JPS6066876A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPS6066876A JPS6066876A JP58175671A JP17567183A JPS6066876A JP S6066876 A JPS6066876 A JP S6066876A JP 58175671 A JP58175671 A JP 58175671A JP 17567183 A JP17567183 A JP 17567183A JP S6066876 A JPS6066876 A JP S6066876A
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous hydrogenated
- light
- hydrogenated silicon
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電変換素子に係り、！Ｉ１１にファクシミ
リ等の画像入力部において光学的ｉｉ’；ｒ、み［Ｆソ
リ土手として使用される光電変換素子に関するものであ
る。
リ等の画像入力部において光学的ｉｉ’；ｒ、み［Ｆソ
リ土手として使用される光電変換素子に関するものであ
る。
光導電体層として非晶質水素化／リコン（」ン、−１ア
モルファス水素化シリコンと指（ＩＱｉする） ’ｃ
Ｉ：Ｊ：川し、これを透光性電極と金属’ｌ！： ４ｊ
＋＋とで」５；（ん／Ｃリンドイッチ構造のセンサは、
階）１．／こアし出、！劣ＩＢｊ’ｌ ！Ｉ’、’Ｊｌ
生をイ）しておりかつ、構造が１７１Ｉ弔″（入１１１
１槓化か′？１．易であることから、原稿と同一幅のセ
ンサ部をイｊする長尺ｍみ取シ素子、すなわち、：：ｊ
ｌｌ小光学）′百り必′及としない大面積デバイスとし
て、’ｌ（１”１広い１７．ｊ要がＩｔＪ１侍Δれてい
る。
モルファス水素化シリコンと指（ＩＱｉする） ’ｃ
Ｉ：Ｊ：川し、これを透光性電極と金属’ｌ！： ４ｊ
＋＋とで」５；（ん／Ｃリンドイッチ構造のセンサは、
階）１．／こアし出、！劣ＩＢｊ’ｌ ！Ｉ’、’Ｊｌ
生をイ）しておりかつ、構造が１７１Ｉ弔″（入１１１
１槓化か′？１．易であることから、原稿と同一幅のセ
ンサ部をイｊする長尺ｍみ取シ素子、すなわち、：：ｊ
ｌｌ小光学）′百り必′及としない大面積デバイスとし
て、’ｌ（１”１広い１７．ｊ要がＩｔＪ１侍Δれてい
る。
しかいアモルファス水素化シリコンを光導電体り、“？
として用い７でこのヒンサの分光感度１１′〒性は、ｒ
皮（＜ ６ ：３（〕１１ｍＪＪ、上の長？皮長ａ！Ｔ
域で５０．陸にイ）（： ’ｌ：するｌＩ、、ｄτ赤外
領賎に発光ピークをイエする’：Ｉ’： ＞ｒｒ体レし
ＩＪ１ｉ＋を）Ｙ； ＋Ｉ＋ｉｊとする１１ノ１合には
、これを七ンーリ−として１・ｌ”−川することができ
ないという不７？Ｉｊ合があつ／と。
として用い７でこのヒンサの分光感度１１′〒性は、ｒ
皮（＜ ６ ：３（〕１１ｍＪＪ、上の長？皮長ａ！Ｔ
域で５０．陸にイ）（： ’ｌ：するｌＩ、、ｄτ赤外
領賎に発光ピークをイエする’：Ｉ’： ＞ｒｒ体レし
ＩＪ１ｉ＋を）Ｙ； ＋Ｉ＋ｉｊとする１１ノ１合には
、これを七ンーリ−として１・ｌ”−川することができ
ないという不７？Ｉｊ合があつ／と。
本発明は＋）ｉＪ訃； ′、ｌｚ ｌ〆１に１み−Ｃな
さノ１．だもので降液１９領１或における分光感１１！
侍件の自好なｊ’ｌ’； 「（ｉ変換素トを提供するこ
とを目的とする。
さノ１．だもので降液１９領１或における分光感１１！
侍件の自好なｊ’ｌ’； 「（ｉ変換素トを提供するこ
とを目的とする。
本究明の光ＬＩＥ ；ｊｔ’−４’＋４水子Ｑ；１１、
光導電体ｊヴ、・の少なくとも一部の層ｔ・こア七ルフ
