JPS6066890A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6066890A JPS6066890A JP17536883A JP17536883A JPS6066890A JP S6066890 A JPS6066890 A JP S6066890A JP 17536883 A JP17536883 A JP 17536883A JP 17536883 A JP17536883 A JP 17536883A JP S6066890 A JPS6066890 A JP S6066890A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cladding layer
- conductivity type
- laser
- stripe
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、利得導波路構造及び屈折率導波路構造の双方
の特長を備えた半導体レーザ装置に関する。
の特長を備えた半導体レーザ装置に関する。
近年、に ａ ＡｔＡ ｌＬ系等のＩＩＩ −Ｖ族化合
物中心体材料を用いた半導体レーザは、Ｉ）Ａｌ） （
デ・ｆジタル・オーディオ・ｆイスク）を始めとして光
デイスク・ファイル等の情報処理機器への応用が進めら
れている。光デイスク用の半導体レーザにおいては、レ
ーザ光のビームを・」・塙く絞り込む必要があり、光学
系を簡単にすると云う点から基本横モード発振で非点収
差が小さいことが要求される。寸だ、光ディスクに応用
する点から次のような問題点のあることがＩＪＪらかに
なっている。すなわち、光ディスク・ファイル等におい
てｉｌｌ、ディクタＶこ当てた光の反射光の強度を検出
して情報をｕ；ｌ：み出１と云う機構土、反射光の一部
が半々１“体レーザに戻っていくことは避けらノ１．な
い。このｉこめ、上記半導体レーザは該レーザの両端１
ｉＩｉが１′する共振器の他に、レーザ端面とう′４ス
ク面とで形ｂｙ、 へれる共振器も存在することになり
、２里共振器を持つレーザとなる。そして、−ｙ＝□ｆ
スク山１が回転中に振動するど、後者の共振器長か液化
することになり、ス架りトル′り・光出力晴に斐す（１
１が生じ、７りｈ渭戻り元）・１ズがうｂ勺＝する。
物中心体材料を用いた半導体レーザは、Ｉ）Ａｌ） （
デ・ｆジタル・オーディオ・ｆイスク）を始めとして光
デイスク・ファイル等の情報処理機器への応用が進めら
れている。光デイスク用の半導体レーザにおいては、レ
ーザ光のビームを・」・塙く絞り込む必要があり、光学
系を簡単にすると云う点から基本横モード発振で非点収
差が小さいことが要求される。寸だ、光ディスクに応用
する点から次のような問題点のあることがＩＪＪらかに
なっている。すなわち、光ディスク・ファイル等におい
てｉｌｌ、ディクタＶこ当てた光の反射光の強度を検出
して情報をｕ；ｌ：み出１と云う機構土、反射光の一部
が半々１“体レーザに戻っていくことは避けらノ１．な
い。このｉこめ、上記半導体レーザは該レーザの両端１
ｉＩｉが１′する共振器の他に、レーザ端面とう′４ス
ク面とで形ｂｙ、 へれる共振器も存在することになり
、２里共振器を持つレーザとなる。そして、−ｙ＝□ｆ
スク山１が回転中に振動するど、後者の共振器長か液化
することになり、ス架りトル′り・光出力晴に斐す（１
１が生じ、７りｈ渭戻り元）・１ズがうｂ勺＝する。
ヒこ（、尺り）°（、）・１ズを抑制すると云う観点刀
・し半導体レーザ゛の４Ｉン皮路（１°４ｊ青を、、Ｍ
、ｉ白してみる。
・し半導体レーザ゛の４Ｉン皮路（１°４ｊ青を、、Ｍ
、ｉ白してみる。
′１１″′）ｒｔ、ＩＩ、レーレ゛ｑへ・、・、曹及路
（１°４造は、一般に利得へ）！・波）Ｗｉ ＋ｉ’＋
造と屈折率＞、１７．波路４１イ造との２つに大別され
４）ｏこれらの４１゛ｊ造に、１．・いて、非点状７Ｊ
：を小さくすることと戻りｙｌ−ノ１ズを少なくす２）
こととは１・１ノード・オノの１莫１廿々にある。ずな
わち、力Ｊ（折率７７′Ｉ波ｂ’６ ＋４造Ｖ←おいて
は、非点収差ｒＪ： ５ ［ｔｔｍ ］以ＩＩ−と小さ
く）〆Ｌ士−ドがグ定しｔいるために縦モードも単一モ
ー１゛で発振づ“／）が、ス被りトル線幅が狭いために
戻り光ノ４ズによる出力変動量は１「）〔６３以上と太
さい。一方、利１１１専波ｖ１１構造においては、縦モ
ードが多モード化しスーぐクトル線幅が広いために戻り
ブＣノイズによる出力変動鼠（はＪ〔％〕以下となるが
、非点収差Ｑま２０〔μｍ１以上と大きくなる６したが
って、非点収差と戻り光ノイズの７１ｈ性乏：回＋１ｊ
ｒに満足させるためには、屈折率導波路イ″（；構造と
Ａ’ｌｌ イｉｊ力波路Ａｉｌ造との双方の性質を兼ね
備え／こものでなければならない。
（１°４造は、一般に利得へ）！・波）Ｗｉ ＋ｉ’＋
造と屈折率＞、１７．波路４１イ造との２つに大別され
４）ｏこれらの４１゛ｊ造に、１．・いて、非点状７Ｊ
：を小さくすることと戻りｙｌ−ノ１ズを少なくす２）
こととは１・１ノード・オノの１莫１廿々にある。ずな
