JPS6065766A - 窒化けい素系セラミツクの焼結法 - Google Patents
窒化けい素系セラミツクの焼結法Info
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- JPS6065766A JPS6065766A JP58175591A JP17559183A JPS6065766A JP S6065766 A JPS6065766 A JP S6065766A JP 58175591 A JP58175591 A JP 58175591A JP 17559183 A JP17559183 A JP 17559183A JP S6065766 A JPS6065766 A JP S6065766A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化けい素系セラミックの焼結法に関し、特に
常圧焼結での焼結過程における焼結体表面の炭化反応を
防止するものであるらなお、ここに窒化けい素系セラミ
ックとは、窒化けい素（Ｓ ｉ ３Ｎ４ ） を主体と
し、これに焼結助剤として、例えば酸化マグネシウム（
ＭｇＯ）、アルミナ（ＡＡ’＋０３）、イツトリウム酸
化物（Ｙ２Ｏ２）、ジルコニウム酸化物（Ｚｒ０２）な
どの１種または２種以上を混合したものを言う。
常圧焼結での焼結過程における焼結体表面の炭化反応を
防止するものであるらなお、ここに窒化けい素系セラミ
ックとは、窒化けい素（Ｓ ｉ ３Ｎ４ ） を主体と
し、これに焼結助剤として、例えば酸化マグネシウム（
ＭｇＯ）、アルミナ（ＡＡ’＋０３）、イツトリウム酸
化物（Ｙ２Ｏ２）、ジルコニウム酸化物（Ｚｒ０２）な
どの１種または２種以上を混合したものを言う。
窃Ｊｋけし）麦藁セラミックの堂庄位枯り寸 −鐙鑑こ
窒化けい素粉末と焼結助剤粉末とを混合混練しくこれに
は、適宜成形助剤が配合される）、所要形状に成形した
のち、成形体を１６５０〜１８００°Ｃの窒素ガス（Ｎ
２）雰囲気（通常１気圧〜数十気圧）に調整された焼結
炉内に所定時間保持することにより行なわれる。
窒化けい素粉末と焼結助剤粉末とを混合混練しくこれに
は、適宜成形助剤が配合される）、所要形状に成形した
のち、成形体を１６５０〜１８００°Ｃの窒素ガス（Ｎ
２）雰囲気（通常１気圧〜数十気圧）に調整された焼結
炉内に所定時間保持することにより行なわれる。
その焼結工程について説明すると、まず成形体を成形の
まま、あるいは脱脂処理または仮焼処理した状態で適当
な容器（黒鉛ルツボなど）に入れて焼結炉（焼結容器）
内に装入する。成形体装入後、炉内を排気、真空にする
とともに昇温を開始し、４００〜８００°Ｃに到達する
まで雰囲気を真空に保ち、この温度で窒素ガスを所定の
圧力まで封入する。この温度まで炉内を真空に保持する
のは成形体から放出される水分、有機分を雰囲気から除
去するためであり、この温度で窒素ガスを封入するのは
５ｉ３Ｎ４の分解を防止するためである。
まま、あるいは脱脂処理または仮焼処理した状態で適当
な容器（黒鉛ルツボなど）に入れて焼結炉（焼結容器）
内に装入する。成形体装入後、炉内を排気、真空にする
とともに昇温を開始し、４００〜８００°Ｃに到達する
まで雰囲気を真空に保ち、この温度で窒素ガスを所定の
圧力まで封入する。この温度まで炉内を真空に保持する
のは成形体から放出される水分、有機分を雰囲気から除
去するためであり、この温度で窒素ガスを封入するのは
５ｉ３Ｎ４の分解を防止するためである。
窒素ガス封入後、所定の焼結温度まで昇温しで所定時間
保持することにより焼結を完了し、冷却して焼結体を得
る。これが通常の工程である。
保持することにより焼結を完了し、冷却して焼結体を得
る。これが通常の工程である。
しかるに、こうして得られる焼結体は表面に炭化物（Ｓ
ｉＣ）層を伴うことが多い。この炭化物層は脆弱であり
、剥離して肌荒れを生じる。剥離しないとしてもかかる
