JPS6064456A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS6064456A JPS6064456A JP58173912A JP17391283A JPS6064456A JP S6064456 A JPS6064456 A JP S6064456A JP 58173912 A JP58173912 A JP 58173912A JP 17391283 A JP17391283 A JP 17391283A JP S6064456 A JPS6064456 A JP S6064456A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、樹脂月止型゛１′＝導体装置用リードフレー
ムに関し、特に封止信頼性の向」−を目的とした、樹脂
封止部の表面に酸化アルミニウム（以下、酸化アルミと
称す）薄層部をイ］するリードフレーｔ、の製造方法に
関するものである。
ムに関し、特に封止信頼性の向」−を目的とした、樹脂
封止部の表面に酸化アルミニウム（以下、酸化アルミと
称す）薄層部をイ］するリードフレーｔ、の製造方法に
関するものである。
（背景技術）
本発明の対象となる樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームの基本的な構造の例は第１図および第２図に示す通
りである。第１図はリードフレームを半導体装置に組入
れた場合の状態を示す断面図、第２図は】偕のリードフ
レームの上面図である。図において、Ｉはリードフレー
ムで、中央に半導体素子１０を接合するグイバット部２
、外側にインナーリード部３（含樹脂封止部４）および
アウターリード部５をイＪする。リードフレー１・１の
ｉＪＪ拐６は帽、Ｎｉ −）’ｅ金合金コバー）Ｖ等よ
り成り、各部の表面には次のような被覆層が被覆されて
いる。
ームの基本的な構造の例は第１図および第２図に示す通
りである。第１図はリードフレームを半導体装置に組入
れた場合の状態を示す断面図、第２図は】偕のリードフ
レームの上面図である。図において、Ｉはリードフレー
ムで、中央に半導体素子１０を接合するグイバット部２
、外側にインナーリード部３（含樹脂封止部４）および
アウターリード部５をイＪする。リードフレー１・１の
ｉＪＪ拐６は帽、Ｎｉ −）’ｅ金合金コバー）Ｖ等よ
り成り、各部の表面には次のような被覆層が被覆されて
いる。
即ち、ダイパッド部２には半導体チップボンド用のため
貴金属又はＡｌ１層７が、インナーリード部３の先端に
はワイヤボンド用のためＡｌ又は貴金属層８が、樹脂封
Ｗ部４には封止用樹脂のぬれ性の向上を目的とした酸化
アルミ層９がそれぞれ被覆されてい不−。
貴金属又はＡｌ１層７が、インナーリード部３の先端に
はワイヤボンド用のためＡｌ又は貴金属層８が、樹脂封
Ｗ部４には封止用樹脂のぬれ性の向上を目的とした酸化
アルミ層９がそれぞれ被覆されてい不−。
リードフレーム１のダイパッド部２には半導体素子ＩＯ
が接合され、素子ＩＯの電極とインナーリード部８の先
端の間はポンチ′インクワイヤ１１で接続され、これら
全体が封止用樹脂１２に埋めこまれている。この際樹脂
封止部４の酸化アルミ層９により半導体装置内の機密性
が著しく向上する。
が接合され、素子ＩＯの電極とインナーリード部８の先
端の間はポンチ′インクワイヤ１１で接続され、これら
全体が封止用樹脂１２に埋めこまれている。この際樹脂
封止部４の酸化アルミ層９により半導体装置内の機密性
が著しく向上する。
なお、第１図、第２図はリードフレームの被覆槽、造の
一例を示したものであり、例えばリードフレームとして
ダイパッド部の被覆層不安のものは被覆しなくても良く
、又ダイパッド部自体不安のものも勿論差シえない３．
又樹脂用１１部の酸化アルミ層については片面被覆のみ
のものでも良く、表、裏面全域に戸って被覆されても良
い８ このようなリードフレームのり嗅Ｊ告カリζノニしては
、大きく分けて連続式とバッチ式がある。又は被覆層形
成方法としては、部分蒸着力θζ、スクリーン印刷法又
は開口部を有する弾性体シートを用いたエツチング部分
化方法、Ａ１表面酸化方法のうち１種又は２種以上の組
合わせを用いる必要がある。