わち、力Ｊ（折率７７′Ｉ波ｂ’６ ＋４造Ｖ←おいて
は、非点収差ｒＪ： ５ ［ｔｔｍ ］以ＩＩ−と小さ
く）〆Ｌ士−ドがグ定しｔいるために縦モードも単一モ
ー１゛で発振づ“／）が、ス被りトル線幅が狭いために
戻り光ノ４ズによる出力変動量は１「）〔６３以上と太
さい。一方、利１１１専波ｖ１１構造においては、縦モ
ードが多モード化しスーぐクトル線幅が広いために戻り
ブＣノイズによる出力変動鼠（はＪ〔％〕以下となるが
、非点収差Ｑま２０〔μｍ１以上と大きくなる６したが
って、非点収差と戻り光ノイズの７１ｈ性乏：回＋１ｊ
ｒに満足させるためには、屈折率導波路イ″（；構造と
Ａ’ｌｌ イｉｊ力波路Ａｉｌ造との双方の性質を兼ね
備え／こものでなければならない。
ところで、利得分布に関係する市’、 ！ｊｉｉ’、狭
窄イ１り造と作りイ」け屈折率導波路構造とが自動的に
形成されるような構造のレーリ゛企自已繁合〕％す、
ｌ・−ザと云うが、特に′電流狭窄４’ｆ＃ ；’＋’
Ｌが１１゛１晶表面に出ていないものは内部ストうづプ
目己轄介型１／−ザと云う。この型のレーザは、製造ｌ
ロセスが容易で高歩留り及び高生産性が期待さノすると
同時に、活性層を結晶内部に持つ−Ｃくろことができる
ため、ｆｆＶ極表面からの欠陥の影響を受けにくいこと
、マウントに起因する劣化の影Ｗを少なくできるとと、
全ｉｉ’ｉ７電杉として１％触ｉｌｌ； Ｊノ’ｔ’を
減少さぜることによって亜鉛拡散等のフ’ｒ＋士スを省
けること、さらに表面を平ガ１にできるためマウントに
有利である等の利点を有する。
窄イ１り造と作りイ」け屈折率導波路構造とが自動的に
形成されるような構造のレーリ゛企自已繁合〕％す、
ｌ・−ザと云うが、特に′電流狭窄４’ｆ＃ ；’＋’
Ｌが１１゛１晶表面に出ていないものは内部ストうづプ
目己轄介型１／−ザと云う。この型のレーザは、製造ｌ
ロセスが容易で高歩留り及び高生産性が期待さノすると
同時に、活性層を結晶内部に持つ−Ｃくろことができる
ため、ｆｆＶ極表面からの欠陥の影響を受けにくいこと
、マウントに起因する劣化の影Ｗを少なくできるとと、
全ｉｉ’ｉ７電杉として１％触ｉｌｌ； Ｊノ’ｔ’を
減少さぜることによって亜鉛拡散等のフ’ｒ＋士スを省
けること、さらに表面を平ガ１にできるためマウントに
有利である等の利点を有する。
従来の内部ストラーＩｆ自己整合型【／−ザとしてｕ２
、＋４℃流阻止層にＶ ｒ：ｒｔ 奮設けｆｃ ＶＳ］
、Ｓ （Ｖ −Ｌ″ｂ＋＋叶ｃｌｃｄ ５ｕｂｑＬｒｎ
Ｌｅ Ｉ ｎｎｅｒ Ｓ ｔｒｉｐｃ ）レーザが知ら
れており、とのレーザはモード制御されており戻り光特
性も良いことが判っている。（−かし、ＶＳＩＳレーザ
には、ＬＰＥ法に比して大面積で均一性の良い結晶成長
；う唇ｉＪ能なＭ（Ｊ −ＣＶＤ ｉムでｉ−を製造で
きないと云う間：１１ｔかある。この間’＋１’＋ｘ
Ｉｔよ、光デイスク用レーデとＬ〜で大；＋４．生ｓｔ
ｎ、”１代を迎えた半心体し−デ製漬ＩＣ、！：、−
い′Ｃ致命的な欠点となる。
、＋４℃流阻止層にＶ ｒ：ｒｔ 奮設けｆｃ ＶＳ］
、Ｓ （Ｖ −Ｌ″ｂ＋＋叶ｃｌｃｄ ５ｕｂｑＬｒｎ
Ｌｅ Ｉ ｎｎｅｒ Ｓ ｔｒｉｐｃ ）レーザが知ら
れており、とのレーザはモード制御されており戻り光特
性も良いことが判っている。（−かし、ＶＳＩＳレーザ
には、ＬＰＥ法に比して大面積で均一性の良い結晶成長
；う唇ｉＪ能なＭ（Ｊ −ＣＶＤ ｉムでｉ−を製造で
きないと云う間：１１ｔかある。この間’＋１’＋ｘ
Ｉｔよ、光デイスク用レーデとＬ〜で大；＋４．生ｓｔ
ｎ、”１代を迎えた半心体し−デ製漬ＩＣ、！：、−
い′Ｃ致命的な欠点となる。
そこで最Ｊ！上、’ν１０− ＣＶＩ）法で製ｊ青でき
る同種の内部ストライプ自己整合型レーザとして、第１
図に示す如く清１生層上部に内部ストライプ構造を１１
する半導体レーザが提案された。なお、図中１はＮ −
ＧａＡｓ 、’７ｔ−板、２はＮ −ＧａＡｔＡｓクラ
ッド層、３はＧ−ａＡｔＡｓ活性層、４ 、Ｆ；ｌ Ｊ
）−ＧａＡｌＡｓクラ。
る同種の内部ストライプ自己整合型レーザとして、第１
図に示す如く清１生層上部に内部ストライプ構造を１１
する半導体レーザが提案された。なお、図中１はＮ −
ＧａＡｓ 、’７ｔ−板、２はＮ −ＧａＡｔＡｓクラ
ッド層、３はＧ−ａＡｔＡｓ活性層、４ 、Ｆ；ｌ Ｊ
）−ＧａＡｌＡｓクラ。
ド層、５１４ Ｎ −ＧａＡｓ 電！５ｉｉ： 閉止ノ
ｉ’ｊ；ｌ、ｔ； １．Ｊ、 ストライブ状の溝部、７
はｌ’ −ＧａＡｔＡｓ ＃覆Ａｅ、８１ｊ（Ｐ −Ｇ
ａＡｓ ｒ ｙタフｌ一層、９．１０は金属几、梗を示
している。？Ｃの構造では、ストう１プ状の海部６が形
成された電流阻止層５によって、活性層３へのｋＩ、流
注入がストン・１グ状に限定されると共に、活性層３に
導波されたつ′（、がり−／ッ１゛層４及び化１流阻止
層５に１でしみ出し、その結果ストライプ直下部分に導
波されたモードが形成されることになる。このため、シ
１リイｉＪ ３７′７波路＋１′１ｆ造及び屈４〕を率
ｊｊ）波路構造が同時に実現される。
ｉ’ｊ；ｌ、ｔ； １．Ｊ、 ストライブ状の溝部、７