炭化物層が生じるのは好ましいことではない。
ｉＣ）層を伴うことが多い。この炭化物層は脆弱であり
、剥離して肌荒れを生じる。剥離しないとしてもかかる
炭化物層が生じるのは好ましいことではない。
このような現象が生じる原因は次のように考えられる。
すなわち、前記焼結工程において、窒素ガス封入前に炉
内を排気、真空にするが、その真空は完全真空ではなく
、一般に１０−４〜１Ｏ−５ｔｏｒｒであるので、炉内
にはわずかながら大気あるいは成形体から放出された酸
素分が残留する。
内を排気、真空にするが、その真空は完全真空ではなく
、一般に１０−４〜１Ｏ−５ｔｏｒｒであるので、炉内
にはわずかながら大気あるいは成形体から放出された酸
素分が残留する。
そのため、封入された窒素ガス雰囲気中には、この微量
残留した酸素分がそのまま混在することになる。これら
の酸素分は、Ｈ２Ｏ、Ｃｏ ’、 ０２などである。一
方、焼結炉内には、通常発熱体、支持部材などに黒鉛が
使用され、また成形体を炉内に装入する際の容器として
黒鉛ルツボなどの黒鉛製容器が使用されることが多い。
残留した酸素分がそのまま混在することになる。これら
の酸素分は、Ｈ２Ｏ、Ｃｏ ’、 ０２などである。一
方、焼結炉内には、通常発熱体、支持部材などに黒鉛が
使用され、また成形体を炉内に装入する際の容器として
黒鉛ルツボなどの黒鉛製容器が使用されることが多い。
従って、炉内が高温になるとともに、下記の反応式で示
されるように、容器などの表面で炭素と雰囲気中に混在
する酸素分とが反応してＣＯが生成し、このＣＯが成形
体と表面反応を起して窒化けい素を炭化する。
されるように、容器などの表面で炭素と雰囲気中に混在
する酸素分とが反応してＣＯが生成し、このＣＯが成形
体と表面反応を起して窒化けい素を炭化する。
２Ｃ（黒鉛）＋０２→２ＣＯ・・・・・・山２Ｓｉ ３
Ｎ４ ＋ ６ＣＯ→６Ｓ ｉＣ＋４Ｎ２ ＋ ８０２
・・・・・・出ｌＳｉ３Ｎ４ の炭化反応で解放された
酸素は再ひ炭素（黒鉛）と反応してＣＯとなり、更にＳ
ｉ３Ｎ４の炭化反応に関与する。この反応の繰返し、に
より焼結体表面の炭化が進行し、炭化物層の成長、剥離
・肌荒れが生じるわけである。
Ｎ４ ＋ ６ＣＯ→６Ｓ ｉＣ＋４Ｎ２ ＋ ８０２
・・・・・・出ｌＳｉ３Ｎ４ の炭化反応で解放された
酸素は再ひ炭素（黒鉛）と反応してＣＯとなり、更にＳ
ｉ３Ｎ４の炭化反応に関与する。この反応の繰返し、に
より焼結体表面の炭化が進行し、炭化物層の成長、剥離
・肌荒れが生じるわけである。
上記焼結体表面の炭化防止策として一般に次の２つの方
法がある。その１つは、成形体を黒鉛容器に入れる際に
窒化けい素粉末にくるんで装入する方法である。こうす
れば、容器表面でＣＯが生成しても、生成したＣＯは成
形体表面に到達する前に窒化けい素粉末と反応するので
、成形体にとどきにくくなり表面炭化が防止される。他
の方法は、雰囲気窒素ガス圧力を高め、例えば約１０ｋ
Ｑ／ｃＡ以上に調整する方法である。窒素ガス圧力を上
げれば、００分圧が低下するとともに、Ｓ ｉ ３Ｎ４
０分解炭化は抑制される。しかし、第１の方法では、
充填用窒化けい素粉末を必要とし、かつ装入の工数が増
加する。また第２の方法では焼結炉が高耐圧構造である
ことを要し、設備費の増大を余儀なくされる。
法がある。その１つは、成形体を黒鉛容器に入れる際に
窒化けい素粉末にくるんで装入する方法である。こうす
れば、容器表面でＣＯが生成しても、生成したＣＯは成
形体表面に到達する前に窒化けい素粉末と反応するので
、成形体にとどきにくくなり表面炭化が防止される。他
の方法は、雰囲気窒素ガス圧力を高め、例えば約１０ｋ
Ｑ／ｃＡ以上に調整する方法である。窒素ガス圧力を上
げれば、００分圧が低下するとともに、Ｓ ｉ ３Ｎ４
０分解炭化は抑制される。しかし、第１の方法では、
充填用窒化けい素粉末を必要とし、かつ装入の工数が増
加する。また第２の方法では焼結炉が高耐圧構造である
