Ｖｄとして少くとも０．５以上は必要
である。

したがって、ｌ≦０．０８が好ましい。

ハ）繰り返し特性 帯電、露光、繰り返し時の暗部、明部電位の変化を非晶
質（Ａｓ　２３ｅ　３　）　０，９２ＴｅＯ９０８と比
較して第５図に示す。

（Ａｓ　２３ｅ　３　）　＋−ｚＴｌｚとしてｌ＝０．
０２　（２ａｔｓ％）を代表例とする。

いうまでもなく、電子写真の除去、帯電、露光条件等で
第５図の様子傾向は変動するが（Ａｓ　２３ｅ　３　）
　＋　−ｚＴｌｚ系の方が繰り返し時の静電コントラス
トの低下は小さいといえる。

これは増感効果を目的とした第３元素の添加において、
Ｔｅの場合は副作用としてホールトラップ密度が増加し
、そのために残留電位が上昇することによる。

レーザープリンターのようなディジタル画像の場合、明
部、暗部電位が一様に変化する場合は比較的制御が容易
である。

一方、特に（ＡＳ２Ｓｅ３）＋−Ｚ王ｅｚのように、静
電コントラストが低下する場合は、地汚れ、画像濃度低
下が発生し易く、コントロールがむずかしい。したがっ
て （Ａｓ　２３ｅ　３　）　＋　−ｚＴｌｚは繰り返し特
性に優れているといえる。

二）熱特性 第６図は示差熱分析により （Ａｓ　２３ｅ　３　）　＋　−ＶＴＩＶ（７）ガラス
転移点Ｔｇ１結晶化温度ＴＯ１融点Ｔｌ１１を調べた結
果を示す。

Ｚが増加すると、Ｔｃ　、　Ｔｍ　１Ｔ（ｌ共に若干低
下する傾向が認められるが、０〜０．１０の範囲では約
５０℃程度の低下である。

したがって、カルコゲン系材料のなかでは圧倒的に耐結
晶化特性が優れている Ａｓ　２　Ｓｅ　３の特性をそのまま有しているといえ
る。

以上説明したようにこの発明の感光層その組成を ３ｅ　）　−ｘ−ＶＡＳ　丁ｌｙ ｘ　＝　０．３０〜０．４５　（３０〜４５ａｔ１％）
Ｖ　＝　０．０２　〜０．０８　（２〜ｇａｔ−％）の
範囲に選ぶと各特性は非晶質の Ａｓ　２３ｅ　３と基本的に類似しているのでＡｓが３
０〜４５ａｔｍ％ならば同様の効果が期待できる。

またＴ１の添加量について検討すると、Ｔ１の添加量が
０．０２　（２ａｔｍ％）以上で、十分な長波長増感効
果が得られ、０．０８　（８ａｔ１％）以下の時、副作
用帯電能力の低下を防止することができる。

一〇− 膜圧は特に限定する必要がない。

効　果 この発明の感光体の効果を要約すると、イ）非晶質のＡ
ｓ　２３ｅ　：ｌに対して波長７８０〜ａ２ｏｎｍ領域
における分光感度が増感されｌ−Ｄプリンターに用いる
ことができる。

口）仙のカルコゲン系材料を用いた１０プリンター用感
光体に比較して耐結晶化が優れている。

ハ）Ｔｅを添加したＡｓ　２３ｅ　３に比較して、繰り
返しの電気特性が優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の感光体の構造を示す模式図　、 第２図は、この発明の感光体の分光感度を示すグラフ、 第３図は、この発明の感光体の組成と光感度の関係を示
すグラフ、 第４図は、同じく組成と帯電電位の関係を示すグラフ、 １０− 第５図は帯電、露光くり返し時の暗部、明部の電位の変
化を示すグラフ、 第６図は、同じく組成とガラス転移点Ｔ（１、結晶化温
度ＴＣ１融点Ｔｌ１１との関係を示すグラフをそれぞれ
示す。 １−　Ｓ　ｅ　＋　−ｘ−ｙＡ　ｓｘＴ　ｌｙ層、２・
・・アルミニウム基板、 ３−　（Ａｓ　２８６３　）　０．９　ＴＩｏ、１１７
）線、４＝・Ａｓ　ｔ　３ｅ　３の線、 特許出願人　株式会社　リ　コ　− 代理人　弁理士　小　松　秀　岳 代理人　弁理士　旭　宏 １１− −〇ｓ３ＳＩＩ１１ＬｇｋＴＩ＆鵠 梯す返し欧

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上に非晶質Ｓｅ　＋　−ｘ−ｙＡｓｘＴｌｙ
   なる組成で×が０．３０〜０．４５　（３０〜４５ａｔ
   ｍ％）テＶが少くとも０．０２　（２ａｔｍ％）以上で
   ある先導層を設けたことを特徴とするＬＤプリンター用
   感光体。