はｌ’ −ＧａＡｔＡｓ ＃覆Ａｅ、８１ｊ（Ｐ −Ｇ
ａＡｓ ｒ ｙタフｌ一層、９．１０は金属几、梗を示
している。？Ｃの構造では、ストう１プ状の海部６が形
成された電流阻止層５によって、活性層３へのｋＩ、流
注入がストン・１グ状に限定されると共に、活性層３に
導波されたつ′（、がり−／ッ１゛層４及び化１流阻止
層５に１でしみ出し、その結果ストライプ直下部分に導
波されたモードが形成されることになる。このため、シ
１リイｉＪ ３７′７波路＋１′１ｆ造及び屈４〕を率
ｊｊ）波路構造が同時に実現される。
しかしながら、この釉のレーザレし不すクーしは次のよ
うな問題かあった。１′なわち、ｌｂ： ｂｅｅ、 １
５１１止層５のストライブ状ｒ：”Ｉ Ｂｌ〜６の幅−
（７１１１１１分布及び屈折率分布の幅が一為的に決；
１っでしまい、各分布の幅は等しいものとなる。このｌ
ｂ台、屈折率差が十分大きくついてし′よい、イ１」得
専波路の１１゛４徴はでてこない。したかっ−ｃ１光デ
・］ススフシレーとし−Ｃは、モード制側ｊ幼呆は十分
−Ｃちるか、戻り光特性に関（−でＣ二十分満足できる
結果を得ることはできなかった。
うな問題かあった。１′なわち、ｌｂ： ｂｅｅ、 １
５１１止層５のストライブ状ｒ：”Ｉ Ｂｌ〜６の幅−
（７１１１１１分布及び屈折率分布の幅が一為的に決；
１っでしまい、各分布の幅は等しいものとなる。このｌ
ｂ台、屈折率差が十分大きくついてし′よい、イ１」得
専波路の１１゛４徴はでてこない。したかっ−ｃ１光デ
・］ススフシレーとし−Ｃは、モード制側ｊ幼呆は十分
−Ｃちるか、戻り光特性に関（−でＣ二十分満足できる
結果を得ることはできなかった。
本発明の目的は、ノ１１・本横モード発振で非点収差が
小さいと云う特長を失うことなく、戻シ光ノイズによる
悪影響を十分小さくすることができ、尤ディスク用つ°
Ｃ源として極めて有用な半導体レーザ装ｂ：１．’ Ｙ
ｆ １３，１供することにある。
小さいと云う特長を失うことなく、戻シ光ノイズによる
悪影響を十分小さくすることができ、尤ディスク用つ°
Ｃ源として極めて有用な半導体レーザ装ｂ：１．’ Ｙ
ｆ １３，１供することにある。
本発明の骨子は、屈折率導波路構造と利得導波路構造と
の双方の特長を兼ね（Ｉｉｉｉえた構造を実現すること
にある。
の双方の特長を兼ね（Ｉｉｉｉえた構造を実現すること
にある。
前記第１図に）Ｊテずイ、′ヤ造のレーザにおいては、
電υＩＬ阻止層５が光音吸収することによって層方向の
民力ＩＩＪ力率差奮つｋ）ると云う屈折率力波路の効果
が生じる。−力、上記１／−ザにおい−Ｃ、クラッド層
４の厚Ｊｆを厚くずれは、活性ノヴ１３からｌ釉み出し
た光が１１テυ１し阻止層５による複ＪＦｉｌ折率差を
感じないようにすることができる。この場合、上記レー
ザ′は利イ（）導波路の効果が優先する。っまり、非点
収差は小ざいが戻ｔ）−ｉｔノイズによる出力変動すｉ
が大きくなる。
電υＩＬ阻止層５が光音吸収することによって層方向の
民力ＩＩＪ力率差奮つｋ）ると云う屈折率力波路の効果
が生じる。−力、上記１／−ザにおい−Ｃ、クラッド層
４の厚Ｊｆを厚くずれは、活性ノヴ１３からｌ釉み出し
た光が１１テυ１し阻止層５による複ＪＦｉｌ折率差を
感じないようにすることができる。この場合、上記レー
ザ′は利イ（）導波路の効果が優先する。っまり、非点
収差は小ざいが戻ｔ）−ｉｔノイズによる出力変動すｉ
が大きくなる。
したがって、上記２ ｆ′ｌｌｉのレーザを１本の共振
器中に実現できれば、ノｔ１折率２．り波路第１４造及
び利得導波路構造の双方の特長を、、Ｉｌｊね（ｊ！ｆ
ｉえたレーザが得られることになる。この点に着目して
本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、前記クラッド層４
の厚みを溝ストライプ方向に沿って可変すればよいこと
が判明した。
器中に実現できれば、ノｔ１折率２．り波路第１４造及
び利得導波路構造の双方の特長を、、Ｉｌｊね（ｊ！ｆ
ｉえたレーザが得られることになる。この点に着目して
本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、前記クラッド層４
の厚みを溝ストライプ方向に沿って可変すればよいこと
が判明した。
すなわち本発明は、第１導電型の半導体基板と、この基
板上に少なくとも第１導１Ｅ型の第１クラツド層、活性
層及び第２導霜：型の第２クラッド層をＪｔＥｉ次成長
して形成された夕゛ズルへテロ接合部と、上記第２クラ
、ド層上に成長形成され、かつ第２クラッド層１で全る
ストライプ状の溝４５１（が形成された第１７．１′？
−電型の電び（４阻止層と、上記溝部を含み上記電流１
利止層上に成長形成された第２導電型の被覆層とｆ：其
備した半導体ｌ／−ザ装置において、前記第２クラ、ド
層’＜ ｉ；ｉ１記ストライプ方向に対して少なくとも
２神の厚み金持つよう形成するようにしたものである。
板上に少なくとも第１導１Ｅ型の第１クラツド層、活性
層及び第２導霜：型の第２クラッド層をＪｔＥｉ次成長