ことを要し、設備費の増大を余儀なくされる。
本発明は上記問題を解決し、安価にかつ確実に焼結体の
表面炭化を防止し得る焼結方法を提供する。
表面炭化を防止し得る焼結方法を提供する。
本発明の焼結方法は、焼結炉内の雰囲気窒素ガス中の酸
素分の残留量を低下させて表面炭化を防止するものであ
り、その特徴とするところは、昇温過程において、炉内
封入窒素ガスを減圧排除し、新たな窒素カスを封入する
操作を１回もしくは複数回反復実施するこ−とにある。
素分の残留量を低下させて表面炭化を防止するものであ
り、その特徴とするところは、昇温過程において、炉内
封入窒素ガスを減圧排除し、新たな窒素カスを封入する
操作を１回もしくは複数回反復実施するこ−とにある。
本発明によれば、成形体装入後、大気を減圧排除して封
入された窒素ガスは、少くとも１回減圧排除され、新た
な窒素ガスに置換される。例えば、第１回目に封入され
た窒素ガス（例えば１気圧）に酸素分がＡｐ ｐｍ混在
していると仮定し、これを＋１１−６ｍＩ工ｒｒ ？ｄ
ｊ ＤＧ ＋４１： Ｍ ｌ ＋−Ｍ七、甫ｙＮ １．
ｓ ”ＩＬ−Ｉｄ７ｒ−封入して１気圧にした場合の酵
素分混在量を単純に試算すればＡ Ｘ ｉ Ｏ’ｐｐｍ
となる。窒素ガスの封入・減圧排除および再封入をくり
返せば、更に酸素分の減少をみる。酸素分の低下ととも
に、焼結体の表面炭化が生起しにくくなることは前記説
明から明らかである。
入された窒素ガスは、少くとも１回減圧排除され、新た
な窒素ガスに置換される。例えば、第１回目に封入され
た窒素ガス（例えば１気圧）に酸素分がＡｐ ｐｍ混在
していると仮定し、これを＋１１−６ｍＩ工ｒｒ ？ｄ
ｊ ＤＧ ＋４１： Ｍ ｌ ＋−Ｍ七、甫ｙＮ １．
ｓ ”ＩＬ−Ｉｄ７ｒ−封入して１気圧にした場合の酵
素分混在量を単純に試算すればＡ Ｘ ｉ Ｏ’ｐｐｍ
となる。窒素ガスの封入・減圧排除および再封入をくり
返せば、更に酸素分の減少をみる。酸素分の低下ととも
に、焼結体の表面炭化が生起しにくくなることは前記説
明から明らかである。
もちろん、窒素ガス雰囲気中の残留酸素分量は前記のよ
うに単純に算出し得るものではな（、窒素ガスの封入・
排除と再封入の反復操作途中に成形体から放出される水
分、その他の酸素分や封入窒素ガス中に不純物として付
随する酸素分などが考慮されねばならないが、窒素ガス
の再封入操作を適当回数（例えば、２回〜数回）実施す
ることにより、後実施例にも示されるように、酸素分の
十分な低減とそれによる確実な炭化防止効果が奏せられ
る。
うに単純に算出し得るものではな（、窒素ガスの封入・
排除と再封入の反復操作途中に成形体から放出される水
分、その他の酸素分や封入窒素ガス中に不純物として付
随する酸素分などが考慮されねばならないが、窒素ガス
の再封入操作を適当回数（例えば、２回〜数回）実施す
ることにより、後実施例にも示されるように、酸素分の
十分な低減とそれによる確実な炭化防止効果が奏せられ
る。
窒素カスの封入と減圧排除および再封入の操作は、常温
〜１４００°Ｃの温度範囲で行なわれる。
〜１４００°Ｃの温度範囲で行なわれる。
成形体から放出される水分などの酸素分の炉外排除を促
進するためには昇温中に行うのがよく、高混捏有利であ
るが、１４００°Ｃをこえる温度域で炉内を減圧すると
、Ｓ ｉ ３Ｎ４の分解が起る。このため、１４００°
Ｃを上限とする。水分等の酵素分の放出促進と、Ｓ ｉ
３Ｎ４の分解防止の両面を考慮すると、５００〜１１
００°Ｃの範囲が最適である。
進するためには昇温中に行うのがよく、高混捏有利であ
るが、１４００°Ｃをこえる温度域で炉内を減圧すると
、Ｓ ｉ ３Ｎ４の分解が起る。このため、１４００°
Ｃを上限とする。水分等の酵素分の放出促進と、Ｓ ｉ
３Ｎ４の分解防止の両面を考慮すると、５００〜１１
００°Ｃの範囲が最適である。
なお、これらの操作は連続的に行ってもよく、断続的に
行ってもよい。また、操作中は昇温を停止してもよいし
