JPS6066253A - Ｌｄプリンタ−用感光体 - Google Patents
Ｌｄプリンタ−用感光体Info
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- JPS6066253A JPS6066253A JP17299983A JP17299983A JPS6066253A JP S6066253 A JPS6066253 A JP S6066253A JP 17299983 A JP17299983 A JP 17299983A JP 17299983 A JP17299983 A JP 17299983A JP S6066253 A JPS6066253 A JP S6066253A
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- layer
- photoreceptor
- amorphous
- charge retention
- sensitizing
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、半導体レーザープリンター（電子写真方式
）用感光体に関する。
）用感光体に関する。
従来技術
従来半導体レーザープリンター用感光体としで、下記の
ようないくつかの組成物を使ったものが知られている。
ようないくつかの組成物を使ったものが知られている。
しかし、それぞれ問題点があった。
（１） 増感層に３ｃ １−ｘｌ−ｅｘを用いた非晶質
レレン系積層感光体 この感光体は、テルル（ＴＯ）の含有量増加により、長
波長域の光感度が増感され、テルル： １５ａＬｍ％以
上では７８０〜８２０ｎＩｌｌの半導体レーク゛−に適
用できる。しかし、＾濃度の−「ｅの影響でホールトラ
ップ密１褒が増加し、電気特性のくり返し特性が君しく
劣化りる。
レレン系積層感光体 この感光体は、テルル（ＴＯ）の含有量増加により、長
波長域の光感度が増感され、テルル： １５ａＬｍ％以
上では７８０〜８２０ｎＩｌｌの半導体レーク゛−に適
用できる。しかし、＾濃度の−「ｅの影響でホールトラ
ップ密１褒が増加し、電気特性のくり返し特性が君しく
劣化りる。
又、アモルファス３ｅ特有の結晶化し易い属性を依然と
して持っている。
して持っている。
（２） 増感層にＳ ｅ ｌ −Ｘ−ＶＡ ５ｘｌ−ｅ
ｙを用いた非晶質レレン系感光体 基本的には半導体レーザー波長域１８０〜８２０ｎｍに
対する非晶ＨＡｓ ２ Ｓｅ ］の感度不足をテルルの
添加で補なう技術であるが、−テルルの添加によりホー
ルトラップ密度が増加するため、Ａｓ ２８８３特有の
エレク］・ロン１〜ラツプ効果と相和して、電気特性の
くり返し特性が署しく劣化する。づなわら、１１ａ部と
明部の静電コントラス（へがくり返し時に（船端に低下
する。
ｙを用いた非晶質レレン系感光体 基本的には半導体レーザー波長域１８０〜８２０ｎｍに
対する非晶ＨＡｓ ２ Ｓｅ ］の感度不足をテルルの
添加で補なう技術であるが、−テルルの添加によりホー
ルトラップ密度が増加するため、Ａｓ ２８８３特有の
エレク］・ロン１〜ラツプ効果と相和して、電気特性の
くり返し特性が署しく劣化する。づなわら、１１ａ部と
明部の静電コントラス（へがくり返し時に（船端に低下
する。
（３］ その他の［レン（Ｓｅ ）系感光体（非晶質の
ＡＳ ２ Ｓｅ ａ系を除く） 非晶質しレン系の長波長増感効果を期待して各種Ｕｌ’
ｌ（ビスマス、アンチモン、硫黄等）のドーピング技術
が検問されているが、現在のところ種々の欠点がある。