して形成された夕゛ズルへテロ接合部と、上記第２クラ
、ド層上に成長形成され、かつ第２クラッド層１で全る
ストライプ状の溝４５１（が形成された第１７．１′？
−電型の電び（４阻止層と、上記溝部を含み上記電流１
利止層上に成長形成された第２導電型の被覆層とｆ：其
備した半導体ｌ／−ザ装置において、前記第２クラ、ド
層’＜ ｉ；ｉ１記ストライプ方向に対して少なくとも
２神の厚み金持つよう形成するようにしたものである。
（発明の効果〕
本発明によｉｌ、ｄ′、；ｔ’＋、 ２クラッド層が厚
い部分（一般には中央ｆＸＢ ）で利イ４＋導波路構造
を形成でき、第２クラ、ド層が薄い部分（一般には共振
２にψｌ′ｈ目５Ｂ近傍）で屈折苫ぺ導波路構造を形成
することができる４、そ（〜で、力１（折率尋波路部分
の実効屈折率差及び利得導波路構造における利得分布ζ
！トを決定するｔｌ・″・漬〕！ラメータを全て独立に
選ぶことができる。さらに、共振器長の中におけるＪａ
ｉｌ ｊＪｒ率導波路ｉ’ｌｔ分と利得等波路部分との
割合を１’＋−意に変えることができる。以上のことか
ら、ル↓り光ノイズ特性に対する２つの導波路構造の依
存性を見ることができた。したがって、２つの；’；’
７＋波路部分の割合及び各ルｈの構造・Ｖンメータをｉ
商当に設定−ノノ、ことによって、光ディスク用１／−
ザに好適するｆｌｊｒ （４ｇ、すなわち基本横モード
発振で非点収差が十分小さく、かつｊ７ｉり光ノイスに
よる出力変動１．：も十分小さい％性をイＵるこさがで
き／１ 本発明者等の実験によれば、ＧａＡｔＡｓ ’ｆｒ：材
料とし活性層のＡｔの割合ＸＡｔ＝ ０．１５、第２ク
ラッド層のｘＡｌ ＝ ０．４．５．１１主流阻ｔ１
％１ ｆ ＧａＡｓとし、屈折率ガイド部分の第２クラ
ッド層）＋７み（イ）：１５〔μｍ〕、利得ガイド部分
のεｆ５２クラ、ドＪｒ＝けユＪみを０．５〔μｍ〕、
電流ストライブのｒｊ’ｊ、ｌｌ’ｂＸを、う］二μｍ
〕、さらに共振器長の中の端面τ１１１の屈折率メツ′
イ１゛部分の割合を５〜４５〔幻としたところ、非点収
差は５〜１０〔μｍ〕、縦モードは５１： ｒｎＷ ］
−まで多モード、戻り光ノイズによる出力変動量はＪ〔
係〕以下と云う結果が得られた１、この’１４１′ｌ身
よ光デイスク用レーザとして極めて好適するイ）のであ
る６、 〔発明の実施例〕 第２図（ａ） 〜（Ｃ） ｉｑＪ、それぞれ本発明の−
′−１３ノ（ｌｉ ）ｆｌに係わる半導体レーザの概略
措’ｔ：’、？（示−４もので第２図（ａ） ｋｊ共振
器方向にＷ＞ ッｆｃ ［（〕１而１ノｌ 、 第２１
！−１（Ｉ＋）は同図（、）の矢視Ａ−Ａ断面図、ご１
〜２図（Ｃ）η」、同［シｊ（ａ）の矢視Ｂ−１３断面
図である４７図中７１ ＆ｙ［Ｎ −ＧａＡｓ基板で、
この基板ＪＪ上にＨ，Ｎ −ＧａＡｔＡｓりラッ ド層
（第１クラツ ド層）１２、Ｇ ａ ＡＡＡ ８活性層
１３及びＰ−ＧｎＡｔＡｓクラッド層（２ｉＴ ２クラ
ッド層）１４全１１！＋’１次績ノ・３してなるダブル
へテロ接合部が形成さｉｔでいる。ここで、上記第２ク
ラッド層１４は任シ１Σするストライブ方向に対し中央
部が厚く、ｊ）ｉ２！２部傍が勢く形成さ１１でいる。
い部分（一般には中央ｆＸＢ ）で利イ４＋導波路構造
を形成でき、第２クラ、ド層が薄い部分（一般には共振
２にψｌ′ｈ目５Ｂ近傍）で屈折苫ぺ導波路構造を形成
することができる４、そ（〜で、力１（折率尋波路部分
の実効屈折率差及び利得導波路構造における利得分布ζ
！トを決定するｔｌ・″・漬〕！ラメータを全て独立に
選ぶことができる。さらに、共振器長の中におけるＪａ
ｉｌ ｊＪｒ率導波路ｉ’ｌｔ分と利得等波路部分との
割合を１’＋−意に変えることができる。以上のことか
ら、ル↓り光ノイズ特性に対する２つの導波路構造の依
存性を見ることができた。したがって、２つの；’；’
７＋波路部分の割合及び各ルｈの構造・Ｖンメータをｉ
商当に設定−ノノ、ことによって、光ディスク用１／−
ザに好適するｆｌｊｒ （４ｇ、すなわち基本横モード
発振で非点収差が十分小さく、かつｊ７ｉり光ノイスに
よる出力変動１．：も十分小さい％性をイＵるこさがで
き／１ 本発明者等の実験によれば、ＧａＡｔＡｓ ’ｆｒ：材
料とし活性層のＡｔの割合ＸＡｔ＝ ０．１５、第２ク
ラッド層のｘＡｌ ＝ ０．４．５．１１主流阻ｔ１
％１ ｆ ＧａＡｓとし、屈折率ガイド部分の第２クラ
ッド層）＋７み（イ）：１５〔μｍ〕、利得ガイド部分
のεｆ５２クラ、ドＪｒ＝けユＪみを０．５〔μｍ〕、
電流ストライブのｒｊ’ｊ、ｌｌ’ｂＸを、う］二μｍ
〕、さらに共振器長の中の端面τ１１１の屈折率メツ′
イ１゛部分の割合を５〜４５〔幻としたところ、非点収
差は５〜１０〔μｍ〕、縦モードは５１： ｒｎＷ ］
−まで多モード、戻り光ノイズによる出力変動量はＪ〔
係〕以下と云う結果が得られた１、この’１４１′ｌ身
よ光デイスク用レーザとして極めて好適するイ）のであ
る６、 〔発明の実施例〕 第２図（ａ） 〜（Ｃ） ｉｑＪ、それぞれ本発明の−
′−１３ノ（ｌｉ ）ｆｌに係わる半導体レーザの概略
措’ｔ：’、？（示−４もので第２図（ａ） ｋｊ共振