、昇温と併行して実施してもよい。
行ってもよい。また、操作中は昇温を停止してもよいし
、昇温と併行して実施してもよい。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例１
窒化けい素粉末（平均粒度１．０μｍ０ α化率９１％
）と酸化マグネシウム粉末（平均粒度１．３μｍ）９重
量％とをボールミルで混合混練し、−軸プレスにて円板
状成形体（直径６０ｍｍ×厚さ７〜８關）に成形したの
ち、これを大気中、３００°Ｃで乾燥した。
）と酸化マグネシウム粉末（平均粒度１．３μｍ）９重
量％とをボールミルで混合混練し、−軸プレスにて円板
状成形体（直径６０ｍｍ×厚さ７〜８關）に成形したの
ち、これを大気中、３００°Ｃで乾燥した。
［Ｉ］ 上記成形体を蓋付黒鉛ルツボに納めて焼結炉内
に装入し、常温で炉内の大気雰囲気を１Ｏ−５ｔｏｒｒ
まで減圧排除する。減圧を保ちながら昇温し、６００°
Ｃで窒素ガスを１．１気圧まで封入する。
に装入し、常温で炉内の大気雰囲気を１Ｏ−５ｔｏｒｒ
まで減圧排除する。減圧を保ちながら昇温し、６００°
Ｃで窒素ガスを１．１気圧まで封入する。
ついで、６５０°Ｃにおいて１０ ｔｏｒｒ に減圧し
たのち、直ちに１．１気圧まで窒素カスを封入し、再び
１０−５Ｌｏｒｒ まで減圧し、直ちに窒素ガスを封入
する。その雰囲気圧力を１．１気圧に保ちながら１７０
０°Ｃまで胃温し、同温度に１時間保持して焼結を完了
したのち、１．１気圧に保ちながら自然冷却した。
たのち、直ちに１．１気圧まで窒素カスを封入し、再び
１０−５Ｌｏｒｒ まで減圧し、直ちに窒素ガスを封入
する。その雰囲気圧力を１．１気圧に保ちながら１７０
０°Ｃまで胃温し、同温度に１時間保持して焼結を完了
したのち、１．１気圧に保ちながら自然冷却した。
間 上記［Ｉ］と同様に成形体を焼結炉に装入し、炉内
大気雰囲気を１０−５ｔｏｒｒに減圧排除し、減圧を保
ちながら昇温しで６００°Ｃで窒素ガスを１．１気圧ま
で封入する。ついで、８００°Ｃにおいて、１０−５ｔ
ｏｒｒまで減圧したのち直ちに窒素ガスを１．１気圧ま
で封入、更にこれをＩＱ ｔｏｒｒまで減圧排除後１．
直ちに窒素ガスを１．１気圧まで封入する。そのまま窒
素ガス雰囲気を１．１気圧に保持しながら上記［Ｉ］と
同じ条件で焼結を完了して焼結体を得た。
大気雰囲気を１０−５ｔｏｒｒに減圧排除し、減圧を保
ちながら昇温しで６００°Ｃで窒素ガスを１．１気圧ま
で封入する。ついで、８００°Ｃにおいて、１０−５ｔ
ｏｒｒまで減圧したのち直ちに窒素ガスを１．１気圧ま
で封入、更にこれをＩＱ ｔｏｒｒまで減圧排除後１．
直ちに窒素ガスを１．１気圧まで封入する。そのまま窒
素ガス雰囲気を１．１気圧に保持しながら上記［Ｉ］と
同じ条件で焼結を完了して焼結体を得た。
比較例１
実施例１と同じように成形、乾燥した成形体を蓋付黒鉛
ルツボに入れて焼結炉内に装入し、常温で炉内大気雰囲
気を１０−５ｔｏｒｒ に減圧排除する。
ルツボに入れて焼結炉内に装入し、常温で炉内大気雰囲
気を１０−５ｔｏｒｒ に減圧排除する。
減圧を保ちながら昇温し、６００°Ｃで窒素ガスを封入
して１．１気圧に保ちながら１７００°Ｃまで昇温する
。同温度に１時間保持して焼結を完了したのち、１．１
気圧に保ちながら自然冷却した。
して１．１気圧に保ちながら１７００°Ｃまで昇温する
。同温度に１時間保持して焼結を完了したのち、１．１
気圧に保ちながら自然冷却した。
上記実施例１［■］、間および比較例１で得られた各焼
結体（各試験繰返し数Ｎ−２）についてそれぞれの表面
炭化物の有無とその層厚を測定した。
結体（各試験繰返し数Ｎ−２）についてそれぞれの表面
炭化物の有無とその層厚を測定した。
炭化物は極めて脆弱でサンドブラストにて容易に剥離脱
落する。炭化物層厚は、各試験のサンドブラスト前後の
厚さを測定して算出した。測定結果を第１表に示す。
落する。炭化物層厚は、各試験のサンドブラスト前後の