ＡＳ ２ Ｓｅ ａ系を除く） 非晶質しレン系の長波長増感効果を期待して各種Ｕｌ’
ｌ（ビスマス、アンチモン、硫黄等）のドーピング技術
が検問されているが、現在のところ種々の欠点がある。
例えば、
イ）温度、光熱用等の作用で結晶化し易く、ズを命がプ
リンター用感光体としての必要ズＩ命に達しない。
リンター用感光体としての必要ズＩ命に達しない。
口）硬度が小さく、温度上昇で更に劣化づるために傷が
つき易く、やはり寿命が短い。
つき易く、やはり寿命が短い。
（イ）） 非晶質Ｓｉ：Ｉ−ｌ系感光体耐環境性に欠け
、帯電能力が低く、作製時のｊ（Ｉ積速以が遅い外に非
晶質Ｓｉ：ｌ−またりでは波長８００１１ｍ近傍の光感
度が非常に小さく使用できないため、ゲルマニウム等の
ドーピング技術が検問されている。しかし、このドーピ
ングにＪこって、更に雷気特１！Ｉ（光導電特性）を劣
化させる欠点がある。
、帯電能力が低く、作製時のｊ（Ｉ積速以が遅い外に非
晶質Ｓｉ：ｌ−またりでは波長８００１１ｍ近傍の光感
度が非常に小さく使用できないため、ゲルマニウム等の
ドーピング技術が検問されている。しかし、このドーピ
ングにＪこって、更に雷気特１！Ｉ（光導電特性）を劣
化させる欠点がある。
目 的
この弁明は、帯電能力が高く、電気特性のくり返し特性
に優れｌこＩＤプリンター用感光体を提供Ｊることを１
」的としている。
に優れｌこＩＤプリンター用感光体を提供Ｊることを１
」的としている。
構成
この発明の（ｊ４或は、導電竹基板士に非晶質Ａｓ ７
Ｓｏ ３を主体とした電荷移動層、その−にに非晶質
のＳ ｅ ＋ −Ｘ−！／Ａ ５ｘ−ｌ’ ＩＶなる組
成でＸが０．３０〜０．４５（３０〜４５ａＬＩＩ１％
）、ｙが０．０２ （２ａＬｍ％）以上である増感層を
有し、更にその上に非晶質セレン（３８）を少くとし９
ｏａｔｍ％以上含む電荷保持層を順形成しＩにとを特徴
とづるＬＤプリンター用感光体であり、その実施の態様
におい（、 イ）電荷保持層が砒素を１ｏａｔｍ％以下含有している
もの、 口）同じく電荷保持層がゲルマニウムを１ｏａｔｍ％以
下含有しているもの、 ハ）同じく電荷保持層が非晶質ＡＳノＳｅ３を主体とし
た層であるもの、 二）同じく電荷保持層は非晶質Ａｓ ２３ｅ ３および
ぞの化学問論的組成に近い非晶質５Ｏ−ＡＳ系組成物が
少くとも９９ａｔｍ％以上であり、その膜）９が１・〜
５μｍｎぐあるもの、 を包含りる［１〕プリンタ一用感光体である。
Ｓｏ ３を主体とした電荷移動層、その−にに非晶質
のＳ ｅ ＋ −Ｘ−！／Ａ ５ｘ−ｌ’ ＩＶなる組
成でＸが０．３０〜０．４５（３０〜４５ａＬＩＩ１％
）、ｙが０．０２ （２ａＬｍ％）以上である増感層を
有し、更にその上に非晶質セレン（３８）を少くとし９
ｏａｔｍ％以上含む電荷保持層を順形成しＩにとを特徴
とづるＬＤプリンター用感光体であり、その実施の態様
におい（、 イ）電荷保持層が砒素を１ｏａｔｍ％以下含有している
もの、 口）同じく電荷保持層がゲルマニウムを１ｏａｔｍ％以
下含有しているもの、 ハ）同じく電荷保持層が非晶質ＡＳノＳｅ３を主体とし
た層であるもの、 二）同じく電荷保持層は非晶質Ａｓ ２３ｅ ３および
ぞの化学問論的組成に近い非晶質５Ｏ−ＡＳ系組成物が
少くとも９９ａｔｍ％以上であり、その膜）９が１・〜
５μｍｎぐあるもの、 を包含りる［１〕プリンタ一用感光体である。
上記構成について説明すると
上記増感層はＳ Ｏｌ −Ｘ−ＶＡ ５ｘ−１−１１／
テ表ＩＬル物質で Ｘ ＝ （１，３（１〜０．４！＋ （３０〜４５ａｔ
ｍ％）ｙ−少くとも０．０２ （２ａｔｍ％）以上であ
る。