器方向にＷ＞ ッｆｃ ［（〕１而１ノｌ 、 第２１
！−１（Ｉ＋）は同図（、）の矢視Ａ−Ａ断面図、ご１
〜２図（Ｃ）η」、同［シｊ（ａ）の矢視Ｂ−１３断面
図である４７図中７１ ＆ｙ［Ｎ −ＧａＡｓ基板で、
この基板ＪＪ上にＨ，Ｎ −ＧａＡｔＡｓりラッ ド層
（第１クラツ ド層）１２、Ｇ ａ ＡＡＡ ８活性層
１３及びＰ−ＧｎＡｔＡｓクラッド層（２ｉＴ ２クラ
ッド層）１４全１１！＋’１次績ノ・３してなるダブル
へテロ接合部が形成さｉｔでいる。ここで、上記第２ク
ラッド層１４は任シ１Σするストライブ方向に対し中央
部が厚く、ｊ）ｉ２！２部傍が勢く形成さ１１でいる。
第２クラツドｊ曽１４土にはＮ −Ｇ［１Ａｌ１箱、流
阻止層１５（ｔＣは第２クラッド層１４に至る深さのス
トライプ状の溝ｆｉ１５１６が形成されている。そして
、この上にはｐ −ＧａＡ／−Ａｓ Ｋｍ ｆｉｔ層１
７及びＰ −ＧａＡｓコンタク！・層１８が形成されて
いる。な訃、図中１９．２０ｉｄ、それぞれ電４犯を示
している。
阻止層１５（ｔＣは第２クラッド層１４に至る深さのス
トライプ状の溝ｆｉ１５１６が形成されている。そして
、この上にはｐ −ＧａＡ／−Ａｓ Ｋｍ ｆｉｔ層１
７及びＰ −ＧａＡｓコンタク！・層１８が形成されて
いる。な訃、図中１９．２０ｉｄ、それぞれ電４犯を示
している。
次に」二記楢バ＋’ ｌ／ −−リ“の製造工程につい
て第３図（ａ）〜（ｆ）を参１１ｉ、（して説明する。
て第３図（ａ）〜（ｆ）を参１１ｉ、（して説明する。
まず、第３図（ａ）に７３＜すη１１ ＜ Ｎ −にｕ
Ａｓ茫枳（Ｓ＋ ドープ。
Ａｓ茫枳（Ｓ＋ ドープ。
ｎ二Ｊ〜２ＸｌＯｃｍ ）ＩＩＪ二に第１クラッド層１
２としてＮ ’−Ｇａ ｇ、５５Ａ１６．４５Ａ １１
層（ｎ−１，ＸＩ Ｏ’％−３＋厚み１．、５ ｚ７ｍ
） 、ｉ占性ノ曽１３としてアンドープＧａＯ，８５
ＡｔＯ，１ｓＡｓ層（ｊすみ（１，０８μ＋ｎＬｆｆｉ
ｚクラツドｊｐ’Ｈ１４としてＰ −Ｇａ ｏ、５ｓＡ
ｔｏ、＜５Ａ８１（ｉ （ｎ−１（１１８〜１．０１９
０η−３，厚み１．５μｍ）を順次成長形成［−／こ。
２としてＮ ’−Ｇａ ｇ、５５Ａ１６．４５Ａ １１
層（ｎ−１，ＸＩ Ｏ’％−３＋厚み１．、５ ｚ７ｍ
） 、ｉ占性ノ曽１３としてアンドープＧａＯ，８５
ＡｔＯ，１ｓＡｓ層（ｊすみ（１，０８μ＋ｎＬｆｆｉ
ｚクラツドｊｐ’Ｈ１４としてＰ −Ｇａ ｏ、５ｓＡ
ｔｏ、＜５Ａ８１（ｉ （ｎ−１（１１８〜１．０１９
０η−３，厚み１．５μｍ）を順次成長形成［−／こ。
このｆ′ＰｊＪ回目の結晶成長Ｋ （’Ｊ、 ＭＯ−Ｃ
ＶＤ法を用い、成４＊ 条件＆’：Ｊ： 潟、 ｐ’５
１７５０ ［℃］、Ｖ／ＩＩＩ ＝ ２ ｏ、コ＼ヤリ
アソｊス（Ｈ２）の流量〜］ ＯＬｌ／１ｎｉｎｌ、Ｊ
Ｊ３１．１：１はトリメチルガリウム（′ｌ″ＭＧ ：
（ＣＩ）３Ｇａ ）、Ｉ・リメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ ： （ＣＨ３）！、ＡＬ）、アルノン（ＡｓＩ１
３）、ｐｌ’ ” ン） ： ” 工”Ｊ−ル！ｌｌｊ
鉛（ＤＥＺ ：（Ｃ２）］−５）２Ｚｎ ）、ｎドーｚ
ｅ ７１− ：セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ ）で、成長速
度は（１，２５Ｌμｍ７’ｒｎ Ｉ １１ 〕で６−Ｚ
だ。なお、第１回目の結晶成長′Ｃｔよ必ずしもΔ４０
− ＣＶＤ法を用いる必要ｔｒＪ：ない〃・、大面Ｕｆ
で均一１」−の良い結晶成長が可能なｈｈＪ −ＣＶＴ
）法を用いることは、情意化を考えた当合１、円Ｃ法に
比べて有利である。
ＶＤ法を用い、成４＊ 条件＆’：Ｊ： 潟、 ｐ’５
１７５０ ［℃］、Ｖ／ＩＩＩ ＝ ２ ｏ、コ＼ヤリ
アソｊス（Ｈ２）の流量〜］ ＯＬｌ／１ｎｉｎｌ、Ｊ
Ｊ３１．１：１はトリメチルガリウム（′ｌ″ＭＧ ：
（ＣＩ）３Ｇａ ）、Ｉ・リメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ ： （ＣＨ３）！、ＡＬ）、アルノン（ＡｓＩ１
３）、ｐｌ’ ” ン） ： ” 工”Ｊ−ル！ｌｌｊ
鉛（ＤＥＺ ：（Ｃ２）］−５）２Ｚｎ ）、ｎドーｚ
ｅ ７１− ：セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ ）で、成長速
度は（１，２５Ｌμｍ７’ｒｎ Ｉ １１ 〕で６−Ｚ
だ。なお、第１回目の結晶成長′Ｃｔよ必ずしもΔ４０
− ＣＶＤ法を用いる必要ｔｒＪ：ない〃・、大面Ｕｆ
で均一１」−の良い結晶成長が可能なｈｈＪ −ＣＶＴ
）法を用いることは、情意化を考えた当合１、円Ｃ法に
比べて有利である。
次いで、第２クラツド）曽ノ４−１に（Ｕ ］ ］、’
）方向に２００〔μＩｒｌ〕幅で４ （１０ｊ／ｎ＋
＋Ｊピ°ッグーの）第１・レノスト・マスク（ン１示ぜ
り）を形成し、リン酸系エッチャントを用い第３１：イ
１ （ｌりに示ずり）１〈止＆出＋ｓ［Ｘの第２クン
・ トノｆｊ １ ４ ｙ）： Ｂ、！さくＪ、 ’５
ｔｆ μ＋ｎ 〕（・こなるまでエエラチンした。わ