一例を示したものであり、例えばリードフレームとして
ダイパッド部の被覆層不安のものは被覆しなくても良く
、又ダイパッド部自体不安のものも勿論差シえない３．
又樹脂用１１部の酸化アルミ層については片面被覆のみ
のものでも良く、表、裏面全域に戸って被覆されても良
い８ このようなリードフレームのり嗅Ｊ告カリζノニしては
、大きく分けて連続式とバッチ式がある。又は被覆層形
成方法としては、部分蒸着力θζ、スクリーン印刷法又
は開口部を有する弾性体シートを用いたエツチング部分
化方法、Ａ１表面酸化方法のうち１種又は２種以上の組
合わせを用いる必要がある。
例えば第１図、第２図に／Ｊ＜す］１４８例のり一ドソ
レームを製造する場合、従来方法として第３図（イ）〜
に）に示すような工程が考えられる。
レームを製造する場合、従来方法として第３図（イ）〜
に）に示すような工程が考えられる。
（イ）図に示す工程では、リードフレーム母材の金属条
を打抜き切断後、表面処理方法はすべて部分蒸着方法を
用いている。一般的に真空表面処理については、稼動率
が低く、コスト的に高くなるという欠点が存在し、この
製品構造については、表面、裏面にｈ（ｌおよびＡｌ２
Ｏ２を液留するために３バツチの表面処理が必要であシ
、その上リードフレームの必ヅ部に貴金属めっきを施す
場合、別工程が必要となり、コヌト的に非常に不利とな
る。
を打抜き切断後、表面処理方法はすべて部分蒸着方法を
用いている。一般的に真空表面処理については、稼動率
が低く、コスト的に高くなるという欠点が存在し、この
製品構造については、表面、裏面にｈ（ｌおよびＡｌ２
Ｏ２を液留するために３バツチの表面処理が必要であシ
、その上リードフレームの必ヅ部に貴金属めっきを施す
場合、別工程が必要となり、コヌト的に非常に不利とな
る。
（ｕ）、（／ｅ図に示す］二稈では、長尺の金属条の表
、裏面に全面又は部分的にＡｌを被覆し、しかる後にス
クリーン印刷を用いて不要部のｈｌをエツチングし、又
Ｊ表面を酸化するものである。しかしスクリーン印刷を
用いる方法では、金属条の片面を処理する場合、非常に
有効であるが、この製品の例のように両面に処理が必要
な場合、スクリーン印刷自体の特性から、レジストの割
れ、欠けが存在し、この方法では良好な品質を維持でき
ないという問題点をかかえており、コヌト的にも高くな
るという欠点が存在する。。
、裏面に全面又は部分的にＡｌを被覆し、しかる後にス
クリーン印刷を用いて不要部のｈｌをエツチングし、又
Ｊ表面を酸化するものである。しかしスクリーン印刷を
用いる方法では、金属条の片面を処理する場合、非常に
有効であるが、この製品の例のように両面に処理が必要
な場合、スクリーン印刷自体の特性から、レジストの割
れ、欠けが存在し、この方法では良好な品質を維持でき
ないという問題点をかかえており、コヌト的にも高くな
るという欠点が存在する。。
又に）図に示す工程では、バッチ式で表、裏面に部分Ａ
β被覆を施し、しかる後回Ｉ１部を右する弾性体シート
を用いて、酸化アルミ層を形成するものである。この方
法は、上述の（イ）〜Ｈ二ｌ’： 程に比しコスト的に
有利になるが、製造方法が部分蒸着を用いていること、
バッチ工程が多いことからコヌト的に矢張り不利である
。
β被覆を施し、しかる後回Ｉ１部を右する弾性体シート
を用いて、酸化アルミ層を形成するものである。この方
法は、上述の（イ）〜Ｈ二ｌ’： 程に比しコスト的に
有利になるが、製造方法が部分蒸着を用いていること、
バッチ工程が多いことからコヌト的に矢張り不利である
。
従って従来の製造方法では、製造コメ１−面、品質上に
多くの問題点を有していた。
多くの問題点を有していた。
（発明の開示） ゛
本発明は、上述の問題点を解決するため、本発明者等が
製造コスト面、品質面について鋭意検に］の結果数され
たもので、樹脂材１１−型゛１′、導体装置用リードフ
レームを品質良く、製造コスト而で最も安価に製造する
方法を提供せんとするものである。
製造コスト面、品質面について鋭意検に］の結果数され
たもので、樹脂材１１−型゛１′、導体装置用リードフ
レームを品質良く、製造コスト而で最も安価に製造する
方法を提供せんとするものである。
本発明はリードフレームの樹脂ＪＸｔ １部の表面に酸