テ表ＩＬル物質で Ｘ ＝ （１，３（１〜０．４！＋ （３０〜４５ａｔ
ｍ％）ｙ−少くとも０．０２ （２ａｔｍ％）以上であ
る。
この増感層の組成（ま非晶７１Δｓ ３ｅ ３を基礎に
したものである。したがって、Ａ３０．３０〜０゜４５
（３０〜４５ ａｔｍ％）ならばＡＳ ２３ｅ Ｊど同
様の効果が期待できる。
したものである。したがって、Ａ３０．３０〜０゜４５
（３０〜４５ ａｔｍ％）ならばＡＳ ２３ｅ Ｊど同
様の効果が期待できる。
タリク１１（−１１）の添加爪は０．０２ （２ａｔ＋
ｎ％）以上あればＬＤプリンター用感光体とし−（必要
な増感効果があるが、この増感層の厚さは１ｚｉに限定
はない。
ｎ％）以上あればＬＤプリンター用感光体とし−（必要
な増感効果があるが、この増感層の厚さは１ｚｉに限定
はない。
電荷移動層は、砒素（ＡＳ）を３０〜４５ａｔｍ％含む
非晶質のセレンであって、その組成は非晶質のＡＳｚＳ
Ｏ３を基礎どしｌこものであり、その層の厚さに限定は
ない。
非晶質のセレンであって、その組成は非晶質のＡＳｚＳ
Ｏ３を基礎どしｌこものであり、その層の厚さに限定は
ない。
特晶′１品求の範囲（１）乃至（３）に記載の弁明にお
ｔノる電荷体Ｆｊ層は非晶質のヒレン９０ａｔｌｌ１％
以上を含有Ｊる祠料で構成され、電荷保持層としての性
質は非晶質のセレンと同様の効果が期待できる。耐結晶
化改良のための砒素、ゲルマニウム等あるいはキＶすｊ
７輸送効率向上のための種々の飼料を含有していてもよ
い。
ｔノる電荷体Ｆｊ層は非晶質のヒレン９０ａｔｌｌ１％
以上を含有Ｊる祠料で構成され、電荷保持層としての性
質は非晶質のセレンと同様の効果が期待できる。耐結晶
化改良のための砒素、ゲルマニウム等あるいはキＶすｊ
７輸送効率向上のための種々の飼料を含有していてもよ
い。
この層の厚さは、電荷保持１次能の組積のために下限値
があり、またキャリ）７（この場合は電子）飛程距離か
ら上限値が法定されるが、電荷保持層の組成によって最
適値が異なる。
があり、またキャリ）７（この場合は電子）飛程距離か
ら上限値が法定されるが、電荷保持層の組成によって最
適値が異なる。
特許請求の範囲１４．）および（５）に記載の電イーワ
保持層は、砒素を３０〜４５ａｔｍ％含む非晶質３ｅ層
であって、基本的には非晶質のＡＳ？−３ｅ３の有する
性質を期待しているものであるから、砒素を３０〜４５
ｉ１ｔｍ％ζ（イＪしていることが必要である。また斗
：１？リツツ〈待に電子）の輸送特性を改良りるために
ドーピングをしてもよい。この電荷保持層の適正な膜厚
はドーピング効果により異なるがドーピングをしない場
合（非晶質のＡｓ ２３ｅ・３の場合）は１〜３μ程瓜
がよい。
保持層は、砒素を３０〜４５ａｔｍ％含む非晶質３ｅ層
であって、基本的には非晶質のＡＳ？−３ｅ３の有する
性質を期待しているものであるから、砒素を３０〜４５
ｉ１ｔｍ％ζ（イＪしていることが必要である。また斗
：１？リツツ〈待に電子）の輸送特性を改良りるために
ドーピングをしてもよい。この電荷保持層の適正な膜厚
はドーピング効果により異なるがドーピングをしない場
合（非晶質のＡｓ ２３ｅ・３の場合）は１〜３μ程瓜
がよい。
基板は、一般に知られている導電性基板であれば伺で−
ｂ用いることができる。
ｂ用いることができる。
この発明の感光体のうち電荷保持層が主として非晶質レ
レンである感光体（以下感光体１とりる）の製造法およ
びその性質を、組成が（△Ｓ ７Ｓｅ ：１ ） ＋
−ｚ−ｒｌｚと表わｉ！ ル増感層をもつ感光体を例と
して具体的に示すと、イ）感光体の魚名方法 アルミニウムを基板４として第１図に示すように電荷移