３、いて、土圧レジスト・マスクｉＬｌ’：ｉ？去した
のち、第２回目）結晶ＩＪし長”、ｌ？ ＮＯ−ＣＶＩ
Ｊ法で１１つだ。すなわち、第３図（ｃ）に示す如く第
２クラッド層Ｉ４上に電流阻止層１５としでＮ −Ｇａ
Ａｓ層（ｎ ＝＝ １０１８〜１０１９ｃｍ−３゜Ｊ／
、Ｉみ０．５１部ｍ ）を成Ｊそ形成した。その後、電
流阻止、 ＸＱ １５ 土にフー、Ｊｌ−レジスト・マ
スク（図示せ１）を塗布しく（）１丁）方向に幅３．５
〔μｍ〕、ビ、ヂ３０ （ｌ ［１ｕＩＩ〕の溝を形成
し、これをマスクとしてリンＡｊ７系エッチャン］・を
用い、第３図（ｄ）に平面図４左−ノ如く゛電流阻止層
Ｉ５をエツチングした。こｉＬにより、電流阻止層Ｉ５
には底部で溝幅３ 〔ｔｔＩ］１］のストライプ状溝部
１６が形成される。
）方向に２００〔μＩｒｌ〕幅で４ （１０ｊ／ｎ＋
＋Ｊピ°ッグーの）第１・レノスト・マスク（ン１示ぜ
り）を形成し、リン酸系エッチャントを用い第３１：イ
１ （ｌりに示ずり）１〈止＆出＋ｓ［Ｘの第２クン
・ トノｆｊ １ ４ ｙ）： Ｂ、！さくＪ、 ’５
ｔｆ μ＋ｎ 〕（・こなるまでエエラチンした。わ
３、いて、土圧レジスト・マスクｉＬｌ’：ｉ？去した
のち、第２回目）結晶ＩＪし長”、ｌ？ ＮＯ−ＣＶＩ
Ｊ法で１１つだ。すなわち、第３図（ｃ）に示す如く第
２クラッド層Ｉ４上に電流阻止層１５としでＮ −Ｇａ
Ａｓ層（ｎ ＝＝ １０１８〜１０１９ｃｍ−３゜Ｊ／
、Ｉみ０．５１部ｍ ）を成Ｊそ形成した。その後、電
流阻止、 ＸＱ １５ 土にフー、Ｊｌ−レジスト・マ
スク（図示せ１）を塗布しく（）１丁）方向に幅３．５
〔μｍ〕、ビ、ヂ３０ （ｌ ［１ｕＩＩ〕の溝を形成
し、これをマスクとしてリンＡｊ７系エッチャン］・を
用い、第３図（ｄ）に平面図４左−ノ如く゛電流阻止層
Ｉ５をエツチングした。こｉＬにより、電流阻止層Ｉ５
には底部で溝幅３ 〔ｔｔＩ］１］のストライプ状溝部
１６が形成される。
次いで、上＾己しジスト マスクを除去し、第：う回目
の結晶成長をＭＯ−ＣＶＤ法で行い、第３図（ｅ）に示
す如＜ □ｉＡ 偵）ｎ ’ ７としてＰ −ＧａＬｌ
、５５”０．４５Ａｓ）ａ （ｐ ＝ Ｉ ０１８ｃｒ
ｎ−’ 、厚み１．１ｌｒｎ ）、コンタクト層１８と
してＰ −ＧａＡｏ （ｐ ＝ １０１９ｏｎ−’ ＋
厚み２μｍ）を順次成長形成した。ここで、第２回目以
降の結晶成長な」１、璧気中に晒された篩いＡＬａ度を
有する層上への成長のため、従来のＬＰＥ法では成長で
きずＭＯ−ＣＶＤ法が必要とされる。
の結晶成長をＭＯ−ＣＶＤ法で行い、第３図（ｅ）に示
す如＜ □ｉＡ 偵）ｎ ’ ７としてＰ −ＧａＬｌ
、５５”０．４５Ａｓ）ａ （ｐ ＝ Ｉ ０１８ｃｒ
ｎ−’ 、厚み１．１ｌｒｎ ）、コンタクト層１８と
してＰ −ＧａＡｏ （ｐ ＝ １０１９ｏｎ−’ ＋
厚み２μｍ）を順次成長形成した。ここで、第２回目以
降の結晶成長な」１、璧気中に晒された篩いＡＬａ度を
有する層上への成長のため、従来のＬＰＥ法では成長で
きずＭＯ−ＣＶＤ法が必要とされる。
次いで、第３図（ｆ）に示す如＜ Ｊ二部電４ｆｉ、１
９としてＣｒ／Ａ ｕ、下部電極２０としてＡ、１３Ｇ
＋！／ＡＩＪを蒸着し、オーミックコンタクトをとった
。その後、この試料をへき開によって分割することによ
り、前記第２図に示ず如きレーザが完成することになる
。
９としてＣｒ／Ａ ｕ、下部電極２０としてＡ、１３Ｇ
＋！／ＡＩＪを蒸着し、オーミックコンタクトをとった
。その後、この試料をへき開によって分割することによ
り、前記第２図に示ず如きレーザが完成することになる
。
かくして作成されたレーザにおいて、共振器長に対する
屈折率ガイド部の割合を神々変化させてみたところ、屈
折率ガイド部（第２クラッド層１４の厚みが薄い部分）
が４５ Ｃ１３以上の場合非点収差３〔μｒｒ＋）す、
下、縦単一モード、戻り光による出力変動邦、１０〔循
〕以上で力ＩＩシ１率ガイドレーザの性質を示した。Ｍ
！、 Ｊａｒ″＄力゛イド力作４１部４５ ［％］の場
合、非点収差５〜］ ０ ［／１ｍ］、縦多モード、戻
シ光による出力変動、ハ↑Ｊ〔％〕以下と屈折率・利得
両ガ・ｆ１゛型の１に１゛ｔ′ｆを示した。
屈折率ガイド部の割合を神々変化させてみたところ、屈
折率ガイド部（第２クラッド層１４の厚みが薄い部分）
が４５ Ｃ１３以上の場合非点収差３〔μｒｒ＋）す、
下、縦単一モード、戻り光による出力変動邦、１０〔循
〕以上で力ＩＩシ１率ガイドレーザの性質を示した。Ｍ
！、 Ｊａｒ″＄力゛イド力作４１部４５ ［％］の場
合、非点収差５〜］ ０ ［／１ｍ］、縦多モード、戻
シ光による出力変動、ハ↑Ｊ〔％〕以下と屈折率・利得
両ガ・ｆ１゛型の１に１゛ｔ′ｆを示した。
また、屈折率ガイ）９部が５〔幻以下の場合、非点収差
２０〔μｍ３以上、縦多モード、戻り光による出力変動
ｈ’、 Ｊ ［係〕以下と利得ガイド型の性質を示した
。したがって、例えば共振器長２６０［７ＺＩＴｌ ：
］ 、両端の屈折率ガイド部をそれぞれ３０〔μｍ〕ず
つとすれば、屈折率ガイド？〜ＩＳの割合が２３〔係〕
となり、非点収差の点でも戻り光による出力変動の点で