化アｌレミニウムから成る樹脂接合用薄層部を有する樹
脂封止型半導体装置用リードフレームの製造方法におい
で、に＋） ＩＪ−ドソレー１．４Ａの金Ａ’Ｊ２ ％
の片面又は両面にＡＩを連続的に被覆する工程、（１）
）前記金属条を所定の形状に打抜く工程、（０所定の開
［１部を有する弾性体シートを用いて、Ａ／被被覆れた
前記金属条の被覆Ｊ層の不要部をエツチングする工程、
（ｄ）所定の開口部を有する弾性体シートを用いて、前
記金属条の樹脂封止部の彼ｆｆ１Ａ１層に酸化処理を施
す工程を経ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置用
リードフレー１、の製造方法である。
化アｌレミニウムから成る樹脂接合用薄層部を有する樹
脂封止型半導体装置用リードフレームの製造方法におい
で、に＋） ＩＪ−ドソレー１．４Ａの金Ａ’Ｊ２ ％
の片面又は両面にＡＩを連続的に被覆する工程、（１）
）前記金属条を所定の形状に打抜く工程、（０所定の開
［１部を有する弾性体シートを用いて、Ａ／被被覆れた
前記金属条の被覆Ｊ層の不要部をエツチングする工程、
（ｄ）所定の開口部を有する弾性体シートを用いて、前
記金属条の樹脂封止部の彼ｆｆ１Ａ１層に酸化処理を施
す工程を経ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置用
リードフレー１、の製造方法である。
本発明の対象となるリードフレームは第１図、第２図に
示した構造に限られるものではなく、樹脂封止部の表面
に、封止信頼性の向」二を目的とした酸化アルミ薄層部
を有するものであれば良く、１）ＩＪ述のように、ダイ
パフ１〜部の被覆層のないもの、グイバット部の無いも
のでも良い。又樹脂封１１部の酸化アルミ層は片面でも
両面でも良い。 ′以下、本発明を図面を用いて実施例
によシ説明する。第４図は本発明の実施例を示す工程図
で、第１図、第２図に示すリードフレームを製造する場
合を示す。先ず長尺の金属（例、Ｎ ｉ −ＦＬ！合金
）条の表、裏面全面に、１−１つて、連続的にＡｌ被覆
を行なう。この人ｌ被覆は、一般的に蒸着法を用いるが
、特定の場合クラッド法を用いても良い。この特定の場
合とは、クラッドを施すことによって金属条に歪が発生
しない場合、および後工程での不要部エツチングに際し
て、エツチング状態が半導体組立実装工程において支障
を来たさない場合である。
示した構造に限られるものではなく、樹脂封止部の表面
に、封止信頼性の向」二を目的とした酸化アルミ薄層部
を有するものであれば良く、１）ＩＪ述のように、ダイ
パフ１〜部の被覆層のないもの、グイバット部の無いも
のでも良い。又樹脂封１１部の酸化アルミ層は片面でも
両面でも良い。 ′以下、本発明を図面を用いて実施例
によシ説明する。第４図は本発明の実施例を示す工程図
で、第１図、第２図に示すリードフレームを製造する場
合を示す。先ず長尺の金属（例、Ｎ ｉ −ＦＬ！合金
）条の表、裏面全面に、１−１つて、連続的にＡｌ被覆
を行なう。この人ｌ被覆は、一般的に蒸着法を用いるが
、特定の場合クラッド法を用いても良い。この特定の場
合とは、クラッドを施すことによって金属条に歪が発生
しない場合、および後工程での不要部エツチングに際し
て、エツチング状態が半導体組立実装工程において支障
を来たさない場合である。
ここでＡｌ被覆を全面に施す理由は、本発明においては
後工程を考慮すると、Ａｌ被覆の部分化を先に実施する
ことには意味はなく、コスト的に不利となるだけである
からである。
後工程を考慮すると、Ａｌ被覆の部分化を先に実施する
ことには意味はなく、コスト的に不利となるだけである
からである。
次に、該金属条をプレス又はエツチングによシ所定の形
状（パターン）に打抜く。打抜きは、コスト面、品質面
からは一般にプレス打抜きを用いるが、例えば打抜き面
積が非常に小さく、機械的除去が困難な場合は、エツチ
ング抜き加工方法を用いる。
状（パターン）に打抜く。打抜きは、コスト面、品質面
からは一般にプレス打抜きを用いるが、例えば打抜き面
積が非常に小さく、機械的除去が困難な場合は、エツチ
ング抜き加工方法を用いる。
なお上述のｈｌｌ被覆と打抜きは、工程的にどちらを優
先させても良く、コスト面、品質面で決定される。