動層３としてＡＳ２Ｓｅ３を厚さ５０μ、増感層２とし
て（Ａ’ｓ ２ Ｓｅ ３ ）＋ −ｚ’ｌ−ｌｚを厚
さ ５μ、電荷保持層 １として３ｅを厚さ！Ｊμにな
るように真空蒸着した。
レンである感光体（以下感光体１とりる）の製造法およ
びその性質を、組成が（△Ｓ ７Ｓｅ ：１ ） ＋
−ｚ−ｒｌｚと表わｉ！ ル増感層をもつ感光体を例と
して具体的に示すと、イ）感光体の魚名方法 アルミニウムを基板４として第１図に示すように電荷移
動層３としてＡＳ２Ｓｅ３を厚さ５０μ、増感層２とし
て（Ａ’ｓ ２ Ｓｅ ３ ）＋ −ｚ’ｌ−ｌｚを厚
さ ５μ、電荷保持層 １として３ｅを厚さ！Ｊμにな
るように真空蒸着した。
＆７＋ ４の条イζ１目、下記のとおりであった。
ボー１−・・・抵抗加熱式ステンレス製ボート、真空度
・・・１ （１−５〜１０−６１− ｏｒｒ 。
・・・１ （１−５〜１０−６１− ｏｒｒ 。
口）増感層の組成範囲の検問
電イ句移動層と電荷保持層の組成【よ変えないで、増感
層の組成を変えて感光体の性質を調べ Ｉこ 。
層の組成を変えて感光体の性質を調べ Ｉこ 。
組成範囲は（△Ｓ２３；Ｑ ３） １−１−１− ｌｚ
［ｚの範囲は（１〜０．１５ （０〜１ｓａｔｌ１１
％）］この結宋は下記のとおりＴ：あつ／＝ 。
［ｚの範囲は（１〜０．１５ （０〜１ｓａｔｌ１１
％）］この結宋は下記のとおりＴ：あつ／＝ 。
ａ２ 分光感度
コロナ帯電、光減衰による表面電位の変化から分光感度
を調べた結果は第２図および第３図に承りどおりである
（光減５１は！ｌ （１＋ｌ Ｖ→１００ｖ）。
を調べた結果は第２図および第３図に承りどおりである
（光減５１は！ｌ （１＋ｌ Ｖ→１００ｖ）。
第２図は実際の分光感度で線ｉ）は（
△Ｓ ２ Ｓ ａ ：＋ ）ｏ、ｑ ｌ−ｌｏ、＋の場
合、線６は△Ｓ ２３ｅ ：ｌの場合を承り。
合、線６は△Ｓ ２３ｅ ：ｌの場合を承り。
第３図は（Ａｓ ２３ｅ ３） ＋ −７，−ｒ １ｚ
（７）Ｚ ト光の波長８００ｎｍにお（）る感度の関係
を小したグラフである。ｌの増加により長波長光感度が
向上り゛る傾向が認められる。
（７）Ｚ ト光の波長８００ｎｍにお（）る感度の関係
を小したグラフである。ｌの増加により長波長光感度が
向上り゛る傾向が認められる。
一方ＬＤプリンター用感光体としての必要感度は下記の
とおりである。
とおりである。
上記条件から感光体の１点が１ｄａｔ当り受（プる光ｍ
は最低２００μＪ／ｃｍ２である。
は最低２００μＪ／ｃｍ２である。
したがって、Ｌ Ｄブリンク−用窓光体とし−Ｃは波＋
ｕ８００＋＋ｍにおりる分光感度は４Ｖｃｍ２／μＪ以
上で十分である。
ｕ８００＋＋ｍにおりる分光感度は４Ｖｃｍ２／μＪ以
上で十分である。
したがっ（Ｚは少くとも０．０２ （２ａｔｍ％）以上
必要である。
必要である。
？ｉ） 光感磨は全般に（Ａｓ ７ Ｓｃ ］ ） ］
１−ｚｌ−ｌｚ単の場合より劣る。これは、はとんど電
荷保持層（Ｓｅ ）の影響であるが、少くとも波長８０
０ｎｍ近傍での電荷像Ｂｊ層の光吸収ははと／υど問題
とならない。
１−ｚｌ−ｌｚ単の場合より劣る。これは、はとんど電
荷保持層（Ｓｅ ）の影響であるが、少くとも波長８０
０ｎｍ近傍での電荷像Ｂｊ層の光吸収ははと／υど問題
とならない。
ｂ、帯電電位
長波長光の増感効果に伴ない、帯電能力が低下するのは
、バンドギトツブＥ（Ｉの低下より避ｔ）ることはぐき
ない。
、バンドギトツブＥ（Ｉの低下より避ｔ）ることはぐき
ない。
第４図は２と帯電能力の関係を示したグラフである。帯
電能ノＪは一定のコＵノーブヤージ出力下にお【ノる帯