もツＣ７″イスク用半導体レーザとして好適する（１：
、）性がイｚＩられることになる。
２０〔μｍ３以上、縦多モード、戻り光による出力変動
ｈ’、 Ｊ ［係〕以下と利得ガイド型の性質を示した
。したがって、例えば共振器長２６０［７ＺＩＴｌ ：
］ 、両端の屈折率ガイド部をそれぞれ３０〔μｍ〕ず
つとすれば、屈折率ガイド？〜ＩＳの割合が２３〔係〕
となり、非点収差の点でも戻り光による出力変動の点で
もツＣ７″イスク用半導体レーザとして好適する（１：
、）性がイｚＩられることになる。
このようＩｔＣ本実本実施工れば、非点収差が小さいと
云う！１ｊ１長を失うことなく、戻り光ノイズによる悪
影響′ｆ３．’−１分小さくすることができ、光−フ′
づスフ用つ°０諒とし°Ｃ極め″Ｃイ１用である。甘だ
、ＭＯ−ＣＶＤ法で形ＩＪｋできるので、太＋（ｊ生産
にも極めて有効である。
云う！１ｊ１長を失うことなく、戻り光ノイズによる悪
影響′ｆ３．’−１分小さくすることができ、光−フ′
づスフ用つ°０諒とし°Ｃ極め″Ｃイ１用である。甘だ
、ＭＯ−ＣＶＤ法で形ＩＪｋできるので、太＋（ｊ生産
にも極めて有効である。
なお、本発明は土ｘトした実施例に限χピされるもので
はない。例えｔ：Ｊ：、前記各層の成長方法はＭＯ−Ｃ
ＶＤ法に限らずＭＢＥ法であってもよい。また、各層の
組成比ＱＪ：伺ら実施例に限定されるものではなく、仕
様に応じて適宜変更可能である。
はない。例えｔ：Ｊ：、前記各層の成長方法はＭＯ−Ｃ
ＶＤ法に限らずＭＢＥ法であってもよい。また、各層の
組成比ＱＪ：伺ら実施例に限定されるものではなく、仕
様に応じて適宜変更可能である。
例えば、前記第２クラッド層のＡｔ組成を”ｈｌ＝Ｏ−
３５とし、光ガイド層として機能させることもてきる。
３５とし、光ガイド層として機能させることもてきる。
この場合、光の滲み出しか大きくなるため、利得ガイド
部で光が屈折率差を感じないように利得ガイド部での第
２クラッド層を２〔μｍ ］以上と厚ぐする必要がちる
。このようにして、ビームの広がり角やアスペクト比を
改善したり、高出力化をはカすることもｎ１能である。
部で光が屈折率差を感じないように利得ガイド部での第
２クラッド層を２〔μｍ ］以上と厚ぐする必要がちる
。このようにして、ビームの広がり角やアスペクト比を
改善したり、高出力化をはカすることもｎ１能である。
づ−だ、半導体材ｔ１としては、ＧａＡｔＡｓの他にに
ａＩｎＡｓＰやＧａＡｔＡｓＳｂ等の化合物半導体拐竿
゛１を用いることができる。さらに、基板としてＮ型の
代りにＰ型基板を用い、各層の導電型を逆にすることも
Ｔ５Ｊ能である。また、活性層ｆ 、−／ｈむタノ゛ル
ヘデロ接合構逓は対称３層構造に限らず、非対称や３層
以上の多層抱造にしてもよい。その他、小発明の要旨な
逸脱しない範囲で、行々変形し一〇実施することができ
る。
ａＩｎＡｓＰやＧａＡｔＡｓＳｂ等の化合物半導体拐竿
゛１を用いることができる。さらに、基板としてＮ型の
代りにＰ型基板を用い、各層の導電型を逆にすることも
Ｔ５Ｊ能である。また、活性層ｆ 、−／ｈむタノ゛ル
ヘデロ接合構逓は対称３層構造に限らず、非対称や３層
以上の多層抱造にしてもよい。その他、小発明の要旨な
逸脱しない範囲で、行々変形し一〇実施することができ
る。
第１図は内部ストライブ自己整合型レーザの概略ｔ′Ｉ
８造を示す断面１図、第２図（ａＪ〜（ｃ）はそれぞれ
本発明の一実施例に係わる゛１岑体レーザの概略構造を
示す断ｒＢｒ図、第３１：’４＋ （ａＪ〜（ｆ）は上
記実施例レーザの製造工程を示す断面図及び平面図であ
る。 Ｊ ｌ ＝−Ｎ −ＧａＡｓ基板、” ”・Ｎ−ＧａＯ
，５！ｌ”［１，４５Ａ８第１クラヅド層、１３・・・
アンド−ｆＧａｏ、８μ。、１≠８活性層、１４・＝
Ｐ −Ｇａｔｌ、５５”４］、４５Ａ’ ｍ ２クラシ
ト層、１．５− Ｎ −ＧａＡｓ ’ｉＪｉ：流阻止層
、Ｉ ６−ストライブ状溝部、１７ ”−Ｐ−Ｇａｏ、
５５Ａｊａ０．４５ＡＲ被ω層、１８・・Ｐ−ＧａＡａ
コンタクト層、１９．２０・・・電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 １１−３１−１
８造を示す断面１図、第２図（ａＪ〜（ｃ）はそれぞれ
本発明の一実施例に係わる゛１岑体レーザの概略構造を
示す断ｒＢｒ図、第３１：’４＋ （ａＪ〜（ｆ）は上
記実施例レーザの製造工程を示す断面図及び平面図であ
る。 Ｊ ｌ ＝−Ｎ −ＧａＡｓ基板、” ”・Ｎ−ＧａＯ
，５！ｌ”［１，４５Ａ８第１クラヅド層、１３・・・
アンド−ｆＧａｏ、８μ。、１≠８活性層、１４・＝
Ｐ −Ｇａｔｌ、５５”４］、４５Ａ’ ｍ ２クラシ
ト層、１．５− Ｎ −ＧａＡｓ ’ｉＪｉ：流阻止層
、Ｉ ６−ストライブ状溝部、１７ ”−Ｐ−Ｇａｏ、
５５Ａｊａ０．４５ＡＲ被ω層、１８・・Ｐ−ＧａＡａ
コンタクト層、１９．２０・・・電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 １１−３１−１
Claims (2)
- （１） 化合物千導体拐料からなり、ダブルヘテ０接合
