JPS6065792A - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS6065792A JPS6065792A JP17245383A JP17245383A JPS6065792A JP S6065792 A JPS6065792 A JP S6065792A JP 17245383 A JP17245383 A JP 17245383A JP 17245383 A JP17245383 A JP 17245383A JP S6065792 A JPS6065792 A JP S6065792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source cell
- molecular beam
- liquid nitrogen
- heater
- irradiation
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は、半導体基板に分子線を照射し化合物半導体薄
膜等堆積させる分子線エピタキシアル成長装置に係り、
特に液体窒素シェラウドに堆積した分子線の除去を可能
とした分子線結晶成長装置に関する。
膜等堆積させる分子線エピタキシアル成長装置に係り、
特に液体窒素シェラウドに堆積した分子線の除去を可能
とした分子線結晶成長装置に関する。
（ｂ）従来技術の問題点
この種の分子線結晶成長装置は、超高真空のベルジャ装
置内に基板を保持し、これを数百度℃まで加熱出来る様
にし、又前記基板に対して分子線を発生ずる線源セルを
配置する。
置内に基板を保持し、これを数百度℃まで加熱出来る様
にし、又前記基板に対して分子線を発生ずる線源セルを
配置する。
前記線源セル部分には、成膜加工中のヘルジャ真空度を
よくする為、液体窒素シュラウドを具え線源セルから発
生ずる不純物ガスあるいは、ベルジャ内の残留不純物ガ
スを吸着する様にされる。
よくする為、液体窒素シュラウドを具え線源セルから発
生ずる不純物ガスあるいは、ベルジャ内の残留不純物ガ
スを吸着する様にされる。
しかし、前記シュラウドは、不純物ガスだ番」でなく、
線源セルから射出する分子線も吸着する。
線源セルから射出する分子線も吸着する。
例えば、 ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓの成膜時は、多量の
砒素Ａｓ分子線を発生（照射）するため、該線源セルを
囲む液体窒素シュラウド壁にはＡｓが多く吸着かつ堆積
して、線源セルとシュラウド壁の開口端面倒の隙間がな
くなり９両者が熱接触する状態となる。
砒素Ａｓ分子線を発生（照射）するため、該線源セルを
囲む液体窒素シュラウド壁にはＡｓが多く吸着かつ堆積
して、線源セルとシュラウド壁の開口端面倒の隙間がな
くなり９両者が熱接触する状態となる。
特に、前記Ａｓや燐Ｉ）等の様な比較的低温度下で駆動
する分子線源セルでは、照射の分子線が堆積しやすい。
する分子線源セルでは、照射の分子線が堆積しやすい。
然し乍ら、前記熱接触状態になると線源セルを加熱して
もシェラウド壁に熱が逃げ、セル温度が所定温度になら
ず所望の分子線強度が得難いと云う問題がある。又、こ
れを修復するＡｓ除去の作業には、 Ａｓが周囲に飛散
して甚だ危険である。
もシェラウド壁に熱が逃げ、セル温度が所定温度になら
ず所望の分子線強度が得難いと云う問題がある。又、こ
れを修復するＡｓ除去の作業には、 Ａｓが周囲に飛散
して甚だ危険である。
（Ｃ）発明の目的
本発明の目的は前記の問題点を解決することにある。
本発明では、線源セルと液体窒素シュラウド両者が熱接
触する状態となる前に、液体窒素シュラウドの一局部を
加熱して付着の堆積物を蒸発せしめる除去手段を提示す
るものである。
触する状態となる前に、液体窒素シュラウドの一局部を
加熱して付着の堆積物を蒸発せしめる除去手段を提示す
るものである。
（ｄ）発明の構成
前記目的は、液体窒素シュラウドで囲まれた分子線源セ
ルを具える分子線結晶成長装置において。
ルを具える分子線結晶成長装置において。
前記線源セルの開口端部を加熱せしめるヒータを設ける
ことにより達成される。
ことにより達成される。
（ｅ）発明の実施例
以下９分子線結晶成長装置に於ける本発明の線源セル構
成実施例を第１図に従って詳細に説明する。
成実施例を第１図に従って詳細に説明する。
図は、セル軸に沿い切断した分子線源セルの簡略断面図
（イ）図と、 （イ）図のセル開口面側からみた正面図
（ロ）図である。
（イ）図と、 （イ）図のセル開口面側からみた正面図
（ロ）図である。
（イ）図に於いて、１は層状ボロンナイトライド（ＰＢ
Ｎ）で囲まれ照射源内蔵になる線源セル。
Ｎ）で囲まれ照射源内蔵になる線源セル。
２ば線源セル１を取り囲む液体窒素シュラウド。
３は線源セル開口端側のシャッタ、４は線源セル１の背
後に導出する分子線発生用ヒータのリード線及び該ヒー