電電位Ｖｄで評価した。ただし６０μの非晶質ＡＳ ２
３ｃ ］単層の場合を１．０として表わしている。
電能ノＪは一定のコＵノーブヤージ出力下にお【ノる帯
電電位Ｖｄで評価した。ただし６０μの非晶質ＡＳ ２
３ｃ ］単層の場合を１．０として表わしている。
線７は、電伺移動層、増感層、電荷保持層からなるこの
出願の発明の三層形の感光体の帯電電位と（Ａｓ ２
Ｓｅ ：ｌ ） １−Ｚ１’ｌＺの７の関係を示し、線
８は（八Ｓ ７Ｓｅ Ｊ）＋−ｚ−１１ｚ単層とｌの関
係を示している。この傾向は、増感層と電荷保持層り日
うなる積層形の感光体でも同じである。
出願の発明の三層形の感光体の帯電電位と（Ａｓ ２
Ｓｅ ：ｌ ） １−Ｚ１’ｌＺの７の関係を示し、線
８は（八Ｓ ７Ｓｅ Ｊ）＋−ｚ−１１ｚ単層とｌの関
係を示している。この傾向は、増感層と電荷保持層り日
うなる積層形の感光体でも同じである。
この結果からみると、この発明の場合線７はＦｌ１８の
場合よりＶｄの絶対１１らが大きくなり、またｌの増加
に伴なうＶ（Ｉの低小傾向も緩和することができる。
場合よりＶｄの絶対１１らが大きくなり、またｌの増加
に伴なうＶ（Ｉの低小傾向も緩和することができる。
したがって、この発明によれば帯電能力の低下を防」１
しつつ、長波長増感を達成づることができることがわか
る。
しつつ、長波長増感を達成づることができることがわか
る。
Ｃ，（り返し特性
電荷保持層＜Ｓａ ＞の形成により非晶質系材料特有の
光疲労現象（帯電能力の低下、光感度の向上）のうち帯
電能力の低下を防ぐことができる。
光疲労現象（帯電能力の低下、光感度の向上）のうち帯
電能力の低下を防ぐことができる。
したがって、画像のＩＩＱ部、明部の静電コン］−ラス
１へがくり返しにＪ：り低下する欠点が改良される。
１へがくり返しにＪ：り低下する欠点が改良される。
つぎにこの発明の感光体のうち電荷保持層が非晶質のＡ
ｓ２Ｓｅ：Ｉである感光体（以下感光体１１どりる）の
製造法およびその性質を具体的に説明１−ると、 イ）感光体の蒸着方法 アルミニウムを基板４として第５図に示すＪ：うに電荷
移動層３どしてＡｓ ２３ｅ ３を厚す５０μ、増感層
２として（Ａｓ ２３ｃ ３ ） １−ｚＴ ｌｚ ５
μ、電荷保持層９としてＡＳ２−３ｅ３３μになるよう
に真空蒸盾した。蒸着の条件は、電荷保持層を除いて感
光体■と同じ条件であった。電荷保持層の蒸着条件はボ
ー１〜温度４００℃、基根渇亀 １８０°Ｃであった。
ｓ２Ｓｅ：Ｉである感光体（以下感光体１１どりる）の
製造法およびその性質を具体的に説明１−ると、 イ）感光体の蒸着方法 アルミニウムを基板４として第５図に示すＪ：うに電荷
移動層３どしてＡｓ ２３ｅ ３を厚す５０μ、増感層
２として（Ａｓ ２３ｃ ３ ） １−ｚＴ ｌｚ ５
μ、電荷保持層９としてＡＳ２−３ｅ３３μになるよう
に真空蒸盾した。蒸着の条件は、電荷保持層を除いて感
光体■と同じ条件であった。電荷保持層の蒸着条件はボ
ー１〜温度４００℃、基根渇亀 １８０°Ｃであった。
口）増感層の組成範囲の検問
感光（Ａ ｉの場合と同様、電前移動層と電荷保持層の
組成は変えないで、増感層の組成を変えて感光体の性質
を調べた１゜ 組成範囲は（ＡＳ ２３ｅ ３ ） １−ｚ’１−ｌｚ
［ｚの範囲はＯ〜０．１５ （０−１５ａ１．Ｉｌ１％
）コこの結果は下記のとおりであった。
組成は変えないで、増感層の組成を変えて感光体の性質
を調べた１゜ 組成範囲は（ＡＳ ２３ｅ ３ ） １−ｚ’１−ｌｚ
［ｚの範囲はＯ〜０．１５ （０−１５ａ１．Ｉｌ１％
）コこの結果は下記のとおりであった。
ａ１分光感度
感光体■と同じ条件で分光感度を調べた。