構造を有する仝１を導体レーザ装置において、第１導ｆ
ｎ型の２１（導体基板と、この基板上に少なくとも第１
々７屯型の第Ｊクラッド層、活性層及び第２導電型の第
２クラツ１゛層を順次成長して形成されたダブルへテロ
接合部と、上記第２クラツドＨ上に成長形成され、かつ
第２クラッド層寸で至るストライフ０状の溝部が形成さ
れた第」４′ｉ電型の奄υｉｒ、 ｉ！Ｉｌｌ止層と、
上記溝＞ＳＢを含み上記箱： ｒｊｉｉ：阻止層上に成
長形成された第２ ＞ｉｔ・電型の被わ１層と金具（＋
ｉｉｉ Ｉ、、ｉ’＋ｉＪ記第２クラッド層は１）１１
記ストう］プ方向に対し少なくとも２種の厚みを持′−
ノよう形成さノ１ていることｆ：特徴とする半導体１／
−デ装置。 - （２）ｉ４ＩＪ ＩＪｔ第２クラ、７ド層は、前記スト
ライプ方向に対し中央部で厚く形成され、かつ少なくと
も共振器端部側の一方で簿く形成されたものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17536883A JPS6066890A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17536883A JPS6066890A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066890A true JPS6066890A (ja) | 1985-04-17 |
| JPS641952B2 JPS641952B2 (ja) | 1989-01-13 |
Family
ID=15994866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17536883A Granted JPS6066890A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066890A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170985A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JPH02178986A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH02178985A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| USRE34297E (en) * | 1988-06-08 | 1993-06-29 | Copeland Corporation | Refrigeration compressor |
| US7005680B2 (en) | 2000-11-01 | 2006-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device including a divided electrode having a plurality of spaced apart conductive members |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17536883A patent/JPS6066890A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170985A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
| USRE34297E (en) * | 1988-06-08 | 1993-06-29 | Copeland Corporation | Refrigeration compressor |
| USRE37019E1 (en) | 1988-06-08 | 2001-01-16 | Copeland Corporation | Refrigeration compressor |
| JPH02178986A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH02178985A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| US7005680B2 (en) | 2000-11-01 | 2006-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device including a divided electrode having a plurality of spaced apart conductive members |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641952B2 (ja) | 1989-01-13 |
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