ァス水素化シリコンケゞルマニ１りｌ、層（ａ −５ｉ
ＸＧｅ１−Ｘ： １１％ Ｏ≦ｘ〈１）もしくｔ」、ア
モルファス水素化シリコン、陽層（ａ−８ｉｘＳｎｌ−
ア：１１．０≦ｘく１ ）てｃ用いｌこ→ノーンドイノ
チｆ１な造とすることにより、ｎＬ４己目的金達成しよ
うとするものでら／、）Ｏ こり光尋′亀体ＩＸｊのＪし１−俵として０．１、中光
々！・ｒｌｉ体全体音アモルファス水素化シリコンシ８
ルマニウム層もしくはアモルファス水素化シリコン々Ｉ
ｌ＋、、 Ｉ、ｊ′、’から構成したもの、（：ｉ）透
光性電極側ン・’ｆ （ニルファス水素化シリコン層、
金属′用極側をアモルファス水、４０化シリコンゲルマ
ニウム層もしく （ｌよアモルファス水素化７９３７４
層で構成し／ζ２Ｒ′ｉ４．°・′６告とし／、−もの
、（１；ｐケ゛ルマニウム成分あるいは錫成分が沃）′
１′、性市弥（ｊ′Ｉ１１に行くに従って連続的に減少
するようにｔ、ｌ、１７成された多層構造のアモルファ
ス水素化ノリ＝ｌン′ｌ゛ルマニウム層もしくはアモル
ファス水素化ンリ″−１７錫層等があげられる。
光導電体ｊヴ、・の少なくとも一部の層ｔ・こア七ルフ
ァス水素化シリコンケゞルマニ１りｌ、層（ａ −５ｉ
ＸＧｅ１−Ｘ： １１％ Ｏ≦ｘ〈１）もしくｔ」、ア
モルファス水素化シリコン、陽層（ａ−８ｉｘＳｎｌ−
ア：１１．０≦ｘく１ ）てｃ用いｌこ→ノーンドイノ
チｆ１な造とすることにより、ｎＬ４己目的金達成しよ
うとするものでら／、）Ｏ こり光尋′亀体ＩＸｊのＪし１−俵として０．１、中光
々！・ｒｌｉ体全体音アモルファス水素化シリコンシ８
ルマニウム層もしくはアモルファス水素化シリコン々Ｉ
ｌ＋、、 Ｉ、ｊ′、’から構成したもの、（：ｉ）透
光性電極側ン・’ｆ （ニルファス水素化シリコン層、
金属′用極側をアモルファス水、４０化シリコンゲルマ
ニウム層もしく （ｌよアモルファス水素化７９３７４
層で構成し／ζ２Ｒ′ｉ４．°・′６告とし／、−もの
、（１；ｐケ゛ルマニウム成分あるいは錫成分が沃）′
１′、性市弥（ｊ′Ｉ１１に行くに従って連続的に減少
するようにｔ、ｌ、１７成された多層構造のアモルファ
ス水素化ノリ＝ｌン′ｌ゛ルマニウム層もしくはアモル
ファス水素化ンリ″−１７錫層等があげられる。
以Ｔ１実施例に従って図面を参照しつつ本宅ＦｖＪの光
電変換素子を具体的に説明１〜る。
電変換素子を具体的に説明１〜る。
この光１ｆｊ変換素子は８層１図に小ず妬＜ 、Ｉ、ｆ
’、縁件のガラス基板■」二に形成された午、１１（市
１イ吹としてのクロム（Ｃｒ）電極２と、透光性屯１色
である１゛１りＩＩ−インジウム錫（Ｉｉ’Ｏ）電極３
とによって、光２．ｒ１１ｆｆ、 体層としてのアモル
ファス水素化シリコンダルマニウムノ亡ン４を秋Ｊ寺し
てなるものでりる。
’、縁件のガラス基板■」二に形成された午、１１（市
１イ吹としてのクロム（Ｃｒ）電極２と、透光性屯１色
である１゛１りＩＩ−インジウム錫（Ｉｉ’Ｏ）電極３
とによって、光２．ｒ１１ｆｆ、 体層としてのアモル
ファス水素化シリコンダルマニウムノ亡ン４を秋Ｊ寺し
てなるものでりる。
ｔＸに、かかる光乱、′蜆換素子の製造方法について〕
ノＩＳべる。
ノＩＳべる。
−，４、ず、蒸着法によって、ガラス基板Ｉ上に膜厚約
０．２μｍのクロム（Ｃｒ ）τ”ｉ ＩＩジ２ｆ：着
脱する。続いてノ第１・リソグラフィーにより所定の形
状に電極ツクターン全形成する。
０．２μｍのクロム（Ｃｒ ）τ”ｉ ＩＩジ２ｆ：着
脱する。続いてノ第１・リソグラフィーにより所定の形
状に電極ツクターン全形成する。
次いで、グロー故１」シ法により、アモルファス水へ化
シリコンケゞルマニウム（ａ−８ｉＸＧｅ＋−ｘ 二Ｈ
） ヲ）・′Ｊ１μｎｌの厚さて１１へｉｊｌ、’ｌす