その結果は第６図Ｊブよび第７１図に示し！ことおりで
あった。
あった。
第６図のＦ＋１１０は、感光体１と同じく増感層が（Ａ
ｓ ２８＋３ ：ｌ ）ｏ、ｑＴｌｏｌの場合の感光体
■の分光感度であり、線１１は増感層がＡＳ２−３Ｏ３
であるときの感光体Ｉ［の分光感度である。
ｓ ２８＋３ ：ｌ ）ｏ、ｑＴｌｏｌの場合の感光体
■の分光感度であり、線１１は増感層がＡＳ２−３Ｏ３
であるときの感光体Ｉ［の分光感度である。
第７図は増＠層（△５２ＳＱ：＋）＋−Ｚ−ロｌのＺと
光の波長旧１０ｎｍにおける感度の関係を示したグラフ
である。
光の波長旧１０ｎｍにおける感度の関係を示したグラフ
である。
この結果は感光体■の場合と同様の傾向である。
ｂ、帯電電位
第８図は帯電電位と増感層（Ａｓ ７３ｅ ３ ）１−
Ｚｌ−１２のｌと感光体■の帯電電位曲線の関係を示し
たものであって、線１２は感光体■の場合と同じく三層
形の感光体の帯電電位とその増感層である（Ａｓ ２
Ｓｅ ３ ） Ｉ −Ｚｌ−ＩＺニＪＨプるｌとの関係
を示し、線１３は、（Ａｓ ２Ｓｃ ：ｌ ） ｌ −
Ｚ−１−ＩＺ単層の（１）電電位とＺの関係を示してい
る。この傾向は、増感層および電荷保持層からなる積層
形の場合でも同じである。
Ｚｌ−１２のｌと感光体■の帯電電位曲線の関係を示し
たものであって、線１２は感光体■の場合と同じく三層
形の感光体の帯電電位とその増感層である（Ａｓ ２
Ｓｅ ３ ） Ｉ −Ｚｌ−ＩＺニＪＨプるｌとの関係
を示し、線１３は、（Ａｓ ２Ｓｃ ：ｌ ） ｌ −
Ｚ−１−ＩＺ単層の（１）電電位とＺの関係を示してい
る。この傾向は、増感層および電荷保持層からなる積層
形の場合でも同じである。
その結果は感光体Ｔの場合ど同じ傾向を示している。
Ｃ，（り返し特性
電気特性のくり返し特性は、Ａｓ ２３ｅ ：１単層の
場合と大きな差が認められなかった。
場合と大きな差が認められなかった。
従って、増感層を中間に設【プｌ〔ことにより、特にく
り返し特性が劣化することがないどいえる。
り返し特性が劣化することがないどいえる。
ｄ、 熱特性
第９図は示差熱分析により（ＡＳ ２ Ｓｅ ３ ）１
−ＺＴＩＺのガラス転移点１−ｇ、結晶化）届度Ｔｃ、
融点１−ｍを測定し１ｃ帖果を示したものである。２が
増加するとＴＯ，７−ｍ 、Ｔ（Ｉ共に若干低下する傾
向がみられるが０〜０．１０の範囲ではその低下の程度
は約−５０℃である。
−ＺＴＩＺのガラス転移点１−ｇ、結晶化）届度Ｔｃ、
融点１−ｍを測定し１ｃ帖果を示したものである。２が
増加するとＴＯ，７−ｍ 、Ｔ（Ｉ共に若干低下する傾
向がみられるが０〜０．１０の範囲ではその低下の程度
は約−５０℃である。
これからみると、この発明の感光体はカルコゲン系材料
の中では耐結晶化１＜ｉ性が優れでいるＡＳ ２３ｅ
３の特性がそのまま維持されている。
の中では耐結晶化１＜ｉ性が優れでいるＡＳ ２３ｅ
３の特性がそのまま維持されている。
効 果
以上説明したように、この発明の効果を要約すると以下
のようなものである。
のようなものである。
（１） この発明の感光体は非晶質のＡｓ ２３ｅ ：
１に比較して波長７８０〜８２０ｎｍ領域にａ＞りる分
光感度が増感されその結果ＬＤプリンターに使用りるこ
とが可能になる。
１に比較して波長７８０〜８２０ｎｍ領域にａ＞りる分
光感度が増感されその結果ＬＤプリンターに使用りるこ
とが可能になる。
（２） 長波長増感に伴ない、ｔｔＡ料特性として必然
的に派生りる帯電能力の低下を積層覆ることにＪこり改
良できる。
的に派生りる帯電能力の低下を積層覆ることにＪこり改
良できる。
