JPS6065578A - シヨツトキ−バリヤダイオ−ド - Google Patents

シヨツトキ−バリヤダイオ−ド

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Publication number
JPS6065578A
JPS6065578A JP58173712A JP17371283A JPS6065578A JP S6065578 A JPS6065578 A JP S6065578A JP 58173712 A JP58173712 A JP 58173712A JP 17371283 A JP17371283 A JP 17371283A JP S6065578 A JPS6065578 A JP S6065578A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
schottky barrier
sealed
lead
glass tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58173712A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Yamada
保男 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP58173712A priority Critical patent/JPS6065578A/ja
Publication of JPS6065578A publication Critical patent/JPS6065578A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/60—Schottky-barrier diodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/251—Materials
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/29—Bond pads specially adapted therefor
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明はダブルヒートシンクダイオード（ＤＨＤ）構造
のショットキーバリヤダイオードに関する。
〔従来技術とその問題点〕
ショットキーバリヤダイオードはその電気特性が接合に
加わる圧力によって変化するため通常第１図に示すよう
な構造が知られている。ショクｌ−キーバリヤを有する
シリコンチップ１のカソード電極は支持電極２に固着さ
れ、一方アノード電極はウィスカー（ばね状金属電極）
３に接続され、支持電極２およびウィスカー３がチップ
１を封入するガラス管４に封着されたリード電極５，６
に結合されている。しかしこの構造はウィスカー３を使
用しているため、リード電極６との接続が不安定で、信
頼性に欠ける欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明は上述の欠点を除去し、リード電極との接続が安
定した高信頼性のショットキーバリヤダイオードを提供
することを目的とする。
〔発明の要点〕
本発明によるショットキーバリヤダイオードは、半導体
片の一方の表面においてショットキーノ（リヤを形成す
る金属電極が半導体との接触面の周囲に半導体との間に
絶縁層を介して広がる環状領域を有し、その環状領域上
に設けられた環状）（ンプ電極によりガラス管に封着さ
れた一方のリード電極に接触し、半導体片の他方の表面
の電極が前記ガラス管に封着された他方のリード電極に
接触、することによってＤＨＤ１ｍ造に構成され、上記
の目的を達成する。
〔発明の実施例〕
第２図は本発明の一実施例を示し、シリコンチップ１に
は第３図ｆａｔ　、　（ｂｌに拡大して示すように環状
バンプ電極７が、酸化膜等の接合保護膜８の上まで広げ
られたアノード接触金属膜９の上に金属膜１０を介して
形成されている。ガラス管４に封着された例えばジュメ
ット材からなるリード電極のうち、上部電極６がこのバ
ンブ電極７に接触し、下部電極５がチップ１の下面のカ
ソード電極と接触することにより、ウィスカーを用いる
ことなく。
しかもショットキーバリヤ部１１が直接圧力を受けるこ
とのないＤ　ｌ−Ｉ　Ｄ構造の素子の形成が可能になる
。
〔発明の効果〕
本発明は、ショットキーバリヤ面を避けて半導体片上に
環状バンプ電極を形成し、接合部に応力負荷がかからな
いようにすることにより、応力によるショットキーバリ
ヤ特性の劣化を防止して、小型単純で放熱の良好なり　
Ｉ−Ｉ　Ｄ構造のショットキーバリヤダイオードを得た
もので、高信頼性で安価なショットキーバリヤダイオー
ドとして有効に使用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のショットキーバリヤダイオードの断面図
、第２図は本発明の一実施例の断面図、第３図はそのシ
リコンチップの拡大図でｔａｌは正面断面図、ｔｂｌは
平面図である。 １・・・シリコンチップ、４・・・ガラス管、５，６・
・・リード電極、７・・・環状バンプ電極、８・・・接
合保護膜、９・・・接触金属膜、１０・・・金属膜。 才１閃 （０） ヤ２四 ｅ３閃

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）半導体片の一方の表面においてショットキーバリヤ
    を形成する金属電極が半導体との接触面の周囲に半導体
    との間に絶縁層を介して広がる環状領域を有し、該環状
    領域上に設けられた環状バンプ電極によりガラス管に封
    着された一方のリード電極に接触し、半導体片の他方の
    表面の電極が前記ガラス管だ封着された他方のリード電
    極に接触することを特徴とするショットキーバリヤダイ
    オード。
JP58173712A 1983-09-20 1983-09-20 シヨツトキ−バリヤダイオ−ド Pending JPS6065578A (ja)

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JP58173712A JPS6065578A (ja) 1983-09-20 1983-09-20 シヨツトキ−バリヤダイオ−ド

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58173712A JPS6065578A (ja) 1983-09-20 1983-09-20 シヨツトキ−バリヤダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6065578A true JPS6065578A (ja) 1985-04-15

Family

ID=15965728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58173712A Pending JPS6065578A (ja) 1983-09-20 1983-09-20 シヨツトキ−バリヤダイオ−ド

Country Status (1)

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JP (1) JPS6065578A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5877556A (en) * 1996-12-13 1999-03-02 Industrial Technology Research Institute Structure for composite bumps

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5877556A (en) * 1996-12-13 1999-03-02 Industrial Technology Research Institute Structure for composite bumps

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