JPS6063786A - センスアンプ - Google Patents

センスアンプ

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JPS6063786A
JPS6063786A JP58171683A JP17168383A JPS6063786A JP S6063786 A JPS6063786 A JP S6063786A JP 58171683 A JP58171683 A JP 58171683A JP 17168383 A JP17168383 A JP 17168383A JP S6063786 A JPS6063786 A JP S6063786A
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JP
Japan
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sense amplifier
input
transistors
inputs
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JP58171683A
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JPH0325875B2 (ja
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Atsuo Koshizuka
淳生 越塚
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to US06/648,507 priority patent/US4634900A/en
Priority to DE8484401825T priority patent/DE3484669D1/de
Priority to KR1019840005607A priority patent/KR890002960B1/ko
Priority to EP84401825A priority patent/EP0136229B1/en
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • H03K5/2472—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using field effect transistors
    • H03K5/2481—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using field effect transistors with at least one differential stage
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/062—Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、入力を選択する機能を有するスタティック半
導体メモリ用センスアンプに関する。
従来技術と問題点 スタティックＲＡＭでは読出し時にデータバス対に生ず
る０、５Ｖ程度の微小電位差をセンスアンプで増幅する
。このセンスアンプが１チップ当り１箇設けられ、しか
もメモリが第１図に示すように複数の区分Ｍ１．Ｍ２．
・・・・・・に分割されている場合には、各メモリ区分
Ｍｌ、Ｍ２．・・・・・・からのデータバス対ＤＢ、Ｄ
ＢＢ　（ＤＢＢはＤＢの反転）をトランスファーゲート
ＴＧで選択可能にまとめて共通のセンスアンプＳＡに導
入する必要が生ずる。１つのメモリ区分Ｍｉは複数のメ
モリセルをマトリクス状に配列したもので、高速化、低
消費電力化を目的とすれば区分数は増加する。
この他に各データバス対ＤＢ、ＤＢＢ毎にセンスアンプ
ＳＡを設け、それらセンスアンプの出力側で選択論理を
組む方法もあるが、いずれにしても選択されたメモリセ
ルＣＥＬＬの負荷は第２図に示すようにビット線対ＢＬ
、ＢＬＢ　（ＢＬＢはＢＬの反転）と、コラムトランス
ファーゲー１−　ＣＴＧ及び前記トランスフアゲ−１−
ＴＧを通してデータバス対ＤＢ、ＤＢＢとの和になるの
で、セルＣＥＬＬの駆動能力（ｇｍ）が小さいとセンス
アンプ入力を定常レベルにするのに時間がかかる欠点が
ある。特にトランスファゲートは選択状態でも完全には
オンにならず、若干の抵抗を持つのでＲＣ時定数を生し
、信号伝播遅延を生じる。なおＷＬはワード線で、フリ
ップフロップからなるメモリセルＣＥＬＬはその入出力
端がトランスファゲートトランジスタＱａ、Ｑｂ　（こ
れらはフリップフロップの負荷トランジスタでもある）
を介してビット線ＢＬ、ＢＬＢへ、また該トランジスタ
Ｑａ、Ｑｂのゲートがワード線に接続される。
発明の目的 本発明は、センスアンプ自体に複数の入力を選択する機
能を持たせて上記の欠点を解決しようとするものである
。
発明の構成 本発明のスタティック半導体メモリ用センスアンプは、
差動アンプの一対の相補的入力端にそれぞれ、アドレス
入力とデータ入力とで論理をとる回路蝮数個を並列に接
続し、複数のデータ入力のいずれか１つをアドレス入力
で選択して対応する出力を生ずるようにしてなることを
特徴とするが、以下図示の実施例を参照しながらこれを
詳細に説明する。
発明の実施例 第３図は本発明の一実施例を示す回路図で、Ｃ−ＭＯＳ
センスアンプＳＡを例としたものである。
センスアンプＳＡ本来の＋ｍ成は、一対の＋ｒｌ　？ｄ
ｉ的入力端ＩＮ、ＩＮ、負荷となるＰチャネルＭＯ５ト
ランジスタＱｌ、Ｑ２、ドライバとなるＮチャネルＭＯ
Ｓ）ランジスタＱ５．Ｑ６、定電流源となるＮチャネル
ＭＯ３Ｉ−ランジスタＱ３、それに出力端ＯＵＴである
が、本回路では入力６１ｉ１１　ＮにＮチャネルの直列
ＭＯＳトランジスタＱ、、Ｑ５□をＸ組、同様に入力端
ＩＮにもＮチャネルの直列ＭＯ３）ランジスタＱ６□、
Ｑ６□をＸ組、それぞれが並列になるように接続する。
トランジスタＱ５１とＱ６□はアドレスデコーダの出力
Ａｔ−ＡＸで制御され、またトランジスタＱ５□とＱ６
２は入力Ｓ＋〜Ｓｘとその反転８１〜Ｓｘで制御される
。
第３図から明らかなようにトランジスタＱ５１゜Ｑ５□
はＡｉ、Ｓｉ　（ｉ＝１−ｘ）を２人力とするアンドゲ
ートを構成し、またトランジスタＱ６１゜Ｑ６２はＡｉ
、Ｓｉを２人力とするアンドゲートを構成する。従って
、アドレスデコーダ出力Ａｊ〜Ａｘを全てＬ（ロー）レ
ベルにしておけばトランジスタＱ６１　’　Ｑ６１が全
てオフでスタンバイ状態になるが、入力Ｓｉ、Ｓｔに対
応するアドレスＡｉをＨ（ハイ）レベルにすると入力端
ＩＮ、ＩＮはＩＮ＝Ｓ　ｉ、Ｉ　Ｎ＝Ｓ　ｉの関係にな
り、それに応じた出力ＯＵＴが得られる。
入力Ｓｉ、Ｓｉは前述のＤＢ、ＤＢＢまたはＢＬ、ＢＬ
Ｂであり、特に後者を入力とすればトランジスタＱ５□
、Ｑ６□がコラムトランスファーゲートＣＴＧに相当す
るコラムセンスアンプとなり、データバスを駆動しない
分だけセルの負担を軽減できる。この場合複数のコラム
センスアンプの出力を１つにまとめるには更に同様構成
のセンスアンプを１段用いればよい。尚、実施例では（
、−ＭＯＳについて説明したが、Ｎ−ＭＯＳについても
同様に適用できる。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、センスアンプ自体に
入力の選択機能を持たせたので、ビット線を入力とする
コラムセンスアンプとすればセルの負担が軽くなり、ま
たデータバスを入力とするセンスアンプにすればトラン
スフアゲ−１−Ｔ　Ｏを省略できるので読取り速度を速
めることができる。
またビット線段階とデータバス段階で２層構造に使用す
ると、配線もすっきりした、応答の速い読出し系を構成
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はスタテイ・７りＲＡＭの１既略説
明図、第３図は本発明の一実施例を示す説明図である。 図中、ＣＢＬＬはメモリセル、ＢＬ、ＢＬＢはビット線
、ＤＢ、ＤＢＢはデータバス、ＳＡはセンスアンプ、Ｑ
１〜Ｑ３はアンプ本体、Ｑｌ、、Ｑ６゜ばアドレスで制
御されるトランジスタ、Ｑ５２　”４２はデータで制御
されるトランジスタである。 出願人　富士通株式会社 代理人弁理士　青　柳　稔 第１図 第２図 第３図 餅