（３］ 積層りることにＪ：り電気特性のくり返しｑｈ
性が改善できる。
性が改善できる。
Ｕ） 電荷保持層に非晶質セレンを用いた感光体の場合
には、電荷保持層に砒素あるいはゲルマニウムを添加Ｊ
ることにより耐結晶化が改善できる。
には、電荷保持層に砒素あるいはゲルマニウムを添加Ｊ
ることにより耐結晶化が改善できる。
（５１電荷保持層に非晶質△Ｓ ２３ｃ ３を主体とし
！（層を用いた感光体では耐結晶化もよく、）四１哀も
高いので寿命し長い。
！（層を用いた感光体では耐結晶化もよく、）四１哀も
高いので寿命し長い。
第１図はこの出願の発明の感光体の構造の一見体例（感
光体重）を示す模式図、 第２図は第１図に示した感光体■の実際の分光感度を示
ずグラフ、 第３図は第１図に示した感光体■の波長８００＋ｖにお
りる感度と増感層中のＴ１のモル比（Ｚ）の関係を示Ｊ
グラノ、 第４図は上記感光体１の帯電能力と増感層中のタリウム
のモル比（２）との関係を示リグラフ、 第５図はこの出願の発明の感光体の他の具体例（感光体
■）の構造を示−リ°模式図、第６図は第５図に示した
感光体Ｊ１の実際の分光感度を示すグラフ、 第７図は第５図に示した感光体Ｈの波長８００ｎｕ＋に
おける感度ど増感層中のＴ１のモル比（２）との関係を
示Ｊグラフ、 第８図は第５図に示した感光体■の帯電能力と増感層中
のタリウムのモル比（２）どの関係を示タグラノ、 第９図は上記感光体１１の増感層の月ｆ！ｌのガラス転
移点、結晶化温度および融点とクリ・クムのモル比（２
）との関係を示リグラフをそれぞれ示づ゛。 １・・・非晶質レレンを主とした電荷保持層２− （Ａ
ｓ ２ Ｓｅ ３ ） ｌ −ＺＴ ＩＺからなる増感
層 ３・・・ＡＳｚＳｌ：＋からなる電イ４移動層４・・・
アルミニウム基板 ５Ｊ３Ｊ、び６・・・分光感度曲線 ７および８・・・帯電電位曲線 ９・・・非晶質ＡＳ ２ Ｓ（！ ３からなる電信保持
層 １０おＪ：び１１・・・分光＠１良曲線１２および１３
・・・帯電電位曲線 特許出願人 株式会社り ］ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 ε４− 下 ｔ≧１ 才３図 才２図 才４ 図 ０ ０．０５ ＱＩＯＯ，１５Ｑ２０ 才 ５ 百 ス・６ 図 波長Ｃｎｍ ） 才８図 −「１ ２・７図 才 ９１′４
光体重）を示す模式図、 第２図は第１図に示した感光体■の実際の分光感度を示
ずグラフ、 第３図は第１図に示した感光体■の波長８００＋ｖにお
りる感度と増感層中のＴ１のモル比（Ｚ）の関係を示Ｊ
グラノ、 第４図は上記感光体１の帯電能力と増感層中のタリウム
のモル比（２）との関係を示リグラフ、 第５図はこの出願の発明の感光体の他の具体例（感光体
■）の構造を示−リ°模式図、第６図は第５図に示した
感光体Ｊ１の実際の分光感度を示すグラフ、 第７図は第５図に示した感光体Ｈの波長８００ｎｕ＋に
おける感度ど増感層中のＴ１のモル比（２）との関係を
示Ｊグラフ、 第８図は第５図に示した感光体■の帯電能力と増感層中
のタリウムのモル比（２）どの関係を示タグラノ、 第９図は上記感光体１１の増感層の月ｆ！ｌのガラス転
移点、結晶化温度および融点とクリ・クムのモル比（２
）との関係を示リグラフをそれぞれ示づ゛。 １・・・非晶質レレンを主とした電荷保持層２− （Ａ
ｓ ２ Ｓｅ ３ ） ｌ −ＺＴ ＩＺからなる増感
層 ３・・・ＡＳｚＳｌ：＋からなる電イ４移動層４・・・
アルミニウム基板 ５Ｊ３Ｊ、び６・・・分光感度曲線 ７および８・・・帯電電位曲線 ９・・・非晶質ＡＳ ２ Ｓ（！ ３からなる電信保持