る。このときに使用するがス１．１ノラン（Ｓ団４）お
」、び水素化ゲルマニウム（Ｇｅ１１４ ）とし、基板
γ都度＆：Ｌ ２００〜３００℃とする。
シリコンケゞルマニウム（ａ−８ｉＸＧｅ＋−ｘ 二Ｈ
） ヲ）・′Ｊ１μｎｌの厚さて１１へｉｊｌ、’ｌす
る。このときに使用するがス１．１ノラン（Ｓ団４）お
」、び水素化ゲルマニウム（Ｇｅ１１４ ）とし、基板
γ都度＆：Ｌ ２００〜３００℃とする。
１°睨１ｊ／：にス・？ツタ法により透光性市川１３と
して酸ＩＩＳイ／ノウム侍！、’Ｉ （Ｉ ｉ’０ ）
を、１１０１８ｍのノ！ノきで着ル濾形成ずゐ。
して酸ＩＩＳイ／ノウム侍！、’Ｉ （Ｉ ｉ’０ ）
を、１１０１８ｍのノ！ノきで着ル濾形成ずゐ。
このようにして形成された光電変換素子の分光ｆｌａｙ
Ｉ’３ｆ ’ｌ’Ｊ’ ＃％を第２１麺の曲ＡＵ Ａ
に示°ｊ−，ここで、Ｒ（軸は１１・Ｘ Ｉｌ、ｆピ゛
−りを１としたときの相対応１斐、横１１１は波ｉ＜（
ｎｍ）＊小ずｔのである。ここで、比較の為に、ン’Ｉ
、； “ｊ）’＋ｈ、 ｎ、 Ｉｔｊｊとし′Ｃ１この
人ＪｉｌｉｌＶｚりと同１２）、に干′ノ１μｍの１１
・Ｌ Ｉｏ、、ｊ ンもつア七ルノアス水宗化シリコン
を使用すると共に、金属Ｔｈ Ｉ’＋＠ オＪ：び透つ
’ｔ、 ４４ ｉｆ７．４４Ｂを実ｌ１ｆｌｉ ｆ′ｔ
ｌｌと全て同様に形成してなる従来の）ｌＩ′；′Ｘ１
を変１ワ！素子の分光感度特性を２層２図の＋ｆｌＩ線
Ｂに示ず。こＩｌ−らの曲線ＡおよびＢの比較から明ら
かなように、本究明実施例の光電変換素子は、従来のも
のに比べ、ｔ・、８度ピークが６２０ｎｍから７ （１
０ｕｒｎ ヘとｊ’＝４ 波Ｊ：％ ＋１１１１ ヘ移
行すると共に、近赤夕１である７ （Ｉ Ｉ）〜８５０
ｎｍにおける感度特性が大幅に改Ｊ’ｌ〒されている
ことがわかる。
Ｉ’３ｆ ’ｌ’Ｊ’ ＃％を第２１麺の曲ＡＵ Ａ
に示°ｊ−，ここで、Ｒ（軸は１１・Ｘ Ｉｌ、ｆピ゛
−りを１としたときの相対応１斐、横１１１は波ｉ＜（
ｎｍ）＊小ずｔのである。ここで、比較の為に、ン’Ｉ
、； “ｊ）’＋ｈ、 ｎ、 Ｉｔｊｊとし′Ｃ１この
人ＪｉｌｉｌＶｚりと同１２）、に干′ノ１μｍの１１
・Ｌ Ｉｏ、、ｊ ンもつア七ルノアス水宗化シリコン
を使用すると共に、金属Ｔｈ Ｉ’＋＠ オＪ：び透つ
’ｔ、 ４４ ｉｆ７．４４Ｂを実ｌ１ｆｌｉ ｆ′ｔ
ｌｌと全て同様に形成してなる従来の）ｌＩ′；′Ｘ１
を変１ワ！素子の分光感度特性を２層２図の＋ｆｌＩ線
Ｂに示ず。こＩｌ−らの曲線ＡおよびＢの比較から明ら
かなように、本究明実施例の光電変換素子は、従来のも
のに比べ、ｔ・、８度ピークが６２０ｎｍから７ （１
０ｕｒｎ ヘとｊ’＝４ 波Ｊ：％ ＋１１１１ ヘ移
行すると共に、近赤夕１である７ （Ｉ Ｉ）〜８５０
ｎｍにおける感度特性が大幅に改Ｊ’ｌ〒されている
ことがわかる。
なお、実施例においては、光等ｉ：ｌ’、体層がア］：
ルファス水素化シリコンゲ゛ルマニウムからなるＩＪ’
−ＩＥ４（１°へ”ｉｉ！ｊのもの＆ζついて述べたが
透ン゛Ｃ；性ｉｆｉ、 、１ケ＋１１１１ （〆に〕′
モルファス水素化シリコン層を設＆Ｊ’ ７’Ｃ２層（
１”Ｉ′ｉｉ’ｉとし、知１皮ｊ是側の感度の向上をは
かることもＩｏＩＪ ｆ＋ｌ：である。
ルファス水素化シリコンゲ゛ルマニウムからなるＩＪ’
−ＩＥ４（１°へ”ｉｉ！ｊのもの＆ζついて述べたが
透ン゛Ｃ；性ｉｆｉ、 、１ケ＋１１１１ （〆に〕′
モルファス水素化シリコン層を設＆Ｊ’ ７’Ｃ２層（
１”Ｉ′ｉｉ’ｉとし、知１皮ｊ是側の感度の向上をは
かることもＩｏＩＪ ｆ＋ｌ：である。
また、グロー放′１（工法により、九〕、・１山、（本
ハ゛・１イｊ； ｌｌ／：、成′）′るにあたシ、反応
性ガスでイ゛）／）７ランと水−（６化ケ゛ルマニウム