先させても良く、コスト面、品質面で決定される。
次に、該金属条に所定の開口部を有する弾性体シート（
マスク）を用いて、ｈ（ｌ不要部のｈｌエツチング、必
要部のみに被覆ｈ１層の酸化処理、必要にょシ、必要部
のみに貴金属（例、Ａｕ 、 Ａｇ ）めっきを一連の
工程で処理する。ただしこれらの工程の優先順位は任意
である。Ｊ層の酸化処理は通常陽極酸化処理が用いられ
る。
マスク）を用いて、ｈ（ｌ不要部のｈｌエツチング、必
要部のみに被覆ｈ１層の酸化処理、必要にょシ、必要部
のみに貴金属（例、Ａｕ 、 Ａｇ ）めっきを一連の
工程で処理する。ただしこれらの工程の優先順位は任意
である。Ｊ層の酸化処理は通常陽極酸化処理が用いられ
る。
酸化必要部とは、ポンディングエリア外のインナーリー
ド部３（樹脂封止部４）であり、ポンディングエリア内
の部分はＡ１層８を残す。又貴金属めっき必要部はポン
ディングエリアのインナーリード部３又はグイバット部
２である。これらの工程は一連で実施されるため、前述
のＡ／被被覆前工程で部分化する必要はなく、又、貴金
属めっきが不要な場合は実施する必要がない。
ド部３（樹脂封止部４）であり、ポンディングエリア内
の部分はＡ１層８を残す。又貴金属めっき必要部はポン
ディングエリアのインナーリード部３又はグイバット部
２である。これらの工程は一連で実施されるため、前述
のＡ／被被覆前工程で部分化する必要はなく、又、貴金
属めっきが不要な場合は実施する必要がない。
しかる後、該金属条を定尺に切断して、製品とする。な
お、本発明においては、Ａｐ被蜀後すぐに打抜きおよび
切断工程が入っても良く、又被覆、処理すべてが完了し
た後に打抜きおよび切断工程を行なってもよい。
お、本発明においては、Ａｐ被蜀後すぐに打抜きおよび
切断工程が入っても良く、又被覆、処理すべてが完了し
た後に打抜きおよび切断工程を行なってもよい。
（実施例）
第４図に示す本発明方法により第２図に示すようなリー
ドフレームを作成した。
ドフレームを作成した。
厚さＱ、 Ｉ ５ ｔｘｍ、幅３５ｆｌの４２％Ｎｉ−
Ｆｃ合金条の両面（− に、連続蒸着方法により片面づつ岸み４８ｍＡｌ１被覆
層を形成させた。しかる後にプレスを用いて所定の形状
にプレス打抜きを行ない、該金属条に一連の装置で、所
定の開口部を有する弾性体シートでマスクを施し、Ａｌ
被覆不要部を１０％ＮａＯＨ〆液で表、裏面同時にエツ
チング除去し、引続き同じく弾性体マスクを用いてイン
ナーリード部３の先端部以外のＡ７被液層を１０襞１１
２８０４亀欣中で電流密度＋ ０ Ａ ／ ｄｎｆで表
、裏面同時に陽極酸化した。この場合、マスクを用いて
いるのｉ＋１．１１Ｊ４；４のＮ ｉ −１”ｔ・６金
の腐食を防止するためである。引続き片面のダイパッド
部ものみに弾性マスクを用いて、ＡｇＣＮ ２り／／、
ＫＣＮＩｏｏり／ｌのめつき敢を用い、電流路′度２
Ａ ／ ｄηｌでストライク処理を施し、しかる後、Ａ
ｇＣＮ ６０り／７？、ＫＣＮ９０り／ｌのめつき液を
用い、電流密度５０Ａ／ｄ７７Ｚ２で厚さ３μ７ｎの銀
めっき層を設けた。
Ｆｃ合金条の両面（− に、連続蒸着方法により片面づつ岸み４８ｍＡｌ１被覆
層を形成させた。しかる後にプレスを用いて所定の形状
にプレス打抜きを行ない、該金属条に一連の装置で、所
定の開口部を有する弾性体シートでマスクを施し、Ａｌ
被覆不要部を１０％ＮａＯＨ〆液で表、裏面同時にエツ
チング除去し、引続き同じく弾性体マスクを用いてイン
ナーリード部３の先端部以外のＡ７被液層を１０襞１１
２８０４亀欣中で電流密度＋ ０ Ａ ／ ｄｎｆで表
、裏面同時に陽極酸化した。この場合、マスクを用いて
いるのｉ＋１．１１Ｊ４；４のＮ ｉ −１”ｔ・６金
の腐食を防止するためである。引続き片面のダイパッド
部ものみに弾性マスクを用いて、ＡｇＣＮ ２り／／、
ＫＣＮＩｏｏり／ｌのめつき敢を用い、電流路′度２
Ａ ／ ｄηｌでストライク処理を施し、しかる後、Ａ
ｇＣＮ ６０り／７？、ＫＣＮ９０り／ｌのめつき液を
用い、電流密度５０Ａ／ｄ７７Ｚ２で厚さ３μ７ｎの銀
めっき層を設けた。
その後、該金属条を切断し、第２図に示すようなリード
フレームを得た。
フレームを得た。
得られたリードフレームを用い、第１図に示すようにＡ