層 １０おＪ：び１１・・・分光＠１良曲線１２および１３
・・・帯電電位曲線 特許出願人 株式会社り ］ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 ε４− 下 ｔ≧１ 才３図 才２図 才４ 図 ０ ０．０５ ＱＩＯＯ，１５Ｑ２０ 才 ５ 百 ス・６ 図 波長Ｃｎｍ ） 才８図 −「１ ２・７図 才 ９１′４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌｌ ｍ ？ｔｆ １７１：基板上に非晶質ＡＳ２３
ｅ ３を主体とした電荷移動層、その上に非晶質の Ｓ Ｏ＋ −Ｘ−ＶＡ ｓｘ’ｉ−ＩＶなる組成でＸが
０．３０〜０．４５ （３０〜４５ａＬｍ％）、ｙが０
．０２ （２ａｔ１％）以、Ｌである増感層を付し、更
にその上に非晶質セレンを少くとも９０ａｔＩＩ１％以
上含む電荷保持層を順次形成したことを特徴と１−るし
Ｄプリンター用感光体。 （２）電他保持層が砒素をｉｏａｔｍ％以下含有してい
る上記特許請求の範囲（１）記載のＬＤプリンター用感
光体。 （３） 雷同保持層がゲルマニウムを１ｏａ ｔｍ％以
下酋イｊしている上記特許請求の範囲（１）記載のＬＤ
プリンター用感光体。 （４１電ｖＪ保持層が非晶質ＡＳ ２ Ｓ８３を主体と
した層である上記特許請求の範囲（１）記載のＬ１〕プ
リンター用感光体。 （５） 上記電荷保持層は、非晶質Ａｓ ２３ｅ ３お
よびその化学量論的組成に近い非晶質３ｅ −ＡＳ系組
成物が少くとも９９ａｔｍ％以上であり、その膜厚が１
〜５μ川である上記特許請求の範囲［４，］記載のＬＤ
プリンター用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17299983A JPS6066253A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | Ｌｄプリンタ−用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17299983A JPS6066253A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | Ｌｄプリンタ−用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066253A true JPS6066253A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15952305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17299983A Pending JPS6066253A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | Ｌｄプリンタ−用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307462A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17299983A patent/JPS6066253A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307462A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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