との成分比を）１１ヅ６１１’、Ｊに亥化訟ぜることに
より、金（・４≦′電極側から透光注電極１１ｊｌｌに
向うにｆｚＬってケ゛ルマニウム成分を減少せしめパン
Ｉ″ギャップ金次第に増大させ、広い波長雌１域にわ／
・一つで分１（： Ｉ＋＋９＋度１１２［件の向上をシ
まかることも町１１１１である。
ハ゛・１イｊ； ｌｌ／：、成′）′るにあたシ、反応
性ガスでイ゛）／）７ランと水−（６化ケ゛ルマニウム
との成分比を）１１ヅ６１１’、Ｊに亥化訟ぜることに
より、金（・４≦′電極側から透光注電極１１ｊｌｌに
向うにｆｚＬってケ゛ルマニウム成分を減少せしめパン
Ｉ″ギャップ金次第に増大させ、広い波長雌１域にわ／
・一つで分１（： Ｉ＋＋９＋度１１２［件の向上をシ
まかることも町１１１１である。
１１１に４１以上のＩＮ明に、ｂ・いでは、アモルファ
ス水暑゛化シリコンケゞルマニウムの例について囲べた
が、アモルファス水メ・テ化／リコン聾の場合について
も同イ子であることはＦ）う寸でもない。
ス水暑゛化シリコンケゞルマニウムの例について囲べた
が、アモルファス水メ・テ化／リコン聾の場合について
も同イ子であることはＦ）う寸でもない。
又、実施例例おいては、光導ｌＩｔ体層の形成１１ｉグ
ｎ −／ｉＶ １ｉ℃、′ムによっ−Ｃ’？１：’、ｒ
つだが、必ずしもこの方法に１′Ｊ（定されるものでに
１、ない。
ｎ −／ｉＶ １ｉ℃、′ムによっ−Ｃ’？１：’、ｒ
つだが、必ずしもこの方法に１′Ｊ（定されるものでに
１、ない。
［’ｊｉ、明の幼果〕
Ｊソ」−１説明してき／こように、本発明によれば、）
Ｙ； ｉ、ｒｉ″ｌｊ、ｉ、 ｆ１ｊ層としで７゛七ル
ノアス水メ・；化シリコン層金トリー）Ｙ、 （／１．
’山、＠（と倉１．・ス山、１１敏とでｊ〜１．！：
ん／どｉ羊〕Ｋの一ナンドづノア（１６告の尤屯′含換
素子に、（デい″Ｃ１ア七ルファぺ水（，１じシリコン
ハ２・のうちの少７１：くとも一層をアヒルファス水素
化／リコンク゛ルマニウム層Ｃｔ、 ＜（・、１、アモ
ルファス水素化ソリコノ１す・層と−ｊることにＪ：！
７、長波長側での分ブｃ Ｍ鴻市性を同上せしめること
か用ＩＩ己となめ。
Ｙ； ｉ、ｒｉ″ｌｊ、ｉ、 ｆ１ｊ層としで７゛七ル
ノアス水メ・；化シリコン層金トリー）Ｙ、 （／１．
’山、＠（と倉１．・ス山、１１敏とでｊ〜１．！：
ん／どｉ羊〕Ｋの一ナンドづノア（１６告の尤屯′含換
素子に、（デい″Ｃ１ア七ルファぺ水（，１じシリコン
ハ２・のうちの少７１：くとも一層をアヒルファス水素
化／リコンク゛ルマニウム層Ｃｔ、 ＜（・、１、アモ
ルファス水素化ソリコノ１す・層と−ｊることにＪ：！
７、長波長側での分ブｃ Ｍ鴻市性を同上せしめること
か用ＩＩ己となめ。
１１５１図は、本ノｔ ｌＪｉ太〃［１ｉ ？；りの９
’ｅ Ｉｌｌ ｉ ＪＩＳ Ａ’ｉ ｒ−の１１〜造を
示す図、第２図は本発明実施例の光’、ｌｊ、変１色米
子および従来例の光電変Ｉさ素子の４）光感ｐｆ １１
．ｊ、鮒曲線の比較ジＩである。 １・・・がラス基板、２・・クロム′ｌＦｒ、 ４・狼
、３・・・酸化インジウム錫電極、４・・・アモルファ
ス水素化７リコンゲルマニウム層、Ａ・・・本発明−！
ソＩＩ：′ｌｔ例の光鮨変喚才子の分光感度特性曲線、
Ｂ・・η（平の光＋Ｔ；、変換素子の分光感度特性曲線
。
’ｅ Ｉｌｌ ｉ ＪＩＳ Ａ’ｉ ｒ−の１１〜造を
示す図、第２図は本発明実施例の光’、ｌｊ、変１色米
子および従来例の光電変Ｉさ素子の４）光感ｐｆ １１
．ｊ、鮒曲線の比較ジＩである。 １・・・がラス基板、２・・クロム′ｌＦｒ、 ４・狼
、３・・・酸化インジウム錫電極、４・・・アモルファ
ス水素化７リコンゲルマニウム層、Ａ・・・本発明−！
ソＩＩ：′ｌｔ例の光鮨変喚才子の分光感度特性曲線、
Ｂ・・η（平の光＋Ｔ；、変換素子の分光感度特性曲線