ｇベーヌ１−によりＳｉチップボンド、ｈｌワイヤーホ
ント、エポキシ系樹脂封止を行ない、ＰＴＣ（プレツシ
ャークツカーテスト） ２ｏｏＲ間試Ｍヲ行すったが、
侮辱異常が認められなかった。このように、本発明方法
により作成されたリードフレームは所期の機能を果たし
、かつ低価格で製造することができた。
ｇベーヌ１−によりＳｉチップボンド、ｈｌワイヤーホ
ント、エポキシ系樹脂封止を行ない、ＰＴＣ（プレツシ
ャークツカーテスト） ２ｏｏＲ間試Ｍヲ行すったが、
侮辱異常が認められなかった。このように、本発明方法
により作成されたリードフレームは所期の機能を果たし
、かつ低価格で製造することができた。
（発明の効果）
上述のように構成された本発明の樹脂封止型半導体装置
用リードフレームの製造方法は次のような効果がある。
用リードフレームの製造方法は次のような効果がある。
（イ）（、、ｌ−ドフレームＨの金属条の片面又は両面
にＡ４を連続的に被覆する工程、（ｂ）前記金属条を所
定の形状に打抜く工程、（、）所定の開口部を有する弾
性体シートを用いて、Ａ（ｌ被覆された＋ｉｉｌ記金属
条の被色Ａ４層の不要部をエツチングする工程、（ｄ）
所定の開口部を有する弾性体シー１−を月」いで、１）
１１記金属条の樹脂量止部の被覆Ａｅ層に酸化処理を施
す＼ 工程を経るから、ｈｌの被Ｗｌｉが連続一式であるため
、生産性が高く、コスト的に安く、（０のｈｌのエツチ
ング、（ｄ）のＡｌの酸化処理１、心安により貴金属の
めっきが通常一連の工程で行なわれるため、Ａ４を全面
に被覆しても、簡単に、所定の部分にＪ被僚層、酸化ア
ルミ層を施すことができ、品質」−良好な製品を得ると
共に、工業的生産が容易で、製偕コストが安い。
にＡ４を連続的に被覆する工程、（ｂ）前記金属条を所
定の形状に打抜く工程、（、）所定の開口部を有する弾
性体シートを用いて、Ａ（ｌ被覆された＋ｉｉｌ記金属
条の被色Ａ４層の不要部をエツチングする工程、（ｄ）
所定の開口部を有する弾性体シー１−を月」いで、１）
１１記金属条の樹脂量止部の被覆Ａｅ層に酸化処理を施
す＼ 工程を経るから、ｈｌの被Ｗｌｉが連続一式であるため
、生産性が高く、コスト的に安く、（０のｈｌのエツチ
ング、（ｄ）のＡｌの酸化処理１、心安により貴金属の
めっきが通常一連の工程で行なわれるため、Ａ４を全面
に被覆しても、簡単に、所定の部分にＪ被僚層、酸化ア
ルミ層を施すことができ、品質」−良好な製品を得ると
共に、工業的生産が容易で、製偕コストが安い。
（ロ）［、ｊ〜（ｄ）の工程を金属条が長尺の状態でイ
」なうことが可能であり、この場合はより生産性が高く
、低コストで生産し得る。
」なうことが可能であり、この場合はより生産性が高く
、低コストで生産し得る。
（／→本発明方法と従来の（イ）〜に）力θ、を比較す
れば表１に示す通りである。
れば表１に示す通りである。
表 １
本発明方法はコスト面、品質面共優れている。
第１図、第２図は樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムの基本的な構造例を示す図で、第１図はリードフレー
ムを半導体装置に組入れだ場合の状態を示す断面図、第
２図は１個のリードフレームの」二面図である。 第３図（イ）〜に）は従来考えられるリードフレームの
製造方法の例を示す工程図である。 第４図は本発明方法の実施例を示す工程図である。 １ ・リードフレーム、２ ダイパラｌ−部、３− イ
ンナーリード部、４・樹脂月１１一部、５・・・アラク
ーリード部、６・・母材、７・−貴金属又はＡ／／層、
８・・・Ａｌｌ又は貴金属層、９ ・酸化アルミ層、１
０ 半導体菓子、１１・・ボンデインクワイヤ、１２・
ＪＢｔ １１−用樹脂。
ムの基本的な構造例を示す図で、第１図はリードフレー
ムを半導体装置に組入れだ場合の状態を示す断面図、第
２図は１個のリードフレームの」二面図である。 第３図（イ）〜に）は従来考えられるリードフレームの
製造方法の例を示す工程図である。 第４図は本発明方法の実施例を示す工程図である。 １ ・リードフレーム、２ ダイパラｌ−部、３− イ
ンナーリード部、４・樹脂月１１一部、５・・・アラク
ーリード部、６・・母材、７・−貴金属又はＡ／／層、
８・・・Ａｌｌ又は貴金属層、９ ・酸化アルミ層、１