厚さを測定して算出した。測定結果を第１表に示す。
実施例２
窒化けい素粉末（平均粒度１．０μｍ１ α化率９２％
））こジルコニウム酸化物（Ｚｒ０ｚ ）粒末（平均粒
度１．３μｍ）８重量％を焼結助剤として加え、ボール
ミルで混合混練したのち、−軸プレスにて円板状成形体
（直径６０朋×厚さ７〜Ｂ ｙｔｒｍ ）を成形し、こ
れを大気中、３００°Ｃにて乾燥した。
））こジルコニウム酸化物（Ｚｒ０ｚ ）粒末（平均粒
度１．３μｍ）８重量％を焼結助剤として加え、ボール
ミルで混合混練したのち、−軸プレスにて円板状成形体
（直径６０朋×厚さ７〜Ｂ ｙｔｒｍ ）を成形し、こ
れを大気中、３００°Ｃにて乾燥した。
口］ ト１−−１Ｚｌｉ−ん芸承士甲」ムルツゼＬｒ
λ引旬竪京占利五内に装入して常温で炉内大気雰囲気を
１０ ”ｔｏｒｒに減圧排除する。減圧を保ちながら昇
温し、６００°Ｃに達したとき、窒素ガスを封入し１，
１気圧としたのち直ちに１０−５ｔｏｒｒまで減圧し、
再び窒素ガスを１．１気圧まで封入する。これを１０
−５ｔｏｒｒに減圧したのち、更に窒素ガスを封入し１
．１気圧に保持しながら１７３０°Ｃに昇温する。同温
度に１時間保持して焼結を完了したのち、■、１気圧に
保ちながら自然冷却した。
λ引旬竪京占利五内に装入して常温で炉内大気雰囲気を
１０ ”ｔｏｒｒに減圧排除する。減圧を保ちながら昇
温し、６００°Ｃに達したとき、窒素ガスを封入し１，
１気圧としたのち直ちに１０−５ｔｏｒｒまで減圧し、
再び窒素ガスを１．１気圧まで封入する。これを１０
−５ｔｏｒｒに減圧したのち、更に窒素ガスを封入し１
．１気圧に保持しながら１７３０°Ｃに昇温する。同温
度に１時間保持して焼結を完了したのち、■、１気圧に
保ちながら自然冷却した。
［１１１上記［Ｉ］と同様に成形体を焼結炉内に装入し
、炉内大気雰囲気を１０−５ｔｏｒｒ に減圧排除し、
減圧を保ちながら昇温して６００°Ｃで窒素ガスを１．
１気圧まで封入する。ついで７００°Ｃにおいて１０−
５ｔｏｒｒ に減圧したのち直ちに１゜１気圧まで窒素
カスを封入する。更に１１００°Ｃにおいて１０ ”ｔ
ｏｒｒ に減圧し、直ちに窒素ガスを１．１気圧まで封
入する。そのまま窒素カス雰囲気を１．１気圧に保ちな
がら、１７３０°Ｃまで昇温し、同温度に１時間保持し
たのち自然冷却して焼結体を得た。
、炉内大気雰囲気を１０−５ｔｏｒｒ に減圧排除し、
減圧を保ちながら昇温して６００°Ｃで窒素ガスを１．
１気圧まで封入する。ついで７００°Ｃにおいて１０−
５ｔｏｒｒ に減圧したのち直ちに１゜１気圧まで窒素
カスを封入する。更に１１００°Ｃにおいて１０ ”ｔ
ｏｒｒ に減圧し、直ちに窒素ガスを１．１気圧まで封
入する。そのまま窒素カス雰囲気を１．１気圧に保ちな
がら、１７３０°Ｃまで昇温し、同温度に１時間保持し
たのち自然冷却して焼結体を得た。
比較例２
実施例２と同じように成形、乾燥した成形体を蓋付黒鉛
ルツボに入れ焼結炉に装入し、前記比較例１と同じ工程
で焼結を行った。但し、焼結温度は１７８０’Ｃである
。
ルツボに入れ焼結炉に装入し、前記比較例１と同じ工程
で焼結を行った。但し、焼結温度は１７８０’Ｃである
。
上記実施例２［月、川および比較例２で得られた各焼結
体（Ｎ＝２）につき、前記と同じ方法で表面の炭化物層
厚を測定し、第１表に示す結果を得た。
体（Ｎ＝２）につき、前記と同じ方法で表面の炭化物層
厚を測定し、第１表に示す結果を得た。
第 １ 表
第１表のように、窒素ガスの減圧排除と再封入を実施し
ない比較例では、炭化物層が著しく生成しているのに対
し、本発明例では、表面の炭化反応は実質上完全に防止
されていることがわかる。
ない比較例では、炭化物層が著しく生成しているのに対
し、本発明例では、表面の炭化反応は実質上完全に防止
されていることがわかる。
このように、本発明によれば、窒素カス雰囲気の減圧排
除・再封入という簡単な操作で表面の炭化物化を防止し