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１アモルファス水素化シリコンダルマニウムＩＭ
（Ｒ−５ｔ）（Ｇｅ１−ｘ ： ＩＩ ＋ ０≦Ｘ〈１
）もしく ＆：ｌ：、アモルファス水素化シリコン錫層
（ａ−３ｔｘＳｒｚ−ｘ： Ｈ％０≦Ｘく１ ）を含Ｌ
Ｋする光導′ｉ’ｌｔ ｆ＊層を、透光性基；訴と金ｔ
、ｊ冊（１画とで挾持してなることを／ｌ−！Ｊ’ Ｒ
とするダ゛ン、ドイソチ構造の光電変換素子。 （２） 前記光４屯体層はアモルファス水素化シリコン
ク９ルマニウム層するいＣＪ、アモルファス水素化少ｒ
４コン４層のうちのいずれかを第１層とし、アモルファ
ス水素化シリコ７層を第２層と一ノーる２層１＋’ｔｊ
；、’ｒ“１．からなり、第１層を・金妨電極側に配
設せしめ７・ｔ−ことを牛′１自とする特１４’ｌ’
請求の・：１１）四相（１）１口記載の）゛〔、・Ｉｒ
７隻−］央素子。 （：リ 前記光導・ｉｉ、’ １．４； Ｉ・・では、
アモルファス水素化シリゴンゲノ１マニウノ・ハ・ｉ
、Ｖ、 Ｉ（Ｊ、 アモルファス水素化シリこ１ンイ、
すのい１れ／））からなり、バンドギャップを速光性電
極側に向って連続的にタ：化せしＩｒべく、夫々、ケ゛
ルマニウム成分又は錫成分が金属＋ｌ（ｌ金側から透光
性電極側に向って連続的に力・１２少せしめ１゛っれて
なる多層構造体からなることをＩｔ、＋１徴とする特許
請求の範囲第（１）項に記載のうし１Ｅ変換素Ｔ−６
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175671A JPS6066876A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175671A JPS6066876A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066876A true JPS6066876A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=16000194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175671A Pending JPS6066876A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060041A (en) * | 1987-11-12 | 1991-10-22 | Ricoh Research Institute Of General Electronics | Amorphous silicon photosensor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
| JPS561578A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58175671A patent/JPS6066876A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
| JPS561578A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060041A (en) * | 1987-11-12 | 1991-10-22 | Ricoh Research Institute Of General Electronics | Amorphous silicon photosensor |
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