０ 半導体菓子、１１・・ボンデインクワイヤ、１２・
ＪＢｔ １１−用樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）リードフレームの樹脂封止部の表面に酸化アルミ
ニウムから成る樹脂接合用薄層部を有する樹脂封止型半
導体装置用リードフレームの製造方法において、（、）
！Ｊ−ドフレーム拐の金属条の片面又は両面にＡＩを連
続的に被覆する工程、（ｂ）前記金属条を所定の形状に
打抜く工程、（ｃ）所定の開口部を−有する弾性体シー
１−を用いて、Ａｌ被覆された前記金属条の被ＦＩ２Ｊ
層の不要部をエツチングする工程、（（１）所定の開口
１部を有する弾性体シートを用いて、前記金属条の樹脂
封止部の被覆Ａ１層に酸化処理を施す工程を経ることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフレームの製
造方法。 （２）金属条の打抜きが、機械的打抜き又は化学的打抜
きで行なわれる特許請求の範囲＠１項記載の樹脂封止型
半導体装置用リードフレームの製造方法。 ｆ３１ （ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄｌの工程が
、金属条が長尺の状態で行なわれる特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームの製造方法。 （４）製造されるリードフレーｌ、が、そのインナーリ
ード部の先端がＡｌ又は貴金属で被覆されたものである
特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の樹脂封
止型半導体装置用リードフレームの製造方法。 （５）製造されるＶ−ドフレームが、そのダイバラ１一
部がＡＩ又は狽金属で被覆されたものである特許請求の
範囲第１項、第２項、第３項又は第４項記戦の樹脂封１
１型半導体装置用リードフレームの１（ソ造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173912A JPS6064456A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173912A JPS6064456A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064456A true JPS6064456A (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=15969377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173912A Pending JPS6064456A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064456A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372889A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Showa Alum Corp | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS63229844A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP58173912A patent/JPS6064456A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372889A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Showa Alum Corp | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS63229844A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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