タの動作温度計測用熱電対のリード線、更に、５は線源
セル開口端側の液体窒素シュラウド内周面に設りる本発
明のヒータ配設部である。該配設のヒータ部はリード線
６により外部電源に接続される。又リード線７はヒータ
部５に対する計測用熱電対のリードである。
後に導出する分子線発生用ヒータのリード線及び該ヒー
タの動作温度計測用熱電対のリード線、更に、５は線源
セル開口端側の液体窒素シュラウド内周面に設りる本発
明のヒータ配設部である。該配設のヒータ部はリード線
６により外部電源に接続される。又リード線７はヒータ
部５に対する計測用熱電対のリードである。
（１コ）図は線源セル開口部の正面図であり２図示の様
に液体窒素シュラウドの前記内周面に設ける本発明のヒ
ータ配設部が明示される。
に液体窒素シュラウドの前記内周面に設ける本発明のヒ
ータ配設部が明示される。
前記ヒータ５による開口部堆積物の除去力法を。
Ａｓ照射源セルの場合を例示して以下説明する。
液体窒素シュラウドから液体窒素を抜き出し線源セルを
室温に戻す。シャッタを開放状態となした後、前記ヒー
タ部５を３５０℃まで加熱し、この状態を＾Ｓ堆積物が
蒸発して無（なるまで保持する。
室温に戻す。シャッタを開放状態となした後、前記ヒー
タ部５を３５０℃まで加熱し、この状態を＾Ｓ堆積物が
蒸発して無（なるまで保持する。
併し、この間５分子線源セル側に前記蒸発のＡｓによる
再吸着がある。これを避ける為、線源セル側のヒータを
加熱して約２５０℃の温度に保持すれば。
再吸着がある。これを避ける為、線源セル側のヒータを
加熱して約２５０℃の温度に保持すれば。
照射源の再吸着汚染を防ぎ得る（照射源は図示されない
）。
）。
この様な液体窒素シュラウド内周面のヒータ設置により
、付着した堆積物による線源セルと液体窒素シュラウド
との間の熱接触を防止することが出来る。
、付着した堆積物による線源セルと液体窒素シュラウド
との間の熱接触を防止することが出来る。
（ｆ）発明の効果
以上、実施例図により詳細に説明した本発明の線源セル
構造を有する分子線結晶成長装置とすれば、従来問題に
なった液体窒素シェラウドとの接触による分子線強度の
劣化がなくなり、照射源材料がなくなる迄所定の強度で
安定な分子線照射がが出来る。
構造を有する分子線結晶成長装置とすれば、従来問題に
なった液体窒素シェラウドとの接触による分子線強度の
劣化がなくなり、照射源材料がなくなる迄所定の強度で
安定な分子線照射がが出来る。
第１図は本発明の線源セル構造実施例を示すセル断面図
（イ）図、及び線源セル開口面側の正面図（ロ）図であ
る。 図中、ｌは線源セル、２は液体窒素シュラウド。 ３はシャッタ、４は線源セル１のヒータと該セル温度計
測用のリード線、及び５は本発明のし−タ（抵抗加熱線
）部である。 煕！酊 Ｇ） ２
（イ）図、及び線源セル開口面側の正面図（ロ）図であ
る。 図中、ｌは線源セル、２は液体窒素シュラウド。 ３はシャッタ、４は線源セル１のヒータと該セル温度計
測用のリード線、及び５は本発明のし−タ（抵抗加熱線
）部である。 煕！酊 Ｇ） ２
Claims (1)
- 液体窒素シュラウドで囲まれた分子線源セルを具える分
子線結晶成長装置において、前記線源セルの開口端部を
加熱せしめるヒータを設けたことを特徴とする分子線結
晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17245383A JPS6065792A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17245383A JPS6065792A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065792A true JPS6065792A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15942263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17245383A Pending JPS6065792A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177277U (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-18 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17245383A patent/JPS6065792A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177277U (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-18 |
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