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 差動アンプの一対の相補的入力端にそれぞれ、アドレス
    入力とデータ入力とで論理をとる回路複数個を並列に接
    続し、複数のデータ入力のいずれか１つをアドレス入力
    で選択して対応する出力を生ずるようにしてなることを
    特徴とするスタティック半導体メモリのセンスアンプ。
JP58171683A 1983-09-07 1983-09-17 センスアンプ Granted JPS6063786A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58171683A JPS6063786A (ja) 1983-09-17 1983-09-17 センスアンプ
US06/648,507 US4634900A (en) 1983-09-17 1984-09-10 Sense amplifier
DE8484401825T DE3484669D1 (de) 1983-09-17 1984-09-14 Leseverstaerker.
KR1019840005607A KR890002960B1 (ko) 1983-09-07 1984-09-14 센스 증폭기
EP84401825A EP0136229B1 (en) 1983-09-17 1984-09-14 Sense amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58171683A JPS6063786A (ja) 1983-09-17 1983-09-17 センスアンプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6063786A true JPS6063786A (ja) 1985-04-12
JPH0325875B2 JPH0325875B2 (ja) 1991-04-09

Family

ID=15927757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58171683A Granted JPS6063786A (ja) 1983-09-07 1983-09-17 センスアンプ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4634900A (ja)
EP (1) EP0136229B1 (ja)
JP (1) JPS6063786A (ja)
KR (1) KR890002960B1 (ja)
DE (1) DE3484669D1 (ja)

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JPH0325875B2 (ja) 1991-04-09
EP0136229B1 (en) 1991-06-05
EP0136229A2 (en) 1985-04-03
DE3484669D1 (de) 1991-07-11
US4634900A (en) 1987-01-06
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