健全な窒化けい素焼結体を得ることができる。本発明に
おける焼結過程での窒素ガス雰囲気圧力は任意であり、
１気圧〜数十気圧の範囲内で適宜調節されるが、必ずし
も圧力を高める必要はなく、１〜３気圧程度の低圧力域
で炭化反応を防止し得ることは、高耐圧構造を不要とし
、設備・製造コストの低減、操業の容易化をもたらすも
のであり、工業的に非常に有用である。
除・再封入という簡単な操作で表面の炭化物化を防止し
健全な窒化けい素焼結体を得ることができる。本発明に
おける焼結過程での窒素ガス雰囲気圧力は任意であり、
１気圧〜数十気圧の範囲内で適宜調節されるが、必ずし
も圧力を高める必要はなく、１〜３気圧程度の低圧力域
で炭化反応を防止し得ることは、高耐圧構造を不要とし
、設備・製造コストの低減、操業の容易化をもたらすも
のであり、工業的に非常に有用である。
Claims (1)
- （１）窒化けい素系セラミックの常圧焼結において、昇
温中、１４００’Ｃまでの温度にて雰囲気窒素ガスを減
圧排除したのち新たな窒素ガスを封入する操作を１回以
上実施することを特徴とする窒化けい素系セラミックの
焼結法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175591A JPS6065766A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 窒化けい素系セラミツクの焼結法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175591A JPS6065766A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 窒化けい素系セラミツクの焼結法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065766A true JPS6065766A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15998756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175591A Pending JPS6065766A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 窒化けい素系セラミツクの焼結法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065766A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049531A (en) * | 1988-09-09 | 1991-09-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Silicon nitride sintered body |
| WO2017090718A1 (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 日本碍子株式会社 | 不活性ガスの置換方法、及び不活性ガスの置換方法を用いたセラミック構造体の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58175591A patent/JPS6065766A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049531A (en) * | 1988-09-09 | 1991-09-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Silicon nitride sintered body |
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